NL8301950A - Elektronische keten. - Google Patents

Description

C - _ Μ t

t VO U7kU

Elektronische keten.

, De uitvinding heeft "betrekking op een elektronische keten.

In een lichtgeleidingspulstransmissiestelsel wordt gebruik gemaakt van brede-bandherhalingsVersterkers voor het regenereren van signalen teneinde de pulsdemping te overwinnen, die in de lichtgeleiding 5 optreedt. Omdat de stels els ignaalniveaus variëren tengevolge van veroudering van componenten en veranderingen in de omgevingstemperatuur, is het van nut in de herhalingsversterkers een automatische versterkings-regeling toe te passen. De bandbreedte van het lichtgeleidingsstelsel is 20 groot, dat het ontwerpen van een lineaire versterker met een auto-10 matische versterkingsregeling vele problemen met zich mede brengt. Eén probleem is het ontwerpen van. een besturingsketen, welke met een gelijkmatige regelkarakteristiek en over een zeer uitgestrekte frequentieband werkt. .

Volgens de uitvinding omvat een keten eerste en tweede onderling 15 verbonden transistoren met tegengesteld geleidingstype, waarbij de eerste transistor met een eerste geleidingstype volgens een gemeenschappe-lijke-collectorconfiguratie is verbonden en de tweede transistor met een tweede geleidingstype volgens een gemeenschappelijke-emitterconfigu-ratie is verbonden, organen, welke de base-emitterjuncties van de eer-20 ste en tweede transistoren met elkaar koppelen teneinde daarover in hoofdzaak dezelfde doorlaatspanning te onderhouden met een geringe in-gangsverschuiving, en organen in de emitterketen van de eerste transistor om in de emitter-collectorbaan van de eerste transistor een rust-stroom te voeren teneinde transconductantie van de tweede transistor 25 te bepalen.

Volgens de uitvinding omvat de keten voorts organen voor het ontvangen van een ingangssignaal, een ingangstransistor met een eerste geleidingstype, welke voor werking in een gemeenschappelijke collector-configuratie is verbonden, waarbij de ontvangorganen met de basis van 30 de ingangstransistor zijn verbonden, organen voor het overdragen van 8301950

* V

- 2 - een uit gangs signaalst room, een uitgangstransistor met een tveede geleidingstype, welke voor werking volgens een gemeenschappelijke-emitter-canfiguratie is verbonden, waarbij de overdrachtsorganen met de collector van de uitgangstransistor zijn verbonden, organen, die de basis van 5 de ingangstransistor met de emitter van de uitgangstransistor koppelen om over de basis-emitterjuncties van de ingangs- en uitgangstransistoren in hoofdzaak dezelfde spanning te onderhouden, en organen*, die een emitter aan de ingangstransistor met de basis van de uitgangstransistor verbinden om een signaal uit de ingangstransistor naar de uitgangstransis-10 tor over te dragen en de transconductantie van de uitgangstransistor te bepalen.

Verder omvat een keten volgens de uitvinding organen voor het ontvangen van een ingangssignaalstroom, eerste en tweede ingangstran-sistoren met resp. een eerste en tweede geleidingstype, welke elk zijn 15 ingericht voor een werking volgens een gemeenschappelijke-colleetorcon-figuratie, waarbij de ontvangorganen met de bases van de eerste en tweede ingangstransistoren zijn verbonden, organen voor het overdragen van uitgangssignaalstrcanen, eerste en tweede uitgangstransistoren met resp. het tweede en eerste geleidingstype, die elk bestemd zijn om volgens 20 een gemeenschappelijke-emitterconfigurati-e te werken, waarbij de overdrachtsorganen zijn verbonden met de collectors van de eerste en tweede uitgangstransistoren, organen, die de emitters van de eerste en tweede uitgangstransistoren met elkaar verbinden, en organen, die de emitter van de eerste ingangstransistor met de basis van de eerste uit-25 gangstransistor, en de emitter van de tweede ingangstransistor met de basis van de tweede uitgangstransistor verbinden om een signaalstroom uit de respectieve eerste en tweede ingangstransistoren aan de eerste en tweede uitgangstransistoren toe te voeren in responsie op ruststro-men van de eerste en tweede ingangstransistoren teneinde de transcon-30 ductantie van de eerste en tweede uitgangstransistoren te bepalen.

