NO146586B

NO146586B - PROCEDURE FOR MANUFACTURING ELECTRICAL RESISTORS

Info

Publication number: NO146586B
Application number: NO771916A
Authority: NO
Inventors: Paul Simon
Original assignee: Electro Resistance
Priority date: 1976-06-08
Filing date: 1977-06-01
Publication date: 1982-07-19
Also published as: NL168075C; SE7706399L; NO771916L; DK250577A; ES459573A1; NL7706265A; SE414557B; DK144348C; DD134469A5; IL52246A0; CA1085062A; CH620545A5; JPS5314400A; DE2724679B2; NL168075B; DK144348B; DE2724679A1; ATA386477A; JPS5735564B2; BE855171A

Description

Oppfinnelsen angår en fremgangsmåte ved fremstilling av elektriske motstander ut fra tynne folier eller filmer av et metall eller en metallegering festet på et egnet isolerende bærermateriale. The invention relates to a method for producing electrical resistors from thin foils or films of a metal or a metal alloy attached to a suitable insulating carrier material.

Det kjennes flere forskjellige fremgangsmåter for å frem-stille motstander av den nevnte type. Ifølge en kjent fremgangs- Several different methods are known for producing resistors of the aforementioned type. According to a well-known progress

måte påføres folien av metall eller metallegering en maske som omfatter vinduer eller furer som overensstemmer med konturene av de motstandsfilamenter som skal dannes i folien eller filmen, og folien eller filmen dryppes så i et egnet kjemisk eller elektrokjemisk bad for å fjerne metallet eller legeringen overfor vin-duene eller furene i masken. method, the metal or metal alloy foil is coated with a mask comprising windows or grooves that conform to the contours of the resistance filaments to be formed in the foil or film, and the foil or film is then dropped into a suitable chemical or electrochemical bath to remove the metal or alloy from wine - the doves or furrows in the mask.

Det er en ulempe ved graveringsmetoden ved kjemisk angrep There is a disadvantage of the chemical attack etching method

at det fåes filamenter med ujevne kanter. På grunn av disse ujevnheter er det meget vanskelig å inngravere vinduer eller furer med kanter som befinner seg svært nær hverandre, idet stabiliteten av den erholdte motstand lett kompromitteres på grunn av de elektriske feltgradienter som er tilbøyelige til å forekomme'mellom ujevnheter i kantene av nabofilamenter. Derimot byr denne fremgangsmåte på den forhold at den er forholdsvis lett å utføre. that filaments with uneven edges are obtained. Because of these irregularities, it is very difficult to etch windows or grooves with edges that are very close to each other, the stability of the resistance obtained being easily compromised due to the electric field gradients that tend to occur between irregularities at the edges of neighboring filaments . On the other hand, this method has the advantage that it is relatively easy to perform.

Nu er det fra tysk off. skrift nr. 2.117.199 kjent en fremgangsmåte ved etsing av isolasjonsskikt, såsom skikt av SiO^, hvor der benyttes en annen teknikk. Over Si02~skiktet som skal etses, anbringes en maske av et etsbart materiale, hvis konturer overensstemmer med konturene av det mønster som ønskes utformet i Si02~skiktet. Etsningen foretas så ved at Si02~skiktet med den påførte maske utsettes for et ioneknippe med en kinetisk energi som er større enn bindingsenergien mellom atomene i masken og mellom atomene i Si02-skiktet. Now it's from German off. document no. 2,117,199, a method for etching insulating layers, such as layers of SiO 2 , is known, where a different technique is used. Above the Si02 layer to be etched, a mask of an etchable material is placed, the contours of which correspond to the contours of the pattern that is desired to be formed in the Si02 layer. The etching is then carried out by exposing the SiO2 layer with the applied mask to an ion beam with a kinetic energy that is greater than the binding energy between the atoms in the mask and between the atoms in the SiO2 layer.

Når ionene kolliderer med Si02~skiktet og med masken, vil ionenes kinetiske energi overføres til atomene i Si02~skiktet og i den nevnte maske. Når denne energi er større enn bindingsener- When the ions collide with the Si02~layer and with the mask, the ions' kinetic energy will be transferred to the atoms in the Si02~layer and in the aforementioned mask. When this energy is greater than the binding energy

gien mellom atomene, vil disse forlate overflaten av Si0o-skiktet og av masken. Dette fenomen betegnes som katodisk pulverisering (se f.eks. G.K. Wehner Advancy in Electronics and Electron Physics, Marton, s. 239 (1955)) og fører til en erosjon av Si02-skiktet og maskens overflate som en funksjon bl.a. av typen av materiale som anvendes, typen av de innfallende ioner og innvirkningstiden given between the atoms, these will leave the surface of the SiO layer and of the mask. This phenomenon is termed cathodic pulverization (see e.g. G.K. Wehner Advancy in Electronics and Electron Physics, Marton, p. 239 (1955)) and leads to an erosion of the SiO2 layer and the surface of the mask as a function of e.g. of the type of material used, the type of incident ions and the exposure time

for ioneknippet. for the ion bundle.

