NO159755B - Fremgangsmaate for bestemmelse av allergisk foelsomhet. - Google Patents
Fremgangsmaate for bestemmelse av allergisk foelsomhet. Download PDFInfo
- Publication number
- NO159755B NO159755B NO830154A NO830154A NO159755B NO 159755 B NO159755 B NO 159755B NO 830154 A NO830154 A NO 830154A NO 830154 A NO830154 A NO 830154A NO 159755 B NO159755 B NO 159755B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- foundation
- semiconductor
- pantograph
- pressure
- metallic
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title abstract 3
- 230000000172 allergic effect Effects 0.000 title 1
- 208000010668 atopic eczema Diseases 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 43
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000013566 allergen Substances 0.000 abstract 3
- 230000023597 hemostasis Effects 0.000 abstract 3
- 239000003130 blood coagulation factor inhibitor Substances 0.000 abstract 2
- 241000124008 Mammalia Species 0.000 abstract 1
- 230000002009 allergenic effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 abstract 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000830 fernico Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Au] Chemical compound [Sb].[Au] KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
- G01N33/53—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor
- G01N33/557—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor using kinetic measurement, i.e. time rate of progress of an antigen-antibody interaction
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Hematology (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Urology & Nephrology (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Cell Biology (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
- Medicines Containing Material From Animals Or Micro-Organisms (AREA)
- Medicines Containing Antibodies Or Antigens For Use As Internal Diagnostic Agents (AREA)
- Electrotherapy Devices (AREA)
- Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Jellies, Jams, And Syrups (AREA)
- Medicines Containing Plant Substances (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
Ensidig kjølt halvlederanordning.
Halvlederanordninger for store strøm-styrker omfatter vanligvis et halvledende system med en halvledende skive av silisium eller germanium som på begge sider er omgitt av støtteplater som er festet tii halvlederskiven ved lodding eller på tilsvarende måte og er av et materiale med omtrent samme varmeutvidelseskoeffisient som det halvledende materiale. I almin-nelighet består støtteplatene av molybden, wolfram, fernico eller en lignende jern-nikkel-kobolt- eller jern-nikkel-legering. Støtteplatene er som regel betydelig tyk-kere enn halvlederskiven. Ved kjente ut-førelser av denslags halvlederanordninger med énsidig kjøling er halvledersystemet ved den ene støtteplate anordnet på et fundament av et materiale med god varmeled-nlngsevne, f. eks. kobber, som er i kontakt med et kjøleelegeme, og ved den annen støtteplate ved hjelp av en spennanordning anordnet i trykkontakt med en strømav-tager; både halvledersystemet og strømav-tageren samt spennanordningen er anordnet i et hermetisk lukket hus som, for-uten det nevnte fundament, omfatter en over fundamentet og med dette sammen-føyet hette. Denne hette består av en nærmest fundamentet liggende metallisk del og en over det halvledende system liggende annen metallisk del samt av et mellom disse metalliske deler anordnet mellom-parti av isolerende materiale.
I henhold til oppfinnelsen er derimot Strømavtageren og spennanordningen an-
ordnet utenfor det hermetisk lukkede hus.
Oppfinnelsen angår således en énsidig kjølt halvlederanordning, f. eks. en transistor, tyristor eller krystalldiode for store strømstyrker, i hvilken et halvledende system som har overflater som står i hovedsaken vinkelrett på halvlederanordnin-gens strømretning, er hermetisk innesluttet i et hus bestående av et fundament som er anordnet i varmeledende kontakt med et kjølelegeme eller selv tjener som kjøle-legeme for det halvledende system, hvilket fundament er av et metallisk materiale, og en over fundamentet anordnet og med dette sammenføyet beskyttelseshette med en metallisk del nærmest fundamentet og en annen metallisk del over det halvledende system, samt med en mellomdel av isolerende materiale som ligger mellom og isolerer de metalliske deler innbyrdes, og i hvilken halvlederanordning en strømav-tager er anordnet i trykkontakt med det halvledende system ved hjelp av en spennanordning. Det særegne ved halvlederanordningen i henhold til oppfinnelsen er at strømavtageren og spennanordningen er anordnet i en på hettens utside anordnet trykkfast kappe med spennanordningen innspent mellom strømavtageren og kappen og sistnevnte elektrisk isolert fra strømavtageren. Kappen er fortrinnsvis festet til fundamentet eller kjølelegemet.