De uitvinding zal onderstaand nader worden toegelicht onder verwijzing naar de tekening. Daarbij toont: fig.1 een schema van een keten volgens de uitvinding; fig.2 een schema van een andere keten volgens de uitvinding; 35 fig.3 een schema van weer ëen andere keten volgens de uitvin- 8301950 - 3 - ding; en fig'k een transconduetantieregelkarakteristiek.

Zoals uit fig.1 blijkt, omvat een versterkerketen 10, welke met succes als een monolytische geïntegreerde keten kan worden vervaar-5 digd, twee bipolaire transistoren 11 en 12 met tegengesteld geleidings-type. De inrichtingen 11 en 12 kunnen een willekeurige van een uitgestrekt gebied van bedrijfskarakteristieken hebben. Zij kunnen zeer snelle inrichtingen zijn voor werking in het mierogolffrequentiegebied ten gebruike bij een keten, welke b.v. is opgenomen in een lichtgelei-10 dingspulstransmissiestelsel. Voor een andere toepassing, waarbij een werking in een lager frequentiegebied plaatsvindt, kunnen de inrichtingen of de genoemde zeer snelle inrichtingen of trage inrichtingen zijn.

Door gebruik te maken van de zeer snelle inrichtingen, kan de keten 10 worden toegepast als een versterker met hetzij een constante 15 hetzij een variabele transconductantie in een transmissiestelsel met grote capaciteit, zoals het eerder genoemde lichtgeleidingspüstransmis-siestelsel. Dit stelsel kan een stelsel met een geringe lengte of een grotere lengte zijn.

Een PNP-ingangstransistor 11 is volgens een gemeenschappelijke-20 collectorconfiguratie verbonden en is zodanig voorgespannen, dat deze in het normale in de doorlaatrichting voorgespannen bedrijfsgebied daarvan werkt. Een voorspanningsbron 13 met negatieve polariteit is direct met de collector van de ingangstransistor 11 verbonden. Een voorspanningsbron ik met positieve polariteit is via een ruststroombron 18 25 met de uitgangsemitterelektrode van de transistor 11 verbonden. De bron 18 kan een constante-stroombron of een variabele-stroombron zijn.

De stroombron 18 bevindt zich in de emitterketen van de ingangstransistor 11 voor het leveren van de ruststroom 1^ aan de emitter-collector-baan van de transistor. De belasting, welke direct met de emitter van 30 de ingangstransistor is verbonden, is de basis-emitteringangsketen van de transistor 12.

De ruststroom I.Q voor de PHP-transistor 11 wordt vanuit de positieve bron 1k via de ruststroombron 18 en de emitter-eollectorbaan van de transistor 11 aan de negatieve bron 13 toegevoerd. Aangezien de be-35 lasting de basis-emitterketen van de transistor 12 is, is de aan deze 830195" f - k - belasting toegevoerde ruststroom gering en kan deze bij de bier geldende omschrijving worden verwaarloosd.

De ingangstransistor 11 werkt als een spanningsvolginrichting of . een spanningsbufferinricbting met de eenheids ver sterking, waarbij een 5 ingangssignaalbron 20, die met de ingangsbasiselektrode is verbonden,' aan de basis een spanning toevoert* Derhalve ontvangt de basis van de transistor Π ingangssignalen, die aan de keten 10 worden toegevoerd.

De bron 20 omvat een ingangssignaalstroom.bron 21, welke door een weerstand 22 is overbrugd in een parallelcombinatie, die tussen een aard-10 referentie 23·en de basis van de transistor 11 is verbonden. De ingangs-verschuiving, welke een gevolg is van de basisstroom van. de transistor 11 via de weerstand 22, is klein en kan hier worden verwaarloosd.

Tijdens het bedrijf reageert de spanningsvolginrichting bestaande uit de transistor 11 op een ingangssignaalspanning V^, welke door 15 de bron 20 wordt opgewekt en aan de basis van de transistor 11 wordt toegevoerd. In verband met de spanningsvolgconstructie, treedt dezelfde signaalspanning op de uitgangsemitterelektrode van de transistor 11 op. Een emittersignaalstroom wordt over de emitter-collectorbaan gevoerd. Deze stroom is de signaalbasisstroom van de transistor 12 en deze 20 stroom is derhalve gering.

