NO337881B1 - Balansert, høyfrekvent motstand med en planar lagstruktur - Google Patents

Balansert, høyfrekvent motstand med en planar lagstruktur Download PDF

Info

Publication number
NO337881B1
NO337881B1 NO20082123A NO20082123A NO337881B1 NO 337881 B1 NO337881 B1 NO 337881B1 NO 20082123 A NO20082123 A NO 20082123A NO 20082123 A NO20082123 A NO 20082123A NO 337881 B1 NO337881 B1 NO 337881B1
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
resistive layer
shaped
incision
sides
energy
Prior art date
Application number
NO20082123A
Other languages
English (en)
Other versions
NO20082123L (no
Inventor
Frank Weiss
Original Assignee
Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co Kg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co Kg filed Critical Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co Kg
Publication of NO20082123L publication Critical patent/NO20082123L/no
Publication of NO337881B1 publication Critical patent/NO337881B1/no

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/24—Terminating devices
    • H01P1/26—Dissipative terminations
    • H01P1/268—Strip line terminations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/24—Terminating devices
    • H01P1/26—Dissipative terminations

Landscapes

  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)

Description

Foreliggende oppfinnelse er relatert til en radiofrekvens (RF) motstand, og i særlig grad til en RF termineringsmotstand som har en plan lagstruktur som har, et substrat, et resitivt lag for å konvertere RF energi til varme, en inngangslederbane for innmatningen av RF energi, og en jordlederbane for å lage en elektrisk forbindelse til en jordkontakt, inngangslederbanen er elektrisk koblet til en første ende av det resitive laget, jordlederbanen er elektrisk koblet til en andre ende av det resitive laget som er motsatt den første enden, og det resitive laget er avgrenset, mellom den første enden og den andre enden, av latterale sider i en retning normalt på en retning for utbredelse av RF energien i det resitive laget og normalt på en normal til den plane lagstrukturen, det resitive laget har i det minste et innsnitt som i det minste delvis innsnevrer tverrsnittet av det resitive laget, for å tilpasse den karakteristiske impedansen til en forhåndsbestemt verdi, der innsnittet er formet til å være i avstand bort fra de latterale sidene til det resistive laget, som definert i innledningen til krav 1. Foreliggende oppfinnelse er også relatert til en fremgangsmåte for å tilpasse den karakteristiske impedansen til en RF motstand, og særlig til en RF termineringsmotstand, som har en plan lagstruktur som har på et substrat et resitivt lag for å konvertere RF energi til varme, en inngangslederbane for innmatningen av RF energi, og en jordlederbane for å lage en elektrisk forbindelse til en jordkontakt, inngangslederbanen er elektrisk koblet til en første ende av det resitive laget, jordlederbanen er elektrisk koblet til en andre ende av det resitive laget som er motsatt den første enden, og det resitive laget er avgrenset, mellom den første enden og den andre enden av latterale sider i en retning normalt på en retning for utbredelse av RF energien i det resitive laget og normalt med normal til den plane lagstrukturen, hvor det er formet i det resitive laget i det minste et innsnitt som delvis avgrenser tverrsnittet til det resistive laget for å tilpasse den karakteristiske impedansen til en forhåndsbestemt verdi, der i det minste ett innsnitt som delvis i det minste innsnevrer tverrsnittet til det resistive laget, er innsnittet formet til å være i avstand bort fra de latterale sidene til det resistive laget, som definert i innledningen til krav 8.
