NL8600059A

NL8600059A - System for transport and processing of wafers - has supply and discharge via tunnels for double-floating transport by gas to-and-from wafer spinning table

Info

Publication number: NL8600059A
Application number: NL8600059A
Authority: NL
Original assignee: Bok Edward
Priority date: 1986-01-13
Filing date: 1986-01-13
Publication date: 1987-08-03

Abstract

The mechanism (10) for transporting and processing wafers (30) comprises a spinning module (12) contg. a rotatable spin processing table (32) and wafer supply (14) and discharge (16) modules to transport a wafer to and from the table respectively. The table is provided with means to carry the wafer on a fluid cushion, at least temporarily, which may comprise fluid supply (74) ducts (72) to shallow recesses (70) in the table surface. The connection to these ducts may be arranged to permit successive supply of different fluids, e.g. gas and liq., and possible also to permit connection to a vacuum source to extract fluid. The ducts (70) may contain flow restrictions.

Description

V'1 - 1 -V'1 - 1 -

Verbeterde inrichting voor spin processing van wafers.Improved device for spin processing of wafers.

In ander andere de Nederlandse Octrooi-aanvrage No 8401776 van de aanvrager zijn double-floating wafer transport sn processing installaties aangegeven, waardij voor het apbrengen van bijvoorbeeld coating op da wafer 5 gebruik wordt gemaakt van een roterende tafel, waarop de wafer tijdelijk is vastgezogen.In other other Dutch patent application No. 8401776 of the applicant, double-floating wafer transport and processing installations are indicated, for which, for example, a coating is applied to da wafer 5 on a rotating table, on which the wafer is temporarily sucked.

Daarbij wordt, zoals bij de bestaande installaties, een hoeveelheid coating of ander vloeibaar medium op de roterende wafer gebracht, vervolgens met behulp van de spinning actie in voldoende mate gelijkmatig over 10 hat wafer-oppervlak verdeeld en het teveel van deze wafer geslingerd.In this case, as with the existing installations, an amount of coating or other liquid medium is applied to the rotating wafer, then, with the help of the spinning action, sufficiently distributed evenly over the wafer surface and the excess of this wafer is flung.

De inrichting volgens de uitvinding bevat nu meerdere verbeteringen binnen het kader van onder anders de double-floating wafer transport en processing inrichtingen volgens de^.S. Octrooien No’s 4495024 en 4521268 van de aanvrager, 15 De inrichting wordt daarbij gekenmerkt, dat zoals tijdens het ver plaatsen van de wafer naar 9n van het centrum van de spin processing module, deze verplaatsing geschiedt onder floating conditie door een nauwe tunnel en in één van de beide hoofdwanden tenminste tijdelijk het oppervlak van da draaitafel als deel van deze tunnel is opgenomen.The device according to the invention now contains several improvements within the scope of, among others, the double-floating wafer transport and processing devices according to the S. Patents Nos. 4495024 and 4521268 of the applicant. The device is characterized in that, as during the displacement of the wafer to 9n from the center of the spin processing module, this displacement takes place under floating condition through a narrow tunnel and in one of the two main walls are at least temporarily accommodated the surface of the turntable as part of this tunnel.

2C Een volgend gunstig kenmerk is daarbij, dat in deze draaitafel ka— * i i nalen voor stuwmedium zijn opgenomen voor het tijdelijk vanuit openingen in « t net wafer draagoppervlak stuwen van gasvormig stuwmedium naar de tunnel. . f2C A further favorable feature is that in this turntable channels are provided for propellant medium for propelling gaseous propellant temporarily to the tunnel from openings in the net wafer bearing surface. . f

Daarbij kunnen in een gunstige uitvoering van de draaitafel deze “ * stuwkanalen tevens fungeren als aanzuigkanalen voor het tijdelijk vast2uigen 25 van de wafer op de draaitafel.In a favorable embodiment of the turntable, these propulsion channels can also function as suction channels for temporarily securing the wafer to the turntable.

Een volgende gunstige uitvoering is die, waarbij de bovenkap van de spinning module een verlengde is van de bovenwand van de tunnelpassage van de wafer toevoer, met eveneens erin opgenomen opvolgende series van toe— j sn afvoerkanalen voor het gasvormige transportmedium, 3G Hierdoor is het mogelijk, dat de wafer zich in een double-floating conditie wordt verplaatst tot in het centrum van de spin processing.A further favorable embodiment is that in which the top cap of the spinning module is an extension of the top wall of the tunnel passage of the wafer feed, with also included successive series of accelerated discharge channels for the gaseous transport medium. This makes it possible that the wafer is moved in a double-floating condition to the center of the spin processing.

Daarbij heeft zulk een wafer veelal een excentrische positie ten opzichte van de draaitafel. Het is echter van groot belang, dat tijdens ds spin processing de wafer niet te veel slingerd ten opzichte van de draai-35 tafelIn addition, such a wafer often has an eccentric position relative to the turntable. However, it is very important that during ds spin processing the wafer does not swing too much relative to the turntable.

Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat zoals de tunnelpassage opstaande zijwanden bevat met erin opgenomen toevoerkanalen voor gasvormig 5 "i Λ Λ » Λ -. - V V V ϋ .9 'f .* - 2 - stuwmedium naar de tunnelpassage tan behoeve van de wafergeleiding, deze opstaande wanden zich eveneens bevinden in tenminste het centrum van de tunnelpassage van de spinning module.Another very favorable feature is now that, like the tunnel passage, it has upright side walls with gaseous feed channels incorporated therein for 5 "i Λ Λ» Λ -. - VVV ϋ .9 'f. * - 2 - propelling medium to the tunnel passage tan for the purpose of wafer guidance, these upright walls are also located in at least the center of the tunnel passage of the spinning module.

Door het nu in deze uaferpositie bewerkstelligen van een verdraai-5 ing van de draaitafel, wordt de wafer door deze tafel in radiale richting onder double-floating conditie medegenomen.By now effecting a rotation of the turntable in this uafer position, the wafer is carried along by this table in a radial direction under double-floating condition.

Het verst van het centrum van de draaitafel rotatie verwijderde gedeelte van de wafer komt dan tegen de gasbuffer van één van de beide opstaande zijwanden te drukken en wordt aldus geleidelijk in de richting van 10 het rotatie-centrum gedrukt.The portion of the wafer furthest from the center of the turntable rotation then presses against the gas buffer of one of the two upright sidewalls and is thus gradually pressed towards the center of rotation.

Hierdoor wordt tenslotte een goede centrische positie van de wafer ten opzichte van de draaitafel verkregen.This finally provides a good centric position of the wafer relative to the turntable.

Sensoren of camera's, die de verplaatsing van de wafer volgen, kunnen daarbij impulsen geven voor het starten en regelen van deze stuwstromen.Sensors or cameras, which follow the movement of the wafer, can provide impulses to start and control these thrust currents.

15 Verder kunnen deze stromen mede samenwerken met andere stromen medium., welke naar de wafer worden gestuwd.Furthermore, these flows can co-operate with other flows of medium, which are pushed towards the wafer.

Tevens kunnen deze stromen dienen om na beëindiging van de spin processing deze wafer naar de afvoer tunnelsectie te verplaatsen. Zulks dan in combinatie met een dan in dez spin processingsectie bewerkstelligen 20 van een tijdelijk hogere druk dan in deze aangrenzende tunnelsectie. nThese flows can also serve to move this wafer to the discharge tunnel section after the spin processing has ended. This then, in combination with a spin processing section then in this, causes a temporarily higher pressure than in this adjacent tunnel section. n

Bij spin processing van de bovenzijde van de wafer, waarbij dus de : draaitafel zich in het ondergedeelte van de inrichting bevindt, is aldus j deze tafel opgenomen in de onderwand van de tunnelpassage met vrije ruimtes tussen deze draaitafel en de aangrenzende tunnelsecties.In spin processing of the top of the wafer, thus the turntable being located in the bottom part of the device, this table is thus included in the bottom wall of the tunnel passage with free spaces between this turntable and the adjacent tunnel sections.

25 Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat daarbij tenminste in de tunnelpassage, welke aan de spinning module grenst, de wafer zich onder double-floating conditie langs de mogelijk ononderbroken bovenwand van deze tunnepassage verplaatst.A further very favorable feature is now that, at least in the tunnel passage, which adjoins the spinning module, the wafer moves under double-floating condition along the possibly uninterrupted top wall of this tunnel passage.

Een volgend gunstig kenmerk is daarbij, dat de spinning module zoda— 30 nige middelen, zoals regelsystemen, sensoren etc. bevat, dat deze verplaatsing langs de tunnel-bovenwand blijft gehandhaafd tot de wafer boven de draaitafel is gekomen.A further favorable feature is that the spinning module contains such means, such as control systems, sensors, etc., that this displacement along the tunnel top wall is maintained until the wafer has reached the turntable.