Voor de gemeensehappelijke-collectorconfiguratie van de transistor 11 is de ingangsimpedantie groot en bij benadering gelijk aan de beta van dectransistor 11 vermenigvuldigd met de ingangs impedantie van de gemeenschappelijke-emitterbelastingsweerstand 12.

25 Een parasitaire collectorjunctiecapaciteit, welke tussen de ba sis en de collector van de transistor 11 aanwezig is, heeft een minimale invloed op de lineaire breedbandkarakteristiek van de keten 10.

Een dergelijke parasitaire capaciteit treedt op tussen het ingangs-knooppunt op de basis van de transistor 11 en het gemeenschappelijke 30 knooppunt op de referentiepotentiaal van de bron 13. Er vindt geen effectieve vermenigvuldiging van de capaciteit plaats wanneer de stroom, welke over de belastingsimpedantie wordt gevoerd, varieert.

Een NPÏÏ-uitgangstransistor 12 is volgens een gemeenschappelijke-emitterconfiguratie verbonden en is zodanig voorgespannen, dat deze 35 in het normale in de doorlaatrichting voorgespannen·bedrijfsgebied daar- 8301950 Λ - 5 - van werkt. De emitter van de uitgangstransxstor 12 is direct met de aardreferentie 23 verbonden. Een voorspanningsbron 1¾ met positieve polariteit is via een ruststroombron 25 met de uitgangscollectorelek-trode van de transistor 12 verbonden. Een blasting 28 is tussen de 5 collector van de transistor 12 en de aardreferentie 23 verbonden.

De rust stroom nl^ voor de HPN-transistor 12 wordt vanuit de positieve bron 1U via de ruststroombron 25 en de collector-emitterbaan van de transistor 12 naar de aardreferentie 23 gevoerd.

• Omdat de ingangstransistor 11 als een spanningsvolginrichting 10 werkt, treedt de ingangssignaalspanning V^, welke door de bron 20 wordt toegevoerd, op de emitter van de transistor 11 en over de basis-emitter junctie van de uitgangstransxstor 12 op. Voor zowel de voorspan-ning als bet signaal, zijn de spanningen over de basis-emitterjuncties van de transistoren 11 en 12 in hoofdzaak identiek omdat de emitter van 15 de transistor 11 met de basis van de transistor 12 is verbonden en omdat zowel de basis van de transistor 11 als de emitter van de transistor 12 op aarde zijn betrokken. De spanningen verschillen slechts met de spanning over de bronweerstand 22, welke, zoals reeds is vermeld, klein is.

20 Tijdens het bedrijf wordt de amplitude van een uitgangssignaal- stroom I uit de transistor 12 bepaaldidoor de ruststroam van de transistor 11 om de volgende redenen. De stroom I is gelijk aan de ingangs signaalspanning als toegevoerd aan de transistor 12, verme nigvuldigd met de transconductantie g^ daarvan, welke wordt "gedefini-25 eerd als g^ = ^ . In deze uitdrukking is q de lading van een elektron, S de constante van Boltzman en T de absolute temperatuur. De stroom I = nl^-I is de totale emitterstroom van de transistor 12 en deze staat tot de basis-emitterspanning V^g van de transistor 12 in een relatie overeenkomstig de bekende vergelijking 3° ^.12 · “ ï^r (1) waarbij I g de verzadigingsstroom van de transistor 12 is. Uit deze uitdrukkihg volgt de totale emitterstroom T - T (iÜbeü) .

35 1 " Xs12 eXp ^ KT J (2) 8301950 ' -6 - f \

Overeenkomstig dezelfde· vergelijking wordt de spanning ^ bepaald door de stroom door de transistor 11 en geleverd door de bron 18. Derhalve is de basis-emitterspanning VTP1 J-t- 5 Vbe12 = Vbe11 = T ln 1^7

Door deze laatste in de uitdrukking van de totale emitterstroom I te substitueren, verkrijgt men, dat de stroom I I I

s12 1 = 1^, -- . Dientengevolge is de uitgangssignaalstroom s11 10 ^

Jo Vt*= Vin · i s tt: m s11 waarbij I ^ en I ^ resp. de verzadigingsstromen van de transistoren 12 en 11 zijn.