En viktig fordel ved halvlederanordningen ifølge oppfinnelsen er at innkaps-lingen av halvledersystemet i det hermetisk lukkede hus kan skje i en prosess som er adskilt fra montering av strømavtager og spennanordning, hvorved de store krav til opprettholdelse av en høyeste grad av ren-het ved denne ømtålelige prosess lettere kunne imøtekommes. Monteringen av strømavtager og spennanordning kan efter avslutning av den nevnte ømtålelige prosess utføres under opprettholdelse av nor-mal verkstedrenhet. En annen viktig fordel er at reparasjoner og utskiftning av deler i høy grad lettes. Eksempelvis kan en utskiftning av en skadet strømavtager eller spennanordning skje uten at hele halvlederanordningen behøves å erstattes eller at et hermetisk lukket hus behøver å åpnes og igjen lukkes. På samme måte kan et skadet halvledersystem skiftes ut ved at bare dette og dets omgivende hermetisk lukkede hus erstattes uten at en sådan utskiftning berører strømavtager og spennanordning.
Med uttrykket store strømstyrker me-nes sådanne av størrelsesordenen 10 A og derover.
Halvledersystemet kan bestå av en halvlederskive av f. eks. silisium eller germanium, som på den ene eller begge sider er forsynt med tynne metallag som f. eks. er påført ved pådampning eller katode-forstøvning eller på elektrolytisk vei. Me-tallagene kan påføres i forbindelse med dopingen av halvlederskiven eller senere under en sæskilt prosess. Som eksempel på metaller i lagene kan nevnes gull, sølv, kobber, aluminium, nikkel, bly og legerin-ger inneholdende et av disse metaller. Halvledersystemet kan blant annet også bestå av en halvlederskive som på sin ene eller begge sider er forsynt med støtte-plater av molybden, wolfram, fernico eller et annet materiale med omtrent samme varmeutvidelseskoeffisient som halvlederskiven. Sådanne støtteplater kan være festet til halvlederskiven på konvensjonell måte. Det er også mulig helt å sløyfe metallag og støtteplater på halvlederskivens sider, således at hele halvledersystemet bare utgjøres av halvlederskiven. I dette tilfelle er det hensiktsmessig å anvende halvlederskiver med høydopede overflate-lag.
Oppfinnelsen skal forklares nærmere ved beskrivelse av et antall utførelsesek-sempler under henvisning til tegningen, på hvilken fig. 1 utgjør et snitt av en halvlederanordning ifølge oppfinnelsen i dens strømretning, fig. 2 samme sett ovenfra, fig. 3 et lignende snitt av en annen halvlederanordning ifølge oppfinnelsen og fig.
4 samme sett ovenfra.
De på tegningen viste dioder er bestemt for en strømstyrke på f. eks. 150 A. En rund silisiumskive 10 av P-N-N +-typen er på undersiden ved hjelp av et ikke vist alu-miniumla'g fastloddet til en støtteplate 11 av molybden eller et annet materiale med omtrent samme varmeutvidelseskoeffisient som silisium, og,på oversiden forsynt med en legert gull-antimon-kontakt i form av et lag 12. Det av elementene 10, 11 og 12 bestående halvledersystemet er hermetisk innesluttet i et hus som omfatter et fundament 13 av f. eks. kobber, aluminium, silisium eller annet metall med god varme-ledningsevne, og en hette bestående av de sirkulære deler 14, 15 og 16, av hvilke 14 og 16 f. eks. kan være av kobber, molybden, wolfram, en jern-nikkel- eller jern-nikkel-koboltlegering, og delen 15 f. eks. av keramikk eller porselen. Ved montasjen av huset festes først delene 14 og 16 til ringen 15, såsom ved hardlodding med sølvlodd. Den derved oppnådde hette bestående av delene 14, 15 og 16 anbringes derpå på fundamentet 13 med halvledersystemet på forhånd anordnet på plass, hvorefter huset lukkes hermetisk ved delens 14 periferi. Hvis tilslutningen skjer ved kaldpressvei-sing må delene 13 og 14 selvsagt bestå av et materiale som kan kaldpressveises, f. eks. kobber. Hvis tilslutningen f. eks. skjer ved lodding, kan delene bestå av et hvilket som helst av de ovenfor angitte materialer. Mot utsiden av hetten i den sylindriske inn-buktning 17 ligger strømavtageren 18 an; den presses mot hetten av fjærskivene 19 som over et sylindrisk legeme 20 av isolerende materiale, f. eks. keramikk, støttes av den som mothold tjenende kappe 21 i form av en koppet presshette, f. eks. av 'stål. Som det fremgår av fig. 2 fastholdes kappen 21 og fundamentet 13 til kjøle-legemet 22 med skruer 23. Strømavtageren er forbundet med tilslutningslederen 24 som er isolert fra kappen 21 som den er ført gjennom, ved hjelp av en isolerende hylse 25, f. eks. av glassfiberbånd. I det på fig. 1 viste tilfelle tilveiebringes trykkontakten mellom halvledersystemet og strømavta-geren ved at den av fjærskivene 19 bestående spennanordning spennes ved at kapselen 21 fastmonteres til kjølelegemet.