Een gunstige uitvoering van tenminste de tunnel-bovenwand is daarbij, dat gezien in de lengterichting van de tunnel, daarin zowel opvolgende 35 series toevoerkanalen als series afvoerkanalen zijn aangesloten op daarmede corresponderende verdiepte, naast elkaar gelegen uitmondingen in deze tun-nelwand.A favorable embodiment of at least the tunnel top wall is that, seen in the longitudinal direction of the tunnel, both successive series of supply channels and series of discharge channels are connected therein to corresponding recessed, adjacent openings in this tunnel wall.

l/erder, dat gezien in laterale richting van de tunnelpassage, een 3;} o 0 0 5 9 * -4 - 3 - groot aantal van deza naast elkaar gelagen uitmondingen over de gehele orsedte van deze wand zijn opgenomen.l / er, that seen in lateral direction of the tunnel passage, a large number of these side-by-side outlets are included over the entire orseedte of this wall.

Verder, dat daarbij in zowel de toevoer— als afvoerkanalen zodanige doorstroom-begrenzers zijn opgenomen, dat bij geen bedekt zijn van zulk een 5 uitmonding door de wafer slechts een toelaatbare toename in de toe— of afvoer van het medium door zulk een uitmonding plaats vindt.Furthermore, such flow restrictors are incorporated in both the supply and discharge channels that when no such outlet is covered by the wafer, only an admissible increase in the supply or discharge of the medium through such an outlet takes place .

Door het beperkt houden van de spleethoogte tussen de wafer en de— wand wordt bij een door de wafer bedekt zijn van een ssrie afvoer-uitmondin— gen tevens de toevoer van medium vanuit de spin processingkamer binnen 10 toelaatbare grenzen gehouden.By keeping the gap height between the wafer and the wall limited, the supply of medium from the spin processing chamber is also kept within permissible limits when a series of discharge nozzles are covered by the wafer.

Het via de toevoer-uitmondingen toegevoerde medium moet nu over de tussenliggende fcunnelwand gestuwd worden naar de afvoer-uitmonding. De daarbij benodigde overdruk in zulk een toevoer-uitmonding en de onderdruk in zulk een afvoer-uitmonding in combinatie met de oppervlaktes van deze 15 uitmondingen bewerkstelligen een resulterende aanzuigkracht per opper-vlakte-eenheid op de wafer, welke gelijk is aan de combinatie van het ge-r wicht van de wafer per oppervlakte-eenheid en de druk in de spinning module.The medium supplied via the supply outlets must now be pushed over the intermediate tunnel wall to the discharge outlet. The overpressure required in such a supply outlet and the underpressure in such an outlet outlet in combination with the surfaces of these outlets effect a resulting suction force per surface unit on the wafer, which is equal to the combination of the weight of the wafer per unit area and the pressure in the spinning module.

Druksensoren, welke, gezien in de lengterichting van de tunnel, 20 zijn opgenomen in opvolgende groepen van zulke uitmondingen van afvoerka— · ( t nalen, commanderen daarbij zodanig de regelsystemen van deze afvoer, dat *Pressure sensors, which, viewed in the longitudinal direction of the tunnel, are included in successive groups of such outlets of discharge channels, thereby command the control systems of this discharge such that *

bij plaatselijk vergrootte spleethoogte de hoogte van de druk in deze uit— Jwith locally increased gap height, the height of the pressure in this gap

mondingen wordt verlaagt of de hoogte van het vacuum wordt vergroot.nozzles are lowered or the height of the vacuum is increased.

De inrichting is verder daardoor gekenmerkt, dat tijdens de spin 25 orocessing de draaitafel een lagere positie heeft en waarbij dan deze module verder een ópstaande scherm rondom de spinner bevat voor het tijdens de spin processing opvangen van medium.The device is further characterized in that during the spin orocessing the turntable has a lower position and in this case this module further contains an upright screen around the spinner for collecting medium during the spin processing.

Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat na de onder double—floating conditie verdraaiend bewerkstelligde centrering van de wafer ten opzichte 30 van de draaitafel deze wafer vervolgens op deze tafel wordt aangezogen en aeze combinatie naar zijn lagere spin positie wordt gebracht.A further favorable feature is now that after the centering of the wafer with respect to the turntable in a rotating-floating condition, this wafer is subsequently sucked onto this table and this combination is brought to its lower spin position.

'Ja de SDin processing wordt deze combinatie wederom naar zijn hoogste positie verolaatst, vervolgens wordt de wafer onder double—floating conditie gebracht en kan deza daarna met behulp van samenwerkande stuw-35 medium in de afvoer tunnelsactie worden gestuwd.'Yes, the SDin processing once again moves this combination to its highest position, then the wafer is brought under a double-floating condition and after that it can be pushed into the discharge tunnel action with the help of cooperating propellant medium.

Verder is het vooral bij het reinigen van wafers van groot belang, dat daarbij beide züden ervan gereinigd worden.Furthermore, especially when cleaning wafers, it is of great importance that both sides thereof are cleaned.

Een volgende gunstige uitvoering is nu, waarbij de bovenkap van de 'Κ Λ ·~. Λ .* ΛA next favorable implementation is now, with the top cover of the 'Κ Λ · ~. Λ. * Λ

'rt Lf 'S U V -J V'rt Lf' S U V -J V

- 4 - spinning module en zijnde tevens de plaatselijke bovenwand van de tunnel-passage in deze module is gescheiden van het doorlopende bovenvlak van de tunnel toe- en afvoersecties en vastgezet is op het gestel van de spinning module, waarop ook de aandrijving van de draaitafel is gemonteerd.- 4 - spinning module and being also the local top wall of the tunnel passage in this module is separated from the continuous top surface of the tunnel supply and discharge sections and is fixed to the frame of the spinning module, on which also the drive of the turntable is mounted.

5 Daarbij kan de combinatie van bovenkap en draaitafel in beneden waartse richting worden verplaatst tot de spin processing positie en waarbij dan .in de tunnelpassage van de spinningmodule, gevormd wordend door de bovenkap en de roterende draaitafel, de wafer onder double-floating conditie door deze tafel wordt medegenomen en in de spleten opzij van de wafer 10 spin processing van deze wafer plaats vindt.In addition, the combination of top cover and turntable can be moved in a downward direction to the spin processing position, whereby in the tunnel passage of the spinning module, formed by the top cover and the rotating turntable, the wafer under double-floating condition by this The table is brought along and spin processing of this wafer takes place in the slits on the side of the wafer.

Daarbij kan na het reinigen met behulp van vloeibaar medium dit medium van de wafer worden gespind en kan vervolgens door toevoer van warm gasvormig medium naar deze Spleten opzij van de wafer droging van deze wafer plaats vinden.After cleaning, this medium can be spun from the wafer after cleaning with liquid medium and drying of this wafer can then take place by supplying warm gaseous medium to these Slits to the side of the wafer.

15 Tijdens deze spin processing bewerkstelligen de stuwstromen vanuit de ópstaande zijwanden van deze tunnelpassage daarbij'een goede centrering van de wafer ten opzichte van de draaitafel.During this spin processing, the thrust currents from the upright side walls of this tunnel passage effect a good centering of the wafer with respect to the turntable.

Verdere gunstige kenmerken volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven Figuren.Further favorable features follow from the description of the Figures indicated below.

20 Figuur 1 is een langsdoorsnede van de inrichting volgens de: uit- ’ vinding. ;Figure 1 is a longitudinal section of the device according to the invention. ;

Figuur 2 is een aanzicht over de lijn 2-2 van de inrichting volgens 1 de Figuur 1.Figure 2 is a view along line 2-2 of the device of Figure 1.

Figuur 3 toont in een bovenaanzicht de waferverplaatsing naar het 25 centrum van de spinning module·.Figure 3 shows in a top view the wafer displacement to the center of the spinning module.

Figuur 4 is een aanzicht over de lijn 4-4 van de inrichting volgens Figuur 3,Figure 4 is a view along line 4-4 of the device of Figure 3,

Figuur 5 toont bij een bewerkstelligde waferplaatsing het verplaatsen van de wafer in zijwaartse richting.Figure 5 shows when the wafer placement is effected the displacement of the wafer in the lateral direction.

30 Figuur 6 toont een wafer-positie voorbij het centrum van de spinner*30 Figure 6 shows a wafer position beyond the center of the spinner *

Figuren 7, 8 en 9 geven daarbij opvolgende wafer-posities aan, waarbij tenslotte de wafer zich centrisch bevindt ten opzichte van de draaitafel.Figures 7, 8 and 9 indicate successive wafer positions, the wafer finally being located centrally with respect to the turntable.

Figuur 10 toont het onder double—floating conditie brengen van de wafer in de spinning module, 35 Figuur 11 toont het onder double-floating conditie brengen van de wafer naar zijn juiste centrische positie ten opzichte van de draaitafel.Figure 10 shows the double-floating condition of the wafer in the spinning module, Figure 11 shows the double-floating condition of the wafer in its correct center position relative to the turntable.

Figuur 12 toont het vervolgens op de draaitafel aanzuigen van de wafer.Figure 12 shows the suction of the wafer on the turntable.

8 6 ö 0 0 3 5 - 5- * 4 f8 6 ö 0 0 3 5 - 5- * 4 f

Figuur 13 toont de draaitafel met de erop vastgezogen wafer in de spin processingruimte met het opbrengen van een vloeibaar medium.Figure 13 shows the turntable with the wafer sucked on it in the spin processing space with the application of a liquid medium.

Figuur 14 toont de afvoer van de wafer onder double-floating conditie vanuit de spinning module naar de afvoer tunnelsectie.Figure 14 shows the discharge of the wafer under double-floating condition from the spinning module to the discharge tunnel section.