Denne teknikk er nu i henhold til oppfinnelsen benyttet This technique is now used according to the invention

på en spesiell måte for samtidig fremstilling av flere motstander med meget høye ohmske verdier pr. overflateenhet, som er ulike for så mange av motstandene som det måtte ønskes. in a special way for the simultaneous production of several resistors with very high ohmic values per surface unit, which are different for as many of the resistances as desired.

Dette oppnåes ved at der er tilveiebragt en fremgangsmåte ved fremstilling av elektrisk motstander ut fra en tynn folie This is achieved by providing a method for producing an electrical resistor from a thin foil

av et metall eller en metallegering som er festet på et isolerende underlag, hvor det på folien påføres en ved hjelp av en fotolitografisk prosess fremstilt maske med åpninger hvis kanter overensstemmer med konturene av den elektriske motstandskrets som skal utformes i folien, og kretsen etses frem ved at aggregatet bestående av masken, folien og underlaget anbringes i en strøm av ioner med en bevegelsesenergi som er større enn bindingsenergien mellom atomene i masken og mellom atomene i folien. Det karakteristiske ved fremgangsmåten består i at der anvendes of a metal or metal alloy fixed on an insulating substrate, where a mask produced by a photolithographic process is applied to the foil with openings whose edges correspond to the contours of the electrical resistive circuit to be formed in the foil, and the circuit is etched by that the aggregate consisting of the mask, the foil and the substrate is placed in a stream of ions with a kinetic energy that is greater than the binding energy between the atoms in the mask and between the atoms in the foil. The characteristic feature of the method is that it is used

flere folier med samme tykkelse, at der på de forskjellige several foils of the same thickness, that there on the different ones

folier anbringes masker med identiske konturer men hvis tykkelse er bestemt som funksjon av den mengde metall som skal fjernes fra folien, og at hver folie og maske utsettes for innvirkning av den samme ionestrøm i det minste inntil masken og metallet i folien rett overfor åpningene i masken er fjernet, hvorved der i én enkelt operasjon erholdes motstander med forhåndsbestemte, ulike ohmske motstandsverdier. foils, masks with identical contours are placed but whose thickness is determined as a function of the amount of metal to be removed from the foil, and that each foil and mask is exposed to the influence of the same ion current at least as far as the mask and the metal in the foil directly opposite the openings in the mask is removed, whereby resistors with predetermined, different ohmic resistance values are obtained in a single operation.

Forsøk har vist at den foreliggende fremgangsmåte.gjør Experiments have shown that the present method does

det mulig å oppnå en meget fin gravering og dermed motstander med høy ohmsk verdi pr. overflateenhet (1-1,5 Mfl/cm ) samtidig med en meget lav avvikelse ved fremstilling i store serier. it is possible to achieve a very fine engraving and thus resistors with a high ohmic value per surface unit (1-1.5 Mfl/cm ) at the same time with a very low deviation when manufactured in large series.

Masken utgjøres fortrinnsvis av en fotoømfintlig film på basis av orthokinon-diazid, og folien som skal graveres, er fortrinnsvis av en nikkel/kromlegering. The mask preferably consists of a photosensitive film based on orthoquinone diazide, and the foil to be engraved is preferably of a nickel/chromium alloy.

Den nevnte type av fotoømfintlig film anvendes for tiden for fotografering. Legeringer av nikkel og krom byr på den fordel at de har en meget lav temperaturkoeffisient, og dette gjør det mulig å erholdte motstander med elektriske egenskaper som varierer lite med temperaturen. Dessuten er forholdet mellom erosjonshastigheten for den nevnte film og erosjonshastigheten for den nevnte nikkel/kromlegering spesielt godt egnet for utførelse av den foreliggende fremgangsmåte. The aforementioned type of photosensitive film is currently used for photography. Alloys of nickel and chromium offer the advantage that they have a very low temperature coefficient, and this makes it possible to obtain resistors with electrical properties that vary little with temperature. Moreover, the ratio between the erosion rate for the mentioned film and the erosion rate for the mentioned nickel/chromium alloy is particularly well suited for carrying out the present method.