Ved anordningen ifølge fig. 3 og 4, hvor betegnelsene fra fig. 1 og 2 er bibe-holdt for de i de to anordninger tilsvarende deler, tilveiebringes trykkontakten mellom halvledersystemet og strømavtageren efter at kappen 21 er fastmontert til kjølelege-met 22. Dette skjer ved hjelp av en spennskrue 21a som utgjør en del av kappen 21.
Det åpenbart at fundamentet 13 og kappen 21 kan festes til kjølelegemet hver
for seg med egne skrueforbindelser, f. eks.
med kappens utenfor fundamentets og
ikke med samme som vist på tegningen,
Det er likeledes åpenbart at fundamentet
kan utformes som en del av kjølelegemet,
dvs. delene 13 og 22 kan bestå av et eneste
sammenhengende legeme, idet fundamentet ikke bare tjener som underlag for halvledersystemet, men også som kjølelegeme.
Meliomdelen 15 av isolerende materiale, som på tegningen består av en eneste ring av keramisk materiale eller porselen, kan i henhold til oppfinnelsen bestå av f. eks. to eller flere på hinannen an-ordnende like ringer eller andre deler. Sær-lig hvis halvlederanordningen består av en tyristor eller transistor, kan det være hensiktsmessig å utforme meliomdelen på denne måte. Da kan nemlig de nødvendige ut-tak for styreledere i en tyristor henholds-vis for tilførselsledere til basisuttaket i en
transistor anordnes ringformet mellom to
på hinannen anordnede ringer av den på
tegningen viste art. Også i det tilfelle at
meliomdelen ifølge figurene bare omfatter
én ring, kan de nødvendige tilførselsle-dere, hvis halvlederanordningen består av
en tyristor eller transistor, anordnes gjennom hull anordnet i meliomdelen til dette
formål.
Claims (2)
1. Énsidig kjølt halvlederanordning, f. eks. en transistor, tyristor eller krystalldiode, for store strømstyrker, i hvilken et halvledende system som har overflater som står i hovedsaken vinkelrett på halvleder-anordningens strømretning, er hermetisk innesluttet i et hus bestående av et fundament (13) som er anordnet i varmeledende
kontakt med et kjølelegeme (22) eller selv tjener som kjølelegeme for det halvledende system (10, 11, 12), hvilket fundament (13) er av et metallisk materiale, og en over fundamentet anordnet og med dette sam-menføyet beskyttelseshette med en metallisk del (14) nærmest fundamentet (13) og en annen metallisk del (16) over det halvledende system, samt med en mellomdel (15) av isolerende materiale som ligger mellom og isolerer de metalliske deler (14, 16) innbyrdes, og i hvilken halvlederanordning en strømavtager (18) er anordnet i trykkontakt med det halvledende system (10, 11, 12) ved hjelp av en spennanordning (19, 20), karakterisertvedat strøm-avtageren (18) og spennanordningen (19, 20) er anordnet i en på hettens (14, 15, 16) utside anordnet trykkfast kappe (21) med spennanordningen innspent mellom strøm-avtageren (18) og kappen, og sistnevnte elektrisk isolert fra strømavtageren.