5 Figuur 15 toont een gewijzigde uitvoering van de draaitafel, ver plaatsend in verticale richting.Figure 15 shows a modified embodiment of the turntable, displacing vertically.

Figuren 16, 17, 18 en 19 tonen opvolgende wafer-posities van een andere uitvoering van de spinning module.Figures 16, 17, 18 and 19 show subsequent wafer positions of another embodiment of the spinning module.

Figuur 20 is een doorsnede over de lijn 20 - 20 van de inrichting 10 volgens.de Figuur 19.Figure 20 is a section on line 20-20 of the device 10 of Figure 19.

Figuur 21 is een vergroot detail van uitmondingen, welke in de zijwand van de module zijn opgenomen.Figure 21 is an enlarged detail of outlets housed in the side wall of the module.

Figuur 22 is een aanzicht over de lijn 22 - 22 van de inrichting volgens de Figuur 21.Figure 22 is a view along line 22-22 of the device of Figure 21.

15 Figuur 23 toont het bovengedeelte van een spin processing inrich ting, waarin double—floating spin processing plaats vindt en waarbij de wafer is terecht gekomen in de tunnelsectie van de spinmodule.Figure 23 shows the top part of a spin processing device, in which double-floating spin processing takes place and in which the wafer has entered the tunnel section of the spin module.

Figuur 24 toont de wafer in zijn double-floating spin processing positie.Figure 24 shows the wafer in its double-floating spin processing position.

20 Figuur 25 is een doorsnede over de lijn 25 — 25 van de inrichting volgens de Figuur 23.Figure 25 is a section along line 25-25 of the device according to Figure 23.

Figuur 26 is een doorsnede over de lijn 25 - 26 van de inrichting volgens de Figuur 24.Figure 26 is a section on line 25-26 of the device of Figure 24.

Figuur 27 is sen vergroot detail van da tunnalpassage van de spin-25 processing inrichting.Figure 27 is an enlarged detail of tunnel passage of the spin-25 processing device.

Figuur 28 is een doorsnede over de lijn 28 — 28 van de inrichting volgens de Figuur 24.Figure 28 is a section on line 28-28 of the device of Figure 24.

In de Figuur 1 is het bovengedeelte van de spin processing inrichting 10 aangegeven. Deze bestaat daarbij in hoofdzaak uit de spinning mo-30 dule 12, de toevoer tunnelsectie 14 en de afvoer tunnelsectie 16.In Figure 1 the top part of the spin processing device 10 is indicated. It mainly consists of the spinning mo-dule 12, the supply tunnel section 14 and the discharge tunnel section 16.

Het bovenblok 18 is doorlopend βη functionneert met zijn gedeelte 20 als bovenkap van de spinning module,The top block 18 is continuous βη functions with its part 20 as the top cover of the spinning module,

Tegen dit blok is het doorlopende anderblok 22 vastgezet onder de vorming van de tunnelpassages 24 sn 26. In dit blok is de uitsparing 28 35 opgenomen met een diameter, welke iets groter is dan die van de wafer. 30, waarop in de spinning module spin processing plaats vindt.The continuous other block 22 is fixed against this block to form the tunnel passages 24 and 26. The block 28 has a recess 28 of a diameter which is slightly larger than that of the wafer. 30, on which spin processing takes place in the spinning module.

Ds draaitafel 32 fungeert in de aangegeven positie vooral als onderdeel in de geleiding van de wafer 30 onder double—floating conditie naarThe turntable 32 in the indicated position mainly functions as part of the guide of the wafer 30 under double-floating condition towards

v ~ '-J J J Jv ~ '-J J J J

- 6 - ? f het centrum van deze module. Daarbij is in combinatie met de bovenkap 20 de tunnelpassage 34 geformeerd, welke in het verlengde ligt van de tunnel-passages 24 en 26.- 6 -? f the center of this module. In combination with the top cap 20, the tunnel passage 34 is formed, which is an extension of the tunnel passages 24 and 26.

In het bovenblok 18 en het onderblok 22 zijn opvolgende series toe-5 voerkanalen 36 en afvoerkanalen 38 voor gasvormig transportmedium opgenomen, welke uiteindelijk uitmonden in de respectievelijke verdiepte gedeeltes 40 en 58, welke zijn aangebracht in de boventunnelwand 42 en de ondertunnel-wand 44, zie tevens de Figuur 2.In the top block 18 and the bottom block 22, successive series of feed channels 36 and gaseous transport medium discharge channels 38 are incorporated, which ultimately lead to the respective recessed sections 40 and 58, which are arranged in the upper tunnel wall 42 and the tunnel wall 44, see also Figure 2.

• In de zijwand van de strippen46 en 48, die zich in laterale richting 10 uitstrekken, zijn een groot aantal nauwe kanalen 50 en 52 aangebracht, welke enerzijds verbonden zijn met de uitmondingen 40 en 58 en anderzijds zijn aangesloten op deze kanalen 36 en 38.In the side wall of the strips 46 and 48, which extend in lateral direction 10, a large number of narrow channels 50 and 52 are arranged, which are connected on the one hand to the outlets 40 and 58 and on the other hand are connected to these channels 36 and 38.

0e toevoerkanalen 36 monden uit in de gemeenschappelijke kanalen 54, die op hun beurt verbonden zijn met een niet aangegeven gemeenschappelijke 15 toevoer. De afvoerkanalen 38 zijn aangesloten op de gemeenschappelijke kanalen 56, die verbonden zijn met een niet aangegeven gemeenschappelijke af voer voor het mediu.The supply channels 36 terminate in the common channels 54, which in turn are connected to an unspecified common supply. The discharge channels 38 are connected to the common channels 56, which are connected to an undeclared common drain for the media.

De kanalen 50 en 52 fungeren als doorstroomweerstanden, waarbij tijdens het transport van de wafer onder double-floating conditie de door-20 stroming van medium beperkt blijft, ook al bedekt geen wafer deze uitmondingen*Channels 50 and 52 function as flow-through resistors, during the transport of the wafer under double-floating condition the flow of medium remains limited, even if no wafer covers these outlets *

Bij een aanwezige wafer bewerkstelligt toegevoerd medium in de uitmonding 40 een overdruk en wordt het medium gedwongen om over de ópstaande wanden 60 naar de uitmondingen 58 te stromen onder het verkrijgen van 25 de floating conditie. Indien nabij gelegen uitmondingen niet bedekt zijn door zulk een wafer , zal toch de toevoer naar die uitmondingen zodanig beperkt zijn, dat de druk in de toevoerkanalen 38 voldoende gehandhaafd blijft voor het verschaffen van de overdruk in de bedekte uitmondingen ten behoeve van zulk een floating conditie.With a wafer present, supplied medium in the outlet 40 creates an overpressure and the medium is forced to flow over the upright walls 60 to the outlets 58 to obtain the floating condition. If nearby outlets are not covered by such a wafer, the feed to those outlets will nevertheless be limited such that the pressure in the feed channels 38 is maintained sufficiently to provide the overpressure in the covered outlets for such a floating condition. .

30 Hetzelfde geldt voor de uitmondingen 58 van de afvoerkanalen 38.The same applies to the outlets 58 of the discharge channels 38.

Daarbij kan de in deze kanalen georeerde onderdruk niet door een overmatige toevoer van medium vanuit niet door een wafer bedekte uitmondingen teniet worden gedaan.In addition, the underpressure oriented in these channels cannot be nullified by an excessive supply of medium from outlets not covered by a wafer.

Bij de boventunnelwand 42 zal aldus bij een bedekte uitmonding 58 een 35 onderdruk in deze uitmonding worden bewerkstelligd, die het mogelijk maakt, dat de wafer onder double-floating conditie tegen deze wand blijft gekleefd.Thus, at the upper tunnel wall 42, under a covered outlet 58, a negative pressure will be established in this outlet, which allows the wafer to remain adhered to this wall under double-floating condition.

Het over de randen 60 naar zulk een uitmonding 58 geebte medium 8600059 ____ .-½ i * - 7 - 62 is zeer beperkt door de micro-hoagte van de spleet, welke bijvoorbeeld slechts Q.05 mm bedraagt»The medium 8600059 ____.-½ i * - 7 - 62, which is bitten over the edges 60 to such an outlet 58, is very limited by the micro-height of the slit, which is, for example, only Q.05 mm.

De hoogte van de overdruk in de toevoerkanalen 54 en de hoogte van de onderdruk in de afvoerkanalen 56 bepalen daarbij de hoogte van deze 5 spleet» Oruksensoren 54, opgenomen in zulk een uitmondingen, kunnen daarbij regelsignalsn geven naar de in de toe— en afvoer opoenomen regelven-tielen.The height of the overpressure in the supply channels 54 and the height of the underpressure in the discharge channels 56 thereby determine the height of these 5 gaps. Pressure sensors 54, contained in such outlets, can thereby provide control signals to the inputs in the supply and discharge. control valves.

De verplaatsing van de wafer 30 wordt daarbij verkregen door het tijdeljjk bewerkstelligen van drukverschillen in opvolgende tunnelsecties.The displacement of the wafer 30 is thereby obtained by temporarily effecting pressure differences in successive tunnel sections.

