NL9201938A

NL9201938A - DEVICE FOR IONIC ETCHING OVER A LARGE SURFACE.

Info

Publication number: NL9201938A
Application number: NL9201938A
Authority: NL
Original assignee: Leybold Ag
Priority date: 1991-11-13
Filing date: 1992-11-05
Publication date: 1993-06-01
Also published as: GB9221969D0; JPH05222554A; GB2261396A; GB2261396B

Description

Titel: Inrichting voor het ionenetsen over een groot oppervlak.Title: Device for large area ion etching.

De uitvinding heeft betrekking op een inrichting voor het homogeen ionenetsen over een groot oppervlak door middel van een vacuümlaag, met een recipiënt, welke is voorzien van een gasinlaat- en een gasuitlaatopening, met ten minste zich over een vlak uitstrekkend en aan massapotentiaal liggende anode en een ten opzichte daarvan grotendeels evenwijdig aangebrachte kathode, welke bestemd en ingericht is als substraathouder en is verbonden met een HF-spanningsbron.The invention relates to a device for homogeneous ion etching over a large surface by means of a vacuum layer, with a receptacle, which is provided with a gas inlet and a gas outlet opening, with at least a plane extending and having an earth potential and a cathode arranged largely parallel thereto, which is intended and arranged as a substrate holder and which is connected to an HF voltage source.

Inrichtingen welke geschikt zijn voor het zgn. ionenetsen en worden bedreven in vacuüminstallaties, waarin evenzo zgn. Sputterprocessen worden uitgevoerd zijn voldoende bekend. Uitsluitend bij wijze van voorbeeld worden hier genoemd de publikaties DE-2 241 229 C2 en DE-2 149 606, waarin inrichtingen beschreven staan, welke naast een substraat-bekleding door middel van kathodeverstuiving door het eenvoudig ompolen van de elektrodes ook het ionenetsen mogelijk maakt.Devices which are suitable for so-called ion etching and which are operated in vacuum installations, in which so-called Sputtering processes are also carried out, are sufficiently known. By way of example only the publications DE-2 241 229 C2 and DE-2 149 606 are mentioned here, in which devices are described which, in addition to a substrate coating by means of sputtering of the electrodes, also enable ion etching by means of sputtering of the electrodes .

In de publikatie DE-2 241 229 C2 wordt voor het ionenetsen als substraten door een glimontlading een zgn. gesloten systeem beschreven, waarbinnen zich een plasma vormt, dat voor de materiaalverwijdering op het substraat vereist is en door de elektrodevlakken grotendeels wordt omsloten. Een voortdurende gasuitwisseling binnen het plasmavolumen vindt daarbij niet plaats. De handhaving van een stabiel plasma binnen de gesloten etskamer vergt echter enerzijds een in hoge mate nauwkeurige mechanische insluiting, d.w.z. een in hoge mate nauwkeurig wederzijds aanbrengen van de elektrodevlakken met inachtneming van nauwkeurig aan te houden afstandseisen en anderzijds een nauwkeurige instelling van de potentiaal-verhoudingen tussen de aan massa liggende kathode, waaraan het te etsen substraat aangebracht is en de zich daarboven bevindende anode.In publication DE-2 241 229 C2, for the ion etching as substrates by a glow discharge, a so-called closed system is described, within which a plasma is formed, which is required for the material removal on the substrate and is largely enclosed by the electrode surfaces. There is no continuous gas exchange within the plasma volumes. Maintaining a stable plasma within the closed etching chamber requires, on the one hand, a highly accurate mechanical containment, that is to say a highly precise mutual application of the electrode surfaces with due observance of distance requirements and, on the other hand, an accurate adjustment of the potential ratios between the ground cathode to which the substrate to be etched has been applied and the anode located above it.

Voorts is voor het gelijkmatig van het substraatvlak afnemen van materiaal een verregaande, homogene verdeling van de plasmadichtheid boven het substraat nodig. Te zamen met het heersende potentiaalverschil kan echter ook per se het etsen in verschillende omvang verlopen op grond van lokale verschillen in de voor het etsproces bepalende parameters (bijv. plasmadichtheid, elektrodenafstand en spanningsverhouding) op het substraatoppervlak.Furthermore, a uniform homogeneous distribution of the plasma density over the substrate is required for the material to be uniformly removed from the substrate surface. However, along with the prevailing potential difference, etching may also vary to varying degrees due to local differences in the parameters determining the etching process (e.g., plasma density, electrode spacing, and voltage ratio) on the substrate surface.

