NO128368B - - Google Patents

Description

Tilledning til et legeringssted ved en transistor av legeringstypen.

Foreliggende oppfinnelse vedrører til-ledninger til legeringssteder ved en transistor eller krystalldiode av legeringstypen,

hvor tilledningen bare utøver en liten kraft

på legeringsstedet og er utformet som et

tynt bånd. Det er allerede kjent som tilled-ninger for en transistor eller krystalldiode

av legeringstypen å anvende tynne tråder

eller bånd for å unngå at der som følge av

rystelser eller temperaturspenningen ved

oppvarmning under drift eller under frem-stillingsprosessen, opptrer større krefter.

Av denne grunn har man hittil fortinnet

tilledningene på endene for å skaffe bedre

kontakt og som er ført gjennom en del av

et omsluttende hus. Det har imidlertid vist

seg at en transistor av denne art har en

sterk tendens til å svikte som følge av me-kaniske spenninger som bevirker at kon-takten mellom tilledningen og legeringsstedet løsner. Slike kontaktbrudd vil ofte

først opptre efter flere dager eller måneder.

For å tilveiebringe de utvendige forbindel-ser til et lysfølsomt element som er anordnet i et fotocellehus, er det kjent å benytte

båndf ormede gj ennomf øringsledninger.

Disse bånd som er sammensatt av på hin-annen lagte metallfolier, utmerker seg like

overfor en direkte gjennomføring av de

utenfra kommende ledninger for tilkobling

av halvleder-legemet, fremfor alt ved en

større elastisitet og dermed en mindre føl-somhet like overfor rystelser. Som følge av

de altfor store masser av laminerte metall-bånd vil kontaktstedet imidlertid utsettes

for skader ved fortsatte støtpåkjenninger.

Oppfinnelsen angår således en tilled-

ning for et legeringssted ved en transistor eller krystalldiode av legeringstypen, hvor tilledningen bare utøver en liten kraft på legeringsstedet og er utformet som et tynt

bånd; oppfinnelsen utmerker seg ved at båndet ved den ene ende som er forbundet med

legeringsstedet, er forsynt md en rettvink-let knekk, hvis ene ben er parallelt med, og hvis annet ben står loddrett på legeringsflatene, og båndet i det minste på overflaten i overveiende grad består av sølv og i det minste for endenes vedkommende er fortinnet, fortrinnsvis varmfortinnet, og at båndet ved den ene ende med flatsiden er loddet til legeringsstedet, og ved den annen ende med en mer stabil tilførselsledning som er ført gjennom en del av krystalldio-dens hus. I henhold til de erfaringer som er gjort med tilledningen ifølge oppfinnelsen, opptrer der ved denne praktisk talt ingen kontaktbrudd på legeringsstedene. Båndets overflate som i overveiende grad utgjøres av sølv, oppviser ved siden av den kjente, gode elektriske ledningsevne, også meget gode elastiske egenskaper. Den rettvinklede utformning av båndene bringer fremfor alt ved massefremstilling med seg den fordel at hvert bånd på vedkommende kontakt-sted tilloddes med den samme mengde tinn som er nødvendig for å oppnå sikker kontakt.

Et utførelseseksempel på oppfinnelsen

er gjengitt på tegningen.

Fig. 1 viser en transistor av legeringstypen; denne er understøttet av en del 1 av et omgivende hus, i foreliggende tilfelle sokkelen. Gjennom denne del 1 er ført gjennomføringsledninger i form av tynne kobbertråder. Disse gjennomføringsledninger er betegnet med 2, 3 og 4, hvorav ledningen 2 er basisledningen, ledningen 3 emitterledningen og ledningen 4 kollektor-ledningen. Trådene er fortinnet i endene. Til basisledningen 2 er fastsveiset en ring-formet basistilslutning 5 som har ledende kontakt med germaniumskiven 6, mot hvil-ken emitterpillen 7 og kollektorpillen 8 hvi-ler. Pillen 7 er forbundet med en i henhold til oppfinnelsen utformet tilslutning 9 som er fortinnet i begge ender. Den ene ende 11 av denne tilslutning er ved hjelp av en punktsveisemaskin ved såkalt presslodding festet til gjennomføringsledningen 3. Tilledningen 9 er bøyet to ganger 90 °, og en indre knekk 13 på emittersiden anordnet slik at det ene ben ligger parallelt og det annet ben loddrett på legeringsflatene og germaniumskiven. Den båndformede leder 9 sees følgelig på tegningen mot den ene smalside. På samme måte som båndet 9 på emittersiden, er båndet 10 utformet på kol-lektorsiden og er med sin ene ende 12 press-loddet til gjennomføringsledningen 4 og også bøyet to ganger i rett vinkel og den annen ende forbundet med kollektorpillen 8 slik at det ene ben 14 ligger parallelt med legeringsflatene og germaniumskiven, mens det annet ben står loddrett på samme. Som materiale for båndene har en legering av ca. 80 pst. sølv og 20 pst. kobber vist seg særlig gunstig.

Det tynne bånd 9 ifølge fig. 1 er vist særskilt på fig. 2 og er i sin ene ende, dvs. ved 11 og i bøyningen 13, fortinnet ved neddypning i et tinnbad. Båndets bredde og knekkens 13 beliggenhet er slik valgt at det på forhånd behandlede bånd ved neddypning i et tinnbad med ganske bestemt temperatur, som følge av overflatespenning i knekken 13, fylles med en definert mengde tinn 15. Det har vist seg at mengden av tinn på stedet 15 ved denne utførelse bare avviker ganske lite for de forskjellige eks-emplarers vedkommende og således er vel egnet til massefremstilling. Et på denne måte fremstilt og behandlet bånd kan ved hjelp av en spiss loddbolt lett trykkes mot en legeringspille og få en varig forbindelse med denne.

Claims (3)

1. Tilledning til et legeringssted ved en transistor eller krystalldiode av legeringstypen, hvor tilledningen bare utøver en liten kraft på legeringsstedet og er utformet som et tynt bånd, karakterisert ved at båndet ved den ende som er forbundet med legeringsstedet, er forsynt med en rett-vinklet knekk, hvis ene ben er parallell med, og hvis annet ben står loddrett på legeringsflatene, at båndet i det minste på overflaten i overveiende grad består av sølv og i det minste for endenes vedkommende er fortinnet, fortrinnsvis varmefortinnet, og at båndet ved den ene ende med flatsiden er loddet til legeringsstedet, og ved den annen ende til en mer stabil tilførsels-ledning som er ført gjennom en del av kry-stalldiodens hus.

2. Tilledning ifølge påstand 1, karakterisert ved at det tynne bånd består av en legering av ca. 80 pst. sølv og 20 pst. kobber.

3. Tilledning ifølge påstandene 1 og 2, karakterisert ved at bredden av båndet og beliggenheten av knekken er slik valgt at det således på forhånd formede bånd ved neddypning i et tinnbad med definert temperatur, som følge av tinnets overflatespenning i knekken, vil fylles med en liten, definert mengde tinn.