NL8601132A

NL8601132A - Installation for floating transport and processing of wafers - provides transfer of successive wafers under floating condition through interfacing tunnel passages

Info

Publication number: NL8601132A
Application number: NL8601132A
Authority: NL
Original assignee: Bok Edward
Priority date: 1986-05-02
Filing date: 1986-05-02
Publication date: 1987-12-01

Abstract

The transport and processing installation comprises a lower block containing at least supply channels for gaseous medium for wafer transfer under floating condition. A lower chamber block is located in the chamber in the lower block. A cap covers the chamber above the lower block. At least one displacer provides for downward displacement of the cap from its wafer transfer position toward at least near the block and in return. A device transfers a wafer toward and from an at least almost centric position in between the cap and the lower chamber block. A recessed upper block lies around the cap. The upper block is connected to the lower block. A tunnel passage in between the blocks provides for wafer transfer toward and from the chamber.

Description

- 1 -- 1 -

* .. * I* .. * I

Verbeterde inrichting voor wafer transport en processing.Improved device for wafer transport and processing.

Bij de modules voor wafer transport en processing, welke zijn omschreven in onder andere de Nederlandse Gctrooi-aanvragen Nofs 8600946 en 8600947 van de aanvragers, worden afeluitkappen toegepast voor het tenminste nage-5 noeg afsluiten van het inwendige van deze modules van de aangrenzende tunnelpassages.In the modules for wafer transport and processing, which are described in, inter alia, the Dutch Patent Applications Nofs 8600946 and 8600947 of the applicants, countdown caps are used for at least close-off of the interior of these modules from the adjacent tunnel passages.

Daarbij rust deze kap in zijn onderste positie tenminste nagenoeg op een zitting, welke zich bevindt rondom het inwendige van deze module.In this lower position, this cap rests substantially on a seat, which is located around the interior of this module.

Aan deze constructie zijn de navolgende bezwaren verbonden: 101. De wafer wordt onder floating conditie over deze zitting als deel van de tunnelpassage geleid naar de ingang van de processing module en is tijdens de processing opgesloten in deze module binnen de zitting. Aldus is de tunnelpassage-sectia ter plaatse van deze zitting aanzienlijk breder dan de ingang van deze module en breder dan het gedeelte van de tunnel-15 passage, welke grenst aan deze sectie· Bij het openen van de module en vervolgens afvoeren van de wafer uit deze module raakt aldus de floating wafer de erop werkzame krachtwerking van de stromen gasvormig medium, welke afkomstig zijn uit nabij gelegen opstaande zijwanden, nagenoeg kwijt en die deze wafer in het laterale midden van de module en daarmede van de plaatselijk 20 wijdere tunnelpassage houden. Hierdoor is het moeilijk om de wafer onder floating conditie te leiden naar de vernauwde ingang van de aangrenzende tunnel-passagesectie zonder mechanisch contact te maken met de opstaande zijkanten van deze tunnel-ingang.The following drawbacks are associated with this construction: 101. The wafer is led under floating condition over this seat as part of the tunnel passage to the entrance of the processing module and is enclosed in this module within the seat during processing. Thus, the tunnel passage sections at this seat are significantly wider than the entrance to this module and wider than the portion of the tunnel-15 passage adjacent to this section · When opening the module and then draining the wafer thus, this floating wafer substantially loses the acting force of the gaseous medium flows, which come from adjacent upright sidewalls, and which keep this wafer in the lateral center of the module and hence from the locally wider tunnel passage. This makes it difficult to lead the wafer under floating condition to the narrowed entrance of the adjacent tunnel passage section without making mechanical contact with the upright sides of this tunnel entrance.

2· Bij de ontvangstmodule geraakt de wafer soortgelijk in de eindfase van de 25 verplaatsing ervan onder floating conditie zonder geleiding ervan door stromen gasvormig medium, welke afkomstig zijn uit de opstaande zijwanden van de tunnelpassage en waarbij toch deze wafer terecht moet komen in de module— ingang, waarvan da binnendiameter slBChts minimaal, bijvoorbeeld 1 mm, groter is dan de diameter van de wafer. Hierbij zijn sterke stromen gasvormig 30 medium en regelsystemen benodigd om in deze eindfase van verplaatsing van de wafer een mechanisch contact van deze wafer met de omringende wanden te vermijden.2 · At the receiving module, the wafer likewise gets into the final phase of its displacement under floating condition without being guided by gaseous medium flows, which come from the upright side walls of the tunnel passage and yet this wafer must end up in the module— entrance, the inner diameter of which is slBChts at least, for example 1 mm, larger than the diameter of the wafer. Strong flows of gaseous medium and control systems are hereby required to avoid mechanical contact of this wafer with the surrounding walls in this final phase of displacement of the wafer.

3. Gecompliceerde constructies zijn benodigd voor de afsluitkap en de daarin opgenomen bovenbloksectie om gedurende de processing in de module deze bo- 35 venbloksectie over enige afstand in benedenwaartse richting voorbij de onderrand van deze kap uit te doen strekken.3. Complicated structures are required for the end cap and the top block section contained therein to extend this top block section downwardly past the bottom edge of this cap for some distance during processing in the module.

4. De mogelïjk tijdens de processing bewerkstelligde temperatuurs-verschillen maken, dat de hoogte van de gewenste micro-spleet tussen de afsluitkap en 8301132 - 2 - de zitting varieert. Verder zijn tenminste een drietal meeneeminrichtingen benodigd voor het verkrijgen van een gelijkmatige hoogte van deze micro-spleet, welke veelal minder dan 30 micrometer bedraagt.4. It is possible that temperature differences brought about during processing cause the height of the desired micro-gap to vary between the closing cap and the seat. Furthermore, at least three carrying devices are required to obtain an even height of this micro-gap, which is often less than 30 micrometers.

Met de inrichting volgens de uitvinding wordt nu beoogd om deze be-5 zwaren op tB heffen en is deze in hoofdzaak daardoor gekenmerkt, dat de bovenkap van de module een buitendiameter heeft, welke iets kleiner is dan de binnendiameter van de ingang van de module aan het boveneinde ervan.The object of the device according to the invention is now to lift these objections to tB and it is mainly characterized in that the top cap of the module has an outer diameter which is slightly smaller than the inner diameter of the entrance of the module. the top end of it.

Verder, dat in deze inrichting middelen zijn opgenomen, om het ondergedeelte van deze kap over enige afstand in benedenwaartse richting binnen 10 deze module-ingang te brengen, waarbij tussen deze kap en de binnenzijde van de module een cirkelvormige microspleet met een minimum wijdte van bijvoorbeeld 50 micrometer gehandhaafd blijft.Furthermore, in this device means are included for bringing the lower part of this hood downwards for some distance within this module entrance, wherein between this hood and the inside of the module a circular micro-gap with a minimum width of for instance 50 micrometers is maintained.

Verder, dat de afstand van inbreng van dit kapgedeelte aanzienlijk is, bijvoorbeeld 12 mm, gedurende de hoofdprocessing in de module. Hierdoor 15 wordt tijdens deze processing een zodanige afsluiting van deze module bewerkstelligd, dat het inwendige ervan in voldoende mate gescheiden blijft van de tunnelpassage met daardoor een gunstige beperkte communicatie via deze spleet.Furthermore, that the distance of insertion of this cap portion is considerable, for example 12 mm, during the main processing in the module. As a result, during this processing, such a closure of this module is effected that the interior thereof remains sufficiently separated from the tunnel passage, thereby favorably limited communication via this gap.

Verder wordt bij de spin-processing in zulk een module met een tijde-20 lijk versterkte toevoer van vloeibaar medium naar de ingang van de spleet tijdelijk de afvoercapaciteit sterk vergroot, zodat niet een deel van dit medium via deze communicatie-spleet terecht kan komen in de tunnelpassage.Furthermore, during the spin processing in such a module with a temporarily reinforced supply of liquid medium to the entrance of the slit, the discharge capacity is temporarily increased, so that part of this medium cannot end up in this communication slit. the tunnel passage.