For å gjøre RF motstanden bredbåndet er strukturen til det resistive laget tilpasset til de omkringliggende betingelsene relevante for radiofrekvenser. For å tilpasse RF termineringsmotstander av typen nevnt ovenfor er det kjent å ha et plant område i kanten av det resistive laget som elektrisk blir deaktivert ved et innsnitt eller dype innsnitt som blir formet i tverrsnittet av strukturen. Imidlertid, dersom dette blir gjort vil det oppstå problemer ved at høye strømtettheter opptrer lokalt i området ved innsnittene og disse gir opphav til høye temperaturer i det resistive laget. Resultatet av dette er at RF motstanden så bare er passende for smalbåndet bruk eller kan muligens bli sortert ut i produksjonen som skrap som ikke kan brukes. Av den tyske patentpublikasjonen, DE 2634812 Al, fremgår det en radiofrekvens motstand, og en RF termineringsmotstand som kan ha en plan lagstruktur.
Hensikten som ligger bak foreliggende oppfinnelse er å forbedre en RF motstand av typen ovenfor på en slik måte at mens resultatet av produksjonsprosessene er så høyt som mulig og utmerkede RF egenskaper blir bevart, vil bruk av økt dissipert effekt og varme i det resistive laget bli distribuert på en optimal måte ved tilpasningen av den karakteristiske impedansen.
Denne hensikt blir oppnådd i henhold til foreliggende oppfinnelse av en RF motstand av typen ovenfor som har egenskapenekarakteriserti krav 1, der innsittet er formet til å være U-formet i planet til det resistive laget, der U'en har to sider og en bunn som kobler sidene. En fremgangsmåte av typen ovenfor som har egenskapene spesifisert i krav 8. Fordelaktige utførelser av foreliggende oppfinnelse er beskrevet i de andre kravene.
I en RF motstand av typen ovenfor er det forordnet i henhold til foreliggende oppfinnelse at innsnittet som blir dannet er i avstand fra de latterale sidene av det resistive laget.
Dette har den fordel at en fordelaktig varmedistribusjon som forhindrer varme punkter fra å opptre på grunn av økte strømtettheter blir oppnådd selv i området ved innsnittet.
Innsnittet er hensiktsmessig formet slik at det fullstendig avbryter tverrsnittet i det resistive laget i retningen på normalen til den plane lagstrukturen. Et område med det resistive laget som er plassert nedstrøms for innsnittet i retningen av utbredelsen av RF energien er fullstendig deaktivert på denne måten og lager ikke lenger noe bidrag til fremføringen av strøm fra inngangslederbanen i den første enden av det resistive laget til jordlederbanen i den andre enden av det resistive laget, som gir som resultatet at den elektroniske ohmske motstanden (arkmotstanden) blir følgelig forandret over hele det resistive laget.
Ved å forme innsnittet U-formet i planet til det resistive laget, der U'en har to sider og en bunn som kobler de to sidene og med en åpen ende i det U-formede innsnittet er formet til å være tilstøtende til den andre enden av det resistive laget, og hvor sidene til det U-formede innsnittet er formet å være vesentlig lengre enn bunnen av det U- formede innsnittet, en strømtetthet i det resistive laget er uniformt distribuert over lengden av det resistive laget i retningen av utbredelsen av RF energien, og enhver varme generert i det resistive laget i området for innsnittet vil dermed bli distribuert over et større område.
For den bestemte fine innstillingen av arkmotstanden vil en utvidelse av innsnittet bli formet i hver av disse frie endene av sidene til det U-formede innsnittet som er fjernt fra bunnen. Disse utvidelsene er hensiktsmessig formet til å være symmetriske med hverandre.
I en foretrukket utførelse vil innsnittet være anordnet sentralt mellom de latterale sidene til det resistive laget.
I en fremgangsmåte av typen ovenfor vil forordninger være gjort i henhold til foreliggende oppfinnelse for innsnittet som blir formet til å være i avstand fra de latterale sidene i det resistive laget.
Dette har den fordel at den fordelaktige varmedistribusjon som hindrer varmepunktet fra å opptre på grunn av økt strømtetthet blir oppnådd selv i området ved innsnittet.
