NL8502087A - REACTION VESSEL. - Google Patents
REACTION VESSEL. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8502087A NL8502087A NL8502087A NL8502087A NL8502087A NL 8502087 A NL8502087 A NL 8502087A NL 8502087 A NL8502087 A NL 8502087A NL 8502087 A NL8502087 A NL 8502087A NL 8502087 A NL8502087 A NL 8502087A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- reaction vessel
- vessel according
- screens
- self
- holder
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 12
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 10
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005267 amalgamation Methods 0.000 claims description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
r<t^ VO 7282 Reactievat.r <t ^ VO 7282 Reaction vessel.
De uitvinding heeft betrekking op een epitaxiaal reactievat, dat wil zeggen een inrichting waarin substraten van verschillende materialen via epitaxiale groei worden bekleed door middel van neerslaan uit de dampfase. De uitvinding heeft meer in het bijzonder be-5 trekking op het epitaxiaal neerslaan van monokristallijn silicium op siliciumsubstraten voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen.The invention relates to an epitaxial reaction vessel, i.e. a device in which substrates of different materials are coated via epitaxial growth by means of precipitation from the vapor phase. More particularly, the invention relates to the epitaxial deposition of monocrystalline silicon on silicon substrates for the manufacture of semiconductor devices.
Epitaxiale groei op siliciumplaten of substraten is een proces, dat plaatsvindt bij een temperatuur tussen 900°C en 1250°C in stromende waterstof en andere gassen onder gebruik van een uit grafiet 10 bestaande houder, welke is bekleed met gasbestendige bekledingen, welke daarmede niet reageren, welke bekledingen meer in het bijzonder bestaan uit siliciumcarbide waarop de substraat wordt aangebracht.Epitaxial growth on silicon plates or substrates is a process that takes place at a temperature between 900 ° C and 1250 ° C in flowing hydrogen and other gases using a graphite container coated with gas resistant coatings which do not react therewith which coatings more particularly consist of silicon carbide to which the substrate is applied.
De groei vindt plaats aan de zijde van de substraten, welke in aanraking is met het gas.Growth takes place on the side of the substrates which is in contact with the gas.
15 De houder heeft een afgeknot-pyramidevormige configuratie met een diameter van'ongeveer 300 mm en een hoogte van ongeveer 450 mm en wordt omsloten door een iets grotere kwartsklok, welke transparant is voor golflengten van de orde van 1 ji, in welke klok de gassen stromen.The container has a truncated pyramid shaped configuration with a diameter of about 300 mm and a height of about 450 mm and is enclosed by a slightly larger quartz clock, which is transparent for wavelengths of the order of 1 µ, in which clock the gases flow.
De houder wordt om de verticale hartlijn daarvan geroteerd om 20 de temperatuur en de verdeling van de reactiegassen uniform te maken.The container is rotated about its vertical axis to make the temperature and distribution of the reaction gases uniform.
Om de houder op de vereiste temperatuur te brengen en daarop te houden tijdens het groeiproces (20-90 minuten) wordt een elektromagnetische inductie gebruikt, welke wordt verkregen met een speciale generator en een oscillatieketen, welke is opgebouwd uit condensatoren 25 en een zelfinductie, waarbij gebruik wordt gemaakt van een schroefvormige elektrische geleider buiten de kwartsklok, die coaxiaal met de houder is.To bring the container to the required temperature and keep it there during the growth process (20-90 minutes), an electromagnetic induction is used, which is obtained with a special generator and an oscillation chain, which is built up of capacitors and a self-inductance, use is made of a helical electrical conductor outside the quartz clock, which is coaxial with the holder.
Tot nu toe zijn triodegeneratoren met een frequentiegebied van 200.000-250.000 Hz en spanningen op de zelfinductie van bij bena-30 dering 6.000-7.000 volt gebruikt. Het vereiste vermogen bedroeg ongeveer 135 kW, dat met een totaal rendement van ongeveer 45% werd geleverd.Heretofore, triode generators with a frequency range of 200,000-250,000 Hz and self-induction voltages of approximately 6,000-7,000 volts have been used. The required power was about 135 kW, which was delivered with a total efficiency of about 45%.
Het gebruik van het hoogfrequentie-verhittingsstelsel en de zelfinductie/houderstelselgeometrie brengt in hoofdzaak twee typen 35 bezwaren met zich mede, waarvan er één betrekking heeft op de energie di,2üd? * i r * -2-· en de vervaardiging en de andere betrekking heeft op de kwaliteit van het verkregen produkt.The use of the high-frequency heating system and the self-inductance / holding system geometry involves two main types of drawbacks, one of which relates to the energy di, 2? * i r * -2- and the manufacture and the other relates to the quality of the product obtained.