Door een zo nauwkeurig mogelijk uitgevoerde rechtgeleiding voor deze kap in combinatie met minimale toleranties en het samenvallen van de hart-25 lijn van deze kap met die van de binnenzijde van de module met eveneens minimale toleranties in radiale richting, is het verder mogelijk om deze microspleet zodanig minimaal te doen zijn, dat een overdruk in de tunnelpassage ten opzichte van die in de module kan worden onderhouden, ook tijdens een drukverhoging in deze module tijdens de erin plaats vindende processing van 3G de wafer.Due to the most accurate possible straight guidance for this hood in combination with minimal tolerances and the coincidence of the center-line of this hood with that of the inside of the module with also minimal tolerances in radial direction, it is further possible to to be minimized such that an overpressure in the tunnel passage relative to that in the module can be maintained, also during an increase in pressure in this module during the processing of 3G the wafer taking place therein.

Een volgend uiterst gunstig kenmerk is, dat de twee opstaande zijwanden van de tunnelpassage overgaan in de opstaande binnenwand-sectie van het wafer toe— en afvoergedeelte van de module ter plaatse van de grootste breedte ervan, gezien in laterale richting van de .tunnelpassage.A further extremely favorable feature is that the two upright sidewalls of the tunnel passage merge with the upright inner wall section of the wafer supply and discharge portion of the module at its widest width, viewed in the lateral direction of the tunnel passage.

35 Verder, dat daarbij de breedte van dit wafer toe- en afvoergedeelte van de module, gezien in laterale richting van de tunnelpassage, tenminste nagenoeg gelijk is aan die van de aangrenzende tunnelpassagesectie.Furthermore, the width of this wafer supply and discharge section of the module, viewed in lateral direction of the tunnel passage, is substantially equal to that of the adjacent tunnel passage section.

Verder, dat zoals in de opstaande zijwanden van de tunnelpassage uit- O ** rt J λ t i · aά i % - 3 - mondingen van toevoerkanalen voor gasvormig medium zijn opgenomen ten behoeve van het met behulp van dit medium mechanisch contactloos geleiden van de wafer in deze passage tijdens zijn lineaire verplaatsing daarin onder floating conditie, deze serie uitmondingen zich ononderbroken uitstrekken opzij van 5 dit wafer toe- en afvoergedeelte van de module.Furthermore, as in the upright sidewalls of the tunnel passage, outlets J λ ti · aά i% - 3 - openings of feed channels for gaseous medium are included for the purpose of mechanically contact-free guiding of the wafer using this medium. in this passage during its linear displacement therein under floating condition, this series of outlets continuously extend to the side of this wafer feed and discharge portion of the module.

Door deze wafer rechtgeleiding, zich opvolgend uitstrekkend vanaf een processingmodule als zendermodula naar een volgende processingmodule als ontvangstmodule, is het nu mogelijk, dat de wafer bij 3fvoer ervan uit de zendermodula en tijdens de lineaire verplaatsing ervan roteert.Due to this wafer straight guide, successively extending from a processing module as transmitter module to a subsequent processing module as receiver module, it is now possible for the wafer to rotate from its transmitter module during its linear displacement.

10 Hierdoor wordt belet, dat de wafer met zijn vlakke zïjkant-gedeelte langs één van de beide opstaande zijwanden van de tunnelpassage komt te verplaatsen.This prevents the wafer with its flat side part from moving along one of the two upright side walls of the tunnel passage.

Aldus vindt in de ontvangstmodule een mechanisch contactloze op— vang van de wafer, welke zich in het laterale midden van de tunnelpassage 15 en daarmede van de module-ingang bevindt, plaats zonder noodzakelijk bijzondere voorzieningen.Thus, in the receiving module, a mechanically contactless reception of the wafer, which is located in the lateral center of the tunnel passage 15 and with it the module entrance, takes place without necessarily any special provisions.

3ij de inrichting volgens de uitvinding wordt daartoe gebruik gemaakt van een kantelbare onderbloksectie voor tenminste de ontvangstmodule, zoals is omschreven in de boven vermelde Nederlandse Gctrooi-aanvragen, en 20 waarbij de voorzijde van ds wafer tenminste in de eindfase van de lineaire wafer verplaatsing kantelend naar beneden wordt verplaatst ten behoeve van het opvangen ervan door een buffarwand, welke bij voorkeur is opgenomen in het onderblok-gedeelte van deze ontvangstmodule.In the device according to the invention, use is made for this purpose of a tiltable lower block section for at least the receiving module, as described in the above-mentioned Dutch Patent Applications, and wherein the front side of this wafer is tilted at least in the final phase of the linear wafer displacement. is moved below for its collection by a buffer wall, which is preferably included in the bottom block portion of this receiver module.

In de bijgaande Nederlandse Qctrooi-aanvrage van de aanvragers is 25 een systeem voor het zodanig onder controle houden van het processing medium in de module omschreven, dat geen gedeelte van dit medium als microverontreiniging terecht kan komen op de wanden van de tunnelpassage.In the accompanying Dutch patent application of the applicants, a system for keeping the processing medium in the module under control is described in such a way that no part of this medium can end up on the walls of the tunnel passage as micropollutant.

Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat dit controle systeem eveneens wordt toegepast in deze inrichting en deze daartoe is aangepast.A further favorable feature is now that this control system is also used in this device and has been adapted for this purpose.

30 Verdere bijzonderheden an kenmerken volgen uit de beschrijving van dB hieronder aangegeven Figuren.Further details and features follow from the description of dB Figures shown below.

Figuur 1 is een langsdoorsnede van een processingmodule voor wafers, waarin de inrichting volgens de uitvinding is opgenoman an waarbij een wafer zich in zijn eindfase van lineaire verplaatsing naar deze module als ont-35 vangstmodule bevindt.Figure 1 is a longitudinal section of a wafer processing module incorporating the device according to the invention with a wafer in its final phase from linear displacement to this module as a receiving module.

Figuur 2 is da doorsnede volgens de Figuur 1, waarbij in deze module wet-proc8ssing van de wafer in een onderste processing sectie plaats vindt.Figure 2 is the cross-section according to Figure 1, in which wet-processing of the wafer in a bottom processing section takes place in this module.

Figuur 3 is een horizontale doorsnede van ds tunnelpassage inclu- 8601132 f « - 4 - sief een serie modules en waarbij een wafer vanuit een zendermodule wordt getransporteerd naar een ontvangstmodule.Figure 3 is a horizontal sectional view of the tunnel passage including a series of modules and a wafer being transported from a transmitter module to a receiver module.

Figuur 4 is de doorsnede volgens de Figuur 3, waarbij de wafer zich bevindt nabij de eindfase van zijn verplaatsing naar de ontvangstmodule, 5 Figuur 5 is de doorsnede volgens de Figuur 4, waarbij de wafer is opgevangen door de buffer-opstelling van deze ontvangstmodule.Figure 4 is the section according to Figure 3, the wafer being near the final phase of its displacement to the receiving module, Figure 5 is the section according to Figure 4, the wafer being collected by the buffer arrangement of this receiving module.

Figuur 6 is een doorsnede over de lijn 6-6 van de inrichting volgens de Figuur 4,Figure 6 is a section on line 6-6 of the device of Figure 4,

Figuur 7 is een doorsnede over de lijn 7-7 van de inrichting vol— 10 gens de Figuur 4.Figure 7 is a section on line 7-7 of the device according to Figure 4.

Figuur 8 toont het wafer toe- en afvoergedeelte van een processing-module als ontvangstmodule en waarbij de wafer nabij de eindfase van zijn lineaire verplaatsing is gekomen.Figure 8 shows the wafer feed and discharge portion of a processing module as a receiving module and where the wafer has approached the end phase of its linear displacement.