Oppfinnelsen vil bli nærmere beskrevet under henvisning til tegningene, hvor The invention will be described in more detail with reference to the drawings, where

fig. 1 skjematisk viser et tverrsnitt i forstørret målestokk gjennom en metallfolie anbragt på et bærermatermateriale, fig. 1 schematically shows a cross-section on an enlarged scale through a metal foil placed on a carrier feed material,

fig. 2 viser et snitt av en maske påført på metallfolien ifølge fig.l, fig. 2 shows a section of a mask applied to the metal foil according to fig. 1,

fig. 3 er et grunnriss sett ovenfra av masken påført på metallfolien ifølge fig. 1 og 2, fig. 3 is a top plan view of the mask applied to the metal foil according to fig. 1 and 2,

fig. 4 viser skjematisk en anordning for fremstilling av fig. 4 schematically shows a device for the production of

et ioneknippe for utførelse av den foreliggende fremgangsmåte, an ion beam for carrying out the present method,

fig. 5 viser et tverrsnitt gjennom metallfolien festet på bærermaterialet efter at den foreliggende fremgangsmåte er blitt ut-ført, fig. 5 shows a cross-section through the metal foil attached to the carrier material after the present method has been carried out,

fig. 6 viser skjematisk utviklingen som en funksjon av tiden for graveringen av masken og metallfolien ved utførelsen av den foreliggende fremgangsmåte. fig. 6 schematically shows the development as a function of time for the engraving of the mask and the metal foil in the execution of the present method.

Det fremgår av fig. 1 at en folie 1 av metall eller en metall-legering er påført på et isolerende bærermateriale 2, f.eks. et keramisk materiale, ved hjelp av et klebemiddellag 3. It appears from fig. 1 that a foil 1 of metal or a metal alloy is applied to an insulating carrier material 2, e.g. a ceramic material, using an adhesive layer 3.

For utførelsen av den foreliggende fremgangsmåte har folien For carrying out the present method, the foil has

1 en tykkelse tilsvarende noen mikrometer. Folien 1 kan likeledes være direkte påført på bærermaterialet 2 i form av en tynn film erholdt ved kjemisk eller elektrokjemisk avsetning eller ved på-dampning under vakuum. 1 a thickness corresponding to a few micrometres. The foil 1 can likewise be directly applied to the carrier material 2 in the form of a thin film obtained by chemical or electrochemical deposition or by evaporation under vacuum.

I det første trinn av den foreliggende fremgangsmåte påføres på folien 1 en maske 4 med furer 5 (se fig. 2 og 3) med kanter 6 som overensstemmer med konturen for den elektriske motstandskrets som skal graveres på folien 1. In the first step of the present method, a mask 4 with furrows 5 (see fig. 2 and 3) with edges 6 corresponding to the contour of the electrical resistance circuit to be engraved on the foil 1 is applied to the foil 1.

Den nevnte krets graveres ifølge oppfinnelsen ved å anbringe den sammenstilte gjenstand av masken 4, folien 1 og bærermaterialet 2 i et ioneknippe med en' kinetisk energi som er større enn bindingsenergien mellom atomene som utgjør masken 4 og folien 1 av metall eller metallegering. The aforementioned circuit is engraved according to the invention by placing the assembled object of the mask 4, the foil 1 and the carrier material 2 in an ion beam with a kinetic energy that is greater than the binding energy between the atoms that make up the mask 4 and the foil 1 of metal or metal alloy.

Den foreliggende graveringsmetode kan utføres f.eks. ved anvendelse av anordningen ifølge fig. 4. Denne anordning omfatter et hus 7 som via ledningen 8 står i forbindelse med en vakuumpum<p>e (ikke vist) som er istand til å gi et vakuum av ca. 5 x 10 -7 mm Hg. The present engraving method can be carried out e.g. when using the device according to fig. 4. This device comprises a housing 7 which is connected via the line 8 to a vacuum pump (not shown) which is capable of providing a vacuum of approx. 5 x 10 -7 mm Hg.