Met de op zichzelf bekende etsinrichtingen, zoals deze bijvoorbeeld in de in het voorgaande genoemde publikaties beschreven zijn, kan de in verregaande mate homogene etsomvang op schijfvormige substraatlichamen met de diameter tot 150 mm worden bereikt. Grotere substraatvlakken zijn echter met de tot dusverre bekende etsinrichtingen niet in de beschreven gelijkmatigheid etstechnisch te behandelen, aangezien in het bijzonder aan de randbereiken van het substraat een geringere materiaalverwijdering optreedt dan in het middenbereik van het substraat. Dit is in hoofdzaak een gevolg van de omstandigheid, dat het plasma aan de substraatrandbereiken op grond van plasmauitvlbeixng aanzienlijk dunner wordt.The etching devices known per se, as described, for example, in the publications mentioned above, enable the largely homogeneous etching size on disc-shaped substrate bodies with a diameter of up to 150 mm to be achieved. However, larger substrate surfaces cannot be etched in the uniformity described with the etching devices known so far, since in particular at the edge areas of the substrate less material removal occurs than in the middle region of the substrate. This is mainly due to the fact that the plasma at the substrate edge ranges becomes considerably thinner due to plasma emission.

Aan de uitvinding ligt nu het probleem ten grondslag een inrichting voor het over een groot oppervlak, homogeen ionenetsen binnen een vacuüminstallatie, met een recipiënt welke is voorzien van gasinlaat- en gasuitlaatopeningen, zodanig verder uit te werken, dat de handhaving van een stabiel plasma binnen het recipiënthuis wordt vereenvoudigd en de gelijkmatigheid van de omvang van de materiaalverwijdering ook bij substraten met een groter oppervlak dan de met de tot dusverre bekende etsinrichtingen te hanteren substraten, gewaarborgd kan worden.The problem now lies with the invention to further elaborate a device for homogeneous ion etching over a large area within a vacuum installation, with a receptacle provided with gas inlet and gas outlet openings, such that the maintenance of a stable plasma is maintained within the receptacle housing is simplified and the uniformity of the extent of the material removal can be ensured even with substrates with a larger surface area than the substrates to be used with the etching devices known hitherto.

Een volgens de uitvinding voorgestelde oplossing van dit probleem staat aangegeven in conclusie 1. Nadere uitwerkingen van de uitvinding vormen het onderwerp van de volgconclusies.A solution of this problem proposed according to the invention is stated in claim 1. Further elaborations of the invention are the subject of the subclaims.

Volgens de uitvinding wordt een inrichting voor het over een groot oppervlak homogeen ionenetsen in het inwendige van een vacuüminstallatie, met een recipiënt, welke is voorzien van gasinlaat- en gasuitlaatopeningen met ten minste één zich volgens een vlak uitstrekkende en aan massapotentiaal liggende anode en een ten opzichte daarvan grotendeels evenwijdig aangebrachte kathode, welke als substraathouder ingericht en bestemd met een HF-spanningsbron verbonden is, nader gekenmerkt, doordat het anodenoppervlak trapvormige bereiken bevat, welke zich telkens onderling verschillend ver op afstand van de kathoden bevinden.According to the invention, a device for homogeneous ion-etching over a large area in the interior of a vacuum installation is provided with a receptacle which has gas inlet and gas outlet openings with at least one plane extending at ground plane and having a ground potential Cathode arranged parallel thereto, which is arranged substantially as a substrate holder and is intended to be connected to an HF voltage source, further characterized in that the anode surface comprises stepped regions, each of which is different from each other at a great distance from the cathodes.