Figuur 9 is het wafer toe— en afvoergedeelte volgens de Figuur 8 en 15 waarbij de wafer is opgevangen door een gasbuffer van deze ontvangstmodule.Figure 9 is the wafer feed and discharge portion of Figures 8 and 15 with the wafer collected by a gas buffer from this receiving module.

Figuur 10 is het wafer toe— en afvoergedeelte volgens de Figuur 9 en waarbij de wafer naar een lagere positie ten behoeve van processing ervan wordt gedirigeerd.Figure 10 is the wafer feed and discharge portion of Figure 9 and the wafer is directed to a lower position for processing.

Figuur 11 is een vergroot detail van het wafer toe— en afvoerge-20 deelte van de module volgens de Figuur 1 en waarbij afbuffering van de wafer geschiedt met behulp van een gaskussen.Figure 11 is an enlarged detail of the wafer feed and discharge portion of the module of Figure 1, with wafer buffering being performed using a gas pad.

Figuur 12 is het detail volgens de Figuur 11 en waarbij een verders afbuffering van deze wafer geschiedt onder een vergrootte hellingshoek ervan.Figure 12 is the detail according to Figure 11 and in which a further buffering of this wafer takes place under an enlarged angle of inclination thereof.

25 Figuur 13 is een doorsnede over de lijn 13-13 van het detail vol gens de Figuur 11.Figure 13 is a section on line 13-13 of the detail according to Figure 11.

Figuur 14 is een doorsnede over de lijn 14—14 van het detail volgens de Figuur 12.Figure 14 is a section on line 14-14 of the detail of Figure 12.

Figuur 15 is een vergroot detail van de tunnelpassage volgens de 30 Figuur 5 ter plaatse van de overgang van deze tunnelpassage naar het toean afvoergedeelte van de ontvangstmodule.Figure 15 is an enlarged detail of the tunnel passage according to Figure 5 at the location of the transition from this tunnel passage to the toe-off section of the receiving module.

Figuur 16 is een vergroot detail van een toe— en afvoergedeelte van een module, waarin processing zonder vloeibaar medium plaats vindt.Figure 16 is an enlarged detail of a supply and discharge section of a module in which processing takes place without liquid medium.

Figuur 17 is een langsdoorsnede van een module, waarin behandeling 35 van de wafer geschiedt zonder spin-processing onder hoog toerental.Figure 17 is a longitudinal section of a module in which wafer processing is performed without high speed spin processing.

Figuur 18 i3 een langsdoorsnede van een tunnelpassage, waarin een tweetal modules volgens de Figuur 17 zijn opgenomen en waarbij wafer transport geschiedt onder een tijdelijk bewerkstelligde hellingshoBk.Figure 18 i3 is a longitudinal section of a tunnel passage, in which two modules according to Figure 17 are included and in which wafer transport takes place under a temporarily realized slope angle.

8691132 * «X" - 5 -8691132 * «X" - 5 -

Figuur 19 is een vergroot detail van de module volgens de Figuur 17 en waarbij de wafer in de eindfase van zijn lineaire verplaatsing wordt opgevangen met behulp van een vloeistofbuffer.Figure 19 is an enlarged detail of the module of Figure 17 and the wafer is collected in the final phase of its linear displacement using a liquid buffer.

Figuur 20 is het detail volgens de Figuur 19 en waarbij de wafer uit 5 deze module wordt gevoerd.Figure 20 is the detail of Figure 19 and the wafer is discharged from this module.

Figuur 21 is een vergroot detail van een zijgedeelte van een gewijzigde module-uitvoering, waarin eveneens wafer toe— en afvoer uit deze module geschiedt onder een hellingshoek en waarbij de wafer zich in de onderste processingsctie van deze module bevindt.Figure 21 is an enlarged detail of a side portion of a modified module embodiment, in which wafer supply and discharge from this module is also performed at an angle of inclination and the wafer is in the bottom processing section of this module.

10 Figuur 22 is het detail volgens de Figuur 21 en waarbij de wafer zich in een hoger gelegen processingsectie bevindt.Figure 22 is the detail of Figure 21 and the wafer is located in an elevated processing section.

Figuur 23 is het detail volgens de Figuur 22 en waarbij de wafer naar een positie is gebracht voor een daarop volgende afvoer ervan, uit deze module onder een nellingshoek.Figure 23 is the detail of Figure 22 and wherein the wafer has been brought to a position for its subsequent discharge from this module at an angle of inclination.

15 Figuur 1 toont de inrichting 10 in een langsdoorsnede. Deze bestaat daarbij in hoofdzaak uit het onderblok 12, bovenblok 14, tunnelpassage 16, welke is opgenomen tussen deze blokken, uitsparing 18 in het onderblok, onderbloksectie 20 als draaitafel, welke met zijn aandrijving 22 is vastgezet op het draagblok 24, meeneeminrichtingen 26 en 28 ten behoeve van het 20 in op en neerwaartse richting en al dan niet kantelend, verplaatsen van deze sectie 20 en welke zijn vastgezet op de onderkap 30, bovenkap 32, welke is opgenomen in een uitsparing 34 van het bovenblok 14, meeneeminrichting 36 ten behoeve van het in op- en neerwaartse richting verplaatsen van deze kap 32 en welke is vastgezet op dit bovenblok 14.Figure 1 shows the device 10 in a longitudinal section. It mainly consists of the bottom block 12, top block 14, tunnel passage 16, which is received between these blocks, recess 18 in the bottom block, bottom block section 20 as turntable, which is fixed with its drive 22 on the support block 24, transport devices 26 and 28 for the purpose of moving this section 20 up and down and whether or not tilting, and which are fixed on the bottom cap 30, top cap 32, which is received in a recess 34 of the top block 14, carrying device 36 for moving this cap 32 up and down and which is secured to this top block 14.

25 Lineair transport naar de processingmodule 38 van de. wafer 40 geschiedt onder floating conditie, waartoe in de tunnelpassage de toevoer— uitmondingen 42 en 44 zijn opgenomen en in de onderbloksectie 20 de uitmondingen 46.25 Linear transport to the processing module 38 of the. wafer 40 takes place under a floating condition, for which purpose the supply outlets 42 and 44 are accommodated in the tunnel passage and the outlets 46 in the bottom block section 20.

Tijdens het wafer transport geschiedt de afvoer al dan niet tijdelijk 30 tenminste via de centrale afvoer 50, welke in het laterale midden van de tunnelpassage 16 uitmondt, zie Figuur 3, en het ringvormige afvoerkanaal 52 rondom de onderbloksectie 20, met afvoer via tenminste één van de kanalen 54 en 56, welke zijn opgenomen in het ondereinde 58 van de onderkap 30.During the wafer transport, the discharge takes place, temporarily or otherwise, at least via the central discharge 50, which opens into the lateral center of the tunnel passage 16, see Figure 3, and the annular discharge channel 52 around the bottom block section 20, with discharge via at least one of channels 54 and 56, which are received in the bottom end 58 of the bottom cap 30.

Het ondergedeelte 60 van de kap 32 is verplaatsbaar naar en van een 35 positie ervan binnen de uitsparing 18, zoals is aangegeven in de Figuur 2.The lower portion 60 of the hood 32 is movable to and from a position thereof within the recess 18, as shown in Figure 2.

In de zijwand 62 van deze uitsparing 18 zijn de medium toevoerrin— gen 64 en 66 opgenomen, zie tevens de Figuren 11, 13, 14 en 15,en waarvan de toevoerkanalen 68, 70 en 72 uitmonden in da binnenzijde van deze ringen.The side wall 62 of this recess 18 contains the medium supply rings 64 and 66, see also Figures 11, 13, 14 and 15, of which the supply channels 68, 70 and 72 open into the inside of these rings.