Het hoogfrequentie-generatorstelsel met een oscillator bestaande uit een keramische triode en de oscillatieketen vertoont de 5 volgende karakteristieken: een hoge prijs tengevolge van de grote kosten van de componenten; een intrinsiek rendement van de triode, dat bij benadering 70% is binnen een niet zeer uitgestrekt regelge-bied; een afname naar de tijd (bij benadering 4.000-5.000 uur) van de eigenschappen van de triode met een reductie van het rendement; 10 trioden, welke in de handel verkrijgbaar zijn en een middelmatig vermogen hebben voldoen niet steeds aan de specifieke eisen en vereisen derhalve een excessief vermogen en hogere kosten van het stelsel; een grote hoeveelheid vereiste energie (300 kW) en een sterk verbruik (bij benadering 270 kW) voor een nuttig verwarmingsvermogen van 15 135 kW; hoge koelkosten tengevolge van de generatordissipatie; isola- tieproblemen tengevolge van de gebruikte spanningen (bij benadering 14.000 V in de generator) en de koppeling van de hoogfrequentie-lijnen (stijve coaxiale geleiders enz.), de grote moeilijkheid om reflecterende schermen op een nuttige afstand op te stellen teneinde 20 een aanmerkelijke energieterugwinning te verkrijgen in verband met de spanning op de zelfinductie; verschijnselen van inductieve koppeling met onderdelen van de inrichting, zoals het gestel, deuren, enz., hetgeen leidt tot een reductie van het nuttige vermogen, dat naar de houder wordt overgedragen.The high frequency generator system with an oscillator consisting of a ceramic triode and the oscillation chain has the following characteristics: a high price due to the high cost of the components; an intrinsic efficiency of the triode, which is approximately 70% within a not very extensive control range; a decrease in time (approximately 4,000-5,000 hours) of the properties of the triode with a reduction in efficiency; Commercially available and medium power triodes do not always meet the specific requirements and therefore require excessive power and higher cost of the system; a large amount of required energy (300 kW) and a high consumption (approximately 270 kW) for a useful heating power of 15,135 kW; high cooling costs due to generator dissipation; insulation problems due to the voltages used (approx. 14,000 V in the generator) and the coupling of the high-frequency lines (rigid coaxial conductors, etc.), the great difficulty of arranging reflective screens at a useful distance in order to achieve a significant obtain energy recovery in connection with the voltage on the inductance; phenomena of inductive coupling with parts of the device, such as the frame, doors, etc., which leads to a reduction of the useful power, which is transferred to the holder.
25 De kristallografische defecten van het produkt (meer in het bijzonder siliciumplaatjes) houden verband met de transversale thermische gradiënt vanaf de achterzijde naar de voorzijde van de substraat, welke leidt tot een komvormig kromtrekken van de substraat tengevolge van het verschil in uitzetting tussen de voorzijde en de achterzijde 30 van de substraat, waardoor in het kristalrooster belastingen worden geïnduceerd, die in sommige punten de elasticiteitsgrens overschrijden en waardoor de kristallografische vlakken glijden. Deze glij- en dis-lokatielijnen blijven na afkoeling bestaan en vormen zones, waarin de elektrische werking van de halfgeleider is verstoord, tengevolge 35 waarvan het rendement van het produkt wordt verlaagd.The crystallographic defects of the product (more particularly silicon wafers) are related to the transverse thermal gradient from the back to the front of the substrate, which results in a cup warping of the substrate due to the difference in expansion between the front and the backside 30 of the substrate, inducing loads in the crystal lattice, which in some points exceed the elastic limit and causing the crystallographic surfaces to slide. These sliding and dislocation lines persist after cooling and form zones in which the electrical action of the semiconductor is disturbed, as a result of which the efficiency of the product is reduced.
850208/ i -3-850208 / i -3-
Bij een inductieverhittingsstelsel kan de thermische gradiënt niet volledig worden geëlimineerd doch om het produkt te verbeteren verdient het de voorkeur de gradiënt tot een minimum terug te brengen door te voorzien in een isothermische optische holte, dat wil zeggen 5 aan de houder en aan de plaatjes zoveel mogelijk energie te reflecteren, welke daardoor wordt uitgestraald, hetgeen om de bovengenoemde redenen niet kan worden bereikt bij hoogfrequentiestelsels.In an induction heating system, the thermal gradient cannot be completely eliminated, but in order to improve the product it is preferable to minimize the gradient by providing an isothermal optical cavity, i.e. 5 to the container and to the platelets possibly reflect energy radiated thereby, which cannot be achieved in high frequency systems for the above reasons.
Opgemerkt wordt, dat bij een grotere diameter van het silicium-plaatje er een dienovereenkomstig grotere gevoeligheid is voor kristal-10 lografische defecten, hetgeen fataal is voor het rendement van het produkt.It is noted that with a larger diameter of the silicon wafer, there is a correspondingly greater sensitivity to crystallographic defects, which is fatal to the yield of the product.
Tegelijkertijd is de trend in de halfgeleiderindustrie gericht naar steeds grotere diameters (van een diameter van 75 mm in 1979 naar een diameter van 125 mm in 1983 met een te verwachten diameter -15 van 150 mm en zelfs 200 mm in de tachtiger jaren). Het primaire doel van de uitvinding is het verschaffen van een stelsel, dat in staat is de door de houder uitgestraalde energie op de houder zelf en op de 3 substraten te reflecteren met dientengevolge een geringer verbruik aan elektrische energie onder constante bedrijfsomstandigheden, en het redu-20 ceren van de transversale thermische gradiënt van de siliciumsubstraat.At the same time, the trend in the semiconductor industry is directed towards ever larger diameters (from a diameter of 75 mm in 1979 to a diameter of 125 mm in 1983 with an expected diameter -15 of 150 mm and even 200 mm in the eighties). The primary object of the invention is to provide a system capable of reflecting the energy radiated by the container on the container itself and on the 3 substrates with consequent lower electrical energy consumption under constant operating conditions, and reducing the 20 creating the transverse thermal gradient of the silicon substrate.
