NL9400855A - Stralingsdetectie-inrichting en werkwijze voor de vervaardiging daarvan. - Google Patents

Description

Korte aanduiding: Stralingsdetectie-inrichting en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.

De uitvinding heeft betrekking op een stralingsdetectie-inrichting, welke inrichting omvat: een scintillator voor het omzetten van daarop invallende straling in licht; een foto-elektrische omzetter voor het omzetten van het omgezette licht in een elektrisch signaal; een hechtingslaag, die tussen de scintillator en de foto-elektrische omzetter is aangebracht om deze met elkaar te verbinden.

Een dergelijke stralingsdetectie-inrichting is algemeen bekend. De tegenwoordig beschikbare stralingsdetectie-inrichting, die in medische röntgenstraal CT-aftasters wordt gebruikt, omvat een scintillator, in plaats van de gebruikelijke detector van het Xe-ionisatiekamertype, die invallende stralen in licht omzet en een foto-elektrische omzetter, die het licht van de scintillator in elektrische signalen omzet. Deze onderdelen zijn nauwkeurig met elkaar verbonden door het doorzichtige hechtmiddel. Deze detector wordt in het algemeen een stralingsdetector van het vaste-toestandstype genoemd, die bekend is vanwege zijn hoge S/N-verhouding (signaal tot ruisverhouding).

Met andere woorden, op het oppervlak van een halfge-leidersubstraat, waarop fotodioden (foto-elektrische omzet-ters) zijn opgesteld, worden voor elke overeenkomstige fotodiode scintillatoren, die van elkaar zijn gescheiden door isolatieplaten, opgesteld door middel van het hechtmiddel .

Bij de stralingsdetectie-inrichting met een dergelijke configuratie gaat de gelijkmatigheid van de uitvoer van elke diode echter verloren vanwege variaties in de ontwer-poriëntatie van de scintillator met betrekking tot het halfgeleidersubstraat en variaties in de dikte van de transparante hechtmiddellaag, die tussen de scintillator en het halfgeleidersubstraat is geplaatst.

Met andere woorden, de lineaire karakteristiek van de scintillator (karakteristiek van de gevoeligheid voor een verandering van het stralingsenergiespectrum) varieert afhankelijk van de hoek van inval van de binnentredende straling. Deze karakteristiek is meer uitgesproken bij een scintillator van een gesinterd polykristallijn materiaal (waarnaar hierna wordt verwezen als een keramische scintillator) dan in een monokristallijne scintillator.

Het hechtmiddel heeft niet alleen de funktie van het bevestigen van de scintillatoren aan het halfgeleidersubstraat, maar eveneens de funktie van het vergemakkelijken van het binnentreden van licht, dat door de scintillatoren is gegenereerd, in de fotodioden. Dit vereist dat zowel de ontwerporiëntatie van de scintillatoren met betrekking tot de afzonderlijke fotodioden als de optische eigenschap van het hechtmiddel uniform dienen te zijn.

De vloei-eigenschap van het hechtmiddel maakt het echter moeilijk dat de hechtmiddellaag over het gehele gebied gelijkmatig is, wanneer de scintillatoren met het halfgeleidersubstraat worden verbonden door middel van het hechtmiddel. Dit veroorzaakt op zijn beurt variaties in de optische eigenschap van het hechtmiddel, dat correspondeert met elke fotodiode.

De onderhavige uitvinding heeft ten doel een stra-lingsdetectie-inrichting te verschaffen, die geschikt is om de dikte van de hechtingslaag gelijkmatig te maken.

Een verder doel van deze uitvinding is een stralings-detectie-inrichting te verschaffen, die geschikt is om de ontwerporiëntatie van scintillatoren gelijkmatig te maken.

Een ander doel van deze uitvinding is een stralingsde-tectie-inrichting te verschaffen, die geschikt is om de optische eigenschap van de hechtingslaag gelijkmatig te maken.