8391132 ♦ > - 6 -8391132 ♦> - 6 -

Deze kanalen 68, 70 en 72 zijn via de respectievelijke ringvormige communicatiekanalen 74, 76 en 78 aangesloten op de respectievelijke medium toevoeren 80, 82 en 84.These channels 68, 70 and 72 are connected to the respective medium feeds 80, 82 and 84 via the respective annular communication channels 74, 76 and 78.

De O-ringen 86 en 88 dragen daarbij zorg voor een goede afscheiding 5 van deze medium toevoersystemen.The O-rings 86 and 88 ensure a good separation of these medium supply systems.

Het ondergedeelte 60 van de bovenkap 32 past in zijn posities binnen de uitsparing 18 met een daarbij onderhouden van een ringvormige microspleet 90 er tussen. Hierdoor is slechts een beperkte communicatie mogelijk tussen de tunnelpassage 16 en het inwendige 1-CT4 van de module. Zulks vooral tijdens 10 de critische processing van de wafer 40 met behulp van vloeibaar medium, welke processing veelal in de laagste processingsectie plaats vindt en waarbij het bovenkap-gedeelte 60 over een relatief grote afstand in deze uitsparing 18 is gebracht.The lower portion 60 of the top cap 32 fits into its positions within the recess 18 with an annular micro-gap 90 maintained therebetween. This allows only limited communication between the tunnel passage 16 and the internal 1-CT4 of the module. This is especially the case during the critical processing of the wafer 40 with the aid of liquid medium, which processing usually takes place in the lowest processing section and in which the top cap portion 60 is placed in this recess 18 over a relatively large distance.

Hierdoor is in deze positie een aanzienlijke doorstroomweerstand voor 15 deze spleet 90 bewerkstelligd.As a result, a considerable flow resistance for this slit 90 has been achieved in this position.

In de zijwand 92 van deze kap 32 zijn verder een aantal ringvormige groeven 94 aangebracht, waardoor de capillaire werking van deze spleet 90 wordt onderbroken.A number of annular grooves 94 are further arranged in the side wall 92 of this cap 32, whereby the capillary action of this slit 90 is interrupted.

Tijdens de processing van de wafer in de module 38 met naar beneden 20 bewogen kap 32 wordt daardoor mogelijk in de tunnelpassage 16 een geringe overdruk van het daarin toegsvoerde gasvormige medium onderhouden ten opzichte van de druk in deze module 38.As a result, during the processing of the wafer in the module 38 with the hood 32 moved downwards, a slight overpressure of the gaseous medium supplied therein may be maintained in the tunnel passage 16 relative to the pressure in this module 38.

, Tijdens zulk een processing stroomt gasvormig medium 96, welke afkomstig is uit de toevoerkanalen 72 en uit de tunnelpassage 16 door de 25 spleet 90 in benedenwaartse richting naar het inwendige 104 van de module om vervolgens tezamen met het procsssingmedium 98 via de wijde af voer 52, hst ondergedeelte 58 van deze module en de afvoer 56 te worden afgevoerd·During such processing, gaseous medium 96 from the supply channels 72 and from the tunnel passage 16 flows through the slit 90 downwardly to the interior 104 of the module and then along the process discharge medium 98 through the wide discharge 52. , the bottom part 58 of this module and the drain 56 have to be discharged

Verder wordt bij een tijdelijk verhoogde toevoer van processing medium tevens de afvoer capaciteit van de module vergroot.Furthermore, with a temporarily increased supply of processing medium, the discharge capacity of the module is also increased.

30 Tevens wordt gedurende een tijdelijke spin-processing het uit de splaten 100 en 102 opzij van de wafer 40 gestuwde vloeibare medium opgevangen door de grote buffercapaciteit van de afvoer 52 en de ruimte 104.Also, during a temporary spin processing, the liquid medium propelled out of the plates 100 and 102 to the side of the wafer 40 is collected by the large buffering capacity of the discharge 52 and the space 104.

Aldus wordt belet, dat het processing medium in opwaartse richting via de spleet 90 kan ontsnappen naar de tunnelpassage 16.Thus, the processing medium is prevented from escaping upwardly via the slit 90 to the tunnel passage 16.

35 Doordat nu de breedte van de tunnelpassage 16 gelijk kan zijn aan de breedte van de wafer toe— en afvoer sectie 106 van de module, kunnen de opstaande wanden 108 en 110 van deze passage zich ook uitstrekken opzij van deze toe- en afvoersectie. Zulks is aangegeven in de Figuren 3 en 7.Since the width of the tunnel passage 16 can now be equal to the width of the wafer supply and discharge section 106 of the module, the upright walls 108 and 110 of this passage can also extend to the side of this supply and discharge section. This is indicated in Figures 3 and 7.

8301132 « * - 7 -8301132 «* - 7 -

In deze opstaande zijwanden zijn de medium toevoerstrippen 112 opgenomen, zie tevens de Figuur 15. De in deze strippen aangebrachte toevoerkana— len 114 voor gasvormig medium 96 manden enerzijds uit in deze opstaande zijwanden en zijn met hun ingang aangesloten op de communicatiekanalen 116, 5 waarop tevens de toevoeren 118 uitmonden. Deze kanalen 116 kunnen daarbij in secties zijn onderverdeeld met hun eigen toevoer 118, i/erder kunnen deze strippen deel uitmaken van hst bovenblok 14, zoals met een denkbeeldige lijn is aangegeven.In these upright side walls, the medium supply strips 112 are included, see also Figure 15. The supply channels 114 for gaseous medium 96 baskets arranged in these strips on the one hand extend into these upright side walls and are connected with their input to the communication channels 116, 5 to which also supply the supplies 118. These channels 116 can be divided into sections with their own supply 118, or, in addition, these strips can form part of the upper block 14, as indicated by an imaginary line.

Deze opstaande zijwanden 108 en 110 sluiten daarbij aan op de apstaan-10 de zijwand 62 van de module 38.These upright side walls 108 and 110 thereby connect to the ap- propriate side wall 62 of the module 38.

De werking van de inrichting 10 ten behoeve van het lineaire wafer transport is aangegeven in de Figuren 1 en 3 tot en met 15.The operation of the device 10 for the linear wafer transport is shown in Figures 1 and 3 to 15.

In de Figuur 3 wordt de wafer 40 vanuit de zendermodule 120 afge-voerd naar de ontvangstmodule 122. Daarbij ondervindt dezs floating wafer 15 reeds in zijn afvoerpositie binnen de geopende module 120 rschtgeleiding van de stromen medium 96, welke uit de toevoerkanalen 114 afkomstig zijn, zie tevens de Figuur 7.In Figure 3, the wafer 40 is discharged from the transmitter module 120 to the receiver module 122. In this case, this floating wafer 15 already experiences in its discharge position within the opened module 120 the conductivity of the flows of medium 96, which come from the supply channels 114, see also Figure 7.

Doordat de afvoerpassage 50, welke in de tunnelpassage 16 is opgeno— men voorbij de ontvangstmodule 122, daarbij geopend is en de andere afvoeren 20 tenminste zoveel mogelijk zijn afgesloten, wordt in het gebied van deze afvoer een onderdruk georeerd en tijdelijk onderhouden en wordt het uit deze kanalen 114 en kanalen 46 van de onderbloksectie 20 stromende medium 96 aangezogen naar dit afvoergebied.Because the discharge passage 50, which is incorporated in the tunnel passage 16 beyond the receiving module 122, is thereby opened and the other discharges 20 are closed at least as much as possible, an underpressure is created and temporarily maintained in the area of this discharge and it is these channels 114 and channels 46 of the bottom block section 20 draw in flowing medium 96 to this discharge region.

Door deze gasstromen wordt de wafer medegestuwd en zulks mede, door-25 dat de wafer tenminste ter plaatse van de tunnelpassage 16 fungeert als een zich verplaatsende drukwand.The wafer is co-propelled by these gas flows and this is partly due to the fact that the wafer functions as a displacing pressure wall at least at the location of the tunnel passage 16.