Deze oogmerken worden verkregen met een epitaxiaal reactievat van het type, dat voorzien is van ten minste één kwartsklok, waarin een uit grafiet bestaande houder is gemonteerd, welke is bekleed met een bekleding van geschikte bekende materialen, waarop de substraten, 25 welke moeten worden behandeld, worden aangebracht, welke houder om de verticale hartlijn daarvan kan roteren, waarbij aan de klok een mengsel van gassen met een geschikte bekende samenstelling wordt toegevoerd, en de houder wordt verhit door elektromagnetische inductie, welke wordt verkregen door een generator en een oscillatieketen, welke 30 is voorzien van condensatoren en een zelfinductie, bestaande uit een schroefvormige elektrische geleider buiten de kwartsklok en coaxiaal met de houder met het kenmerk, dat de generator bestaat uit een statische omzetter, welke met een middelmatige frequentie werkt en verder om de kwartsklok een aantal in sectoren verdeelde, bij voorkeur cilin-35 drische schermen is opgesteld, welke in staat zijn om naar de houder de energie, welke door de houder wordt uitgestraald, te doen terug- 850 2 ? ' i l -4- keren, welke schermen bestaan uit een materiaal, dat de golflengten van de piekemissie van de houder kan reflecteren en een zo klein mogelijke koppeling verschaft met het elektromagnetische veld van de zelfinductie afhankelijk van de oscillatiefrequentie.These objects are achieved with an epitaxial reaction vessel of the type provided with at least one quartz clock, in which a graphite container is mounted, which is coated with a coating of suitable known materials on which the substrates to be treated are treated. , which container can rotate about its vertical axis, supplying to the clock a mixture of gases of a suitable known composition, and heating the container by electromagnetic induction obtained by a generator and an oscillation chain, which 30 is provided with capacitors and a self-inductance, consisting of a helical electrical conductor outside the quartz clock and coaxial with the holder, characterized in that the generator consists of a static converter operating at a medium frequency and further around the quartz clock sector-divided, preferably cylindrical screens are arranged, however be able to restore to the container the energy radiated by the container 850 2? times which consist of a material which can reflect the wavelengths of the peak emission from the container and provides as small a coupling as possible to the electromagnetic field of the inductance depending on the oscillation frequency.
5 Bij de praktische voorkeursuitvoeringsvorm volgens de uitvin ding werkt deze statische omzetter tezamen met een zesfasestelsel van vaste-toestandsthyristors en werkt met frequenties van de orde van duizenden Hz, meer in het bijzonder van 3.000-4.000 Hz.In the practically preferred embodiment of the invention, this static converter operates in conjunction with a six-phase array of solid state thyristors and operates at frequencies of the order of thousands of Hz, more particularly from 3,000-4,000 Hz.
Bij een eerste uitvoeringsvorm volgens de uitvinding is het 10 aantal schermen opgesteld tussen de schroefvormige wikkeling van de zelfinductie en de wand van de kwartsklok, waarbij organen aanwezig zijn om de schermen op een specifieke wijze te koelen.In a first embodiment according to the invention, the number of screens is arranged between the helical winding of the self-inductance and the wall of the quartz clock, with means for cooling the screens in a specific manner.
Bij een andere uitvoeringsvorm volgens de uitvinding is het aantal schermen buiten de schroefvormige wikkeling van de zelfinduc- " 15 tie opgesteld.In another embodiment of the invention, the number of screens is disposed outside the helical winding of the self-indicator.
Volgens een verdere uitvoeringsvorm volgens de uitvinding maakt het aantal schermen deel uit van de structuur zelf van de spiraalvormige wikkeling van de zelfinductie.According to a further embodiment according to the invention, the number of screens forms part of the structure itself of the spiral winding of the self-induction.
Overeenkomstig het bovenstaande ligt de eerste eigenschap van 20 het epitaxiale reactievat volgens de uitvinding in het gebruik van een statische omzetter van een bekend type, dat in de handel verkrijgbaar is, en met een middelmatige frequentie werkt, meer in het bijzonder tussen 3.000 en 4.000 Hz, als de generator van een elektromagnetisch inductieverhittingsstelsel.According to the above, the first property of the epitaxial reaction vessel of the invention is the use of a known type static converter commercially available and operating at a medium frequency, more particularly between 3,000 and 4,000 Hz , as the generator of an electromagnetic induction heating system.