Anordningen omfatter dessuten et ioniseringskammer og et akselerasjonskammer 10 for knippet av ioner 9. Kammeret 10 er av den type som er beskrevet av Kaufman og Reader i ARS Electrostatic Propulsion Conf. Monterey, col. 960, Report No. 1374. Ioniserings-gassen utgjøres ved dette eksempel av argon som innføres.via røret 10a og som ioniseres i et homogent magnetfelt på noen titalls Gauss erholdt ved hjelp av en induksjons spole 11, mellom en sylindrisk anode 12 og et elektronavgivende filament 12a. The device also comprises an ionization chamber and an acceleration chamber 10 for the bunch of ions 9. The chamber 10 is of the type described by Kaufman and Reader in ARS Electrostatic Propulsion Conf. Monterey, col. 960, Report No. 1374. In this example, the ionization gas is made up of argon which is introduced via the pipe 10a and which is ionized in a homogeneous magnetic field of a few tens of Gauss obtained by means of an induction coil 11, between a cylindrical anode 12 and an electron-emitting filament 12a.

Ved den foreliggende fremgangsmåte utgjøres knippet av ioner 9 fortrinnsvis av positive argonioner med en kinetisk energi av 1-2 keV og en tetthet for ionestrømmen av 0,5-5 mA/cm . Huset 7 som befinner seg under vakuum, inneholder en støtte 13 med en overflate 13a som er utsatt for knippet av ioner 9 og er perpendikulært an-ordnet i forhold til dette og som kan motta én eller flere folier 1 som skal graveres. In the present method, the bundle of ions 9 preferably consists of positive argon ions with a kinetic energy of 1-2 keV and a density for the ion current of 0.5-5 mA/cm. The housing 7, which is under vacuum, contains a support 13 with a surface 13a which is exposed to the bundle of ions 9 and is perpendicularly arranged in relation to this and which can receive one or more foils 1 to be engraved.

Ifølge det viste eksempel er støtten 13 montert slik at den kan rotere rundt knippets 9 akse. Denne rotering gjør det mulig å sikre en jevn gravering av metallfolien eller -foliene 1 som er utsatt for knippet av ioner 9. According to the example shown, the support 13 is mounted so that it can rotate around the bundle's 9 axis. This rotation makes it possible to ensure an even engraving of the metal foil or foils 1 which are exposed to the burst of ions 9.

Ifølge dette eksempel er dessuten støttens 13 indre gjennom-strømmet av en kjølevæske 14 for avkjøling av støtten 13. According to this example, the interior of the support 13 is also flowed through by a cooling liquid 14 for cooling the support 13.

Virkningen av ionene i knippet 9 på overflaten av masken 4 og folien 1 som er utsatt for disse ioner, fører til en løsrivelse av atomene slik at det fås en erosjon av masken 4 og folien 1. The action of the ions in the bundle 9 on the surface of the mask 4 and the foil 1 which is exposed to these ions, leads to a detachment of the atoms so that an erosion of the mask 4 and the foil 1 is obtained.

Ved den foreliggende fremgangsmåte oppviser masken 4,når den påvirkes av knippet av ioner 9, en større erosjonshastighet enn erosjonshastigheten for materialet som utgjør folien 1 som skal graveres. In the present method, the mask 4, when affected by the bundle of ions 9, exhibits a greater erosion rate than the erosion rate of the material that makes up the foil 1 to be engraved.

Masken 4 -utgjøres fortrinnsvis av en fotoømfintlig film av typen "photoresist" som utgjøres av en blanding av derivater av orthokinon-diazid (f.eks. sulfoklorid av 2,1-naphtokinon, 5-diazid, se US patentskrift nr. 3046120) og fenol/formaldehydharpiks. The mask 4 preferably consists of a photosensitive film of the "photoresist" type, which is made up of a mixture of derivatives of orthoquinone diazide (e.g. sulfochloride of 2,1-naphthoquinone, 5-diazide, see US patent document no. 3046120) and phenol/formaldehyde resin.

Når den påvirkes av et knippe av ioner A<+> med en energi tilsvarende 1 keV og en strømtetthet av 0,5-0,6 mA/cm <2>, utsettes masken 4 av det ovennevnte materiale for en erosjon med on hastighet av 4,5 Å/s. Denne erosjonshastighet er større enn erosjonshastigheten for de metaller eller legeringer som folien 1 kan bestå av. Når denne består av f.eks. en legering av Ni 80%) og Cr (20%), er erosjonshastigheten lik 2,7 Å/s under de ovennevnte betingelser. When affected by a beam of ions A<+> with an energy corresponding to 1 keV and a current density of 0.5-0.6 mA/cm <2>, the mask 4 of the above material is subjected to an erosion at a speed of 4.5 Å/s. This erosion rate is greater than the erosion rate of the metals or alloys of which the foil 1 may consist. When this consists of e.g. an alloy of Ni 80%) and Cr (20%), the erosion rate is equal to 2.7 Å/s under the above conditions.