10 Deze drukverschillen kunnen geregeld worden door sensoren 56, die reageren op de positie van de wafer.These pressure differences can be controlled by sensors 56, which respond to the position of the wafer.

Binnen het kader van de uitvinding is elk gewenst aantal drusenso-ren 64 en positiasensoren 66 mogelijk en tevens de plaats ervan.Within the scope of the invention, any desired number of drive sensors 64 and position sensors 66 is possible, and also their location.

In de draaitafel 32 zijn eveneens uitmondingen 70 aangebracht, die 15 via nauwe kanalen 72 uiteindelijk zijn aangesloten op gemeenschappelijke toevoer 74, welke door de draaitafelas 76 is gevoerd naar het ondereinde van de spinner voor aansluiting op een toevoersysteem. Daarbij kunnen eveneens uitmondingen 76, zie Figuur 27, aangesloten zijn op een afvoersysteem.The turntable 32 also has outlets 70, which are ultimately connected via narrow channels 72 to common feed 74, which is passed through the turntable shaft 76 to the lower end of the spinner for connection to a feed system. In addition, outlets 76, see Figure 27, can also be connected to a discharge system.

0e.ondertunnelwand 44, zie de Figuur 2, strekt zich cirkslvormig 20 uit tot aan de rand 30 van de uitsparing 28 en waarbij in deze wand tenminste een gedeelte van de uitmondingen 82 via kanalen 84 zijn aangesloten op het toevoersysteem van gasvormig medium.The tunnel wall 44, see Figure 2, extends in a circle-shaped manner 20 to the edge 30 of the recess 28, and in this wall at least a part of the outlets 82 are connected via channels 84 to the supply system of gaseous medium.

Doordat aldus de tunnelpassages 24, 26 en 34 nagenoeg ononderbroken zijn met uitsluitend een spleet 86 opzij van de draaitafel, is een goe— 25 de verplaatsing van de wafer onder double-floating conditie naar en van het centrum van de spinning module 12 mogelijk.Since the tunnel passages 24, 26 and 34 are thus virtually continuous with only a slit 86 to the side of the turntable, a good displacement of the wafer under double-floating condition to and from the center of the spinning module 12 is possible.

Binnen het kader van de uitvinding is daarbij elke andere soort van wafertransport naar en van de spinning module onder al dan niet double-floating conditie mogelijk. Tevens zijn variaties in deze toe— en afvoer-30 systemen van het transportmedium 52 mogelijk.Within the scope of the invention, any other type of wafer transport to and from the spinning module under double or floating condition is possible. Variations in these supply and discharge systems of the transport medium 52 are also possible.

In het onderblok zijn de stuwkanalen 90 aangebracht voor het stuwen van medium in de richting van de spinning module.In the bottom block, the thrust channels 90 are provided for propelling medium in the direction of the spinning module.

In de opstaande zijwanden 92 en 94 van de tunnelpassage en zulks bij voorkeur in het bovenblok 18, zijn opvolgende spleten 96 opgenomen, die 35 via kanalen 38 aangesloten zijn op van elkaar gescheiden toevoersystemen voor gasvormig medium.In the upright side walls 92 and 94 of the tunnel passage, and preferably in the top block 18, successive gaps 96 are included, which are connected via channels 38 to separated gaseous medium supply systems.

Vanuit deze spleten 96 worden stromen gasvcrmig medium 100 naar de tunnelpassage geleid voor een aanvullende geleiding van de wafer in zijnFrom these gaps 96, streams of gaseous medium 100 are conducted to the tunnel passage for additional guidance of the wafer in its

832005S832005S

f ί - 8 - lineaire verplaatsing. Zulk een systeem is omschreven in de Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 8502924 van de aanvrager.f ί - 8 - linear displacement. Such a system is described in Netherlands Patent Application No. 8502924 of the applicant.

Daarbij wordt de stuwing van medium vanuit de spleten 102 en 104 opzij van het centrum van de spinning module ook bij het in deze passage 5 terecht komen van de wafer 30 nog tenminste tijdelijk onderhouden ten behoeve van het centreren van de wafer op de draaitafel 32.Thereby, the thrust of medium from the slits 102 and 104 to the side of the center of the spinning module is maintained at least temporarily, even when the wafer 30 enters this passage 5, for the purpose of centering the wafer on the turntable 32.

Deze draaitafel wordt daartoe na het door sensoren 106 en 108 vastgestelde aangekomen zijn van de wafer boven de draaitafel verdraaid met behulp van een inrichting, welke de aandrijving van deze tafel zelf 10 kan zijn.For this purpose, after the wafer has been determined by sensors 106 and 108, the turntable is rotated above the turntable by means of a device which can be the drive of this table itself.

In de Figuur 3 is het arriveren van de wafer 30 vanuit de tunnel-sectie 24 in de tunnelsectie 29 van de spinning module aangegeven.In Figure 3, the arrival of the wafer 30 from the tunnel section 24 into the tunnel section 29 of the spinning module is indicated.

Daarbij wordt tijdens het lineaire wafertransport opvolgend medium stromen 100 vanuit de spleten 96 gedirigeerd met in de aangegeven wafer 15 positie boven de draaitafel 32 eveneens de toevoer van een maximale hoeveelheid medium via de spleten 102 en 104..Thereby, during the linear wafer transport, successive medium flows 100 from the slits 96 are directed, with in the indicated wafer 15 position above the turntable 32 also the supply of a maximum amount of medium through the slits 102 and 104.

De samenwerkende sensoren 106 en 108 of één ervan zenden impulsen uit naar de toe-en afvoersystemen van het transportmedium, waardoor bijvoorbeeld de stromen stuwmedium 110 vanuit de tunnelpassage 24 nog wor-20 den onderhouden en stromen stuwmedium 112 vanuit de tunnelpassage 26 worden bewerkstelligd..The cooperating sensors 106 and 108 or one of them transmit pulses to the supply and discharge systems of the transport medium, as a result of which, for example, the flows of propellant 110 from the tunnel passage 24 are still maintained and flows of propellant 112 from the tunnel passage 26 are effected.

De stromen medium 100 vanuit de ópstaande wanden 92 en 94 creeren daarbij gaskussens' 114 en 116 opzij van de wafer, zie tevens de Figuur 4.The flows of medium 100 from the upright walls 92 and 94 thereby create gas pads 114 and 116 to the side of the wafer, see also Figure 4.

De wafer bevindt zich daarbij in een laterale excentrische positie 25 ten opzichte ban de draaitafel.The wafer is in a lateral eccentric position relative to the turntable.

Wordt vervolgens door een commando de draaitafel verdraaid, zoals is aangegeven in de Figuur 5, dan oefent het gaskussen 116 een kracht uit op de wafer, waardoor het oorspronkelijke centrum 118 ervan zich verplaatst naar het centrum 120 van de draaitafel.Then, when the turntable is turned by a command, as shown in Figure 5, the gas cushion 116 exerts a force on the wafer, causing its original center 118 to move to the center 120 of the turntable.

30 Vervolgens wordt door de samenwerkende stuwstromen 114 en 116 deze centrische opstelling van de wafer onderhouden.Subsequently, the cooperating thrust streams 114 and 116 maintain this centric arrangement of the wafer.

In de Figuur 6 is tijdens het wafertransport deze wafer 30 in lineaire richting in geringe mate tever verplaatst en wordt vervolgens deze wafer verdraaid vanuit de begin positie 122 ervan, 35 Tijdens deze verdraaiing oefent het gaskussen 116 daarbij een kracht werking uit op de wafer in de richting van het centrum van de draaitafel, waarbij zoals is aangegeven in de Figuren 7, 8 en 9, uiteindelijk de wafer via de opvolgend afnemende excentrische posities 124 en 126 ervan in zijn 8000050 * 4 - 9 - centrische positie 120 ten opzichte v/an de draaitafel 32 is gekomen.In Figure 6, during wafer transport, this wafer 30 has moved slightly further in a linear direction and this wafer is then rotated from its initial position 122. During this rotation, the gas cushion 116 exerts a force on the wafer in the towards the center of the turntable, with as indicated in Figures 7, 8 and 9, finally the wafer through its successively decreasing eccentric positions 124 and 126 in its 8000050 * 4 - 9 - centric position 120 with respect to the turntable 32 has come.

Zoals de verplaatsing van de wafer boven de draaitafel geschiedt onder floating conditie, zal de draaitafel in radiale richting onder deze wafer door slippen. Door al dan niet aanpassing van de gaskussens boven 5 en ander de wafer met behulp van druksensoren vindt dan toch deze beperkte wafer-verdraaiing plaats,Just as the movement of the wafer above the turntable takes place under floating condition, the turntable will slip radially underneath this wafer. Due to whether or not the gas cushions above 5 and other the wafer are adjusted with the aid of pressure sensors, this limited wafer rotation still takes place,

De opvolgende waferposities zijn verder aangegeven in de Figuren 10 tot en met 14, . In de Figuur 10 vindt toevoer van de wafer 30 plaats naar het een— 10 trum van de spinning module 12.The subsequent wafer positions are further indicated in Figures 10 through 14. In Figure 10, supply of the wafer 30 takes place to the unit of the spinning module 12.