15 De emittergebieden van de transistoren kunnen aan elkaar gelijk zijn of van elkaar verschillen. Indien het emittergebied van de transistor 12 n-maal zo groot is als het emittergebied van de transistor 11, zal de waarde van de verzadigingsstroom Ig ^ n-maal zo groot zijn als de waarde van de verzadigingsstroom I .., zolang als de andere factoren

S 1 I

20 hetzelfde zijn. Hieruit volgt, dat de uitgangssignaalstroom gelijk is aan _

To = Vin * Ί0Γ * n ^

De transconductantie van de transistor 12 wordt derhalve bepaald door de ruststroom 1^ en de verhouding van de emittergebieden. Bij een voor- 25 keursuitvoeringsvorm is de verhouding van de emittergebieden n groter dan 1.

Zoals aangegeven in fig.b is de transconductantiebesturingskarak-teristiek g^ versus 1^ voor de transistor 12 lineair over een gebied, waarin de logarithm!sche V - I relatie geldt. Dit lineariteitsgebied 30 omvat meer in het bijzonder enige orden van grootte van de ruststroom. Buiten dit gebied verloopt de besturingskarakteristiek geleidelijk doch is deze niet lineair. De in fig.h afgeheelde karakteristiek geldt voor een keten volgens fig.1, waarin de verhouding van de emittergebieden n = 3. Een meer volledige uiteenzetting van de transconductantiebestu-35 ringskarakteristiek tezamen met een frequentieresponsiekarakteristiek 8301950 f' jm - 7 - kan men verkrijgen uit de Amerikaanse octrooiaanvrage 3 8j 557.

De transconductantie is bijna onafhankelijk van de frequentie tot de geëxtrapoleerde eenheids-versterkings frequent ie, f^»· van de transistor 12. Bij'-bipolaire siliciumtransistoren kan f^ enige giga-5 hertz zijn. Waar de transconductantie alleen de frequentieresponsie van de versterker bestuurt, kan de versterker zodanig worden uitgevoerd, dat deze een bandbreedte heeft, die een frequentie f^ nadert.

Andere factoren, welke de responsie van de versterker begrenzen, zijn een val in beta van de transistor 12 bij hoge frequenties en ongewen-10 ste signaalstromen in parasitaire capaciteiten.

De val in beta bij hoge frequenties wordt bij de keten volgens de uitvinding verwerkt door de transistor 11 als een spanningsvolg-inrichtihg· te verbinden. De ingangsimpedantie van de transistor 11 is bij benadering beta-maal de ingangsimpedantie van de gemeenschappelij-15 ke-emittertransistor 12. Derhalve kan de ingangsimpedantie van de transistor 11 groot worden gemaakt ten opzichte van de bronimpedantie 22 en wel over een veel uitgebreider gebied van frequenties dan mogelijk is voor de ingangsimpedantie van de gemeenschappelijke-emittertransis-tor alleen.

20 Capacitieve belastingseffecten, meer in het bijzonder een miller-vermenigvuldiging van de collector-basiscapaciteit, worden bij deze keten tot een minimum teruggebracht. Het miller-effect wordt veroorzaakt door en is evenredig met een eventueel signaalspanningsverschil tussen de basis en de collector van de transistor. Dit spannings-25 verschil kan leiden tot een ongewenste stroom, evenredig met het spanningsverschil, welke in een parasitaire capaciteit tussen de basis en de collector vloeit. Bij hoge frequenties, wanneer de capacitieve impedantie klein is, kan de ongewenste stroom in deze parasitaire capaciteit betrekkelijk groot zijn. Een dergelijke ongewenste stroom kan wor-30 den gereduceerd door het signaalspanningsverschil tussen de basis en de collector van de transistor tot een minimum terug te brengen.

Voor een brede-bandtoepassing vindt een tot een minimum terugbrengen van de basis-collectorsignaalspanning in de keten 10 plaats door de bron- en belastingsimpedanties van de transistor 12 zeer kleine 35 waarden te geven. De emitter-volgtrap van de transistor 11 heeft een ge- 8301950

/ V

- 8 - ringe bronimpedantie. De "belastings impedantie 28 wordt eveneens zodanig gekozen, dat deze een geringe waarde heeft. Deze kleine impedanties onderhouden spanningen met kleine amplitude op zowel de basisingangs-als de collectoruitgangselektroden van de transistor 12. Omdat de sig-5 naalspanningen op zowel de "basis- als de collector klein zijn, "bestaat er een zeer gering spanningsverschil tussen de "basis en de collector en vloeit slechts een kleine stroom door de parasitaire capaciteit.