Gedurende dit wafer transport wordt de floating conditie voor de wafer ook onderhouden in deze tunnelpassage door de toevoer van mediumstramen 96 vanuit de uitmondingen 42, welke zijn opgenomen in het onderblok 12 en 30 de uitmondingen 44 in het bovenblok 14.During this wafer transport, the floating condition for the wafer is also maintained in this tunnel passage by supplying medium streams 96 from the outlets 42 contained in the bottom block 12 and the outlets 44 in the top block 14.

Aldus verplaatst de wafer zich in de richting van deze ontvangstmodule 122 en zulks zonder enig mechanisch contact met de omringende zijwanden door de effectieve geleiding ervan met behulp van de gasstromen, afkomstig uit de ópstaande zijwanden 108 en 110.Thus, the wafer moves toward this receiving module 122 without any mechanical contact with the surrounding sidewalls through its effective guidance using the gas flows from the upright sidewalls 108 and 110.

35 In de Figuren 4 en 8 is deze wafer 40 reeds grotendeels terecht ge komen in de ontvangstmodule 122. De sensor 124, welke is opgenomen in de bovenkap 32, stelt dezB aankomst van de wafer vast en zendt een bedienings-impuls uit naar de meeneeminrichting 28, waardoor deze de uitlaatzijde 126 0301132 s # - 8 - van het onderblok-gedeelte 20 over enige afstand naar beneden beweegt naar de positie ervan, zoals is aangegeven in de Figuur 9.In Figures 4 and 8, this wafer 40 has already largely ended up in the receiving module 122. The sensor 124, which is included in the top cap 32, detects the arrival of the wafer and sends an operating impulse to the carrying device 28, causing it to move the outlet side 126 0301132 s # - 8 - of the lower block portion 20 down some distance to its position, as shown in Figure 9.

De wafer verplaatst zich nu onder floating conditie hoofdzakelijk verder over deze onderbloksectie 20, waarvan de hellingshoek aanmerkelijk is 5 vergroot. Daarbij ondersteunt de zwaartekrachtwerking van deze wafer de lineaire verplaatsing ervan.Under floating condition, the wafer now mainly moves further over this sub-block section 20, the angle of inclination of which has been considerably increased. In addition, the gravitational action of this wafer supports its linear displacement.

Doordat in deze eindfase van wafer verplaatsing de snelheid van de wafer moet worden teruggebracht, wordt gelijktijdig door een bedieningsim— puls de afvoer 50 gesloten en de afvoer 54 in deze module 122 geopend.Because the speed of the wafer must be reduced in this final phase of wafer displacement, the outlet 50 is simultaneously closed by an operating pulse and the outlet 54 in this module 122 is opened.

10 De wafer wordt in deze eindfase van zijn verplaatsing opgevangen door de gasbuffer 128, welke wordt onderhouden en zulks al dan niet in versterkte mate met gasvormig medium 96, welke afkomstig is uit de kanalen 72, zie tevens de Figuur 11.In this final phase of its displacement, the wafer is collected by the gas buffer 128, which is maintained, and this to an increased extent with gaseous medium 96, which comes from the channels 72, see also Figure 11.

Ook in deze ontvangstmodule 122 vindt nog geleiding van de wafer 40 15 plaats met behulp van de stromen gasvormig medium 96, welke afkomstig zijn uit de kanalen 114, welke zijn opgenomen in de zijwanden 108 en 110, zie tevens de Figuur 15.Also in this receiving module 122, guidance of the wafer 40 takes place with the aid of the flows of gaseous medium 96, which come from the channels 114, which are included in the side walls 108 and 110, see also Figure 15.

Sensoren 130 en 132 bemerken de aankomst van deze wafer 40, zie de Figuur 5, en zenden een volgende bedieningsimpuls uit naar de meeneemin— 20 richting 28 voor het verder in benedenwaartse richting verplaatsen van de uitlaatzijde 126 van de onderbloksectie 20 naar de positie ervan, zoals is aangegeven in de Figuur 10.Sensors 130 and 132 sense the arrival of this wafer 40, see Figure 5, and transmit a further operating pulse to the driver direction 28 for further moving the outlet side 126 of the bottom block section 20 further down to its position, as shown in Figure 10.

De floating wafer 40 volgt deze verplaatsing in benedenwaartse richting en waarbij deze onder invloed van· de eigen zwaartekracht-werking drukt 25 tegen de opvolgende gaskussens 128 en tenslotte tegen het al dan niet vloeibare medium kussen 134, welke tenminste tijdelijk en mogelijk in versterkte mate wordt onderhouden door stromen medium 136, die worden toegevoerd via de kanalen 70, zie tsvens de Figuur 12.The floating wafer 40 follows this displacement in the downward direction and, under the influence of its own gravity action, presses against the succeeding gas pads 128 and finally against the liquid or non-liquid medium pad 134, which is at least temporarily and possibly reinforced. maintained by flows of medium 136, which are supplied through channels 70, see also Figure 12.

Vervolgens wordt door een bedieningsimpuls naar de meeneeminrich— 30 ting 26 de inlaatzijde 138 van deze onderbloksectie 20 mede naar beneden bewogen, waarbij de floating waf ei deze verplaatsing, daarbij bewegend langs de gasbuffers 140 aan de inlaatzijde van de module, tot naar een horizontale positie ervan met een liggen van de wafer-zïjkant 142 tegen de medium buffer 144, welke eveneens wordt gevoed door stromen medium 134.Then, an actuation impulse to the entrainment device 26 moves the inlet side 138 of this lower block section 20 downwardly, the floating wafer and this displacement, moving along the gas buffers 140 on the inlet side of the module, to a horizontal position. thereof with the wafer side 142 resting against the medium buffer 144, which is also fed by flows of medium 134.

35 Zulk een positie is met een denkbeeldige lijn aangegeven in de Fi guur 10.35 Such a position is represented by an imaginary line in Figure 10.

Aldus is de wafer 40 in een horizontale positie ervan geheel binnen de uitsparing 18 terecht gekomen.Thus, in a horizontal position, the wafer 40 has completely entered the recess 18.

Door het vervolgens kortstondig roteren van deze wafer met behulp 0-)01132 - 9 - . «.By subsequently rotating this wafer briefly using 0-) 01132 - 9 -. «.

van da onderbloksectie en daarbij al dan niet als draaitafel wordt sen eventueel achter gebleven wafer gedeelte naar deze aangegeven positie gebracht*of the lower block section, and whether or not as a turntable, any wafer part that is left behind is brought to this indicated position *

Vervolgens beweegt de onderbloksectie 20 tezamen met de wafer verder naar beneden naar de processingsectie 146, waarna de bovenkap 32 eveneens 5 met behulp van de meeneeminrichting 36 naar beneden wordt bewogen en vervolgens processing van de wafer kan plaats vinden.Subsequently, the bottom block section 20, together with the wafer, moves further downwards to the processing section 146, after which the top cap 32 is also moved downwards with the aid of the carrying device 36 and subsequent processing of the wafer can take place.

In de Figuur 17 is nog de processingmodule 150 aangegeven, waarbij een rotatie van de wafer wordt verkregen met behulp van de daartoe schuin geplaatste toe voerkanalen 152, welke zijn opgenomen in de onderbloksectie 10 20'.In Fig. 17, the processing module 150 is further indicated, in which a rotation of the wafer is obtained using the feed channels 152 inclined for this purpose, which are included in the sub-block section 10 20 '.