Hensiktsmessig, i en fremgangsmåte av typen ovenfor, er innsnittet formet slik at det fullstendig avbryter tverrsnittet i det resistive laget i retningen på normalen til den plane lagstrukturen. Et område i det resistive laget som er plassert nedstrøms fra innsnittet i retningen av utbredelsen av RF energien er fullstendig deaktivert på denne måten og gir ikke lenger noe bidrag til fremføringen av strøm fra inngangslederbanen i den første enden av det resistive laget til jordlederbanen i den andre enden av det resistive laget, som gir som resultat at den karakteristiske impedansen blir følgelig forandret over hele det resistive laget.
Ved å forme en fremgangsmåte av typen ovenfor innsnittet slik at dette er U-formet i planet til det resistive laget der U'en har to sider og en bunn som kobler de to sidene og med en åpen ende av det U-formede innsnittet som er formet til å være tilstøtende til den andre enden av det resistive laget, og der sidene i det U-formede innsnittet er formet til å være vesentlig lengre enn bunnen av det U-formede innsnittet vil en strømtetthet i det resistive laget bli uniformt distribuert over lengden av det resistive laget i retningen for utbredelsen av RF energien og enhver varme frembragt i det resistive laget i området til innsnittet vil dermed bli distribuert over et større område.
For den bestemte fine innstillingen av den karakteristiske impedansen, er det formet, i en fremgangsmåte av typen ovenfor, en forlengelse av innsnittet i hver av disse frie endene av sidene til det U-formede innsnittet som er fjernt fra bunnen. Disse utvidelsene er hensiktsmessig formet til å være symmetrisk med hverandre.
I en foretrukket utførelse av fremgangsmåten ovenfor vil innsnittet være anordnet sentralt mellom de latterale sidene av det resistive laget.
Foreliggende oppfinnelse blir forklart i detalj nedenfor med referanse til tegningene hvor: Fig. 1 er en plantegning over en foretrukket utførelse av RF resistor i henhold til foreliggende oppfinnelse. Fig. 2 er en graf som viser tilpasningen av karakteristisk impedans mot frekvens for RF motstanden vist i fig. 1 når den ikke har tilpasning ved hjelp av et innsnitt. Fig. 3 er en graf som viser tilpasningen av den karakteristiske impedansen mot frekvens for RF motstanden vist i fig. 1 når den har tilpasning ved hjelp av innsnitt i henhold til foreliggende oppfinnelse. Fig. 4 er en plantegning over en alternativ utførelse av RF motstand som ikke har tilpasning ved hjelp av innsnittet i henhold til foreliggende oppfinnelse. Fig. 5 er en plantegning over en første foretrukket utførelse av RF motstanden vist i fig.
4 som har tilpasning ved hjelp av innsnitt i henhold til foreliggende oppfinnelse.
Fig. 6 er en plantegning over en andre foretrukket utførelse av RF motstanden vist i fig.
4 som har tilpasning ved hjelp av innsnitt i henhold til foreliggende oppfinnelse.
Den foretrukkede utførelsen av RF termineringsmotstanden i henhold til foreliggende oppfinnelse kan bli sett i fig. 1 som innbefatter et resistivt lag 10, en inngangslederbane 12 og en jordlederbane 14. Det resistive laget 10, inngangslederbanen 12 og jordlederbanen 14 er i form av respektive lag på et substrat 16 og danner en plan lagstruktur. Inngangslederbanen 12 er elektrisk koblet til en første ende 18 det resistive laget 10 og jordlederbanen 14 er elektrisk koblet til en andre ende 20 av det resistive laget 10 som er motsatt den første enden 18. Det resistive laget 10 tjener til å konvertere RF energi til varme, inngangslederbanen 12 tjener til å mate inn RF energi og jordlederbane 14 tjener til å lage en elektrisk forbindelse til en jordkontakt (ikke vist).
Mellom den første enden 18 og den andre enden 20, i retningen normalt på retningen for utbredelse 22 av RF energien i det resistive laget 10 og normalt på en normal 24 for den plane lagstrukturen, er det resistive laget 10 avgrenset av latterale sider 26. For å tilpasse den karakteristiske impedansen til en forhåndsbestemt verdi i det resistive laget 10, er det formet, i henhold til foreliggende oppfinnelse, et U-formet innsnitt 28 som i det minste delvis innskrenker tverrsnittet til det resistive laget, det U-formede innsnittet 28 er sentralt anordnet mellom de latterale sidene 26 på en slik måte at en åpen ende 30 av det U-formede innsnittet 28 er tilstøtende til den andre enden 20 av det