In de Figuur 11 vindt de omschreven verdraaiing van deze wafer onder double—floating conditie plaats ten behoeve van het centreren ervan ten opzichte van de draaitafel 32.In Figure 11, the described rotation of this wafer takes place under double-floating condition for centering it relative to the turntable 32.

Zoals is aangegeven in de Figuur 12, wordt vervolgens de wafer 30 15 aangezogen door de draaitafel 32. Zulks is mogelijk door het tijdelijk veranderen van de stuwkanalen 72 in vacuumkanalen door omschakeling van een niet aangegeven ventiel in de toevoer.As shown in Figure 12, the wafer 30 is then sucked in by the turntable 32. This is possible by temporarily changing the plunger channels 72 into vacuum channels by switching an unspecified valve in the feed.

Binnen het kader van de uitvinding kan ook een apart afvoersysteem in de draaitafel zijn opgenomen, welke is aangesloten op een vacuumleiding.Within the scope of the invention, a separate discharge system can also be included in the turntable, which is connected to a vacuum line.

20 Vervolgens vindt na al dan niet stilsand van de draaitafel in ra diale richting verplaatsing van de combinatie van draaitafel en wafer plaats in benedenwaartse richting naar de processing positie 130, zoals is aangegeven in de Figuur 13.Subsequently, after the turntable has been turned or not, the turntable and wafer combination is displaced in a downward direction to the processing position 130, as indicated in Figure 13.

Op het onderblok 22 is het scherm 132 aangebracht met aan de onder— 25 zijde ervan de bodem 134, waarop de spinner 136 is bevestigd.The screen 132 is mounted on the bottom block 22, with the bottom 134 on its underside, on which the spinner 136 is mounted.

De spinningkamer 138 is daarbij afgesloten van de buitenlucht en staat in open verbinding met de tunnelpassages 24 en 26.The spinning chamber 138 is thereby closed off from the outside air and is in open communication with the tunnel passages 24 and 26.

Vanuit de in de bovenkap 20 opgenomen spuitkop-apstelling.140 vindt vervolgens toevoer van medium naar de roterende wafer plaats, waarbij 30 opvolgende spin processings kunnen worden bewerkstelligd.From the nozzle arrangement included in the top cap 20, supply of medium to the rotating wafer then takes place, whereby subsequent spin processings can be effected.

Zulke processings zijn daarbij soortgelijk aan de bestaande spin processing systemen.Such processings are similar to the existing spin processing systems.

Vanuit de tunnelpassages 24 en 25 en spleten 102 en 104 wordt nog gasvormig medium in deze kamer gestuwd.From the tunnel passages 24 and 25 and gaps 102 and 104, gaseous medium is still forced into this chamber.

35 Het in deze kamer gestuwde medium wordt daarbij afgezogen via de in de bodem 134 opgenomen afvoerkanalen 142.The medium pushed into this chamber is thereby extracted via the discharge channels 142 incorporated in the bottom 134.

Een binnenscherm 144 dient daarbij om de spinner 146 enigszins gescheiden te houden van deze kamer 138.An inner screen 144 serves to keep the spinner 146 somewhat separate from this chamber 138.

. .» 83 0 0 0 -3 9 'ï ï - 10 -. . ” 83 0 0 0 -3 9 'ï ï - 10 -

Binnen het kader van' de uitvinding is daarbij elke soort van spin processing en met gebruikmaking van elke soort van medium mogelijk.Within the scope of the invention, any kind of spin processing is possible and using any kind of medium.

Na het bijvoorbeeld op de wafer brengen van een laag coating, wordt deze door een toenemend toerental van de draaitafel over de wafer uitge— 5 spreid en waarbij het teveel aan coating van de wafer wordt afgespind en neerslaat op het scherm..For example, after applying a layer of coating to the wafer, it is spread over the wafer by an increasing speed of the turntable, spinning off excess coating from the wafer and depositing on the screen.

Binnen het kader van de uitvinding is het ook mogelijk om periodiek zonder wafer in de spinning kamer verdunning naar de roterende draaitafel te stuwen voor het schoonhouden van deze kamer.Within the scope of the invention it is also possible to periodically propel dilution to the rotating turntable without wafer in the spinning chamber for cleaning this chamber.

1G Ook is het mogelijk om tijdens de processing via nozzle 148 verdun ning naar de onderzijde wan de wafer te stuwen voor het mede verwijderen van het teveel aan coating van deze wafer.1G It is also possible during the processing through nozzle 148 to push thinnings downwards to the bottom of the wafer in order to partly remove the excess coating from this wafer.

Na het opbrengen van de coating kan vervolgens gedurende enige tijd de opgebrachte coating ‘laag worden gedroogd met behulp van gasvormig me-15 dium, welke afkomstig is van de nozzle-opstelling 140 en is aangevuld door de stromen gasvormig medium vanuit de tunnelpassages. Dit gasvormige medium is daarbij bij voorkeur verwarmd.After the coating has been applied, the applied coating can then be layer dried for some time using gaseous medium, which comes from the nozzle arrangement 140 and is supplemented by the gaseous medium flows from the tunnel passages. This gaseous medium is preferably heated.

De draaitafel wordt vervolgens naar zijn hoogste uitgangspositie gebracht, zoals in de Figuur 11 is aangegeven. Daarbij vindt verder pro— 20 cessing van de wafer in de tunnelpassage 34 plaats onder double-floating conditie.The turntable is then brought to its highest starting position, as shown in Figure 11. Thereby further processing of the wafer in the tunnel passage 34 takes place under double-floating condition.

Zoals is aangegeven in de Figuur 12, vindt vervolgens afvoer van de wafer onder double-floating conditie plaats naar da afvoerpassage 26, waarin de double-floating processing van de wafer, zoals verder drogen, 25 wordt voortgezet met behulp van het gasvormige transportmedium of door middel van oven droging.As indicated in Figure 12, the wafer is then discharged under double-floating condition to the discharge passage 26, in which the double-floating processing of the wafer, such as further drying, is continued using the gaseous transport medium or by oven drying.

Daarbij wordt door de regelsystemen de druk in deze tunnelpassage 26 tijdelijk verlaagd en wordt mede met behulp van stromen gasvormig medium, welke afkomstig is uit de tunnelpassage 24 en uit de stwkanalen 90 de wa-30 fer uit de tunnelpassage 34 gestuwd.The control systems thereby temporarily lower the pressure in this tunnel passage 26 and, partly with the aid of flows of gaseous medium, which comes from the tunnel passage 24 and from the stow channels 90, the water is forced out of the tunnel passage 34.

In de Figuur 15 is een gewijzigd systeem 150 voor verticale verplaatsing van de draaitafel 32'aangegeven, waarbij met behulp van het aandrijfmechanisme 152 de gehele spinner 146 wordt verplaatst.In Figure 15, a modified vertical displacement system 150 of the turntable 32 'is indicated, with the entire spinner 146 being displaced using the drive mechanism 152.

In de Figuren 16 tot en met 21 is een spin inrichting 10' aangege— 35 ven, waarbij voor de wafer ook tijdens de spin processing de double-floabing conditie wordt onderhouden.In the Figures 16 to 21 a spinning device 10 'is indicated, wherein the double-floabing condition is maintained for the wafer also during the spin processing.

In de Figuur 16 vindt wederom het centreren van de aangekomen wafer 30 onder double-floating conditie plaats.In Figure 16 the centering of the arrived wafer 30 again takes place under double-floating condition.

85 0 3 0.5 9 — 11 — i ♦85 0 3 0.5 9 - 11 - i ♦

In'de Figuur 17 wordt vervolgens de double-floating conditie zover aangepast, dat de wafer onder deze conditie op de draaitafel kleeft met een moeilijke verplaatsing ervan in zijwaartse richting.In Figure 17, the double-floating condition is then adjusted so that the wafer adheres to the turntable under this condition with a difficult lateral displacement thereof.

Vervolgens wordt de combinatie van draaitafel 32 en wafer 30 naar 5 zijn spin processing positie 130' gebracht, zoals is aangegeven in de Figuur 18.Then, the combination of turntable 32 and wafer 30 is brought to its spin processing position 130 'as shown in Figure 18.

In de kamer 138' vindt dan vervolgens spin processing van deze wafer plaats, zoals is aangegeven in de Figuur 19. Daarbij wordt de centrische positie van deze wafer vastgehouden door het stuwen van gasvormig 10 medium vanuit de kanalen 156, welke zijn opgenomen in de ring 158, die deel uitmaakt van het scherm I32r.Spin processing of this wafer then takes place in chamber 138 ', as shown in Figure 19. Thereby, the centric position of this wafer is maintained by propelling gaseous medium from channels 156, which are received in the ring. 158, which is part of the screen I32r.

Zoals is aangegeven in de Figuur 21, wordt daarbij tijdens de wafer-rotatie dit medium gestuwd tegen de zijkant 160 van de wafer 30.As indicated in Figure 21, during the wafer rotation, this medium is pushed against the side 160 of the wafer 30.

Daarbij heeft zulk een kanaal bij voorkeur da vorm van een zeer nau-15 we horizontale spleet, zoals in de Figuur 22 is aangegeven.Such a channel is preferably in the form of a very narrow horizontal slit, as shown in Figure 22.

