NL7804102A - Werkwijze voor het besturen van de migratie van een chemische stof in een vast substraat. - Google Patents

Werkwijze voor het besturen van de migratie van een chemische stof in een vast substraat.

Info

Publication number
NL7804102A
NL7804102A NL7804102A NL7804102A NL7804102A NL 7804102 A NL7804102 A NL 7804102A NL 7804102 A NL7804102 A NL 7804102A NL 7804102 A NL7804102 A NL 7804102A NL 7804102 A NL7804102 A NL 7804102A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
migration
chemical
controlling
solid substrate
substrate
Prior art date
Application number
NL7804102A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Commissariat Energie Atomique
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat Energie Atomique filed Critical Commissariat Energie Atomique
Publication of NL7804102A publication Critical patent/NL7804102A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
    • H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/326—Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
NL7804102A 1977-04-18 1978-04-18 Werkwijze voor het besturen van de migratie van een chemische stof in een vast substraat. NL7804102A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7711569A FR2388413A1 (fr) 1977-04-18 1977-04-18 Procede de commande de la migration d'une espece chimique dans un substrat solide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7804102A true NL7804102A (nl) 1978-10-20

Family

ID=9189528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7804102A NL7804102A (nl) 1977-04-18 1978-04-18 Werkwijze voor het besturen van de migratie van een chemische stof in een vast substraat.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4193003A (nl)
JP (1) JPS5416176A (nl)
DE (1) DE2816517C3 (nl)
FR (1) FR2388413A1 (nl)
GB (1) GB1580879A (nl)
NL (1) NL7804102A (nl)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2461359A1 (fr) * 1979-07-06 1981-01-30 Commissariat Energie Atomique Procede et appareil d'hydrogenation de dispositifs a semi-conducteurs
DE3503264A1 (de) * 1985-01-31 1986-08-07 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Verfahren zur aenderung der lokalen, atomaren zusammensetzung von festkoerpern, insbesondere halbleitern
US4861991A (en) * 1988-09-30 1989-08-29 Siemens Corporate Research & Support, Inc. Electron storage source for electron beam testers
US5103102A (en) * 1989-02-24 1992-04-07 Micrion Corporation Localized vacuum apparatus and method
JP2671494B2 (ja) * 1989-05-16 1997-10-29 富士通株式会社 ゲッタリング方法
US5024967A (en) * 1989-06-30 1991-06-18 At&T Bell Laboratories Doping procedures for semiconductor devices
US5454885A (en) * 1993-12-21 1995-10-03 Martin Marietta Corporation Method of purifying substrate from unwanted heavy metals
JP2883017B2 (ja) * 1995-02-20 1999-04-19 ローム株式会社 半導体装置およびその製法
US6136669A (en) * 1998-07-21 2000-10-24 International Business Machines Corporation Mobile charge immune process
US9689068B2 (en) * 2014-05-16 2017-06-27 Nanoedit, Llc Deposition and patterning using emitted electrons

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3539401A (en) * 1966-05-25 1970-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing mechano-electrical transducer
US3498852A (en) * 1969-03-10 1970-03-03 Atomic Energy Commission Accelerating lithium drifting in germanium
US3725148A (en) * 1970-08-31 1973-04-03 D Kendall Individual device tuning using localized solid-state reactions

Also Published As

Publication number Publication date
DE2816517C3 (de) 1981-01-22
US4193003A (en) 1980-03-11
DE2816517A1 (de) 1978-10-26
FR2388413B1 (nl) 1981-12-31
GB1580879A (en) 1980-12-10
JPS5416176A (en) 1979-02-06
DE2816517B2 (de) 1980-05-14
FR2388413A1 (fr) 1978-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7702518A (nl) Werkwijze voor het bekleden van een substraat met een stralingshardbare bekledingskompositie.
NL7611952A (nl) Werkwijze voor het selektief galvaniseren van een gebied van een oppervlak.
NL7707669A (nl) Werkwijze voor het bekleden van een substraat met een stralingshardbare bekledingscompositie.
NL188237C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een stof uit meerdere lagen.
NL7607664A (nl) Mat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7800035A (nl) Werkwijze voor het bekleden van een substraat.
NL7808115A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwpaneel en bouwpaneel.
NL7608743A (nl) Werkwijze voor het bestrijden van insekten.
NL7714169A (nl) Werkwijze voor het bekleden van een substraat met een stralingshardbare bekledingscompositie.
NL971032I2 (nl) Werkwijze voor het bereiden van 2-cyclopropylamino-4,6-diamino-s-triazinen, werkwijze voor het bereiden van een preparaat voor het bestrijden van insekten.
NL7808900A (nl) Werkwijze voor het verlagen van de concentratie van nitrosaminen in dinitroanilinen.
NL7613852A (nl) Bouwelement en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL188669C (nl) Werkwijze voor het doteren van halfgeleidermaterialen.
NL7804102A (nl) Werkwijze voor het besturen van de migratie van een chemische stof in een vast substraat.
NL7900497A (nl) Werkwijze voor het positioneren van een substraat.
NL7804425A (nl) Werkwijze voor het denitroseren van n-nitrosoverbindin- gen.
NL168636B (nl) Inrichting voor het regelen van de ph-waarde of een vergelijkbare waarde van een oplossing.
NL7505623A (nl) Werkwijze voor het regelen van een vloeistof- niveau.
NL190725C (nl) Werkwijze voor het bekleden van een substraat.
NL186725C (nl) Inrichting voor het regelen van de temperatuur van een ruimte in een gebouw.
NL7808398A (nl) Werkwijze voor het isomeriseren van alkenen.
NL185661C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een in het bijzonder plaatvormig bouwelement.
NL7809798A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van biologisch werkzame granulaten.
NL7801396A (nl) Werkwijze voor het besturen van ondergrondse processen.
NL189772C (nl) Inrichting voor het regelen van de temperatuur van ruimten van een gebouw.

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BV The patent application has lapsed