resistive laget 10. Det U-formede innsnittet 28 er formet slik at det har to parallelle sider 32 og en bunn 34 som kobler sidene 32 sammen, der sidene 32 strekker seg parallelt med retningen for utbredelse 22 av RF energien i det resistive laget 10 og er formet for vesentlig å være lengre enn bunnen 34. Dette gir et relativt stort elektrisk deaktivert område mellom sidene 32 mens det på samme tid er slik at det elektrisk aktive tverrsnittet i området for innsnittet 28 forblir relativt stort. Som et resultat vil strømtettheten bli distribuert over et stort område av tverrsnittet og ethvert lokalt begrenset punkt hvor strømtettheten er høy blir unngått. Dette distribuerer den termiske energien produsert over et stort område og ethvert lokalt begrenset punkt i hvilke temperaturen er høy blir dermed unngått.
For å lage RF motstanden i henhold til foreliggende oppfinnelse bredbåndet er dermed strukturen til det resistive laget tilpasset til de omkringliggende betingelsene som er relevante for radiofrekvenser, tilpasningen er utført i henhold til foreliggende oppfinnelse i den langsgående retningen i senteret av strukturen i et punkt som er fordelaktig for fordelingen av varme, og som på samme tid gir den effekt at tilpasningen til de tilpassede verdiene er så god som mulig. Imidlertid, i den konvensjonelle fremgangsmåten for tilpasning av arkmotstand vil varme punkter opptre som et resultat av økte strømtettheter, mens der hvor innsnittet 28 er formet i henhold til foreliggende oppfinnelse vil strømtettheten være uniformt distribuert over lengden av den resistive strukturen 10 i retningen for utbredelse 22 av RF energien. Dette arealet til motstanden gjennom hvilke strømmen strømmer er vesentlig bredere. Fig. 2 og 3 viser de fordelaktige effektene av innsnittet 28 i henhold til foreliggende oppfinnelse på arkmotstanden til det resistive laget 10. Verdiene i fig. 2 og 3 ble bestemt fra simuleringer. Fig. 4 til 6 viser verdier for temperaturen som ble bestemt ved eksperimentering i forskjellige punkter i den resistive strukturen 10 når det ikke var noen tilpasning (fig. 4), mens det var tilpasning ved hjelp av en første utførelse av innsnittet 28 i fig. 5, og når det var tilpasning ved hjelp av en andre utførelse av innsnittet 28 som vist i fig. 6.1 tilfelle av den første utførelsen av innsnittet 28, som er vist i fig. 5, er innsnittet 28 formet til å være rent U-formet og har sider 32 og en bunn 34.1 tilfelle av den andre utførelsen av innsnitt 28, som er vist i fig. 6, er innsnittet 28 formet som i fig. 5 til å være U-formet og har i tillegg i de frie endene av sidene 32 forlengelser 36 av innsnittet 28 som er utvidet normalt på sidene 32, som betyr av disse utvidelsene 36 er normale på retningen av utbredelsene 22 av RF energien og maskerer bort et tilleggsområde for den resistive strukturen 10 mot flyten av strøm, dvs. de deaktiverer elektrisk dette tilleggsområdet, som betyr at dette tilleggsområdet ikke har noen del av flyten av strøm fra den første enden 18 til den andre enden 20. Tilleggshandling på denne måten på den elektriske ohmske motstanden (arkmotstanden) til det resistive laget 10.
Den følgende trend av temperaturfordelingen i det resistive laget som en funksjon av tilpasningssporet som er valgt kan klart bli sett. Tilpasningen av innsnittet 28 i henhold til foreliggende oppfinnelse er svært enkel å oppnå i teknologiske former og fremstiller en jevn uniform temperatur distribusjon eller heller presis, når tilpasningssporene er svært store. I motsetning til ekstreme innsnitt (kutt) slik som er vanlige i den kjente teknikk, mens innsnittet 28 i henhold til foreliggende oppfinnelse bringer ned den jevne temperaturen som et resultat av den uniforme distribusjonen når det er en stor tilpasning. På grunn av den høye dissiperte effekten vil de resistive strukturene som blir oppnådd være store sammenlignet med bølgelengden. For å muliggjøre god tilpasning til lasten som blir oppnådd uansett, blir den resistive strukturen 10 på substratet 16, og i særlig grad det resistive området i den langsgående retningen 22 tilpasset ved å variere bredden av strukturen. Muligheten for å gjøre innsnittet 28 for tilpasning relativt lang har også en positiv effekt på reflektansfaktoren. Alt i alt vil følgende fordeler bli oppnådd: en konstant varmefordeling (ingen varmepunkter), sikkerhet for svært god reflektansfaktorer over hele båndbredden, og en reduksjon i kostnad på grunn av et høyt resultat fra produksjonen.