Nog een ander doel van deze uitvinding is een stra-lingsdetectie-inrichting te verschaffen, die geschikt is om de uitvoerkarakteristiek van de foto-elektrische omzetter gelijkmatig te maken.

Een stralingsdetectie-inrichting van het hierboven beschreven type volgens de onderhavige uitvinding wordt gekenmerkt, doordat een groot aantal afstandsstukken in de hechtingslaag aanwezig zijn, waarbij de afstandsstukken in hoofdzaak gelijke afmetingen in de dikterichting van de hechtingslaag bezitten en eveneens in hoofdzaak gelijk zijn aan de dikte van de hechtingslaag.

Voorkeursuitvoeringsvormen van de stralingsdetectie-inrichting volgens de uitvinding zijn in de conclusies 2-10 beschreven.

De uitvinding heeft eveneens betrekking op een werkwijze voor de vervaardiging van een stralingsdetectie-inrichting, welke inrichting een scintillator en een foto-elektrische omzetter omvat, die met de scintillator is verbonden.

De werkwijze volgens de uitvinding wordt gekenmerkt doordat de werkwijze de stappen omvat van: het plaatsen op het oppervlak van één van de scintillator en de foto-elektrische omzetter van een hechtmiddel, dat een groot aantal afstandsstukken omvat, die in hoofdzaak gelijke afmetingen bezitten; en het tegen elkaar drukken van de scintillator en de foto-elektrische omzetter met het daartussen geplaatste hechtmiddel en afstandsstukken, totdat het hechtmiddel en de afstandsstukken in aanraking komen met de scintillator en de foto-elektrische omzetter, waardoor de scintillator en de foto-elektrische omzetter met elkaar worden verbonden.

Voorkeursuitvoeringsvormen van de werkwijze voor de vervaardiging van een stralingsdetectie-inrichting volgens de uitvinding zijn in de conclusies 12-15 beschreven.

Deze en andere doelen en kenmerken van de uitvinding zullen duidelijk worden uit de volgende beschrijving onder verwijzing naar de bijgevoegde tekening, waarin fig. 1 een aanzicht in perspektief is van een uitvoeringsvorm van een stralingsdetectie-inrichting volgens de uitvinding; fig. 2 een dwarsdoorsnede is, die langs de lijn II-II' in fig. 1 is genomen; fig. 3 een dwarsdoorsnede is van de wezenlijke delen van de stralingsdetectie-inrichting voor het uitleggen van de werkwijze voor de vervaardiging van de stralingsdetectie-inrichting volgens de uitvinding; fig. 4 een doorsnede van een deel van de in fig. 1 weergegeven uitvoeringsvorm is; fig. 5 een doorsnede is, overeenkomstig fig. 4, van een andere uitvoeringsvorm van de stralingsdetectie-inrichting volgens de uitvinding; en fig. 6 een doorsnede is, overeenkomstig fig. 4, van nog een andere uitvoeringsvorm van de stralingsdetectie-inrichting volgens de uitvinding.