De grootte van de spleet 162 tussen de draaitafel 321 en de wafer 30 is daarbij door regeling van het via de draaitafel toegevoerde medium of mediums regelbaar in afhankelijkheid van de gewenst wordende processing.The size of the gap 162 between the turntable 321 and the wafer 30 is adjustable by controlling the medium or mediums supplied via the turntable depending on the desired processing.

Voor een dubbelzijdige wafer processing, zoals cleaning, rinsing, 20 etsen, drogen, ontwikkelen etc. wordt tijdens de spin processing vanuit uitmondingen in de draaitafel tijdelijk tenminste eveneens vloeibaar medium als draagmedium naar de spleet 162 gestuwd en wordt deze onder centri— fugaalkracht door deze spleet langs het wafer-oppervlak 164 naar buiten gestuwd.For a double-sided wafer processing, such as cleaning, rinsing, etching, drying, developing, etc., during the spin processing, at least also liquid medium is temporarily pushed from the outlets in the turntable as carrier medium to the slit 162 and this is centrifuged by this centrifugal force. slit pushed out along the wafer surface 164.

25 Oe wafer slipt daarbij eniqzins over de draaitafel, waardoor elk deel van dit wafer-oppervlak talloze malen door nieuw toegevoerd medium en onder sterke wervelingen wordt getroffen. Zulks mede door het sterk geprofileerde oppervlak van het waferdraagvlak 168, zie tevens Figuur 1.The wafer thereby slips slightly over the turntable, whereby each part of this wafer surface is hit countless times by newly supplied medium and under strong vortices. This is partly due to the strongly profiled surface of the wafer surface 168, see also Figure 1.

Zulk een toevoer van vloeibaar medium naar de spleet 162 kan daar-30 bij gecombineerd zijn met het via uitmondingen in het draaitafel-appervlak 168 toevoeren van gasvormig medium naar deze spleet.Such a supply of liquid medium to the slit 162 can be combined with the addition of gaseous medium to this slit via outlets in the turntable apper plane 168.

Oe daarbij in de uitmondingen 70 bewerkstelligde druk maakt, dat zulk een draagmedium over de opstaande wand 170 rondom zulk een uitmonding moet ontsnappen. Ook hier is een zodanige doorstroomweerstand in de 35 toevoerkanalen opgsnomen, dat ten alle tijde, ook bij een nagenoeg afgesloten uitmonding door de wafer toch medium naar deze uitmonding wordt gestuwd, welke dan ontsnapt over deze opstaande randen.The pressure effected in the outlets 70 thereby causes such a carrier medium to escape over the upright wall 170 around such an outlet. Here, too, a flow resistance is incorporated in the supply channels that medium is at all times, even with a substantially closed mouth, pushed through the wafer to this mouth, which then escapes over these upright edges.

De spin processing van de bodem 164 van de wafer gaat samen met de 8 6 0 0 v j » -12 - £ * spin processing van de tap 172 van deze wafer, waarbij ook elk deel van het wafer-oppervlak talloze malen getroffen wordt door nieuw medium, welks vervolgens van de wafer wordt afgespind.The spin processing of the bottom 164 of the wafer coincides with the 8 6 0 0 vj -12 - £ * spin processing of the tap 172 of this wafer, whereby every part of the wafer surface is also affected numerous times by new medium, which is then spun off the wafer.

De double-floating conditie voor deze spinnende wafer wordt daarbij 5 onderhouden door het in de bovenkamer 174 gestuwde medium, welke afkomstig is van de nozzle-apstelling 140' en tenminste de passages 24' en 26'. en waarbij af voer van dit medium geschiedt langs de zijkant 160 van de wafer naar de onderkamer 176 voor verdere af voer ervan via de afvoerkanalen 142'..The double-floating condition for this spinning wafer is thereby maintained by the medium pushed into the upper chamber 174, which comes from the nozzle adjustment 140 'and at least the passages 24' and 26 '. and wherein discharge of this medium occurs along the side 160 of the wafer to the lower chamber 176 for further discharge thereof through the discharge channels 142 '.

De kamer 132' fungeert daarbij dus als een gemeenschappelijk af voer— 10 kanaaal voor het onder houden van de double-floating conditie.The chamber 132 'thus functions as a common discharge channel for maintaining the double-floating condition.

Via de boven de stuwkanalen 156 opgenomen kanalen 178 vindt tevens nog stuwing van gasvormig medium plaats in de richting van het bovenvlak 172. van de wafer 30. Hierdoor wordt enerzijds de double-floating conditie voor de wafer ondersteund, terwijl anderzijds de centreringskrachten op de 15 wafer worden aangevuld.,Gaseous medium is also thrust in the direction of the top surface 172 of the wafer 30 via the channels 178 received above the thrust channels 156. On the one hand, this supports the double-floating condition for the wafer, while on the other hand the centering forces on the 15 wafer are replenished.,

In de Figuren 23 tot en met 28 is nog een gewijzigde spin—inrichting 10" aangegeven. Daarbij is de bovenkap 178 gescheiden van het doorlopende bovenblok 18" en is deze kap via draadstangen 180 bevestigd op de onder plaat 182, waarop tevens de spinner 146" is vastgezet. Deze combinatie 20 184 van kap en spinner is daarbij in verticale richting verplaatsbaar met behulp van het aandrijfmechanisme 152", welke is gemonteerd op de bodem 134".Figures 23 to 28 show a further modified spinning device 10 ". The top cap 178 is separated from the continuous top block 18" and this cap is attached via threaded rods 180 to the bottom plate 182, on which the spinner 146 is also mounted. This combination of cap and spinner 20 184 is movable in vertical direction using the drive mechanism 152 "mounted on the bottom 134".

In deze combinatie blijft aldus de tunnelpassage 34" ook tijdens de spin processing gehandhaafd.In this combination, the tunnel passage 34 "is thus also maintained during the spin processing.

25 In de Figuur 23 bevindt de combinatie zich in de bovenste wafer overname positie, waarbij zojuist de wafer in de tunnelpassage 34" onder double-floating conditie naar zijn positie boven de draaitafel 32" is gebracht.In Figure 23, the combination is in the uppermost wafer acquisition position, with the wafer in tunnel passage 34 "just moved under double-floating condition to its position above the turntable 32".

De bovenkap bevat nog wederom dezelfde toe- en afvoersystemen voor 30 het gasvormige draagmedium als het bovenblok 18", met aansluiting op de ingangen 186 en 188 van de toe- ee/of afvoer. Daarbij vindt in deze positie tijdelijk af voer van het medium plaats via de kanalen 188, welke dan zijn aangesloten op een vacuümsysteem.The top cap again contains the same supply and discharge systems for the gaseous carrier medium as the top block 18 ", with connection to the inputs 186 and 188 of the supply and / or discharge. In this position temporary discharge of the medium takes place through channels 188, which are then connected to a vacuum system.

bJafergeleiding in de tunnelpassage 34" vindt wederm plaats met be-35 hulp van de stromen gasvormig medium 100 vanuit de opstaande zijkanten 102 en 104.Jafer guidance in the tunnel passage 34 "again takes place with the aid of the gaseous medium 100 streams from the upright sides 102 and 104.

Daarbij zijn de uitmondingen 70 van de draaitafel 32" via nauwe kanalen 190 aangesloten op de gemeenschappelijke toevoerkanalen 192, die op •36 0 0 0 5 9 Λ ·» - 13 - hun beurt zijn aangesloten op een gemeenschappelijke toevoer, welke door de draaitafelas 76" is gevoerd, zie de Figuur 27.In addition, the outlets 70 of the turntable 32 "are connected via narrow channels 190 to the common feed channels 192, which in turn are connected to a common feed, which is passed through the turntable shaft 76. ", see Figure 27.

Tevens staan de nauwe afvoerkanalen 194, welke enerzijds uitmonden in de uitmondingen 196, via de gemeenschappelijke kanalen 198 in verbin-5 ding met de afvoer-openingen 200, welke in de onderzijde 202 van de draaitafel zijn opgenomen.Also, the narrow discharge channels 194, which on the one hand open into the outlets 196, communicate via the common channels 198 with the discharge openings 200, which are received in the bottom 202 of the turntable.

Aldus is een transport van de wafer onder double-floating conditie naar en van de positie boven de draaitafel verzekerd.A transport of the wafer under double-floating condition to and from the position above the turntable is thus ensured.

In deze waferpositie vindt vervolgens door verdraaiing van de draai-10 tafel centrering ervan ten opzichte van de draaitafel plaats onder double-Flaatirig conditie, zoals is aangegeven in de Figuur 26. Hierbij de gebruikmaking van de gasbuffers 204 en 206, welke werkzaam zijn op de zijkanten van de wafer.In this wafer position, then, by rotating the turntable, centering thereof relative to the turntable takes place under a double-flaatirig condition, as is shown in Figure 26. Here using the gas buffers 204 and 206, which act on the sides of the wafer.

Vervolgens vindt verplaatsing van de combinatie 184 in beneden-15 waartse richting plaats naar de spin processing positie 130", zie de Figuur 24, waarin double—floating processing van de wafer in de tunnelpas-sage 34" plaats vindt.Subsequently, the combination 184 is moved downwards to the spin processing position 130 ", see FIG. 24, in which double-floating processing of the wafer in the tunnel passage 34" takes place.