In zulk een module zijn diverse processings van de wafer mogelijk zonder spin processing ervan onder hoog toerental*In such a module various processings of the wafer are possible without spin processing at high speed *

Daarbij zijn de meeneeminrichtingen 26’, 28’ en 36’ zodanig uitgevoerd, dat daarbij in de zendermodule 154 bij de af voer van de wafer 40 de 15 onderbloksectie 156 aveneens onder een hellingshaek is gebracht ten behoeve van een verbeterde afvoer van deze wafer met behulp van de eigen zwaartekracht werking ervan.The carrier devices 26 ', 28' and 36 'are designed in such a way that in the transmitter module 154 the bottom block section 156 is brought under an inclination fence at the discharge of the wafer 40 for an improved discharge of this wafer by means of of its own gravity action.

De hellingshaek van de onderbloksectie 158 van de ontvangstmodule 160 en van de tussen gelegen tunnelpassage 16' is gelijk aan die van de 20 onderbloksectie 156 en waarbij het vlak door de top van deze onderbloksectie in geringe mate hoger ligt dan het vlak door de tunnelonderwand 164 en deze op zijn beurt iets versprongen hoger ligt dan de top 166 van de onderbloksectie 158 van de ontvangstmodule 160.The angle of inclination of the sub-block section 158 of the receiving module 160 and of the intermediate tunnel passage 16 'is equal to that of the sub-block section 156 and the plane through the top of this sub-block section is slightly higher than the plane through the tunnel bottom wall 164 and it in turn is slightly offset higher than the top 166 of the bottom block section 158 of the receiver module 160.

In deze module 150 is een vereenvoudigde opstelling van uitsluitend 25 de ringvormige segmenten 168 en 170 aangegeven, waarbij via de serie toevoeren 172 gasvormig medium wordt toegevoerd en via de toevoer 174 vloeibaar medium en/of gasvormig medium 176, zie tevens de Figuren 19 en 20.This module 150 shows a simplified arrangement of only the annular segments 168 and 170, in which gaseous medium is supplied via the series of feeds 172 and liquid medium and / or gaseous medium 176 via the feed 174, see also Figures 19 and 20. .

Hierbij wordt de onderrand 180 van de bovenkap 32' bij het sluiten van deze kap tot vlak boven de zitting 182 gebracht en waarbij al dan niet in 30 niet in de eindfase van de processing cycle gasvormig medium 96 wordt toe— gevoerd via de kanalen 184, welke zijn opgenomen in deze bovenkap.The lower edge 180 of the top cap 32 'is hereby brought to close above the seat 182 when this cap is closed, and in which gaseous medium 96 is supplied via channels 184, whether or not in the final phase of the processing cycle. which are included in this top cover.

In de module als ontvangstmodule 160 komt de wafer 40 onder een hel— lingshoek tegen de buffer 186 te rusten, waarna de onderbloksectie 20' naar zijn horizontale positie wordt bewogen onder mede verplaatsing van deze 35 wafer.In the module as the receiving module 160, the wafer 40 rests at an angle of inclination against the buffer 186, whereafter the lower block section 20 'is moved to its horizontal position with co-displacement of this wafer.

De tenslotte verkregen positie is aangegeven in de Figuur 19.The position finally obtained is shown in Figure 19.

Na het sluiten van de kap 32’ vindt dan vervolgens processing van de ingssloten wafer plaats.After the cap 32 has been closed, the sealing locks wafer is then processed.

3 3 011 o 2 - 10 -3 3 011 o 2 - 10 -

Na deZ8 processing cycle gaat deze module als zendermodule 154 fungeren en waarbij de positie volgens de Figuur 20 wordt bewerkstelligd.After the Z8 processing cycle, this module will function as transmitter module 154 and the position according to Figure 20 is established.

De floating wafer 40 verplaatst zich dan verder onder eigen zwaarte-kracht-werking over de onderbloksectie 20' en wordt overgenomen door de on-5 derwand 164 van de tunnelpassage 162.The floating wafer 40 then moves further under its own gravity action over the sub-block section 20 'and is taken over by the bottom wall 164 of the tunnel passage 162.

Door het dan gesloten zijn van de afvoer in deze module beweegt het gasvormige medium 96 daarin in opwaartse richting en ondersteunt daarbij de floating conditie voor de wafer,By then closing the drain in this module, the gaseous medium 96 therein moves upwardly thereby supporting the floating condition for the wafer,

In de Figuur 21 is nog wederom een gewijzigde inrichting 10" gede- 10 tailleerd aangegeven, welke kan zijn opgenomen in een spin processing module en waarbij deze module tevens geschikt is om als zendermodule 154” de wafer 40 onder een hellingshoek af te voeren, en zulks dan in combinatie met al dan niet dezelfde module als ontvangstmodule 160”, zie de Figuur 23.In Fig. 21 a modified device 10 "is again shown in detail, which can be incorporated in a spin processing module and wherein this module is also suitable for discharging the wafer 40 as a transmitter module 154" at an angle of inclination, and this in combination with the same or different module as receiver module 160 ”, see Figure 23.

Daarbij wordt de onderbloksectie 20” vanuit de processingsectie 190, 15 waarin droging van de wafer heeft plaats gevonden, in horizontale positie ervan naar boven bewogen en zulks tezamen met de bovenkap 32”.Thereby, the bottom block section 20 "from the processing section 190, 15 in which the wafer has been dried, is moved upward in its horizontal position and this together with the top cap 32".

De floating conditie voor de wafer is daarbij tot een minimum teruggebracht, zodat daarvoor de oorspronkelijke centrische positie blijft gehandhaafd.The floating condition for the wafer has been reduced to a minimum, so that the original centric position is maintained for this.

20 Aangekomen in de positie volgens de Figuur 23 wordt de bovenkap 32" verder omhoog bewogen en de onderbloksectie 20” gekanteld tot de gewenste hellingshoek voor wafer-afvoer is bewerkstelligd.Arriving in the position of Figure 23, the top cap 32 "is moved further up and the bottom block section 20" is tilted until the desired slope for wafer discharge is achieved.

Daarna vindt afvoer van de floating wafer onder zijn eigen zwaarte— kracht-werking plaats.Then the floating wafer is discharged under its own gravity action.

25 Binnen het kader van de uitvinding is de inrichting toepasbaar voor elk type van processing module, waarbij bijvoorbeeld bij een coating module nog verdere systemen voor wafer geleiding en processing worden toegepast, zoals zijn omschreven in onder andere de Nederlandse Octrooi—aanvragen No's 8600946 en 8600947 van de aanvragers.Within the scope of the invention, the device is applicable for any type of processing module, whereby, for example, in a coating module, further systems for wafer guiding and processing are used, as described in, inter alia, Dutch Patent Applications Nos. 8600946 and 8600947 of applicants.

30 In de Figuur 16 is de buffer-apstelling 198 aangegeven, welke ge schikt is voor toepassing ervan in onder andere dehydration- of proximity bake modules of in een wafer ovBrdraagmodule.In Figure 16, the buffer aperture 198 is indicated, which is suitable for use in, inter alia, dehydration or proximity bake modules or in a wafer transfer module.

Daarbij behoeft de wafer 40 uitsluitend te worden opgevangen door de buffer 200 van gasvormig medium en waarbij deze buffer tijdelijk in de eind- 35 fase van de wafer verplaatsing wordt gevoed met gasvormig medium vanuit de kanalen 202, welke Zijn opgenomen in de segmenten 204.Thereby, the wafer 40 need only be collected by the gaseous medium buffer 200 and this buffer is temporarily fed in the end phase of the wafer displacement with gaseous medium from the channels 202 contained in the segments 204.