Onder verwijzing naar fig. 1 omvat een stralingsdetectie-inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding een gedrukte schakelingskaart 4, een foto-elektrische omzetter 10, die op het oppervlak van de gedrukte schakelingskaart 4 is geplaatst, en een scintillator 1, die op het oppervlak van de foto-elektrische omzetter 10 is gevormd met een daartussen geplaatste hechtingslaag 9. De scintillator 1 omvat een groot aantal scintillatorelementen la, lb, ..., ln, die elk een rechthoekige dwarsdoorsnede bezitten en die door scheidingsplaten 2 in de y-richting zijn gescheiden en die zich in de x-richting uitstrekken, zodat deze zij aan zij zijn opgesteld. De hechtingslaag 9 omvat een groot aantal hechtingslaagelementen 9a, 9b, ..., 9n, die door de scheidingsplaten 2 zijn gescheiden, zoals in fig. 2 is weergegeven, welke elementen worden gebruikt om de scintillator 1 en de foto-elektrische omzetter 10 met elkaar te verbinden. Een groot aantal bolvormige afstands-stukken 12 met gelijke afmetingen zijn in elk van de hechtingslaagelementen 9a, 9b, ..., 9n ingebed, zoals in fig. 4 is weergegeven. De foto-elektrische omzetter 10 omvat, zoals in fig. 2 is getoond, vanaf de zijde van de gedrukte schakelingskaart 4 een elektrode 15, een substraat 3, dat uit een n-type halfgeleider, zoals silicium, is gevormd, een p-type verontreinigingsdiffusielaag 5, een elektrode 6, en een anti-reflectiefilm of -laag 7, die uit een silici- umoxidefilm of -laag is gevormd. De verontreinigingsdif-fusielaag 5, de elektrode 6 en de anti-reflectielaag 7 omvatten een groot aantal verontreinigingsdiffusielaag-elementen 5a, 5b, ..., 5n, een groot aantal elektrode-elementen 6a, 6b, ..., 6n, respectievelijk een groot aantal anti-reflectielaagelementen 7a, 7b, ..., 7n. Het substraat 3 en de verontreinigingsdiffusielaag 5 vormen een fotodio-de.

De scintillatorelementen la, lb, ..., ln kunnen uit een éénkristal zijn gevormd, zoals Nal, Csl, CdWo4, ZnW04 en BGO of uit een keramische scintillator, zoals Gd202S:Pr, Gd202S:Eu en Gd203:Eu. Deze scintillatoren zijn ongeveer 1 tot 5 mm dik.

De hechtingslaagelementen 9a, 9b, ..., 9n bezitten een grote mate van transparantheid en een hoog vermogen voor lichtoverbrenging en kunnen uit een harsmateriaal zijn gevormd, zoals acryl, epoxy of kolofonium met een brekingsindex van 1,5 tot 2,0. Deze hechtingslaagelementen zijn bij voorkeur dun gevormd. Voor dit doel kan bij voorkeur een reactieverdunningsmiddel worden gebruikt om de viscositeit te verlagen.

Het verbinden van de foto-elektrische omzetter 10 en de scintillator 1 wordt uitgevoerd als het scintillatorele-ment 1 nog niet is verdeeld, zoals in fig. 3 is weergegeven. Daarna worden met een snijmachine groeven in de scintillator 1 gevormd, die tot aan een deel van de foto-elektrische omzetter 10 reiken. Scheidingsplaten 2 worden in deze groeven gestoken om een in fig. 2 weergegeven struk-tuur te vormen.

Bij het verbinden van de nog niet verdeelde scintillator 1 met de omzetter 10 van licht in elektrische signalen wordt een hechtmiddel op het oppervlak van een van deze gedruppeld en de andere wordt op het met hechtmiddel beklede oppervlak geplaatst. Vervolgens worden de scintillator 1 en de foto-elektrische omzetter 10 tegen elkaar gedrukt, zodat het hechtmiddel zich gelijkmatig verspreid.

Wanneer een röntgenstraal de scintillator 1 binnentreedt vanuit de in fig. 1 weergegeven richting, zetten de scintillatorelementen la, lb, ..., In de invallende röntgenstraal in licht om, dat vervolgens door de hechtings-laagelementen 9a, 9b, ..., 9n en de anti-reflectielaag-elementen 7a, 7b, ..., 7n gaat en de verontreinigingsdiffu-sielaagelementen 5a, 5b, ..., 5n raakt, die delen van de fotodiode vormen. De fotodiode genereert elektrische ladingen overeenkomstig de hoeveelheid ontvangen invallend licht, hetgeen ertoe leidt dat een stroom tussen de elektroden 6 en 15 stroomt. Deze stroom komt overeen met de hoeveelheid röntgenstraling, die de scintillator 1 binnentreedt .