De fordelaktige karakteristikkene ved den nye fremgangsmåten for å tilpasse har en direkte effekt på bruken av et motstandssubstrat. Ved denne hensikt å ha praktisk bruk er det initielle betingelser som må bli tilfredsstilt. Disse kan for eksempel være maksimal temperaturstress på loddeskjøter eller maksimalt tillatt temperaturkompatibilitet i resistive lag. På grunn av de fordelaktige egenskapene er foreliggende oppfinnelse særlig egnet for fremstilling av RF motstander i store antall (masseproduksj on, produksj onslinj eproduksj on).
En fremgangtsmåte for å tilpasse den karakteristiske impedansen til en RF motstand, og i særlig grad en RF terminerende motstand, som har en plan lagstruktur som har, på et substrat, et resistivt lag for å konvertere RF energi til varme, en inngangslederbane for innmatingen av RF energi, og en jordlederbane for å lage en elektrisk forbindelse til en jordkontakt, der inngangslederbanen er elektrisk koblet til en første ende av det resistive laget, jordlederbanen er elektrisk koblet til en andre ende av det resistive laget som er motsatt den første enden, og det resistive laget er avgrenset, mellom den første enden og den andre enden, av latterale flater i en retning normalt på en retning for utbredelse av RF energien i det resistive laget og normalt på en normal til den plane lagstrukturen, som er formet i det resistive laget, for å tilpasse den karakteristiske impedansen til en forhåndsbestemt verdi, der i det minste et innsnitt som i det minste delvis begrenser tverrsnittet til det resistive laget, erkarakterisert vedat innsnittet er formet til å være i avstand fra de latterale sidene til det resistive laget.
Dette har den fordel at det gir en fordelaktig varmedistribusjon som forhindrer varme punkter fra å opptre på grunn av økte strømtettheter som blir oppnådd selv i området til innsnittet.
Hensiktsmessig, i en fremgangsmåte av typen ovenfor er innsnittet formet slik at det fullstendig avbryter tverrsnittet til det resistive laget i retningen av normalen til den plane lagstrukturen. Et område til det resistive laget som er plassert nedstrøms fra innsnittet i retningen for utbredelse av RF energien er fullstendig deaktivert på denne måten og lager ikke lenger noe bidrag til fremføringen av strøm fra inngangslederbanen i den første enden av det resistive laget til jordlederbanen i den andre enden av det resistive laget, som følgelig gir som resultat at arkmotstanden blir forandret over hele det resistive laget.
Ved å forme innsnittet til å være U-formet, i en fremgangsmåte av typen ovenfor, i planet til det resistive laget, der U'en har to sider og en bunn som er koblet til de to sidene og en åpen ende av det U-formede innsnittet er tilstøtende til den andre enden av det resistive laget, og der sidene til det U-formede innsnittet er formet til å være vesentlig lengre enn bunnen av det U-formede innsnittet, vil en strømtetthet i det resistive laget bli uniformt distribuert over lengden av det resistive laget i retningen for utbredelse av RF energien og enhver varmegenerering i det resistive laget i området for innsnittet vil dermed bli distribuert over et større område.
For en bestemt fininnstilling av den karakteristiske impedansen er det formet, i en fremgangsmåte av typen ovenfor, en utvidelse av det U-formede innsnittet i hver av de frie endene av sidene til innsnittet som er fjern fra bunnen. Disse utvidelsene er hensiktsmessig formet til å være symmetriske med hverandre.
I en foretrukket utførelse av fremgangsmåten ovenfor er innsnittet formet sentralt mellom de latterale sidene til det resistive laget.