Ook hierbij is elke hellingshoek voor de onderbloksectie 20, zoals bovenstaand is omschreven, mogelijk in tenminste de eindfase van de wafer §601132 - 11 - verplaatsing·Here too, any angle of inclination for the lower block section 20, as described above, is possible in at least the final phase of the wafer. §601132 - 11 - displacement

Na het ontvangen van de wafer wordt de onderbloksectie 20 naar de aangegeven horizontale positie ervan gebracht en wordt de floating conditie voor de wafer al dan niet teruggebracht tot een minimum of tijdelijk 5 zelfs opgeheven·After receiving the wafer, the subblock section 20 is brought to its indicated horizontal position and the floating condition for the wafer may or may not be reduced to a minimum or even temporarily lifted ·

Tevens wordt dan de bovenkap 32 naar zijn afsluitpositie gebracht, waarbij constructies mogelijk zijn, waarbij de met een denkbeeldige lijn aangegeven onderrand 206 ervan tenminste nagenoeg komt te rusten op de er onder gelegen zitting 208· 10 Verder zijn de boven omschreven constructies en werkwijzen toepasbaar in de inrichting, welke is omschreven in de bijgevoegde Nederlandse Octrooiaanvrage No· van de aanvragers·At the same time, the top cap 32 is then brought to its closing position, whereby constructions are possible, wherein the bottom edge 206 indicated by an imaginary line thereof will at least virtually rest on the seat 208.10 below. Furthermore, the above-described constructions and methods can be applied in the device, which is described in the attached Dutch Patent Application No · of the applicants ·

Verder zijn constructies en werkwijzen, welke zijn omschreven in deze Nederlandse Octrooi-aanvrage, toepasbaar in deze inrichting.Furthermore, constructions and methods, which are described in this Dutch patent application, are applicable in this device.

15 Verder zijn binnen het kader van de uitvinding constructies en werk wijzen van de inrichtingen, welke zijn omschreven in de Nederlandse Octrooiaanvragen No's 8600255, 8600408 en 8600762 van de aanvragers toepasbaar voor de boven amschreven inrichting·Furthermore, within the scope of the invention, constructions and methods of the devices, which are described in the Netherlands Patent Applications Nos. 8600255, 8600408 and 8600762 of the applicants are applicable for the device described above ·

De boven amschreven constructies en werkwijzen zijn ook toepasbaar in 20 de installaties en modules, welke zijn omschreven in de boven vermelde Octrooi-aanvragen*The constructions and methods described above are also applicable in the installations and modules, which are described in the above patent applications *

Om in de eindfase van de wafer verplaatsing de in dB Figuur 10 aangegeven tijdelijk bewerkstelligde maximale hellingshoek voor de wafer te kunnen toepassen is daartoe de onderwandsectie 206 van de tunnelpassage binnen 25 tenminste de in Figuur 5 met denkbeeldige lijnen aangegeven afbakeningen 208 en 210 onder deze zelfde hellingshoek gebracht.In order to be able to use the temporarily effected maximum angle of inclination for the wafer indicated in dB Figure 10 in the final phase of the wafer displacement, the bottom wall section 206 of the tunnel passage within 25 is at least the delimitations 208 and 210 indicated in this Figure by imaginary lines under the same angle of inclination.

Hierdoor ka da wafer onder floating conditie naar zijn eindpositie worden gebracht zonder daarbij in mechanisch contact met deze sectie 206 te komen· 8601132This allows the da da wafer to be brought to its end position under floating condition without thereby coming into mechanical contact with this section 206 · 8601132

Claims

1. Device for - ·. consisting essentially of: a) a bottom block, comprising at least gaseous medium feed channels and opening into its top wall for wafer transport under floating condition; b) a processing chamber included in this lower block, comprising a lower block section, in which feed channels for at least gaseous medium are included for at least wafer transport under floating condition and these channels open into the top wall thereof; c) means for wafer transfer between this bottom block and this bottom block section; d) means for moving said lower block section at least up and down; 15. e) means for processing a wafer in this chamber; f) a top cover; and g) means for moving a containment section of this top cap from some distance above this chamber to some spacing within this chamber. 2 * Apparatus for wafer transport and processing, mainly consisting of: a) a combination of bottom block and top block, at least this bottom block containing gaseous medium supply channels for wafer transport under floating condition; B) a tunnel passage within these two blocks, these supply channels opening into at least the tunnel bottom wall; c) a processing chamber included in this bottom block, comprising a bottom block section, in which feed channels for at least gaseous medium are included for at least wafer transport under floating condition and these channels open into the top wall thereof; d) means for wafer transfer between this tunnel passage and this sub-block section; e) means for moving said lower block section at least up and down; F) means for processing a wafer in this chamber; g) a top cap received in a recess of the top block; and h) means for moving a containment section of this top cap from some distance above this chamber to some distance within this chamber. 83011ï? - 13 -

Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that this displacement of the locking sections of this top cover within the processing chamber is mechanically contactless.

4. Method of the device according to Figure 3, characterized in that after inserting a wafer in this processing chamber, this locking section is moved downwards to some distance within the ZB chamber, a circular micro-gap being maintained between these confining section and the side wall of this chamber, also during processing taking place this circular slit is maintained and during the subsequent upward movement of this confining section outside this chamber this circular slit is also maintained · 5 * Device according to the Claim 3, characterized in that the width of the narrowest circular portion of this micro-slit is on average less than 0.1 mm.

Device according to Claim 5, characterized in that the maximum length of insertion of this confining section within this processing chamber is greater than 8 mm.

Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it further comprises means such that at least during the processing of the wafer in the processing chamber with the aid of liquid medium, such a closure of this chamber also takes place by means of this confining section. that an overpressure in the tunnel passage relative to the pressure in this chamber is maintained.

8. Method according to Claim 4, characterized in that at least during the processing of a wafer in the processing chamber with the aid of liquid medium, such a closure of this chamber also takes place, partly by means of this confining section, that an overpressure in the tunnel passage takes place. is maintained relative to the pressure in this chamber

9. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that in the upper part of the side wall of the processing chamber near the entrance thereof, in the direction of height of this wall, series of radially adjacent outlets of medium supply channels are incorporated · 35 10 · Device according to Claim 9, characterized in that the upper series of these radially extending outlets in this side wall are connected to one or more supplies of gaseous medium. Method according to Claim 8, characterized in that that as a 8501132 ψ * - 14 - wafer is floating under the block section and this block block moves vertically within the processing chamber, subsequent flows of gaseous medium from these upper outlets ensure conduction of this wafer without mechanical 5 contact with the upright side wall of this chamber.

12. Device as claimed in claim 10, characterized in that the circular top section of the processing chamber connects to an above-mentioned entrance for the supply and removal of wafers, this entrance comprising upright side walls, which extend in the longitudinal direction of the tunnel. 10 passage and the distance in lateral direction between these side walls is substantially equal to the diameter of the top section of the processing chamber *

13. Device according to Claim 12, characterized in that in these upright side walls of this entrance are provided such openings of gaseous medium supply channels that in this entrance a mechanically contact-free guiding of the wafer takes place in at least a lateral direction to the upper section of the processing chamber by means of gaseous medium flows, which originate from these outlets, and then whether or not from the series of outlets, which are included in the upper section of the processing chamber. A method of the device according to Claim 11, characterized in that like a wafer is moved in the entrance under floating condition, a contactless guiding of the wafer takes place therein with the aid of straw medium, which come from outlets included in the upright sidewalls of this entrance and outlets included in the upper section of the processing chamber.

15. Device as claimed in claim 13, characterized in that the d8 tunel passage has upright side walls, in these side walls are provided openings of gaseous medium feed channels for mechanically contactless guiding of the wafer during its linear displacement by this tunnel passage to and from the entrance of the processing room and these two upright side walls merge into the upright side walls of this entrance.

15. Device as claimed in claim 15, characterized in that the width of this entrance of the processing chamber in the lateral direction is substantially equal to that of the adjacent tunnel passage sections.

Device according to Claim 16, characterized in that the outlets of the feed channels in the upright side walls of the tunnel passage sections connect to the outlets of the feed channels 8301132 - 15 - in the upright side walls of the entrance to the processing chamber that with the aid of the flows of gaseous medium from these adjoining outlets a mechanically contactless guidance of the wafer also takes place in the transition between such a tunnel passage section and this entrance.