25 Dergelijke statische omzetters vereisen geen trioden omdat het stelsel kan oscilleren door middel van een zesfasestelsel van vaste-toestandsthyristors. Deze omzetter maakt het mogelijk om met een spanning op de klemmen van de zelfinductie te werken, welke lager is dan 500 V; het verkrijgen van een totaal rendement, groter dan 80% met 30 dientengevolge een geringer vereist vermogen en een geringer verbruik voor een bepaald nuttig vermogen, waarbij tegelijkertijd de kosten van het koelstelsel worden gereduceerd, het behouden van een goed totaal rendement zelfs bij een ernstige reductie van het vermogen, hetgeen zeer nuttig is omdat het hierdoor mogelijk is gebruik te maken 35 van het volle vermogen van de omzetter tijdens het verhitten, het reduceren van de cyclustijden en het vergroten van de produktiviteit 8502087 i -5- van het epitaxiale reactievat, en het reduceren van het vermogen tijdens de normale werking zonder dat dit ten koste gaat van het rendement; het gebruik van in de handel verkrijgbare omzettere met nominaal uitgangsvermogen en een geringe energievariatie (20-30 kW) tussen de 5 verschillende uitvoeringsvormen, waardoor de omzetter, die het best geschikt is voor de bepaalde eisen en afmetingen van het reactievat kan worden gekozen; en de aanschaf van een generator tegen een prijs, welke bij benadering 50-60% bedraagt van die van een hoogfrequentie-generator van hetzelfde nuttige vermogen en van welke generator het 10 rendement naar de tijd niet af neemt.Such static converters do not require triodes because the array can oscillate through a six-phase array of solid state thyristors. This converter makes it possible to work with a voltage on the terminals of the self-induction, which is less than 500 V; obtaining a total efficiency greater than 80% by 30, consequently a lower power requirement and a lower consumption for a certain useful power, at the same time reducing the cost of the cooling system, maintaining a good total efficiency even with a severe reduction of the power, which is very useful in that it allows the full power of the converter to be used during heating, reducing cycle times and increasing the productivity of the epitaxial reaction vessel 8502087-5, and reducing power during normal operation without compromising efficiency; the use of commercially available converter with nominal output power and a small energy variation (20-30 kW) between the 5 different embodiments, allowing to select the converter best suited to the particular requirements and dimensions of the reaction vessel; and the purchase of a generator at a price which is approximately 50-60% of that of a high frequency generator of the same useful power and of which generator the efficiency does not decrease over time.
De andere essentiële eigenschappen van het epitaxiale reactievat volgens de uitvinding zijn gelegen in het gebruik van schermen, welke de straling van de houder reflecteren.The other essential properties of the epitaxial reaction vessel according to the invention lie in the use of screens which reflect the radiation of the container.
Het gebruik van deze schermen is primair gekoppeld met het 15 gebruik van de bovengenoemde statische omzetters. Gezien de lage spanningen, welke aan de zelfinductie worden aangelegd en het grote doordringen van het middelmatige frequentiegebied is het mogelijk te voorzien in een stelsel van bij voorkeur cilindrische in sectoren verdeelde spiegels voor het verkrijgen van een bijna isothermische optische 20 holte en naar de houder met een geringe dissipatie de door de houder uitgestraalde energie met bij benadering 60-70% terug te kaatsen.The use of these screens is primarily linked to the use of the above-mentioned static converters. In view of the low voltages applied to the inductance and the large penetration of the medium frequency range, it is possible to provide a system of preferably cylindrical sectored mirrors to obtain an almost isothermal optical cavity and to the container with a slight dissipation to reflect the energy radiated by the container by approximately 60-70%.
De reflecterende schermen bestaan uit de materialen, welke het meest geschikt zijn voor het reflecteren van de golflengten van de emissiepiek, welke een functie is van de oppervlaktestructuur en de 25 behandelingstemperatuur van de houder, waarbij de kleinste koppeling met het elektromagnetische veld van de zelfinductie aanwezig is, welke afhankelijk is van oscillatiefrequenties.The reflective screens consist of the materials most suitable for reflecting the emission peak wavelengths, which is a function of the surface structure and the treatment temperature of the container, with the smallest coupling to the electromagnetic field of the inductance. which depends on oscillation frequencies.
De bij de schermen gebruikte materialen kunnen worden verdeeld in drie klassen: 30 a) niet-ferromagnetische materialen met een mechanische en elektrolytische spiegelpolijsting; b) niet-ferrometalen met een glanzende uit chroom, nikkel, hout, koper enz. bestaande galvanische bekleding of een uit goud, aluminium enz. bestaande bekleding verkregen door opdampen in vacuo; 35 c) isolatiematerialen, meer in het bijzonder transparant kwarts- glas, met metalen-reflecterende bekledingen, die door amalgameren of 850 2 , - ' . " l -6- opdampen in vacuo zijn neergeslagen.The materials used in the screens can be divided into three classes: a) non-ferromagnetic materials with mechanical and electrolytic mirror polishing; b) non-ferrous metals with a shiny galvanic coating of chrome, nickel, wood, copper, etc., or a coating consisting of gold, aluminum, etc., obtained by vacuum evaporation; C) insulating materials, more in particular transparent quartz glass, with metal-reflective coatings, passed through amalgamation or 850 2. Vapor deposition in vacuo has been precipitated.
In het algemeen hebben alle schermen een reflectiviteit, welke is gelegen tussen 87% en 95%. De schermen hebben bij voorkeur de vorm van cilindrische sectoren, welke zodanig zijn verdeeld, dat windingen 5 worden gevormd, welke noch gesloten noch kortgesloten zijn, hoger zijn dan de houder en in drie alternatieve posities kunnen zijn opgesteld, elk met bijzondere voordelen doch ook met intrinsieke beperkingen nl.: A) tussen de windingen van de zelfinductie en de wand van de kwartsklok op een afstand van bij benadering 20-30 mm van de wand van 10 de klok teneinde een koeling van het kwarts door circulatielucht mogelijk te maken; bij deze constructie wordt de straling het sterkst teruggewonnen, terwijl de schermen worden afgekoeld bijvoorbeeld door elektrisch geïsoleerde waterspiralen; B) met een kleiner reflectierendement (bij benadering 70% van 15 dat van het stelsel van het bovenstaande alternatief A) buiten de zelfinductie, waar de schermen kunnen worden gekoeld met water of bij voorkeur met dezelfde circulatielucht als die, waarmede de kwartsklok wordt gekoeld; C) en een versie, waarbij de schermen deel uitmaken van en 20. integraal zijn met de zelfinductie.In general, all screens have a reflectivity, which is between 87% and 95%. The screens are preferably in the form of cylindrical sectors, which are divided such that windings 5 are formed, which are neither closed nor shorted, are higher than the container and can be arranged in three alternative positions, each with special advantages but also with intrinsic constraints namely: A) between the windings of the inductance and the wall of the quartz clock at a distance of approximately 20-30 mm from the wall of the clock in order to allow cooling of the quartz by circulating air; in this construction, the radiation is most strongly recovered, while the screens are cooled, for example by electrically insulated water coils; B) with a smaller reflection efficiency (approximately 70% of that of the system of the above alternative A) outside the inductance, where the screens can be cooled with water or preferably with the same circulating air as that with which the quartz clock is cooled; C) and a version, in which the screens are part of and 20. are integral with the inductance.