Afgezien van de genoemde verschillen in inrichtingsafmetingen en de géeidingstypen daarvan, bezitten de transistoren 11 en 12 de-10 zelfde bedrijfskarakteristieken. Er zijn bekende werkwijzen voor het vereenvoudigen van dé vervaardiging van de transistoren met tegengesteld geleidingstype met gelijke bedrijfskarakteristieken over uitge-strekte frequentie- en temperatuurgebieden. Dergelijke methoden zijn beschreven in de Amerikaanse octrooiaanvrage 337.707» 15 In fig.2 vindt men een versterkerketen 30, welke overeenkomt

met de in fig.1 afgeheelde keten behalve, dat een ingangstransistor 31, die volgens een gemeenschappelijke-collectorconfiguratie is verbonden, een NPN-transistor is. De ruststroom wordt vanuit een bron 33 met positieve polariteit over de collector-emitterbaan en een bron 38 20 van een ruststroom naar een bron 3^ met negatieve potentiaal gevoerd. Een uitgangstransistor 32, die volgens een gemeenschappelijke-emitter-configuratie is verbonden, is een PKP-transistor. De ruststroom nl^ voor de uitgangstransistor 32 wordt vanuit de aardreferentie 23 over de emitter-collectorbaan van de transistor 32 en een stroombron U5 25 aan de bron 3^ met negatieve polariteit toegevoerd. Een belasting hQ

is tussen de collector van de uitgangstransistor 32 en de aardreferentie 23 verbonden.

Zoals symbolisch in fig.2 is aangegeven, is het dwars doorsnede-emitteroppervlak van de uitgangstransistor 32 n-maal zo groot als het 30 dwarsdoorsnede-emitteroppervlak A van de ingangstransistor 31· Afge- zien van hun afmetingen en hun geleidingstypen bezitten de transistoren 31 en 32 dezelfde parameters en bedrijfskarakteristieken.

Tijdens het bedrijf werkt de keten volgens fig.2 op dezelfde wijze als de keten volgens fig.1 behoudens de veranderingen in polariteit. 35 De transconductantie g^ van de transistor 32 wordt bepaald door de rust- 8301950 -9 - * ** stroom 1^, die door de stroombron 33 vloeit. Men verkrijgt een geleidelijke transconduetantiekarakteristiek voor de transistor 32. De versterker heeft een zeer uitgestrekt frequentiegebied.

In fig.3 vindt men een versterkerketen 50, welke een onderling 5 verbonden combinatie van de ketens, weergegeven ih fig.1 en 2, is.

In fig.3 zijn de ingangstransistoren 11 en 31 resp. van het PUP- en JïPH-geleidingstype. De bas is ingangs elektroden van de transistoren zijn gemeenschappelijk via een geleider 51 met de ingangssignaalbron 20 verbonden. De uitgangstransistoren 12 en 32 zijn resp. van het NPN- en 10 EHP-geleidingstype. De emitterelektroden van deze transistoren zijn gemeenschappelijk via een geleider 52 met de aardreferentie 23 verbonden.

Het gecombineerde stelsel volgens fig.3 omvat een bovenste helft en een onderste helft, die resp. als de ketens volgens fig.1 en 2 werken.

In verband met de gemeenschappelijke ingangsverbinding 51 tussen 15 de bases van de ingangstransistoren 11 en 31 met tegengesteld gelei-dingstype, heffen de ruststromen 1^ naar de respectieve bases elkaar op, hetgeen gunstig is. Een ingangsknooppunt 55 bij de bases bevindt zich virtueel op de aardreferentiepotentiaal, zodat er weinig of geen ingangsverschuivingsspanjxin g· aanwezig is. De verschuiving welke op-20 treedt, is een gevolg van verschillen in de karakteristieken van de transistoren 11 en 31.

Een ander voordeel in verband met de gemeenschappelijke uit-gangsverbinding. 52 tussen de emitters van de uitgangstransistoren 12 en 32 met tegengesteld geleidingstype is, dat de collector-emitter-25 ruststromen nl^ daarvan elkaar opheffen. Het knooppunt 5^ bij de junctie van de emitters bevindt zich op een virtuele aardpotentiaal.