Zoals in fig. 4 is getoond zijn in elk van de hech-tingslaagelementen 9a, 9b, ..., 9n een groot aantal bolvormige afstandsstukken 12 opgesteld. Wanneer de niet-gedeelde scintillator 1 en de foto-elektrische omzetter 10 onder druk tegen elkaar worden gehouden, wordt het hechtmiddel, dat de hechtingslaag 9 daartussen vormt, naar de omtrek van de aanrakingsoppervlakken gedrukt, zodat de spleet tussen de scintillator 1 en de foto-elektrische omzetter 10, dat wil zeggen de dikte van de hechtingslaagelementen 9a, 9b, ..., 9n wordt bepaald door de afmeting van het afstandsstuk 12. Met andere woorden, de dikte van de hechtmiddellaag is gelijk aan de afmeting van het afstandsstuk 12.

Het afstandsstuk 12 kan worden gevormd uit een verknoopt polymeer van een hars met een hoog molecuulgewicht en hoge transparantheid, zoals acryl, epoxy en divinyl-benzeen. Met als gevolg dat de brekingsindex van het afstandsstuk 12 nagenoeg gelijk wordt aan die van de hech-tingslaagelementen 9a, 9b, ..., 9n en de hardheid daarvan betrekkelijk laag is, waardoor het breken van de foto-elektrische omzetter 10 wordt voorkomen.

Een ideaal hechtmiddel, waarin de afstandsstukken 12 worden gemengd, bevat bijvoorbeeld een epoxyhars van het bisfenol A-type (handelsnaam: Epicoat 819), een gemodificeerd amine-epoxyhars hardingsmiddel (handelsnaam: Epomate B002), een reactief verdunningsmiddel (handelsnaam: Shellbroc) en afstandsstukken van een verknoopt polymeer-hars van divinylbenzeen (handelsnaam: Micropearl) in een gewichtsverhouding van 1,0: 0,75: 0,25: 0,015.

In het algemeen zijn bij de optimale omstandigheden van het hechtmiddel een selektiviteit voor lage golflengten in het golflengtegebied van zichtbaar licht (400 tot 900 nm) van de scintillator 1 betrokken, alsmede een hoge mate van transparantheid om een hoge lichttransmissiefaktor te verschaffen en dezelfde brekingsindex als de afstandsstuk-ken 12, die dichtbij die van de scintillator 1 en de anti-reflectielaag 7 ligt.

Fig. 5 toont een struktuur, die gelijk is aan die welke in fig. 4 is weergegeven, behalve dat de hechtings-laag 9, die uit hechtingslagen 9a, 9b, ..., 9n is gevormd, een andere hechtingslaag 13 omvat, die hechtingslaagelemen-ten 13a, 13b, ..., 13n omvat. De hechtingslaag 13 is ontworpen om de afstandsstukken 12 vooraf aan de scintillator 1 te bevestigen, zodat wordt voorkomen dat de afstandsstukken 12 bewegen en zodoende gelijkmatig worden verdeeld.

Het hechtmiddel, dat de hechtingslaag 13 vormt, bevat bij voorkeur epoxyhars van het bisfenol A-type (handelsnaam: Epicoat 819), gemodificeerd amine-epoxyhars hardingsmiddel (handelsnaam: Epomate B002) en een reactief verdun-ningsmiddel (handelsnaam: Shellbroc) in een gewichtsverhouding van 1,0: 0,75: 0,25.

De afstandsstukken 12 kunnen op de volgende wijze aan de scintillator 1 worden bevestigd. Het hechtmiddel, zoals acryl-, epoxy- en kolofoniumhars met een hoge brekingsindex (n = 1,5 - 2,0) wordt verdund met een verdunningsmiddel (een organisch oplosmiddel, zoals aceton, tolueen of xyleen) en wordt gemengd met afstandsstukken 12. Het verdunde hechtmiddel, dat met afstandsstukken is gemengd, wordt zeer dun opgebracht op dat oppervlak van de scintillator 1, dat dient te worden verbonden, ofwel door sproeien, drukken, walsbekleden, rotatiebekleden of onder toepassing van een microdoseerinrichting.