Het beginsel van het ionenetsen door middel van een vacuümkamer berust hierop, dat tussen de twee elektrodenvlakken, waarvan de kathode de, het substraatdragende, negatieve pool vormt en de anode, welke zich volgens een vlak uitstrekkend tegenover de kathode is aangebracht, inertgas wordt ingeleid. Meestal gaat het daarbij om Argon-gas. Aanvullend wordt aan één van de beide elektroden een HF-hoogspanning aangelegd om ervoor te zorgen dat het tussen de elektroden toegevoerde inerte gas gedissocieerd wordt en zich tot een stationair plasma vormt. De daarbij ontstaande, positieve Argon-ionen worden op grond van elektrostatische aantrekkingskracht in de richting naar het negatief geladen substraatoppervlak versneld en veroorzaken bij de botsing op het substraatoppervlak afhankelijk van hun kinetische energie en de energetische oppervlakomstandigheden van het substraat een bepaalde hoeveelheid loslatend substraatmateriaal. In een open systeem, waarin evenwijdig aan het substraatoppervlak een gasstroom gehandhaafd wordt, worden aldus de afgesputterde substraatdeeltjes op de anode afgescheiden of voor het geval er gasvormige verbindingen ontstaan, worden deze uit het plasmavolume in de gasstroom verwijderd waardoor de chemische samenstelling en daarmee gepaard gaand de elektronische omstandigheden binnen de plasmawolk onveranderd blijven.The principle of ion etching by means of a vacuum chamber is based on the introduction of inert gas between the two electrode surfaces, the cathode of which forms the substrate-carrying negative pole and the anode, which is arranged in a plane extending opposite the cathode. Usually this concerns Argon gas. Additionally, an HF high voltage is applied to one of the two electrodes to cause the inert gas supplied between the electrodes to dissociate and form a stationary plasma. The positive Argon ions formed thereby are accelerated due to electrostatic attraction in the direction towards the negatively charged substrate surface and, upon impact on the substrate surface, cause a certain amount of releasing substrate material depending on their kinetic energy and the energetic surface conditions of the substrate. In an open system, in which a gas flow is maintained parallel to the substrate surface, the sputtered substrate particles are thus separated on the anode or, in case gaseous compounds are formed, they are removed from the plasma volume in the gas flow, thereby causing the chemical composition and attendant the electronic conditions within the plasma cloud remain unchanged.

Principieel hangt de omvang van het etsen af van het per tijdseenheid het substraatoppervlak treffende aantal Argon-ionen, welk aantal voornamelijk afhankelijk is van het aantal van de zich boven het substraatoppervlak bevindende, geïoniseerde Argon-atomen. Bij een bepaalde druk van het in de installatie aanwezige Argongas en een gegeven hoogspanning tussen kathode en tegenpotentiaal brandt slechts een plasma, wanneer de afstand tussen de beide potentialen groot genoeg is. De reden hiervoor is, dat ionen en elektronen op hun weg tussen de beide potentialen stoten uitvoeren, waarbij nieuwe ionen en elektronen ontstaan. Wanneer het aantal van de stoten te klein, bijvoorbeeld bij te geringe druk of te geringe afstand tussen de potentialen is, is de ionen- elektronenconcentratie te gering en wordt het plasma onwerkzaam.In principle, the extent of the etching depends on the number of Argon ions striking the substrate surface per unit time, which number depends mainly on the number of the ionized Argon atoms located above the substrate surface. At a certain pressure of the Argon gas present in the installation and a given high voltage between cathode and counter potential, only a plasma burns if the distance between the two potentials is large enough. The reason for this is that ions and electrons in their path between the two potentials carry out pulses, whereby new ions and electrons are created. When the number of the pulses is too small, for example at too low a pressure or too small a distance between the potentials, the ion electron concentration is too small and the plasma becomes ineffective.

Wanneer men omgekeerd vermijden wil, dat tussen twee vlakken, waarvan de ene hoogspanning voert, een plasma brandt, moeten die vlakken zo dicht bij elkaar worden gebracht, dat slechts weinig elektronen-ionenparen ontstaan. Alleen deze overweging laat reeds zien, dat men door variatie van. de afstand tussen de tegenover elkaar gelegen elektroden een nauwkeurig in te stellen regelparameter bezit om de omvang van het etsen op het substraatoppervlak willekeurig te kunnen kiezen.Conversely, if one wants to avoid a plasma burning between two surfaces, one of which carries high voltage, these surfaces must be brought so close together that only few electron-ion pairs are formed. This consideration alone already shows that by varying. the distance between the opposing electrodes has a precisely adjustable control parameter to allow arbitrary selection of the etching size on the substrate surface.

De uitvinding zal in hetgeen thans volgt zonder beperking van de algemene uitvindingsgedachte aan de hand van uitvoeringsvoorbeelden en onder verwijzing naar de tekening bij wijze van voorbeeld worden beschreven naar welke tekening overigens wat betreft de openbaring van alle in de tekst niet nader toegelichte uitvindingsdetails, uitdrukkelijk wordt verwezen.The invention will now be described in what follows, without limiting the general inventive concept by means of exemplary embodiments and with reference to the drawing, to which drawing, incidentally, is explicitly disclosed with regard to the disclosure of all the invention details which are not further elucidated in the text. referenced.