Indien met knooppunt 5^ een belasting Uo werd verbonden, zou over deze belasting geen rustspanning optreden. Op deze wijze kan de keten volgens fig.3 als een eenheids-versterkingsbuffer tussen de bron 20 en de 30 belasting Uq worden gebruikt. Een dergelijk bufferstelsel vereist geen capacitieve of inductieve isolatiecomponenten voor verbinding met de bron en de belasting. De eenheidsresponsie treedt op van nul hertz tot enige honderden megahertz.

Zoals aangegeven in fig.3 vormen de onderling verbonden ketens 35 volgens fig.1 en 2 een versterker met een transconductantiebesturings- 8301950 ί"~ 'v· - 10 - keten, welke voorziet in een geleidelijke bestnringskarakteristiek en welke reageert over een uitgestrekt frequentiegebied, dat zich uitstrekt van een waarde bij nul hertz tot enige honderden megahertz.

Een ingangspoort bij het knooppunt 55 en uitgangspoorten 57 en 5 58 "bij de collectors van de transistoren 12 en 32 zijn geïsoleerd ten opzichte van de voorspanningspoorten bij de bronnen 13, 1 , 33 en 3^ en de aardreferentie 23. Derhalve kunnen bij de knooppunten 5^ en 55 signaalbronnen of netwerken worden aangesloten zonder dat de rusttoestand van de keten wordt verstoord en zonder dat isolerende zelfinduc-10 ties of capaciteiten nodig zijn.

Door een impedantie met matige waarde voor de bron 20 en een belastingsimpedantie met een matige waarde voor de belastingen 28 en U8 te kiezen, zoals die, welke gewoonlijk worden toegepast bij breed-bandtransmissiestelsels, kan de ontwerper ervoor zorgen, dat de gehele 15 keten over het uitgestrekte frequentiegebied lineair werkt. Over dit gebied varieert voorts de transconductantie van de transistoren 12 en 32 geleidelijk bij verandering van de ruststroom 1^, welke door de bronnen 18 en 38 wordt geleverd.

8301950

Claims (10)

1. Keten voorzien van eerste en tweede onderling verbonden transis-toren met tegengesteld geleidingstype, met het kenmerk,, dat de eerste transistor (11) met een eerste geleidingstype volgens een gemeenschappe-lijke-collectorconfiguratie is verbonden en de tweede transistor (12) 5 met een tweede geleidingstype volgens een gemeenschappelijke-emitter-configuratie is verbonden, waarbij organen de basis-emitterjuncties van de eerste en tweede transistoren met elkaar koppelen om daarover met een geringe ingangsverschuiving in hoofdzaak dezelfde doorlaatspan-ning te onderhouden, en organen (18) in de emitterketen van de eerste 10 transistor aanwezig zijn cm in de emitter-collectorbaan van de eerste transistor een ruststroom te voeren teneinde de trans conduct ant ie van de tweede transistor te bepalen.

2. Keten volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de eerste transistor een emitterdwarsdoorsnede-oppervlak A heeft, de tweede transis- 15 tor een emitterdwarsdoorsnede-oppervlak nA heeft, en n groter is dan 1.

3. Keten volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de eerste transistor een transistor met een NPN-geleiding en de tweede transistor een transistor met een PNP-geleiding is. Keten volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de eerste 20 transistor een transistor met een PNP-geleiding en de tweede transistor een transistor met een NPN-geleiding is,

5· Keten volgens conclusie 1, gekenmerkt door derde en vierde onderling verbonden transistoren met tegengesteld geleidingstype, waarbij de derde transistor (31) van het tweede geleidingstype volgens een ge-25 meenschappelijke-collectorconfiguratie is verbonden, en de vierde transistor (32) van het eerste geleidingstype volgens een gemeenschappe-lijke-emitterconfiguratie is verbonden, waarbij organen aanwezig zijn, die de basis-emitterjuncties van de derde en vierde transistoren met elkaar koppelen teneinde daarover met een geringe ingangsverschuiving 30 in hoofdzaak dezelfde doorlaatspanning te onderhouden, en organen (38) in de emitterketen van de derde transistor aanwezig zijn om een ruststroom aan de emitter-collectorbaan van de derde transistor toe te voe- 8301950 * - 12 - ren teneinde de transconductantie van de vierde transistor te bepalen.