Claims (14)

1. RF motstand, og i særlig grad en RF terminerende motstand, som har en plan lagstruktur som har, på et substrat (16), et resistivt lag (10) for konvertering av RF energi til varme, en inngangslederbane (12) for innmatningen av RF energi, og en jordlederbane (14) for å lage en elektrisk forbindelse til en jordkontakt, inngangslederbanen (12) er elektrisk koblet til en første ende (18) av det resistive laget (10), jordlederbanen (14) er elektrisk koblet til en andre ende (20) av det resistive laget (10) som er motsatt den første enden (18), og det resistive laget (10) er avgrenset, mellom den første enden (18) og den andre enden (20), av latterale sider (26) i en retning normalt på en retning for utbredelse (22) av RF energien i det resistive laget (10), og normalt på en normal (24) til den plane lagstrukturen, det resistive laget (10) har i det minste ett innsnitt, som i det minste delvis innsnevrer tverrsnittet av det resistive laget (10), for å tilpasse den karakteristiske impedansen til en forhåndsbestemt verdi, innsnittet (28) er formet til å være i avstand bort fra de latterale sidene (26) til det resistive laget (10),karakterisert vedat innsittet (28) er formet til å være U-formet i planet til det resistive laget (10), der U'en har to sider (32) og en bunn (34) som kobler sidene (32).
2. RF motstand i henhold til krav 1,karakterisert vedat innsnittet (28) er slik formet at det fullstendig avbryter tverrsnittet av det resistive laget (10) i retningen til normalen (24) til den plane lavstrukturen.
3. RF motstand i henhold til krav 1 eller 2,karakterisertv e d at sidene (32) til det U-formede innsnittet (28) er formet til å være vesentlig lengere enn bunnen (34) til det U-formede innsnittet (28).
4. RF motstand i henhold til ett av de foregående krav,karakterisert vedat en åpen ende (30) til det U-formede innsnittet (28) er tilstøtende til den andre enden (20) av det resistive laget (10).
5. RF motstand i henhold til et av de foregående krav,karakterisert vedat en utvidelse (36) av det U-formede innsnittet (28) er formet i hver av de frie endene av sidene (32) til innsnittet (28) som er fjernt fra bunnen (34).
6. RF motstand i henhold til krav 5,karakterisert vedat utvidelsene (36) er formet til å være symmetriske med hverandre.
7. RF motstand i henhold til et av de foregående krav,karakterisert vedat innsnittet (28) er anordnet sentralt mellom de latterale sidene (26) til det resistive laget (10).
8. Fremgangsmåte for å tilpasse den karakteristiske impedansen til en RF motstand, og i særlig grad en RF terminerende motstand, som har en plan lagstruktur som har, på et substrat, et resistivt lag for å konvertere RF energi til varme, en inngangslederbane for innmatningen av RF energi, og en jordlederbane for å lage en elektrisk forbindelse til en jordkontakt, inngangslederbanen er elektrisk koblet til en første ende av det resistive laget, jordlederbanen er elektrisk koblet til en andre ende av det resistive laget som er motsatt den første enden, og det resistive laget et avgrenset, mellom den første enden og den andre enden, av latterale sider i en retning normalt på en retning for utbredelse av RF energien i det resistive laget og normalt på en normal til den plane lagstrukturen, som er formet i det resistive laget, for å tilpasse den karakteristiske impedansen til en forhåndsbestemt verdi, der i det minste ett innsnitt som delvis i det minste innsnevrer tverrsnittet til det resistive laget, er innsnittet formet til å være i avstand bort fra de latterale sidene til det resistive laget,karakterisert vedat innsnittet er formet til å være U-formet i planet til det resistive laget, der U'en har to sider og en bunn som er koblet til de to sidene.
9. Fremgangsmåte i henhold til krav 8,karakterisertv e d at innsnittet er formet slik at det fullstendig avbryter tverrsnittet til det resistive laget i retningen for normalen til den plane lagstrukturen.
10. Fremgangsmåte i henhold til krav 9,karakterisertved at det U-formede innsnittet er formet til å ha en åpen ende av det U-formede innsnittet tilstøtende til den andre enden av det resistive laget.
11. Fremgangsmåte i henhold til krav 9 eller 10,karakterisertv e d at sidene til det U-formede innsnittet er formet til å være vesentlig lengre enn bunnen av det U-formede innsnittet.
12. Fremgangsmåte i henhold til i det minste et av kravene 8 til 11,karakterisert vedat det er formet en utvidelse av det U-formede innsnittet i hver av disse frie endene til sidene av innsnittet som er fjernt fra bunnen.
13. Fremgangsmåte i henhold til krav 12,karakterisertv e d at disse utvidelsene er formet til å være symmetriske med hverandre.
14. Fremgangsmåte i henhold til et av de foregående krav 8 til 11,karakterisert vedat innsnittet er formet sentralt mellom de latterale sidene til det resistive laget.
NO20082123A 2005-10-11 2008-05-06 Balansert, høyfrekvent motstand med en planar lagstruktur NO337881B1 (no)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE202005015927U DE202005015927U1 (de) 2005-10-11 2005-10-11 Abgeglichener HF-Widerstand mit einer planaren Schichtstruktur
PCT/EP2006/009736 WO2007042243A1 (de) 2005-10-11 2006-10-09 Abgeglichener hf-widerstand mit einer planaren schichtstruktur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NO20082123L NO20082123L (no) 2008-05-06
NO337881B1 true NO337881B1 (no) 2016-07-04