Fig. 1 is een dwarsdoorsnede van een recipiënthuis dat de volgens de uitvinding voorgestelde elektroden bevat;Fig. 1 is a cross section of a receptacle housing containing the electrodes proposed in accordance with the invention;

Fig. 2 is een bovenaanzicht van de volgens de uitvinding voorgestelde trapsgewijze anode; enFig. 2 is a plan view of the stepped anode proposed in accordance with the invention; and

Fig. 3 is een verdere dwarsdoorsnede van een, de uitgevonden elektrodenbevattend recipiënthuis.Fig. 3 is a further cross section of a receptacle housing containing the electrodes invented.

Figuur 1 is een zijaanzicht van een recipiënthuis, waarin de volgens de uitvinding toegepaste elektroden zijn aangebracht, namelijk een in het midden aangebrachte, zich volgens een vlak uitstrekkende elektrode 1, welke via een speciaal hoog frequent aanpassingsnetwerk 5 met een HF-bron 7 wordt gevoed met een hoge spanning. Daar tegenoverliggend binnen in het recipiënthuis 4 bevindt zich een trapvormig uitgevoerde tegenelektrode 3, welke bij voorkeur aan massapotentiaal ligt. Die elektrode 1 is daarbij door middel van een condensator gekoppeld met de HF-bron 7, doch is overigens tegen het aardpotentiaal geïsoleerd uitgevoerd, zodat de elektrode 1 een tegen het aardpotentiaal van nul verschillend potentiaal kan hebben. Voorts heeft de elektrode 1 ten opzichte van de elektrode 3 en het recipiënt-huis 4 een kleiner oppervlak, zodat de elektrode 1 steeds negatief voorgespannen is, wanneer een plasma in de recipiënt R wordt ontstoken. Door een gasinlaatventiel 2 treedt Argongas het inwendige van de recipiënt R binnen, overstroomt daarbij de elektrode inrichting en wordt aan de tegenover gelegen zijde door een op geschikte wijze aangebracht gasuitlaat-ventiel 6 door middel van een geschikte vacuümpomp (welke niet is weergegeven) weer weggepompt. De gasinlaat 2 in de recipiënt R is door middel van een aanvullend aangebrachte stroommeter (welke eveneens niet weergegeven is) regelbaar. De zich in de recipiënt R daarbij instellende werkdruk bedraagt tussen 10~3 en 10~2 hPa. Wegens de tussen de elektroden 1 en 3 aanliggende hoge spanning, worden de zich in de tussenruimte van de elektroden bevindende Argon-atomen geïoniseerd en op het substraatoppervlak versneld. Daar maken zij op grond van hun hoge kinetische energie in de vorm van stootprocessen substraatdeeltjes los. Die substraatdeeltjes worden hetzij aan de tegenover gelegen anode opnieuw afgescheiden of voor het geval deze met een toegevoegd reactief gas een gasvormige verbinding aangaan door wegpompen uit de recipiënt R verwijderd. De open opbouw met voortdurende gastoevoer en gasverwijdering waarborgt dientengevolge een in verregaande mate constante gassamenstelling in het inwendige van de recipiënt R.Figure 1 is a side view of a receptacle housing, in which the electrodes used according to the invention are arranged, namely a center-mounted, plane-extending electrode 1, which is fed via a special high-frequency adaptation network 5 with an HF source 7 with high voltage. Opposite, inside the receptacle housing 4, is a step-shaped counter electrode 3, which preferably has ground potential. The electrode 1 is here coupled to the HF source 7 by means of a capacitor, but is otherwise insulated against the earth potential, so that the electrode 1 can have a potential different from the earth potential of zero. Furthermore, the electrode 1 has a smaller surface area relative to the electrode 3 and the receptacle housing 4, so that the electrode 1 is always negatively biased when a plasma is ignited in the receptacle R. Through a gas inlet valve 2, Argon gas enters the interior of the container R, flooding the electrode device and being pumped out on the opposite side by a suitably arranged gas outlet valve 6 by means of a suitable vacuum pump (not shown). . The gas inlet 2 in the container R is controllable by means of an additionally provided flow meter (which is also not shown). The working pressure which adjusts in the container R is between 10 ~ 3 and 10 ~ 2 hPa. Due to the high voltage applied between the electrodes 1 and 3, the Argon atoms located in the interspace of the electrodes are ionized and accelerated on the substrate surface. There, due to their high kinetic energy, they release substrate particles in the form of impact processes. Those substrate particles are either redeposited on the opposite anode or in case they enter into a gaseous compound with an added reactive gas by pumping out of the container R removed. The open construction with continuous gas supply and gas removal therefore ensures a largely constant gas composition in the interior of the container R.