6. Keten volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat organen (51) de basisketen van de eerste transistor met de basisketen van de derde transistor verbinden teneinde daaraan gemeenschappelijk een ingangs- 5 signaal toe te voeren, en organen (52) de emitterketen van de tweede transistor met de emitterketen van de vierde transistor verbinden om een gemeenschappelijke referentiepotentiaal te onderhouden.

7. Keten volgens conclusie 5 of 6, met het kenmerk, dat elk van de eerste en derde transistoren een emitterdvarsdoorsnede-oppervlak A 10 heeft, elk van de tweede en vierde transistoren een emitterdwarsdoor-snede-oppervlak nA heeft, waarbij n groter is dan 1, en afgezien van het geleidingstype, de eerste en derde transistoren en de tweede en vierde transistoren dezelfde bedrijfskarakteristieken hebben.

8. Keten voorzien van organen voor het ontvangen van een ingangs-15 signaal, gekenmerkt door een ingangstransistor (11) met een eerste geleidingstype, welke voor werking volgens een gemeenschappelijke-collectorconfiguratie is verbonden, waarbij de ontvangorganen (20) met de basis van de ingangstransistor zijn verbonden, organen (v . ) ‘Clx'C voor het overdragen van een uitgangssignaalstroom, een uitgangstran-20 sistor (12) met een tweede geleidingstype, welke dient voor werking volgens een gemeenschappelijke-emitterconfiguratie, waarbij de over-drachtsorganen met de collector van de uitgangstransistor zijn verbonden, organen, de basis van de ingangstransistor met de emitter van de uitgangstransistor koppelen om over de basis-emitterjuneties van de 25 ingangs- en uitgangstransistoren in hoofdzaak dezelfde spanning te onderhouden, en organen, welke een emitter van de ingangstransistor met de basis van de uitgangstransistor verbinden om een signaal uit de ingangstransistor aan de uitgangstransistor toe te voeren en de transconductantie van de uitgangstransistor te bepalen. 30 9· Keten volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat de ingangstran sistor een dwarsdoorsnede-oppervlak A heeft, de uitgangstransistor een dwarsdoorsnedeoppervlak nA heeft, en n groter is dan 1.

10. Keten voorzien van organen voor het ontvangen van een ingangs-signaalstroom, gekenmerkt door eerste (11) en tweede (31) ingangstran-35 sistoren met resp. eerste en tweede geleidingstypen, die elk bestemd 8301950 - 13 - zijn om volgens een gemeenschappelijke-collectorconfiguratie te werken, waarbij de ontvangorganen (20) zijn verbonden met de bases van de eerste en tweede ingangstransistoren, organen (57> 58) voor bet overdragen van uitgangssignaalstromen, eerste (12) en tweede (32) uitgangs-5 transistoren met resp. de tweede en eerste geleidingstypen, die elk bestemd zijn om volgens .een gemeenschappelijke-emitterconfiguratie te werken, waarbij de overdrachtsorganen met de collectors van de eerste en tweede uitgangstransistoren zijn verbonden, organen (52), die de emitters van de eerste en tweede uitgangstransistoren met elkaar ver-10 binden, en organen, welke de emitter van de eerste ingangstransistor met de basis van de eerste uitgangstransistor, en de emitter van de tweede ingangstransistor met de basis van de tweede uitgangstransistor verbinden om een signaalstroom uit de eerste resp. de tweede ingangstransistoren aan de eerste en tweede uitgangstransistoren toe te voe-15 ren in responsie op ruststromen van de eerste en tweede ingangstransistoren voor bet bepalen van de transconductantie van de eerste en tweede uitgangstransistoren.

11. Keten volgens conclusie 10, met bet kenmerk, dat de eerste en tweede ingangstransistoren emitterdwarsdoorsnedeoppervlakken A bebben, 20 de eerste en tweede uitgangstransistoren emitterdwarsdoorsnedeopper-vlakken nA bebben, en n groter is dan 1.

12. Keten volgens conclusie 11, met bet kenmerk, dat afgezien van het geleidingstype, de eerste en tweede ingangstransistoren dezelfde bedrijfskarakteristieken bebben en af gezien van bet geleidingstype, de 25 eerste en tweede uitgangstransistoren dezelfde bedrijfskarakteristieken bebben. 8301950