De scintillator 1, waarop de afstandsstukken 12 zoals hierboven is beschreven zijn aangebracht, wordt in een elektrische oven verwarmd om het verdunningsmiddel te verdampen (organisch oplosmiddel, zoals aceton, tolueen of xyleen), welk verdunningsmiddel in het hechtingslaagdeel 13 is gemengd, en om het hechtmiddel uit te harden. Het uitharden van het hechtmiddel wordt bij voorkeur uitgevoerd onder omstandigheden van vóórverharden. Dat wil zeggen dat het hechtmiddel niet geheel wordt uitgehard, maar in plaats daarvan vóórgehard, zodat het volledig zal uitharden bij opnieuw verhitten. Bijvoorbeeld wordt, wanneer een epoxy-hechtmiddel wordt toegepast, een epoxyhars van het bisfenol A-type (handelsnaam: Epicoat 819), een gemodificeerd amine-epoxyhars hardingsmiddel (handelsnaam: Epomate B002), een verdunningsmiddel (tolueen) en bolvormige afstandsstukken van verknoopt polymeerhars van vinylbenzeen (handelsnaam: Micropearl) gemengd in een gewichtsverhouding van 1: 0,5: 0,4: 0,015. Het mengsel wordt op de scintillator gesproeid, die daarna in de elektrische oven wordt verhit. Om een vóórverharding te verkrijgen wordt deze bij 60 - 80eC gedurende 10 tot 5 minuten verwarmd. Zoals in fig. 5 is weergegeven dient de hoeveelheid hechtmiddelmateriaal 13, dat dient te worden aangebracht, uiteraard zodanig te zijn dat de dikte van de hechtingslaag niet groter zal zijn dan de diameter van de gebruikte afstandsstukken 12.

Fig. 6 toont het geval, waarbij de afstandsstukken aan de foto-elektrische omzetter 10 zijn bevestigd, en niet aan de scintillator l, door middel van de hechtingslaag 13. Dit geval leidt eveneens tot een vergelijkbaar effect aan dat van fig. 5.

Zoals hierboven is beschreven wordt bij de konstruktie van deze uitvoeringsvorm de hechtingslaag 9, die tussen het halfgeleidersubstraat 3 en de scintillator 1 is geplaatst om deze met elkaar te verbinden, gemengd met afstandsstukken 12 van dezelfde diameter als de dikte van het hech-tingslaagdeel 9.

Zodoende wordt, als de scintillator 1 en de omzetter 10 van licht in elektriciteit tegen elkaar worden gedrukt met het daartussen geplaatste vloeibare hechtmiddel, de dikte van de hechtingslaag 9 bepaald door de diameter van de afstandsstukken 12.

Zodoende heeft de hechtingslaag 9 een gelijkmatige dikte over het gehele gebied, waardoor de oriëntaties van de verbonden scintillatorelementen 9a, 9b, . · ·, 9n en de optische eigenschap van de hechtingslaag 9 uniform worden gehouden.

Omdat de druk tussen de scintillator 1 en de foto-elektrische omzetter 10 zich niet op een bepaalde positie concentreert, maar wordt verdeeld over het aantal gebruikte afstandsstukken 12, kan worden voorkomen dat het oppervlak van de foto-elektrische omzetter 10 breekt.

Terwijl in de bovenstaande uitvoeringsvorm bolvormige afstandsstukken 12 worden gebruikt, is het eveneens mogelijk om andere vormen van afstandsstukken te gebruiken, zoals staaf- of buisvormige afstandsstukken om een gelijk doel te bereiken.