De trapsgewijze opstelling van de etsanode 3 is daarbij zodanig geconcipieerd, dat deze in de in figuur 1 weergegeven uitvoeringsvorm in het bereik van de gasinlaat het verst van de kathode verwijderd is, aangezien aldaar de vers in het recipiënthuis ingeleide Argon-atomen aanvankelijk eerst moeten worden geïoniseerd om ervoor te zorgen dat zij een bijdrage tot het etsproces kunnen leveren. Eerst na een minimale verblijfduur tussen de elektrodenplaten worden de Argon-atomen door stootprocessen geïoniseerd, hetgeen ertoe leidt, dat de Argon-ionenconcentratie in het bereik van de gasinlaat geringer is, dan in het bereik van de gasuitlaat. Voorts is bekend, dat de mate van etsen afhankelijk is van de werkdruk, zodat afhankelijk van de plaatselijk verschillende werkdrukken, bijvoorbeeld in het bereik van de gasinlaat 2 of -uitlaat 6 de etsomvang onderling verschillend kan zijn. Om deze genoemde, ongewenste effecten te vermijden en in het gehele bereik van het substraatvlak een uniforme etssnelheid te bereiken, wordt - zoals reeds beschreven - de wederzijdse elektrodeafstand in bereiken met toenemende Argon-ionenconcentratie verminderd. Dit leidt tenslotte tot een trapsgewijze structuur van de etsanode, zoals in figuur 1 is weergegeven.The stepped arrangement of the etching anode 3 is designed in such a way that in the embodiment shown in Figure 1 it is furthest from the cathode in the region of the gas inlet, since there the Argon atoms freshly introduced into the receptacle must first be introduced there. ionized to ensure they can contribute to the etching process. Only after a minimum residence time between the electrode plates, the Argon atoms are ionized by impact processes, which results in the Argon ion concentration in the region of the gas inlet being lower than in the region of the gas outlet. It is further known that the degree of etching depends on the operating pressure, so that depending on the locally different operating pressures, for example in the region of the gas inlet 2 or outlet 6, the etching size can be different from one another. In order to avoid these undesired effects and to achieve a uniform etch rate throughout the substrate plane, the mutual electrode spacing in ranges with increasing Argon ion concentration is reduced, as already described. Finally, this leads to a stepped structure of the etching anode, as shown in Figure 1.

Figuur 2 is een bovenaanzicht van de volgens de uitvinding toegepaste vlakachtige, getrapte structuur van de anode, zoals deze bijvoorbeeld in figuur 1 in dwarsdoorsnede is weergegeven. De trapvormige uitvoering van het oppervlak van de anode 3 leidt tot trapvormige bereiken 8, welke in figuur 2 telkens door hoogtelijnen van elkaar gescheiden zijn. Een, de vierkante anode 3 met een randlengte L omgeven raam 9 zorgt voor een geschikte positionering van de anode 3 in het inwendige van het recipiënthuis 4.Figure 2 is a top view of the planar, stepped structure of the anode used according to the invention, as shown in cross-section for example in Figure 1. The stepped design of the surface of the anode 3 leads to stepped regions 8, which are each separated by height lines in Figure 2. A frame 9 surrounded by the square anode 3 with an edge length L ensures a suitable positioning of the anode 3 in the interior of the receptacle housing 4.

Uiteraard zijn daarvan afwijkende trapsgewijze formaties denkbaar zoals bijvoorbeeld een trapverhoging in het middenbereik van de elektrode opstelling, welke naar de randbereiken toe telkens afvalt. Een dergelijke volgens de uitvinding toegepaste anode uitvoering is in figuur 3 weergegeven. Men heeft ingezien, dat de plasma-uitdunning speciaal in de randbereiken kan worden verminderd, wanneer de elektrodeafstand trapsgewijs naar de randbereiken toe wordt vergroot. Door een getrapt pyramidevormige anodestructuur met willekeurig groot aantal trapbereiken 8’ kan aldus de plasma uitdunning worden tegengegaan.Naturally deviating cascading formations are conceivable, such as, for example, a step-up in the middle range of the electrode arrangement, which falls off towards the edge ranges. An anode embodiment of this type used in accordance with the invention is shown in Figure 3. It has been recognized that plasma thinning can be reduced especially in the edge ranges when the electrode spacing is increased stepwise toward the edge ranges. The plasma thinning can thus be prevented by a stepped pyramid-shaped anode structure with arbitrarily large number of step ranges 8 ".