De uitvinding zal onderstaand nader worden toegelicht onder verwijzing naar de tekening. Daarbij toont: fig. 1 een schematisch zijaanzicht gedeeltelijk in doorsnede van de essentiële samenstellende onderdelen vein het epitaxiale reac-25 tievat overeenkomstig het alternatief C volgens de uitvinding; fig. 2 een schematisch zijaanzicht gedeeltelijk in doorsnede, van de zelfinductie overeenkomstig het alternatief A van de uitvinding; fig. 3 een dwarsdoorsnede van de zelfinductie volgens fig. 2 over het vlak III-III van fig. 2; 30 fig. 4 een gedetailleerd zijaanzicht van een reflectiescherm van de zelfdinductie volgens fig. 3; fig. 5 een aanzicht van het scherm volgens fig. 4, beschouwd in de richting van de pijl F; fig. 6 een schematisch zijaanzicht, gedeeltelijk in doorsnede, 35 van de zelfinductie overeenkomstig het bovenstaande alternatief B; fig. 7 een dwarsdoorsnede van de zelfinductie over het vlak 8502 OS 7 > « -7- VII-VII van fig. 6? en fig. 8 het basisschema Vein de middelmatige-frequentiegenerator-keten volgens de uitvinding.The invention will be explained in more detail below with reference to the drawing. In the drawing: Fig. 1 shows a schematic side view, partly in section, of the essential constituent parts of the epitaxial reaction vessel according to the alternative C according to the invention; Fig. 2 is a schematic side view, partly in section, of the self-inductance according to the alternative A of the invention; Fig. 3 shows a cross section of the self-inductance according to Fig. 2 over the plane III-III of Fig. 2; Fig. 4 shows a detailed side view of a reflection screen of the self-induction according to Fig. 3; Fig. 5 is a view of the screen according to Fig. 4, viewed in the direction of the arrow F; Fig. 6 is a schematic side view, partly in section, of the self-inductance according to the above alternative B; Fig. 7 is a cross-section of the inductance over the plane 8502 OS 7> 7-VII-VII of Fig. 6? and FIG. 8 shows the basic scheme Vein the medium frequency generator circuit according to the invention.
Zoals bekend, bestaat een epitaxiaal reactievat in wezen uit 5 (zie fig. 1) een reactiekamer, welke bestaat uit een kwartsklok 10, welke aan de buitenzijde met lucht wordt gekoeld, zoals aangegeven door de pijl 11, welke lucht bij voorkeur vanaf de bovenzijde wordt toegevoerd met het gasmengsel, als aangegeven door de pijl 12, terwijl de afvoergassen via de onderzijde van de klok worden afgevoerd, als 10 aangegeven door de pijl 13. Met de boven- en onder flenzen van de klok zijn speciale (niet afgeheelde) afdichtingen verbonden.As is known, an epitaxial reaction vessel essentially consists of 5 (see Fig. 1) a reaction chamber, which consists of a quartz clock 10, which is cooled with air on the outside, as indicated by the arrow 11, which air is preferably from the top is supplied with the gas mixture, as indicated by the arrow 12, while the exhaust gases are discharged from the bottom of the clock, as indicated by the arrow 13. With the top and bottom flanges of the clock are special (unheated) seals connected.
Binnen de klok 10 is op een draaibare wijze de houder 14 gemonteerd, welke bij voorkeur de vorm heeft van een afgeknotte pyramide, op de vlakke zijden waarvan zich de substraten, bij voorkeur silicium-15 plaatjes 15 bevinden.Holder 14, which is preferably in the form of a truncated pyramid, is rotatably mounted within the clock 10, on the flat sides of which the substrates, preferably silicon plates 15, are located.
De houder 14 bestaat uit grafiet, en is bekleed met geschikte bekende bekledingen en wordt ondersteund op speciale vuurvaste steunen 16 en 17 en metalen steunen 18 en kan door een niet weergegeven energiebron om de verticale hartlijn van de houder worden geroteerd.The container 14 is graphite coated with suitable prior art coatings and is supported on special refractory supports 16 and 17 and metal supports 18 and can be rotated about the vertical axis of the container by an energy source not shown.
20 Deze eigenschappen zijn reeds bekend, zodat een gedetailleer de omschrijving daarvan kan worden weggelaten en verwezen wordt naar datgene, dat uit de stand der techniek bekend is.These properties are already known, so that a more detailed description can be omitted and reference is made to what is known from the prior art.