Ifølge den foreliggende fremgangsmåte utsettes masken 4 og folien 1 for innvirkning av ioneknippet 9 i det minste inntil masken 4 og metallet like overfor furene 5 i masken 4 er blitt fjernet. Dette er mulig på grunn av at maskens 4 erosjonshastighet er større enn erosjonshastigheten for folien 1. På denne måte unngås det å måtte fjerne masken 4 i et eget trinn. According to the present method, the mask 4 and the foil 1 are exposed to the influence of the ion beam 9 at least until the mask 4 and the metal just opposite the furrows 5 in the mask 4 have been removed. This is possible because the erosion rate of the mask 4 is greater than the erosion rate of the foil 1. In this way, it is avoided having to remove the mask 4 in a separate step.

Innvirkningen av ioneknippet 9 fortsettes fortrinnsvis efter at masken 4 er blitt fjernet og inntil den graverte folie 1 har den ønskede ohmske motstand. The impact of the ion beam 9 is preferably continued after the mask 4 has been removed and until the engraved foil 1 has the desired ohmic resistance.

På fig. 5 er vist resultatet av graveringen med ioneknippet In fig. 5 shows the result of the engraving with the ion beam

9. Masken 4 er blitt fullstendig fjernet, og tilbake er metall-filamenter la med avrundede kanter og adskilt av furer 15 med en største bredde 1^ som er større enn den opprinnelige bredde 1Q 9. The mask 4 has been completely removed, and metal filaments are left with rounded edges and separated by furrows 15 with a maximum width 1^ which is greater than the original width 1Q

for furene 5 i masken 4. for the furrows 5 in the stitch 4.

På fig. 6 er vist utviklingen av erosjonen av masken 4 og metallfolien 1 som funksjon av tiden, under innvirkning av ioneknippet 9 . In fig. 6 shows the development of the erosion of the mask 4 and the metal foil 1 as a function of time, under the influence of the ion beam 9.

Eksempel Example

Maskens 4 tykkelse e1: 1,3 um Mask 4 thickness e1: 1.3 um

Foliens 1 (Ni-Cr) tykkelse e2: 2,5 um Foil 1 (Ni-Cr) thickness e2: 2.5 um

Ioneknippe 9: A<+>, energi = 1 keV Ion beam 9: A<+>, energy = 1 keV

Strøtetthet = 0,6 mA/cm<2>. Scatter density = 0.6 mA/cm<2>.

Linjene A, B, C, D som er vist på Fig. 6, angir erosjons-fronten etter de tider som er angitt i den nedenstående tabell: The lines A, B, C, D shown in Fig. 6 indicate the erosion front after the times indicated in the table below:

TABELL I TABLE I

linjer tid (sek.) lines time (sec)

A 676 A 676

B 1000 B 1000

C 2955 (tx) C 2955 (tx)

D 5000 D 5000

E 9200 (t2) E 9200 (t2)

t^ = den nødvendige tid for fullstendig å fjerne masken 4 t2 = den nødvendige tid for erholdelse av en fullstendig gravering av folien 1, dvs. for fullstendig å fjerne metallet like overfor de opprinnelige furer 5 i masken 4. t^ = the necessary time to completely remove the mask 4 t2 = the necessary time to obtain a complete engraving of the foil 1, i.e. to completely remove the metal just opposite the original furrows 5 in the mask 4.

Etter tiden t2 har de erholdte filamenter la av metallet en tykkelse e^ som tilsvarer ca. 1 pm. After time t2, the obtained filaments la of the metal have a thickness e^ which corresponds to approx. 1 p.m.

I tabellen nedenfor er de ovenfor angitte verdier for e^, <t>^, t2 og e^ oppført sammen med verdiene for t-^, t2 og e^ erholdt under de samme betingelser men ved anvendelse av masker 4 med opprinnelig tykkelse e på henholdsvis 2 og 3 um. In the table below, the above values for e^, <t>^, t2 and e^ are listed together with the values for t-^, t2 and e^ obtained under the same conditions but using meshes 4 with original thickness e of 2 and 3 µm respectively.