Principieel kan met de uitgevonden uitvoering van de etsanode de lokale etsomvang of in -intensiteit door een variatie in de elektrodeafstand individueel worden ingesteld. Daardoor is het voor het eerst mogelijk, vierkante substraatvlakken met een zijdelengte van tot 50 cm in een tot dusverre niet te bereiken homogene mate te etsen.In principle, with the invented embodiment of the etching anode, the local etching size or intensity can be individually adjusted by a variation in the electrode distance. This makes it possible for the first time to etch square substrate surfaces with a side length of up to 50 cm in a hitherto unattainable homogeneous degree.

Juist de vervaardiging van halfgeleider bouwstenen in grotere aantallen vergt een naar de maatstaven van massaproduktie geconcipieerde procesvoering. Om het overgaan van een etscharge op een volgende zo snel mogelijk te kunnen uitvoeren is de kathode met de daaraan bevestigde substraten beweegbaar gelegerd, zodat deze rijdend in de etskamer verplaatsbaar is. Dit vergemakkelijkt in aanzienlijke mate het overgaan op een ander substraat en zorgt voor een in verregaande mate optimale benutting van de etsinstallatie, hetgeen uiteindelijk werking van kostenvermindering op de produktie heeft.It is precisely the manufacture of semiconductor building blocks in larger numbers that requires a process design that is designed according to the standards of mass production. In order to be able to carry out the transfer of an etching estimate to a subsequent one as quickly as possible, the cathode with the substrates attached to it is movably mounted, so that it can be moved while driving in the etching chamber. This considerably facilitates the transition to a different substrate and ensures a largely optimal utilization of the etching installation, which ultimately has the effect of reducing costs on production.

Met de volgens de uitvinding voorgestelde inrichting kan de etstechniek zodanig verder worden vervolmaakt, dat qua kosten gunstige zich over grote vlakken uitstrekkende substraten op de gewenste wijze homogeen bewerkt kunnen worden.With the device proposed according to the invention, the etching technique can be further perfected in such a way that cost-effective substrates extending over large areas can be homogeneously processed in the desired manner.

Claims

A device for large-area / homogeneous ion etching in a vacuum installation, with a receptacle (R), which is provided with gas inlet (2) and gas outlet openings (6) / with at least one, which is flat and has a ground potential anode (3) and a cathode (1) arranged largely parallel thereto, which is arranged as a substrate holder and is connected to an HF voltage source (7), characterized in that the anode surface has stepped regions (8), each of which are distanced from one another far apart from the cathode.

Device according to claim 1, characterized in that the electrode shape is square and has a side length (L) of up to 50 cm.

Device according to claim 1 or 2, characterized in that in the region of the gas inlet (2) the distance between the electrodes is greatest there and in the region of the gas outlet (6) the least.

Device according to any one of the preceding claims, characterized in that a plasma reactive with the substrate is formed between the electrodes.

Device according to any one of the preceding claims, characterized in that two anodes (3, 3 ') are provided, which face each other in the form of a plane and in the plane of the center distance of both electrodes (3, 3 ') is provided in the cathode (1).

Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the extent of the plasma can be influenced by the distance of the electrodes.

The device according to any one of the preceding claims, characterized in that the center region of the anode comprises stepped sections (8 ') which are less than the peripheral regions of the cathode.

Device according to one of the preceding claims, characterized in that the stepped anode can be set up in a modular manner in Sputter installations.

An apparatus according to any one of the preceding claims, characterized in that the etching process takes place in an open system, wherein a continuous gas exchange takes place in the interior of a container (R).

Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the gas inlet (2) and the gas outlet openings (6) on the receptacle housing (4) are opposite one another.

Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the operating pressure in the interior of a container is between 10-3 and 10-2 hPa.

Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the cathode (1) is disposed in such a manner that it can be moved in a movable manner for the application of substrates.

Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the cathode (1) is connected to the HF voltage source (7) via an HF matching network (5).

Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the gas inlet (2) in the receptacle (R) is controllable by means of a flow meter.

Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the cathode potential is adjustable by the HF power.