Toevoer van vloeibaar medium naar de bovenkap 178 vindt daarbij plaats via aansluiting 208 en waarbij deze toevoer is aangesloten op de uitmon— 20 dingen 21Q.Liquid medium is supplied to the top cap 178 via connection 208 and this supply is connected to the outlets 21Q.

Via de andere uitmondingen 212 vindt daarbij tevens het uitstuwen van gasvormig medium plaats met geen afvoer van dit medium via deze kap.Gaseous medium is also expelled via the other outlets 212, with no discharge of this medium via this cap.

Afvoer van het medium, welke via deze kap 178 wordt toegevoerd, geschiedt daarbij dan via de bovenspieet 214 en zulks mede onder centrifu— 25 gaal kracht naar de processingkamer 138".The medium, which is supplied via this cap 178, is then discharged via the upper vent 214 and this also with centrifugal force to the processing chamber 138 ".

Afvoer van het via de draaitafel 32" naar de onderspleet 162" toegevoerde medium geschiedt daarbij eveneens onder centrifugaalkracht in zijwaartse richting door deze spleet met mogelijk een beperkte afvoer via de openingen 200 in de draaitafel.The medium supplied through the turntable 32 "to the sub-slit 162" is also discharged laterally under centrifugal force through this slit with possibly limited discharge through the openings 200 in the turntable.

30 Vanuit de tunnelsectias 24" en 25" vindt ook hier toevoer van gas— vormig medium naar de bovenkamer 174" plaats, waardoor geen processing medium in deze tunnelpëseages terecht kan komen. Dit medium wordt mede langs de buitenzijde de de onderkamer 176" gestuwd voor af voer ervan via da afvoeren 142".From the tunnel sections 24 "and 25", here too, gaseous medium is supplied to the upper chamber 174 ", so that no processing medium can enter these tunnel peages. This medium is also pushed along the outside of the lower chamber 176" for dispose of it via dispose of 142 ".

35 De verticale afstand tussen de wafer overname-possitie en de spin processing positie kan daarbij zeer beperkt zijn in afhankelijkheid van de soort van processing, bijvoorbeeld 15 mm.The vertical distance between the wafer take-up position and the spin processing position can thereby be very limited depending on the type of processing, for example 15 mm.

Verder is deze inrichting bij uitstek geschikt voor dubbelzijdige 3300133 *· 5» - 14 - spin processing van de wafer, zoals het reinigen, etsen, drgen etc.Furthermore, this device is ideally suited for double-sided 3300133 * · 5 »- 14 - spin processing of the wafer, such as cleaning, etching, drgen etc.

Na de spin processing met vloeibaar medium vindt in deze tunnel passage 34" zolang droging van de wafer en de tunnelwanden met behulp van toegevoerd verwarmd gas vormig medium plaats, dat daarna tijdens lineair 5 wafer transport in deze tunnel geen plakken van de wafer tegen één van de tunnelwanden kan plaats vinden.After spin processing with liquid medium, passage 34 "takes place in this tunnel for as long as drying of the wafer and the tunnel walls takes place with the aid of supplied heated gas-shaped medium, which then does not stick the wafer against one of these during linear wafer transport in this tunnel. the tunnel walls can take place.

Binnen het kader van de uitvinding zijn ook hier variaties in opvolging van de processings en soort van deze processings mogelijk.Within the scope of the invention, variations in the follow-up of the processings and the type of these processings are also possible here.

Daarbij geschiedt ook hier zulk een processing in een ruimte, welke 10 is afgesloten van de buitenlucht en in open verbinding is met de tunnel passage.Here, too, such processing takes place in a space which is closed off from the outside air and is in open communication with the tunnel passage.

De tijdens: de processing geproduceerde verontreinigingen worden daarbij via de ondergelegen afvoeren 142" af gevoerd en kunnen de goede werking van de inrichting niet verstoren.The impurities produced during processing are discharged via the bottom drains 142 "and cannot interfere with the proper functioning of the device.

v : ) 0 5 9v:) 0 5 9

Claims

Device according to Claim 1, characterized in that at least the feed channels, which open into the support surface for the wafer, are included in the turntable for the purpose of transporting the support medium to this support surface.

3. Device according to Claim 1, characterized in that the common inlet for these channels is designed such that successively different mediums can be passed through these channels. 4. Method of the device according to Claim 3, characterized in that during the processing of a wafer via the channels included in the turntable, a type of medium is temporarily fed to the outlets in the support surface of the turntable and subsequently another type of medium is passed through these channels.

5. Device according to one of the preceding Claims, characterized in that it is designed in such a way that these channels also serve temporarily as vacuum channels for drawing in medium from the outlets in the wafer base.

6. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that these channels are divided into groups with a common channel for each group and wherein these common channels open out into one central channel.

Device according to Claim 6, characterized in that a flow resistance is included in each of these common channels for limiting HR through such a channel flowing medium.

3. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that discharge channels are also included in the turntable, the one side of which opens out into the wafer support surface and the other end opens into the underside of the table for discharge of the medium to the space under this table. '10 0 0 5 9 - 16 -

Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that the outlets of these channels are deepened in the wafer support surface of the turntable and wherein these outlets are surrounded by narrow upright walls, which separate these outlets from each other.

A method of the device according to claim 8, characterized in that, while the wafer is above the turntable, the floating condition for this wafer is maintained by pushing medium from the feed outlets to the wafer below the forming a gap between the wafer and the turntable and then discharging at least a portion of this medium from this slit through the discharge channels to the outputs in the bottom of the turntable to the side of the turntable shaft.

11. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it further comprises a tunnel with top and bottom wall, in which subsequent series of supply and discharge channels for carrier medium are included for wafer transport under at least locally double -floating condition and the wafer base of the turntable is at least temporarily part of one of these horizontal tunnel walls.

12. Method of the device according to Claim 11, characterized in that the wafer is moved from the supply tunnel section under at least a single floating condition to the center of the spinning module.

13. Device according to Claim 11, characterized in that the spinning module also contains a top cap and wherein this cap forms at least temporarily part of the top block of the tunnel.

Device according to Claim 13, characterized in that this hood is located above the turntable.

15. Device as claimed in claim 14, characterized in that this hood as a tunnel segment, lying in line with the top block of the tunnel, contains successive series of supply and discharge channels for gaseous medium to the tunnel passage.

Method of the device according to Claim 15, characterized in that this wafer is brought into the center of the spinning module under double-floating condition during the wafer supply.

17. Device according to Claim 15, characterized in that the top cover forms part of a continuous upper tunnel block, the sub-tunnel block secured thereon also runs through with a recess for this module incorporated at the location of the spinner.

Device according to Claim 17, characterized in that this 3: 3 0 0 0 5 9 - 17 - * recess is circular with a diameter slightly larger than the Ce treated wafers.

15. Device as claimed in claim 18, characterized in that a vertical screen is fixed around this recess around the recess, which extends downwards, the bottom side of the screen is secured to a bottom on which the spinner is fixed. 2G. A device according to Claim 18, characterized in that at least supply channels for gaseous medium open out in this tunnel wall section around this circular recess. 1C. Device according to Claim 19, characterized in that the fixings between the blocks, the screen and the bottom are leak-proof thereby forming a widened tunnel chamber.

22. Method of the device according to Claim 21, characterized in that gaseous medium flows from the supply and discharge tunnel sections to this chamber during processing.

22. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as in the spinning module at least temporarily a narrow tunnel passage is formed between the top cover and the turntable, this tunnel passage comprises upright side walls and the width of this passage section between these upright sidewalls slightly larger than the wafer diameter.

24. Apparatus according to Claim 23, characterized in that channels are included in these upright walls at the location of this tunnel passage for propelling gaseous medium into this passage.

25. Device according to Claim 24, characterized in that, viewed in lateral direction, the area of the supply and discharge tunnel sections is slightly larger than the diameter of the wafer to be transported and in the narrow side walls of these tunnel passage sections successive series of supply channels for gaseous medium are included. -]

Device according to Claim 24, characterized in that these 3C channels are subdivided into groups on either side of the center of the spinning module.

27. Device according to Claim 25, characterized in that it comprises at least one sensor for giving impulses to control valves, which are included in the wafer transport system, such that the wafer is substantially in its correct position, above the turntable, this position is maintained.

28. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that the spinning module is designed such that the turntable 00 0 5 9 '- 18 - can also rotate at least temporarily at very low speed.

29. An apparatus according to claim 28, characterized in that it is further designed such that during such a rotation of the turntable the propellant is propelled from the upright sides of the tunnel passage, a centric position of the wafer with respect to the turntable.

30. Method of the device according to Claim 29, characterized in that, as the wafer has been brought into the center of the spinning module under double-floating condition, medium flows from the upright side walls to form a gas buffer to the side of these walls. wafer. .

A method according to Claim 30, characterized in that, for the purpose of centering the wafer on the turntable, this table is rotated, the wafer is carried by the table under double-floating condition in the radial direction and the part of the wafer, which is furthest from the center of table rotation, presses against such a gas buffer, displacing this portion in the direction of this center.

32. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that in at least the top wall of the tunnel, at least the supply channels 20 open into recessed areas, which are surrounded by narrow, upright walls.