In de bovenstaande uitvoeringsvorm worden op het oppervlak van het halfgeleidersubstraat 3, waarin fotodio-den in een matrix zijn gevormd, scintillatoren 1 opgesteld, die worden gescheiden van elkaar door scheidingsplaten 2 om te corresponderen met de daarmee verbonden fotodioden, waarbij de hechtingslaag 9 tussen het substraat 3 en de scintillator 1 is geplaatst. De uitvinding kan eveneens worden toegepast bij andere opstellingen, waarbij bijvoorbeeld de scintillator aan het oppervlak van een uit één element bestaande fotodiode is bevestigd. In dit geval kunnen, wanneer deze zij aan zij zijn opgesteld, de karakteristieken daarvan (in het bijzonder de opstellingsori-entaties van de scintillatoren en de optische eigenschap van het hechtingsmiddel) gelijkmatig worden gemaakt.

Samenvattend is het duidelijk, dat bij de stralingsde-tectie-inrichting volgens de onderhavige uitvinding de opstellingsoriëntaties van de scintillatorelementen met betrekking tot de foto-elektrische omzetter en de optische eigenschap van het transparante hechtmiddel, dat wordt gebruikt om de scintillatoren te bevestigen, gelijkmatig kunnen worden gemaakt.

Omdat het voor de hand ligt, dat vele veranderingen en modificaties in de hierboven beschreven details kunnen worden aangebracht zonder de aard en het bereik van de uitvinding te verlaten, zal begrepen worden dat de uitvinding niet tot de hierin beschreven details is beperkt.

Claims (15)

1. Stralingsdetectie-inrichting, welke inrichting omvat: een scintillator (1) voor het omzetten van daarop invallende straling in licht; een foto-elektrische omzetter (10) voor het omzetten van het omgezette licht in een elektrisch signaal; een hechtingslaag (9), die tussen de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) is aangebracht om deze met elkaar te verbinden, met het kenmerk dat een groot aantal afstandsstukken (12) in de hechtingslaag (9) aanwezig zijn, waarbij de afstandsstukken (12) in hoofdzaak gelijke afmetingen in de dikterichting van de hechtingslaag (9) bezitten en eveneens in hoofdzaak gelijk zijn aan de dikte van de hechtingslaag (9).

2. Stralingsdetectie-inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk dat de hechtingslaag (9) en de afstandsstukken (12) lichtdoorlatend zijn.

3. Stralingsdetectie-inrichting volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk dat elk afstandsstuk (12) een bolvorm bezit.

4. stralingsdetectie-inrichting volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk dat elk afstandsstuk (12) een staaf- of buisvorm met een cirkelvormige dwarsdoorsnede bezit en de lengterichting van elk afstandsstuk (12) in hoofdzaak loodrecht op de dikterichting van de hechtingslaag (9) onder een rechte hoek loopt.

5. Stralingsdetectie-inrichting volgens één van de conclusies 1-4, met het kenmerk dat de hechtingslaag (9) een hechtingslaagdee1 (13) omvat om de afstandsstukken (12) met één van de scintillator (1) of de foto-elektrische omzetter (10) te verbinden.

6. Stralingsdetectie-inrichting, welke inrichting omvat: een scintillator (1), die een groot aantal scintilla- torelementen (la, lb, ..., In) omvat, die zij aan zij zijn opgesteld en scheidingswanden (2) om de seintillatorelemen-ten (la, lb, ..., In) van elkaar te scheiden; een foto-elektrische omzetter (10); hechtingslagen (9a, 9b, ..., 9n), die tussen het groot aantal sc intil lat or element en (la, lb, ..., In) en de foto-elektrische omzetter (10) zijn aangebracht, met het kenmerk dat een groot aantal afstandsstukken (12) aanwezig zijn, die in elk van de hecht ings lagen (9a, 9b, ..., 9n) zijn opgesteld, waarbij de afstandsstukken (12) in hoofdzaak gelijke afmetingen in de dikterichting van de hechtingsla-gen (9a, 9b, ..., 9n) bezitten en eveneens in hoofdzaak gelijk zijn aan de dikte van de hechtingslagen (9a, 9b, ..., 9n).