TABELL II TABLE II

Tykkelse e1 t t- Tykkelse e_ av Thickness e1 t t- Thickness e_ av

av masken <4> i ^ \ t , \ ^ ■ -, ^ -, of the mask <4> in ^ \ t , \ ^ ■ -, ^ -,

( sek .) ( sek .) filamentene la ( sec .) ( sec .) the filaments la

1,3 um 2955 9200 1,0 pm 2 jam 4545 9200 1,5 pm 1.3 um 2955 9200 1.0 pm 2 jam 4545 9200 1.5 pm

3 jam 6818 9200 1,9 pm 3 hrs 6818 9200 1.9pm

Det fremgår av ovenstående tabell II at når det anvendes masker 4 med økende tykkelse , fåes ved slutten av tiden t2 filamenter la med øket tykkelse. Dette viser at samtidig fremstilling av motstander med ulike, forutbestemte ohmske verdier er mulig ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen. It appears from the above table II that when meshes 4 with increasing thickness are used, filaments 1a with increased thickness are obtained at the end of time t2. This shows that the simultaneous production of resistors with different, predetermined ohmic values is possible by the method according to the invention.

Det fremgår av den ovenstående beskrivelse at den foreliggende fremgangsmåte kan anvendes for fremstilling av en rekke motstander med forskjellige ohmske verdier uten å forandre på andre parametere ved fremgangsmåten enn maskens 4 tykkelse. Motstandene adskiller seg fra de ved tidligere kjente fremgangsmåter fremstilte motstander ved at metallfilamentene la (se fig. 5) har en tverrsnittsprofil som er avrundet og konveks, idet konveksiteten er vendt mot motstandens ytre. It appears from the above description that the present method can be used for the production of a number of resistors with different ohmic values without changing other parameters of the method than the thickness of the mask 4. The resistors differ from the resistors produced by previously known methods in that the metal filaments (see fig. 5) have a cross-sectional profile that is rounded and convex, the convexity facing the outside of the resistor.

Forsøk har vist at slike motstander har ohmske verdier pr. overflateenhet som er langt høyere enn de motstander som kan erholdes ved de tidligere anvendte graveringsprosesser. Dette re-sultat kan delvis forklares ved at furene 15 erholdt ved avslut-ningen av ionebombardementet er større enn de opprinnelige furer 5 i masken, og på den annen side ved at tverrsnittet av filamentene la har en avrundet og konveks profil. Experiments have shown that such resistors have ohmic values per surface unit which is far higher than the resistances that can be obtained by the previously used engraving processes. This result can be partly explained by the furrows 15 obtained at the end of the ion bombardment being larger than the original furrows 5 in the mask, and on the other hand by the fact that the cross-section of the filaments la has a rounded and convex profile.

Fremgangsmåten kan utføres meget hurtig, og flere hundrede motstander kan samtidig utsettes for innvirkning av ioneknippet The procedure can be carried out very quickly, and several hundred resistors can be simultaneously exposed to the influence of the ion beam

9, og varigheten for å oppnå fullstendig gravering er ikke lenger enn noen timer. Den kan utføres på en enkel måte, fordi den bare omfatter et meget lite antall trinn, og den kan anvendes for gravering av et langt større antall metaller eller legeringer 9, and the duration to achieve complete engraving is no longer than a few hours. It can be carried out in a simple way, because it only involves a very small number of steps, and it can be used for engraving a much larger number of metals or alloys

enn de kjente fremgangsmåter basert på kjemisk eller, elektrokjemisk angrep. Dette gjør det mulig å anvende den foreliggende fremgangsmåte for fremstilling av et bredt spektrum av motstander. than the known methods based on chemical or electrochemical attack. This makes it possible to use the present method for the production of a wide spectrum of resistors.

Claims

1. Method for the production of electrical resistors from a thin foil of a metal or a metal alloy fixed on an insulating substrate, where a mask produced by a photolithographic process is applied to the foil with openings whose edges correspond to the contours of the electrical resistance circuit to be designed in the foil, and the circuit is etched by placing the aggregate consisting of the mask, the foil and the undercoat, in a stream of ions with a movement energy that is greater than the binding energy between the atoms in the mask and between the atoms in the foil, characterized in that several foils are used with the same thickness, that masks with identical contours are placed on the different foils but whose thickness is determined as a function of the amount of metal to be removed from each foil, and that each foil and mask is exposed to the influence of the same ion current at least until the mask and the metal in the foil directly opposite the openings in the mask have been removed, whereby resistors with predetermined different ohmic resistance values are obtained in a single operation.

2. Method according to claim 1, characterized in that the ion current is maintained after the masks have been eliminated, until resistors with the desired ohmic resistance values have been obtained.