33. Device as claimed in claim 32, characterized in that the discharge channel or part thereof also opens into its own deepened section, which are surrounded by narrow, upright walls.

Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that flow-through resistors are incorporated in these channels, such that in the absence of covering of such a part by a wafer the flow of medium through such a channel is limited.

35. Device according to Claim 34, characterized in that it contains 30 such control systems in the supply and discharge of the transport medium that the wafer moves over such a short distance below the top wall that this top-flating condition is maintained. held,

Method of the device according to Claim 35, characterized in that the regulation of the supply and discharge systems during the wafer transport keeps the gap between the top wall and the wafer within such limits that the double- floating condition is maintained.

Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it comprises means for temporarily changing the supply of gaseous medium to the turntable in the discharge of gaseous medium from this table.

33. Method of the device according to Claim 37, characterized in that after double-floating centering of the wafer relative to the turntable, this wafer is temporarily sucked on this table,

An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it comprises means for moving the table from its tunneiwand position to a lower spin processing position · 1C 40. Method according to Claim 39, characterized in that after subsequent spin processings of the wafer have taken place, the turntable including the wafer is again moved back to its tunnel position.

41. Device according to any one of the preceding claims, characterized in that at least one liquid medium outlet is accommodated therein in the spinning module above the turntable for propelling liquid medium to the top of the rotating wafer.

Device according to Claim 41, characterized in that the spinning module contains at least one outlet of liquid medium under the turntable for propelling liquid medium to 2C at least the outer edge of the underside of the wafer.

A method of the device according to Claim 42, characterized in that different liquid media are used therein. j

44. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it contains such control systems in the supply and discharge of the gaseous carrier medium that, after centering the wafer under a double-floating condition, the underfloating condition of the wafer is reduced so far. that this wafer is difficult to move in the sideways direction.

45. A method according to claim 31, characterized in that after centering the wafer under the double-floating condition, the underfloating condition of the wafer is reduced to such an extent that this wafer is difficult to move in the lateral direction and subsequently this turntable together with this wafer is brought down to its spin processing position.

45. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it comprises means such that in the spin processing position a floating condition of the wafer on the turntable is effected in dependence on the desired spin processing.

47. The method of the device according to claim 46, characterized in that the gap between the wafer and the turntable is adjusted depending on the desired spin processings.

48. An apparatus according to claim 46, characterized in that it also contains supplies of liquid medium to outlets in the top 5 of the turntable for guiding this medium to the bottom of the wafer for spin processing of this wafer side. .

A method according to Claim 47, characterized in that liquid medium is pushed from the turntable into the gap between the table and the wafer 10 for spin processing of this wafer bottom.

Device according to Claim 48, characterized in that channels are included in the screen at the processing position of the wafer for pushing medium towards the vertical side wall of the wafer.

An apparatus according to claim 50, characterized in that in this spin processing position the gap between the outlet of such channels and the outside of the wafer is less than 3 mm.

52. Method of the device according to Claim 51, characterized in that during the wafer processing centering of the rotating wafer 20 takes place at least partly with the aid of the flows of gaseous medium, which come from outlets in the surrounding spinner mounted screen at the same height as the wafer during this spin processing.

53. Device according to Claim 51, characterized in that a number of channels are also included above this series of channels, whereby propellant is propelled at an angle downwards towards the wafer, in order to provide a double-floating condition. for the wafer during spin processing.

54. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that the top cap of the spinning module is separated from the top block of the tunnel, with gaps between this cap as a free bar block segment and the adjacent top block sections of the toe and discharge tunnel sections.

55. An apparatus according to claim 54, characterized in that said cap is located under a continuous top portion of the top block.

56. An apparatus according to claim 55, characterized in that the top cover is fixed on the displacement mechanism for vertical turntable displacement.

57. An apparatus according to claim 56, characterized in that the arrangement of the top cover and turntable is further such that a tunnel passage is arranged between the top of the turntable and the top of the turntable between the top of the turntable and the top of the turntable. section is formed.

Device according to Claim 57, characterized in that it is further designed such that in the upper transport position for the wafer of this combination, its tunnel passage section is an extension of the tunnel passage sections of the adjacent tunnel inlet and outlet.

An apparatus according to Claim 58, characterized in that the arrangement is further designed such that the combination of turntable and top cover is periodically moved from this wafer transport position down 1C to its processing position.

50. Branding method of the device according to Claim 59, characterized in that the wafer is fed under double-floating condition to the center of the tunnel passage section of the spinning module and then centering of the wafer relative to the turntable takes place. by turning this wafer under a double-floating condition.

An apparatus according to Claim 58, characterized in that in the upright side walls of the top cap at the level of the tunnel passage tavern channels are incorporated for propelling gaseous medium in the direction of the wafer located in the center of this passage.

62. Device according to Claim 6.1, characterized in that these channels are formed in groups to the side of the center of this tunnel passage. ; * f

63. A method according to claim 50, characterized in that, during the wafer rotation, the portion of the wafer which is furthest from the center of the turntable is pressed against a gas buffer located between the wafer and a side wall in a narrow gap, which due to the force action of this buffer exerted on this wafer results in a centric arrangement of the wafer relative to the turntable. . ';

Marking method according to Claim 63, characterized in that such wafer erasing can take place in any vertical position of this tunnel passage section.

55. The method of the device according to claim 59, characterized in that a double-floating condition is also maintained for the wafer 35 during this vertical displacement.

Marking method according to any one of the preceding Claims, characterized in that during the spin-machining of the wafer, the double-floating condition for the wafer is maintained in the narrow tunnel passage between the top cap and the turntable.

57. Method according to Claim 65, characterized in that the gas flow from the upright side walls of the top cap is also maintained for keeping tan in the centric position of the rotating wafer relative to the turntable.

58. An apparatus according to claim 59, characterized in that the top cap contains successive series of supply and discharge channels, which are connected to the openings in the bottom wall of this cap.

69. An apparatus according to claim 68, characterized in that these 10 discharge channels at the other end thereof open into the top wall of this hood.

70. A method of the device according to claim, claim 68, characterized in that at least during the double-floating wafer transport to and from the center of the spinning module discharge of the gaseous medium takes place via the discharge channel, but during the processing also takes place at least temporarily via these channels of gaseous medium.

71. Device according to Claim 59, characterized in that the top bonnet contains only supply channels which are connected to the outlets in the bottom wall of this bonnet.

An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that separate supply channels for liquid medium and gaseous medium are arranged in the top cover,

73. Method of the device according to Claim 72, characterized in that both liquid medium and gaseous medium are supplied during spin processing from these channels.

Device according to Claim 59, characterized in that the turntable includes series of supply and discharge channels, which open into the wafer base of this table.

An apparatus according to Claim 74, characterized in that the other end of the discharge channels are connected to a number of outlets in the bottom wall of this turntable and these outlets are grouped around the drive shaft of the turntable.

76. Method of the device according to Claim 75, characterized in that during linear wafer transport the flows of medium from the turntable and acting on the wafer are directed to the spinning center.

A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the wafer is carried by the turntable under double-floating condition and moves in radial direction relative to the. 90059 - 23 - top cover with a speed lower than that of the turntable,

78, Method according to Claim 77, characterized in that the rotational speed of the wafer is co-controlled with the aid of increasing or decreasing the pressure of the cooperating mediums. 79, Method according to one of the preceding Claims, having note that after the spin processing with the aid of at least liquid medium, this medium is spun at a high speed of the wafer and then for some time via the supply channel exclusively gaseous medium is fed to the wafer for evaporation of residual 10 micro liquid particles in the tunnel passage,

A method according to Claim 79, characterized in that this gaseous medium is heated at least temporarily for at least a part thereof.

81. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it further comprises means, such as sensors and control systems, for moving the wafer from the tunnel passage of the spinning module to the discharge tunnel section for further transport thereof.

82. Method of the device according to Claim 31, characterized in that after returning the tunnel passage of the spinning module to its upper starting position, the wafer is pushed from this passage to the adjacent passage of the discharge tunnel. j

83. A method according to claim 32, characterized in that a temporary pressure difference between the chamber of the spinning module and the passage of the discharge tunnel is made. 25. 34. Method according to Claim 83, characterized in that further use is made of thrust currents originating from the supply tunnel passage.

An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it contains means including nozzles, sensors, control systems, etc.: 3C for effecting the following spin processings of the wafer: applying pre-coating, prime solvent in liquid or vapor phase; applying coating in liquid or vapor phase; Treating the wafer surface using developing liquid or developing agent in vapor / gas phase; applying dopant agent; just applying areosol agents for drying; applying etching agent in liquid phase or in vapor phase; and applying heated or non-gaseous medium to the wafer. s ^ .. · # V V s / V V - 24 - f it ·

A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that at least one of the following spin processings of the wafer is effected: the application of pre-coating, prime solvent in liquid or vapor phase; applying coating in liquid or vapor phase; treating the wafer surface with developing liquid or developing agent in vapor / gas phase. treating the wafer surface with dopant agent; applying areosol agents for drying; applying etching agent in liquid or in vapor phase; and bringing heated or non-gaseous medium to the wafer,

A method according to Claim 86, characterized in that this spin processing takes place under the double-floating condition of the wafer.

88, Method according to Claim 86, characterized in that this spin processing takes place under a single-floating condition. 059