Bij de in fig. 1 weergegeven uitvoeringsvorm is om de kwartsklok een zelfinductie 20 aangebracht, welke bestaat uit buizen van 25 elektrisch geleidend materiaal, meer in het bijzonder koper, welke zelf inductie inwendig door het circuleren van een fluïdum, meer in het bijzonder water, wordt gekoeld en een adequaat aantal windingen omvat, en aan één uiteinde met de onmiddellijk volgende daarboven gelegen winding en aan het andere uiteinde met de onmiddellijk daarop-30 volgende daaronder gelegen winding is verbonden door middel van U- verbindingsonderdelen bestaande uit buizen 22 van hetzelfde materiaal.In the embodiment shown in Fig. 1, a self-induction 20 is provided around the quartz clock, which consists of tubes of electrically conductive material, more in particular copper, which self-inductance internally by circulation of a fluid, more particularly water, is cooled and includes an adequate number of turns, and is connected at one end to the immediately following above turn and at the other end to the immediately following below turn by means of U-connection members consisting of tubes 22 of the same material .
Met 21 is de inlaat en uitlaat van het circulatiekoelwater aangegeven.21 indicates the inlet and outlet of the circulation cooling water.
Aan de genoemde windingen zijn reflecteren schermen bevestigd, 35 welke bestaan uit banden 23 met een geschikte hoogte, welke aan het naar de houder gekeerde oppervlak als bovenbeschreven zijn behandeld 8502037 * * -8- en dienen om de door de houder uitgestraalde energie te reflecteren.Reflective screens are attached to said windings, which consist of bands 23 of suitable height, which have been treated on the surface facing the container as described above 8502037 * -8- and serve to reflect the energy radiated by the container.
De zelfinductie wordt ondersteund en geleid door een kooistel-sel 24, dat uit een isolerend vuurvast materiaal bestaat.The self-inductance is supported and guided by a cage frame 24, which consists of an insulating refractory material.
De fig. 2 en 3 tonen een stelsel volgens het bovenstaande 5 alternatief A in bovenaanzicht en in dwarsdoorsnede, waarbij de zelfinductie 30 nog steeds bestaat uit elektrisch geleidend materiaal, meer in het bijzonder koper, en door een inwendige circulatie van een fluïdum, zoals bijvoorbeeld water 31 wordt gekoeld doch op de conventionele wijze bestaat uit een enkele buisvormige omwikkeling met cilin-10 drische windingen. De zelfinductie wordt geleid door een kooistelsel .34 bestaande uit een isolerend vuurvast materiaal en ondersteund door een metalen stelsel 35, waarbij onderdelen 36 daartussen zijn aangebracht om de zelfinductie elektrisch te isoleren.Figures 2 and 3 show a system according to the above alternative A in top view and in cross-section, in which the self-inductance 30 still consists of electrically conductive material, more in particular copper, and by an internal circulation of a fluid, such as for instance water 31 is cooled but conventionally consists of a single tubular wrap with cylindrical turns. The self-inductance is passed through a cage system .34 consisting of an insulating refractory material and supported by a metal system 35, with parts 36 interposed thereto to electrically insulate the self-induction.
Binnen de zelfinductie is een reflecterend scherm opgesteld, * 15 dat in zijn geheel met 37 is aangegeven en bestaat uit een aantal bij voorkeur gebogen sectoren waarvan een typerend voorbeeld in fig. 4 en 5 is afgebeeld. De sectoren 38 hebben een kromming, welke compatibel is met die van de wand van de kwartsklok en ondersteunen een integrale spoel 39 waarin het koelfluïdum (meer in het bijzonder water) circu-20 leert.Within the self-inductance, a reflective screen is arranged, * 15 which is indicated in its entirety by 37 and consists of a number of preferably curved sectors, a typical example of which is shown in Figures 4 and 5. The sectors 38 have a curvature compatible with that of the quartz clock wall and support an integral coil 39 in which the cooling fluid (more particularly water) circulates.
Opgemerkt wordt, dat de sectoren 38 zijn voorzien van een omgebogen deel 40, dat plaats biedt aan een aantal spleten 41 via welke spleten de koellucht van de klok tangentiaal aan de klok wordt toegevoerd.It is noted that the sectors 38 are provided with a bent part 40, which accommodates a number of slits 41 via which slits the cooling air of the clock is supplied tangentially to the clock.
25 De verdeling van het scherm in het genoemde aantal wordt voor geschreven door de eis om te vermijden, dat binnen de zelfinductie gesloten kortsluitwindingen worden gevormd en koellucht het buitenoppervlak van de klok kan bereiken om deze af te koelen.The division of the screen into said number is dictated by the requirement to avoid that closed short-circuit windings are formed within the inductance and cooling air can reach the outer surface of the clock to cool it.
Pig. 6 en 7 tonen schematisch het stelsel van het bovenge-30 noemde alternatief B, waarbij de zelfinductie 30 conventioneel is en wat type en structuur overeenkomt met de zelfinductie, weergegeven in fig. 2 en 3, terwijl het scherm, dat in zijn geheel met 47 is aangegeven, bestaat uit een aantal gebogen sectoren 49, die buiten de zelfinductie zijn opgesteld. De sectoren kunnen individueel met water 35 worden gekoeld en moeten om de redenen, welke zijn opgegeven bij de beschrijving van het stelsel volgens de fig. 2 en 3, discontinu zijn.Pig. 6 and 7 schematically show the system of the above-mentioned alternative B, wherein the self-inductance 30 is conventional and what type and structure corresponds to the self-induction shown in Figs. 2 and 3, while the screen, which in its entirety with 47 indicated, consists of a number of curved sectors 49, which are arranged outside the inductance. The sectors can be individually cooled with water and must be discontinuous for the reasons given in the description of the system of FIGS. 2 and 3.