7. Stralingsdetectie-inrichting volgens conclusie 6, met het kenmerk dat de hechtingslagen (9a, 9b, ..., 9n) en de afstandsstukken (12) lichtdoorlatend zijn.

8. Stralingsdetectie-inrichting volgens conclusie 6 of 7, met het kenmerk dat de foto-elektrische omzetter (10) een fotodiode en anti-reflectielagen (7a, 7b, ..., 7n) omvat, die op het oppervlak van de fotodiode zijn gevormd om in aanraking te komen met de hechtingslagen (9a, 9b, ..., 9n).

9. Stralingsdetectie-inrichting volgens één van de conclusies 6-8, met het kenmerk dat de afstandsstukken (12) elk een bolvorm bezitten.

10. Stralingsdetectie-inrichting volgens conclusie 9, met het kenmerk dat de bolvorm een diameter tussen 5 μια en 20 μη heeft.

11. Werkwijze voor de vervaardiging van een stralingsdetectie-inrichting, welke inrichting een scintillator (1) en een foto-elektrische omzetter (10) omvat, die met de sein- tillator (1) is verbonden, met het kenmerk dat de werkwijze de stappen omvat van: het plaatsen op het oppervlak van één van de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) van een hechtmiddel, dat een groot aantal afstandsstukken (12) omvat, die in hoofdzaak gelijke afmetingen bezitten; en het tegen elkaar drukken van de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) met het daartussen geplaatste hechtmiddel en afstandsstukken (12), totdat het hechtmiddel en de afstandsstukken (12) in aanraking komen met de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10), waardoor de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) met elkaar worden verbonden.

12. Werkwijze voor de vervaardiging van een stralingsde-tectie-inrichting volgens conclusie 11, met het kenmerk dat de afstandsstukken (12) en het hechtmiddel lichtdoorlatend zijn.

13. Werkwijze volgens conclusie 11 of 12, met het kenmerk dat de afstandsstukken (12) elk een diameter tussen 5 μιη en 20 μm bezitten.

14. Werkwijze voor de vervaardiging van een stralingsde-tectie-inrichting, welke inrichting een scintillator (1) en een foto-elektrische omzetter (10) omvat, die met de scintillator (1) is verbonden, met het kenmerk dat de werkwijze de stappen omvat van: het in hoofdzaak in aanraking brengen met en bevestigen aan het oppervlak van één van de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) van een groot aantal bolvormige, lichtdoorlatende afstandsstukken (12) met in hoofdzaak gelijke afmetingen onder toepassing van een eerste lichtdoorlatend hechtmiddel; het aanbrengen van een tweede lichtdoorlatend hechtmiddel tussen de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) samen met de afstandsstukken (12); en het tegen elkaar drukken van de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) om de afstandsstukken (12) eveneens in hoofdzaak in aanraking te brengen met de andere van de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) en daardoor de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) met elkaar te verbinden.

15. Werkwijze voor de vervaardiging van een stralingsde-tectie-inrichting, welke inrichting een scintillator (1) en een foto-elektrische omzetter (10) omvat, die met de scintillator (1) is verbonden, met het kenmerk dat de werkwijze de stappen omvat van: het aanbrengen op het oppervlak van één van de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) van een eerste, lichtdoorlatend hechtmiddel, dat een groot aantal bolvormige, lichtdoorlatende afstandsstukken (12) van in hoofdzaak gelijke afmetingen omvat, om de afstandsstukken (12) op het oppervlak te bevestigen; en het tegen elkaar drukken van de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) met een tweede, daartussen geplaatst hechtmiddel, totdat de afstandsstukken (12) in aanraking komen met de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10), waardoor de scintillator (1) en de foto-elektrische omzetter (10) met elkaar worden verbonden.