Family

ID=35530599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO20082123A NO337881B1 (no) 2005-10-11 2008-05-06 Balansert, høyfrekvent motstand med en planar lagstruktur

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8063731B2 (no)
EP (1) EP1934992B1 (no)
JP (1) JP2009512293A (no)
CN (1) CN101288134B (no)
AT (1) ATE422096T1 (no)
CA (1) CA2624472C (no)
DE (2) DE202005015927U1 (no)
HK (1) HK1124954A1 (no)
NO (1) NO337881B1 (no)
WO (1) WO2007042243A1 (no)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5419088B2 (ja) * 2010-01-07 2014-02-19 アルパイン株式会社 基板減衰回路
CN101923928B (zh) * 2010-03-25 2012-05-23 四平市吉华高新技术有限公司 一种高频贴片电阻器及其制造方法
KR102709957B1 (ko) * 2022-08-03 2024-09-25 (주) 알엔투테크놀로지 개구 영역을 구비한 전극을 포함하는 광대역 터미네이션
KR102699882B1 (ko) * 2022-08-03 2024-08-29 (주) 알엔투테크놀로지 공통 전극을 포함하는 고출력 터미네이션

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2634812A1 (de) * 1976-08-03 1978-02-09 Spinner Gmbh Elektrotech Hf-abschlusswiderstand in streifenleitungstechnik

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1945839B2 (de) 1969-09-10 1978-03-30 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Abschlusswiderstand in Streifenleitungstechnik
US4148005A (en) * 1977-10-14 1979-04-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Thermometric transducer device
JPH01304705A (ja) * 1988-06-01 1989-12-08 Murata Mfg Co Ltd 膜抵抗体のトリミング方法
DE3843600C1 (en) 1988-12-23 1990-03-22 Rohde & Schwarz Gmbh & Co Kg, 8000 Muenchen, De High-frequency power terminating impedance
US6007755A (en) * 1995-02-21 1999-12-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resistor trimming method
US6148502A (en) * 1997-10-02 2000-11-21 Vishay Sprague, Inc. Surface mount resistor and a method of making the same
FI106414B (fi) * 1999-02-02 2001-01-31 Nokia Networks Oy Laajakaistainen impedanssisovitin

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2634812A1 (de) * 1976-08-03 1978-02-09 Spinner Gmbh Elektrotech Hf-abschlusswiderstand in streifenleitungstechnik

Also Published As

Publication number Publication date
NO20082123L (no) 2008-05-06
EP1934992B1 (de) 2009-01-28
EP1934992A1 (de) 2008-06-25
CN101288134A (zh) 2008-10-15
ATE422096T1 (de) 2009-02-15
CA2624472A1 (en) 2007-04-19
JP2009512293A (ja) 2009-03-19
DE202005015927U1 (de) 2005-12-29
US20090206981A1 (en) 2009-08-20
WO2007042243A1 (de) 2007-04-19
CA2624472C (en) 2013-06-04
US8063731B2 (en) 2011-11-22
HK1124954A1 (en) 2009-07-24
DE502006002761D1 (de) 2009-03-19
CN101288134B (zh) 2011-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO337881B1 (no) Balansert, høyfrekvent motstand med en planar lagstruktur
US9419213B2 (en) Directly heated RF phase change switch
KR101735782B1 (ko) 배열 안테나
US9406992B2 (en) Microwave arrangement for the transmission of high-frequency signals
US9876481B2 (en) Microwave processing device
TWI564915B (zh) 電路保護裝置
JPH0324082B2 (no)
CN110140424B (zh) 电磁场分布调整装置和微波加热装置
US20230215777A1 (en) Vapor chamber and manufacturing method of vapor chamber
WO2014203672A1 (ja) 給電路
US20220082297A1 (en) Flow heater with corrugations
US20210344166A1 (en) Thermally-controlled photonic structure
US8384751B2 (en) Thermal head
US11195904B2 (en) High-frequency transistor
CN103646739A (zh) 一种薄膜热敏电阻及其阻值调节方法
JP4869213B2 (ja) ガンダイオード電圧制御発振器
US11164688B2 (en) Chip resistor
US6534857B1 (en) Thermally balanced power transistor
CA2617505A1 (en) Hf terminating resistor having a planar layer structure
US10631371B2 (en) Heater
JP7029183B2 (ja) 解凍方法及び解凍機用の電極装置の使用方法
US8994490B2 (en) Chip resistor with outrigger heat sink
JP6623101B2 (ja) 円偏波アンテナ
GB2615426A (en) High frequency circuit
JP5172392B2 (ja) ガンダイオード電圧制御発振器

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Lapsed by not paying the annual fees