85 0 2 0 & 7 -9- * ·85 0 2 0 & 7 -9- * ·
Wanneer nu fig. 8 wordt beschouwd vindt men in deze figuur een functioneel blokschema van de middenfrequentie-thyristorgenerator volgens de uitvinding, waarbij het net is verbonden met een geïsoleerde reductietransformator 120 en vandaaruit met een thyristorgelijkrichter-5 brug 121.Turning now to FIG. 8, this Figure shows a functional block diagram of the mid-frequency thyristor generator of the present invention, the mains being connected to an isolated reduction transformer 120 and therefrom to a thyristor rectifier bridge 121.
De keten omvat tevens thyristors 122, 123, 124, 125 en 126, een begrenzingsweerstand 127 en een zelfinductie 128 voor een beveiliging tegen kortsluitingen, terwijl met 114 de zelfinductie is aangegeven, welke met de houder van het epitaxiale reactievat samenwerkt, en met 10 129 condensatoren met variabele capaciteit zijn aangegeven, welke de frequentie regelen in afhankelijkheid van de door de zelfinductie 114 aangenomen waarden.The circuit also includes thyristors 122, 123, 124, 125 and 126, a limiting resistor 127 and a self-inductance 128 for short-circuit protection, while 114 indicates the self-inductance cooperating with the epitaxial reaction vessel holder, and 10 129 variable capacitors are indicated, which control the frequency depending on the values adopted by the inductance 114.
Door-middel van uitwendige elektronische regelaars van bekend type worden de thyristorparen 123, 126 en 125, 124 afwisselend inge-" 15 schakeld en stellen deze de oscillatieketen 114, 129 in werking.Thyristor pairs 123, 126 and 125, 124 are alternately turned on and operate the oscillation circuit 114, 129 by means of known electronic external controllers.
De zelfinductie 128 beperkt de stroom gedurende een bepaalde periode wanneer tengevolge van een onjuiste werking de thyristors 123, 124 worden ingeschakeld, waardoor de voedingsbron zou worden kortgesloten. Wanneer de zelfinductie 128 in werking is moet de gelijkrichter-20 brug 121 worden uitgeschakeld.The inductance 128 limits the current for a certain period of time when the thyristors 123, 124 are turned on due to improper operation, thereby shorting the power supply. When the inductance 128 is in operation, the rectifier-20 bridge 121 must be turned off.
De weerstand 127 en de thyristor 122 vereenvoudigen het starten van de generator, waarbij de thyristor 122 wordt uitgeschakeld.Resistor 127 and thyristor 122 simplify generator startup, turning thyristor 122 off.
Teneinde meer in het bijzonder de voordelen, welke volgens de uitvinding worden verkregen en meer in het bijzonder ten aanzien van 25 de middenfrequentie-thyristorgenerator, als vergeleken met bekende hoogfrequentiestelsel aan te geven, zijn in de onderstaande tabel de relevante parameters en bedrijfsgegevens aangegeven.In order more particularly to indicate the advantages obtained according to the invention and more particularly with regard to the intermediate frequency thyristor generator, as compared to known high frequency system, the table below shows the relevant parameters and operating data.
30 8502037 35 -10-30 8502037 35 -10-
Parameter Bekend Stelsel volgens stelsel (1) de uitvinding (2)Parameter Known System according to system (1) the invention (2)
Installatievermogen 30Q 18Q kw (nominaal geabsorbeerd vermogen) 5 Maximaal door de generator ^5^20 150 kw toegevoerd vermogenInstallation power 30Q 18Q kw (nominal absorbed power) 5 Maximum power supplied by the generator ^ 5 ^ 20 150 kw
Vermogen, dat onder bedrijfs- 120-125 70-80 kW (4) omstandigheden wordt geleverd Köelwaterverbruik onder _ 3 .Power supplied under operating 120-125 70-80 kW (4) conditions.
30 8 m /uur 10 bedrijfsomstandigheden30 8 m / h 10 operating conditions
Produktdefecten (willekeurige _ . _ , . ,, 1UU b : 10 eenheid)Product defects (random _. _,. ,, 1UU b: 10 unit)
Transversale thermischeTransverse thermal
gradiënt bij siliciumplaatje T 30-40 5 - 10°Cgradient at silicon plate T 30-40 5 - 10 ° C
15 (1) Generator van 220 kHz, uit koper bestaande buisvormige zelfinductie met dubbele winding; (2) Statische omzetter van 3500 Hz, zelfinductie als boven, langs elektrolytische weg met goud beklede uit koper bestaande inwendige 20 schermen.15 (1) Generator of 220 kHz, copper tubular self-inductance with double winding; (2) Static converter of 3500 Hz, self-inductance as above, electrolytically gold-plated copper-plated internal shields.
(3) Afhankelijk van de levensduur van de triode.(3) Depending on the life of the triode.
(4) Dissipatie door procesgas, koeling van wanden van klok en steun van houder, straling van machine en schermen.(4) Dissipation by process gas, cooling of walls of clock and support of holder, radiation of machine and screens.