A device according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as on the other block, a top block is fixed for enclosing the tunnel passage contained therein, in one of these blocks both the upright side walls of the tunnel passage and the upright side walls of the entrance to the processing room are included.

Device according to Claim 18, characterized in that the adjoining side wall sections lie in one plane.

Marking method according to Claim 14, characterized in that a wafer thereby moves under floating condition in the tunnel passage to or from the entrance of the processing chamber, and during this movement a mechanically contact-free guiding thereof takes place by means of flows of gaseous medium , which originate from outlets, which are incorporated in the upright side walls of the tunnel passage and entrance.

21. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that a rotation thereof takes place at low speed during the linear displacement of the wafer.

Marking method according to Claim 20, characterized in that its rotation takes place at low speed during the linear wafer displacement. 23 * Device according to Claim 21, characterized in that it is furthermore designed in such a way that rotation of the wafer is effected in a previous processing chamber before discharge thereof.

24. The method according to claim 22, characterized in that rotation of the wafer is effected in a previous processing chamber and this rotation is continued in a weakened form during its linear displacement in the entrance and tunnel passage.

25. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that in the final phase of the wafer displacement to the processing chamber, the guiding of this wafer by means of the gaseous medium flows from the upright side walls of the Its passage is taken over by gaseous medium streams coming from the receiving section of the circular inner wall of the top section of this chamber.

Device according to Claim 25, characterized in that it is designed for this purpose such that at least in the final phase of the wafer 8G 01132 - 16 - displacement of the subblock section is tilted with the outlet side thereof displaced in such a downward direction that an upright side wall portion of the wafer presses against a gas buffer formed by flows of gaseous medium coming from this collection section and this medium then being discharged downwardly through this processing chamber *

27. Method according to Claim 24, characterized in that in the final phase of the wafer displacement to the processing chamber, a sensor detects the passing wafer and sends an operating impulse to the take-away device on the outlet side of the underblock section, this outlet side of the block section is moved downwardly and the wafer comes to press against a gas buffer fed by gaseous medium streams coming from the upper section of the processing chamber and this medium then discharged downwardly through this chamber.

28. An apparatus according to claim 26, characterized in that, as the entrance to this processing chamber as a tunnel passage section comprises a bottom wall, this wall is at substantially the same angle of inclination as the tilted bottom block section and wherein this inclined section is on the supply side, viewed in the longitudinal direction of the tunnel passage, extends at least to the side of this processing chamber to the center of it.

29. Device according to Claim 26, characterized in that it is designed such that after the arrival of the wafer in its linear end position, the outlet side of the bottom block section is tilted further and wherein the front side of the wafer extends downwards. moves along successive series of medium buffers from the collection section, after which the medium is discharged through the processing chamber through a discharge, preferably on its outlet side.

30. An apparatus according to claim 29, characterized in that the final angle of inclination is so great that the floating wafer finally presses under gravity against a series of these medium buffers.

31. A method according to claim 27, characterized in that in the linear end position of the wafer a further impulse from at least one sensor is transmitted to the carrying device on the outlet side of the bottom block section, this outlet side of the block section, and wherein the co-traveling floating wafer, guided by successive medium buffers, finally presses under its own gravity action against the medium buffers of this collection section.

32. An apparatus according to claim 30, characterized in that the bottom medium buffer is a liquid medium buffer, wherein liquid medium comes from outlets in the side wall of the processing chamber,

33. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed such that the entrance side of the sub-block section is then lowered so far that a finally horizontal position of this section is obtained and wherein the rear side of the floating wafer is then passed down the medium buffers on this input side of the processing chamber.

34. Method according to Claim 31, characterized in that the floating wafer is moved downwards by this actuating impulse towards the carrier device on the inlet side of the bottom block section until this side of the bottom block section is obtained, the floating wafer. this displacement follows and gaseous medium flows, which come from medium supply channels in the inner wall of the upper section of the processing chamber on the inlet side thereof, lead this wafer mechanically contactless to a horizontal position thereof.

35. Device according to Claim 33, characterized in that it is further designed such that the sub-block section is subsequently moved further down to the processing section, in which processing of the wafer takes place with the aid of liquid medium.

Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is furthermore designed in such a way that during the discharge of the wafer from the upper processing section of the processing chamber in the direction of the adjacent tunnel passage section, gaseous medium flows out - 25 protruding from the upright side wall of the chamber, from its entrance and this tunnel passage section, provide a mechanical contact-free guiding of this wafer.

37. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that during removal of the wafer from the upper processing section in the direction of the adjacent tunnel passage section, gaseous medium flows, which come from the side walls of the upper section of the processing chamber. , its entrance and this tunnel passage section, ensure a mechanical contactless guiding of the wafer.

38. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed such that the linear wafer transport takes place mainly by creating an underpressure in the tunnel passage past the next processing chamber and in which gaseous medium is supplied from upright side walls, also ensure a propulsion of the wafer in the direction of this negative pressure area and this in combination with 8 o 0 1132 s - 18 - * other medium flows, the wafer acting at least in the tunnel passage as a displacing pressure wall.

39. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that a number of grooves are included in the side wall of the retaining section of the top cap such that the high-capillary action of the micro-gap is interrupted,

40, Device according to Claim 39, characterized in that it is further designed in such a way that at least in the lower position of the top cap at least a part of these grooves correspond to series 10 of radially extending outlets of feed channels, which are incorporated in the side wall of the processing chamber.

41. Method of the device according to Claim 39, characterized in that, as liquid medium enters the micro-gap between this confining section and the inner wall of the processing chamber, whether or not from the processing chamber, it is retained during at least the wet processing. and this in the lower narrow slit sections and the grooves at least partly ensure that this micro-slit does not become completely filled with the aid of this liquid medium,

42, Device according to Claim 39, characterized in that it is further designed such that, at least during the wafer processing by means of liquid medium with the retaining section of the top cap, located in this chamber, such a flow is gaseous. medium is pushed to the subsequent series of gas supply channels which then open into the micro-gap and that an overpressure is maintained at the location of this confining section relative to that in the processing chamber.

43, A method according to claim 41, characterized in that gaseous medium flows at least during the wafer processing with the aid of liquid medium into the successive series of the gaseous medium supply channels opening into the micro-gap and wherein maintenance is carried out by means of maintenance. a higher pressure at the location in this microslit than in the gaseous medium processing chamber is pushed through this microslit to this processing chamber.

44. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that at least in the initial phase of the wafer displacement the lower block section of a transmitter module is inclined,

45, Device according to Claim 44, characterized in that it is further designed such that in the processing chamber as a receiving module during the initial phase of the wafer displacement, its sub-block section 8601132 ». At least substantially the same angle of inclination has been brought and the top walls of these bottom block sections lie substantially in one plane.

A method of the device according to Claim 44, characterized in that wafer transport from the transmitter module to the processing chamber takes place under floating condition over at least the upper walls of the lower block sections of this module and chamber, both of which for this purpose are placed at substantially the same angle of inclination and these upper walls are at least substantially in one plane.

47. Apparatus according to claim 45, characterized in that the surface of the top wall of the bottom block section of the transmitter module is slightly offset in an upward direction relative to the surface of the top wall of the bottom block section of the processing chamber.

48. Device according to Claim 47, characterized in that it is further designed in such a way that buffer flows originating from several successive series of outlets of medium in the upper section function as a buffer for the arriving wafer.

49. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that embodiments and methods are applicable therein, as described in the attached Dutch patent application no. of applicants.

An apparatus according to claim 49, characterized in that constructions and methods thereof are applicable in the apparatus described in this patent application.

51. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that constructions and methods as described in the Dutch Patent Applications Nos. 8600255, 8600408, 8600762, 8600946 and 8600947 of the applicants are applicable therein.

An apparatus according to Claim 51, characterized in that its constructions and methods are applicable in the installations and modules described in the above-mentioned patent applications. 8801132