2. Anordning i henhold til påstand 1, karakterisert ved at det halvledende system (10, 11, 12) er anordnet direkte på fundamentet (13), at den trykkfaste kappe (21) har en periferisk del som ligger an mot og er festet til fundamentet (13) eller til den nærliggende del av kjølelege-met (22), og at den trykkfaste kappe (21) er utformet med en over det halvledende system (10, 11, 12) anordnet spennskrue (21a) som utgjør i det minste en del av den spennanordning (19, 20), med hvilken strømavtageren (18) trykkes mot det halvledende system.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US34447882A | 1982-02-01 | 1982-02-01 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO830154L NO830154L (no) | 1983-08-02 |
NO159755B true NO159755B (no) | 1988-10-24 |
NO159755C NO159755C (no) | 1989-02-01 |
Family
ID=23350698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO830154A NO159755C (no) | 1982-02-01 | 1983-01-18 | Fremgangsm te for bestemmelse av allergisk foelsomhe |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0085362B1 (no) |
JP (1) | JPS58132666A (no) |
AT (1) | ATE29785T1 (no) |
AU (1) | AU535797B2 (no) |
CA (1) | CA1186219A (no) |
DE (1) | DE3373712D1 (no) |
DK (1) | DK36983A (no) |
ES (1) | ES8402941A1 (no) |
FI (1) | FI74548C (no) |
NO (1) | NO159755C (no) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3486981A (en) * | 1965-03-15 | 1969-12-30 | Roy E Speck | Substances relating to testing of blood-coagulation |
CH582505A5 (no) * | 1975-10-08 | 1976-12-15 | Alfinco Ets |
-
1983
- 1983-01-07 CA CA000419052A patent/CA1186219A/en not_active Expired
- 1983-01-18 NO NO830154A patent/NO159755C/no unknown
- 1983-01-20 DE DE8383100483T patent/DE3373712D1/de not_active Expired
- 1983-01-20 AT AT83100483T patent/ATE29785T1/de not_active IP Right Cessation
- 1983-01-20 EP EP83100483A patent/EP0085362B1/en not_active Expired
- 1983-01-27 FI FI830293A patent/FI74548C/fi not_active IP Right Cessation
- 1983-01-28 AU AU10909/83A patent/AU535797B2/en not_active Ceased
- 1983-01-28 JP JP58011624A patent/JPS58132666A/ja active Pending
- 1983-01-31 DK DK36983A patent/DK36983A/da not_active Application Discontinuation
- 1983-02-01 ES ES519446A patent/ES8402941A1/es not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1186219A (en) | 1985-04-30 |
AU1090983A (en) | 1983-08-11 |
FI830293A0 (fi) | 1983-01-27 |
ATE29785T1 (de) | 1987-10-15 |
ES519446A0 (es) | 1984-03-01 |
EP0085362A3 (en) | 1985-08-28 |
AU535797B2 (en) | 1984-04-05 |
JPS58132666A (ja) | 1983-08-08 |
DK36983A (da) | 1983-08-02 |
NO159755C (no) | 1989-02-01 |
FI74548B (fi) | 1987-10-30 |
FI74548C (fi) | 1988-02-08 |
EP0085362A2 (en) | 1983-08-10 |
DK36983D0 (da) | 1983-01-31 |
FI830293L (fi) | 1983-08-02 |
DE3373712D1 (en) | 1987-10-22 |
ES8402941A1 (es) | 1984-03-01 |
EP0085362B1 (en) | 1987-09-16 |
NO830154L (no) | 1983-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4392153A (en) | Cooled semiconductor power module including structured strain buffers without dry interfaces | |
KR100364681B1 (ko) | 고출력반도체장치용밀폐패키지 | |
US8030749B2 (en) | Semiconductor device | |
EP0532244B1 (en) | Semiconductor device | |
US3736474A (en) | Solderless semiconductor devices | |
JPS59141249A (ja) | 電力チツプ・パツケ−ジ | |
US3119052A (en) | Enclosures for semi-conductor electronic elements | |
US3252060A (en) | Variable compression contacted semiconductor devices | |
US5463250A (en) | Semiconductor component package | |
US3654529A (en) | Loose contact press pack | |
US4266089A (en) | All metal flat package having excellent heat transfer characteristics | |
US2864980A (en) | Sealed current rectifier | |
US3746947A (en) | Semiconductor device | |
US2921245A (en) | Hermetically sealed junction means | |
JP3207150B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
US3280384A (en) | Encapsuled semiconductor device with lapped surface connector | |
US3499095A (en) | Housing for disc-shaped semiconductor device | |
US3274456A (en) | Rectifier assembly and method of making same | |
US3155885A (en) | Hermetically sealed semiconductor devices | |
US3170098A (en) | Compression contacted semiconductor devices | |
US3280383A (en) | Electronic semiconductor device | |
US3337781A (en) | Encapsulation means for a semiconductor device | |
JPH10223792A (ja) | 低熱伝導率のキャップを高熱伝導率の基板に固定する方法 | |
US5923083A (en) | Packaging technology for Schottky die | |
US3581163A (en) | High-current semiconductor rectifier assemblies |