8502 03 78502 03 7
Claims (20)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT2196084 | 1984-07-19 | ||
| IT8421960A IT1209570B (en) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | IMPROVEMENT IN EPITAXIAL REACTORS. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8502087A true NL8502087A (en) | 1986-02-17 |
Family
ID=11189425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8502087A NL8502087A (en) | 1984-07-19 | 1985-07-19 | REACTION VESSEL. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644557B2 (en) |
| CH (1) | CH666140A5 (en) |
| DE (1) | DE3525870A1 (en) |
| FR (1) | FR2567921B1 (en) |
| IT (1) | IT1209570B (en) |
| NL (1) | NL8502087A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1215444B (en) * | 1987-04-24 | 1990-02-14 | L P E S P A | REFINEMENTS FOR INDUCTORS AND SUSCEPTERS THAT CAN BE USED IN EPITAXIAL REACTORS. |
| JPS636725U (en) * | 1986-07-01 | 1988-01-18 | ||
| DE3827506C1 (en) * | 1988-08-12 | 1990-01-11 | Marino 8011 Baldham De Pradetto | Device and method for epitaxial deposition of especially semiconductor material onto silicon wafers from the gaseous state |
| IT1392068B1 (en) * | 2008-11-24 | 2012-02-09 | Lpe Spa | REACTION CHAMBER OF AN EPITAXIAL REACTOR |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3424298A (en) * | 1967-03-22 | 1969-01-28 | Price Wilson Ltd Price Wilson | Ammunition holder |
| US3699398A (en) * | 1971-10-12 | 1972-10-17 | Reed A Newmeyer | Sensor for vehicular traffic counters |
| DD96852A1 (en) * | 1972-05-09 | 1973-04-12 | ||
| US4284867A (en) * | 1979-02-09 | 1981-08-18 | General Instrument Corporation | Chemical vapor deposition reactor with infrared reflector |
| US4322592A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-30 | Rca Corporation | Susceptor for heating semiconductor substrates |
| JPS59111997A (en) * | 1982-12-14 | 1984-06-28 | Kyushu Denshi Kinzoku Kk | Device for epitaxial growth |
| DE3485898D1 (en) * | 1983-12-09 | 1992-10-01 | Applied Materials Inc | INDUCTIONALLY HEATED REACTOR FOR CHEMICAL DEPOSITION FROM THE STEAM PHASE. |
| DD221973A1 (en) * | 1984-03-20 | 1985-05-08 | Goerlitz Waggonbau Veb | FLOOR FOR RAIL VEHICLES, IN PARTICULAR TRUCKS AND TRAVEL VEHICLES |
-
1984
- 1984-07-19 IT IT8421960A patent/IT1209570B/en active
-
1985
- 1985-06-28 CH CH2789/85A patent/CH666140A5/en not_active IP Right Cessation
- 1985-07-18 FR FR8510992A patent/FR2567921B1/en not_active Expired
- 1985-07-18 JP JP60157106A patent/JPH0644557B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-07-19 DE DE19853525870 patent/DE3525870A1/en not_active Ceased
- 1985-07-19 NL NL8502087A patent/NL8502087A/en not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH666140A5 (en) | 1988-06-30 |
| JPH0644557B2 (en) | 1994-06-08 |
| IT8421960A0 (en) | 1984-07-19 |
| FR2567921A1 (en) | 1986-01-24 |
| FR2567921B1 (en) | 1988-04-15 |
| DE3525870A1 (en) | 1986-01-23 |
| JPS6136924A (en) | 1986-02-21 |
| IT1209570B (en) | 1989-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3862397A (en) | Cool wall radiantly heated reactor | |
| CN100540199C (en) | Portable arc seeded microwave plasma torch | |
| EP0823492A2 (en) | Zone heating system with feedback control | |
| JP5606987B2 (en) | Method and apparatus for cooling magnetic circuit elements | |
| US4910439A (en) | Luminaire configuration for electrodeless high intensity discharge lamp | |
| KR20050039709A (en) | Induction heating devices and methods for controllably heating an article | |
| JPH0387372A (en) | Formation of deposited film | |
| JPS62205619A (en) | Method of heating semiconductor and susceptor used therein | |
| NL8502087A (en) | REACTION VESSEL. | |
| JP4384301B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| US4284867A (en) | Chemical vapor deposition reactor with infrared reflector | |
| JP2588578B2 (en) | Epitaxy reactor | |
| JP2841243B2 (en) | Deposition film forming apparatus by microwave plasma CVD method | |
| US3935412A (en) | Induction heated vapor source | |
| CN2317561Y (en) | One thousand watt radio frequency exciting fast axial flow carbon dioxide laser | |
| JPH08274067A (en) | Plasma generating device | |
| US3536892A (en) | Device for thermal processing of semiconductor wafers | |
| US3703813A (en) | Laser beam reflector system | |
| JPH10125495A (en) | Phase control multi-electrode type alternating current discharge device using electrode placed in control | |
| Jones et al. | Electroheat and materials processing | |
| JPH05163572A (en) | Diamond film formation device | |
| JP2018191426A (en) | High frequency generator, heating/melting device, and crystal manufacturing device | |
| Taylor et al. | Materials Processing | |
| SU873304A1 (en) | Unsoldering furnace | |
| Stockdale et al. | High‐temperature atomic beam source |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| BV | The patent application has lapsed |