NO20062634L - Datalagringsinnretning - Google Patents

Datalagringsinnretning

Info

Publication number
NO20062634L
NO20062634L NO20062634A NO20062634A NO20062634L NO 20062634 L NO20062634 L NO 20062634L NO 20062634 A NO20062634 A NO 20062634A NO 20062634 A NO20062634 A NO 20062634A NO 20062634 L NO20062634 L NO 20062634L
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
memory
unit
read
write
memory unit
Prior art date
Application number
NO20062634A
Other languages
English (en)
Inventor
Per Broms
Christer Karlsson
Geirr I Leistad
Original Assignee
Thin Film Electronics Asa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from NO20052904A external-priority patent/NO20052904L/no
Application filed by Thin Film Electronics Asa filed Critical Thin Film Electronics Asa
Priority to NO20062634A priority Critical patent/NO20062634L/no
Publication of NO20062634L publication Critical patent/NO20062634L/no

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

I en ikke-flyktig elektrisk datalagringsinnretning er en minneenhet (10) og en lese/skriveenhet (11) anordnet som fysisk separate enheter. Minneenheten (10) er basert på et minnemateriale (4) som kan innstilles på minst to distinkte fysiske tilstander ved å påtrykke et elektrisk felt over minnematerialet. Lese/skriveenheten (10) omfatter kontaktanordninger (9) anordnet i et bestemt geometrisk mønster som muliggjør en definisjon av minneceller i minneenheten (10) i en initial skriveoperasjon, idet minnecellene er plassert i et geometrisk mønster som svarer til det til kontaktanordningene (9). Etablering av en fysisk kontakt mellom minneenheten (10) og lese/skriveenheten (11) slutter en elektrisk krets og en adressert minnecelle slik at lese/skrive- eller sletteoperasjoner kan bevirkes. Minnematerialet (4) til minneenheten (10) kan være et ferroelektrisk eller elektret materiale som kan polariseres til to svitsjbare polarisasjonstilstander, eller det kan være et materiale med en resistiv impedanskarakteristikk slik at en minnecelle av materialet kan innstilles på en spesifikk stabil resistansverdi ved påtrykking av et elektrisk felt.
NO20062634A 2005-06-14 2006-06-08 Datalagringsinnretning NO20062634L (no)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO20062634A NO20062634L (no) 2005-06-14 2006-06-08 Datalagringsinnretning

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO20052904A NO20052904L (no) 2005-06-14 2005-06-14 Et ikke-flyktig elektrisk minnesystem
NO20062634A NO20062634L (no) 2005-06-14 2006-06-08 Datalagringsinnretning

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NO20062634L true NO20062634L (no) 2006-12-15

Family

ID=37781933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO20062634A NO20062634L (no) 2005-06-14 2006-06-08 Datalagringsinnretning

Country Status (1)

Country Link
NO (1) NO20062634L (no)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE525706T1 (de) Datenspeichereinrichtung
JP7164643B2 (ja) メモリアレイのためのプレートノードの構成及び動作
JP7022114B2 (ja) ハイブリッドメモリデバイス
KR102233267B1 (ko) 강유전체 메모리를 포함하며 강유전체 메모리를 작동하기 위한 장치 및 방법
TWI668687B (zh) 包含鐵電記憶體及用於存取鐵電記憶體之裝置與方法
DE60116350D1 (de) Ferro-elektrischer speicher und sein betriebsverfahren
ES2196585T3 (es) Dispositivo pasivo direccionable electricamente, metodo para el direccionamiento electrico del mismo, utilizacion del dispositivo y del metodo.
US9679645B2 (en) Non-volatile, piezoelectronic memory based on piezoresistive strain produced by piezoelectric remanence
DE602004014349D1 (de) Leseverstärkersysteme und damit ausgestattete matrixadressierbare speichereinrichtung
KR20200108370A (ko) 결합 커패시턴스를 갖는 자가-참조 감지 방식
JP2019518300A (ja) 強誘電体メモリセルからの電荷抽出
US11915779B2 (en) Sense amplifier schemes for accessing memory cells
TWI668689B (zh) 用於鐵電記憶體之自我參考
KR102374026B1 (ko) 메모리 셀을 감지하기 위한 차동 증폭기 방식
NO20003507L (no) Fremgangsmåte til å utföre skrive og leseoperasjoner i en passiv matriseminne og apparat for å utföre fremgangsmåten
KR20190033645A (ko) 메모리용 이중화 어레이 열 디코더
JP6894044B2 (ja) 仮想ページ・サイズを有するメモリ
JP2009163860A5 (no)
KR20200019266A (ko) 작동 전력을 줄이기 위한 메모리 플레이트 분할
NO20062634L (no) Datalagringsinnretning
KR970076817A (ko) 강유전체 메모리

Legal Events

Date Code Title Description
FC2A Withdrawal, rejection or dismissal of laid open patent application