NL7604445A - Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. - Google Patents

Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.

Info

Publication number
NL7604445A
NL7604445A NL7604445A NL7604445A NL7604445A NL 7604445 A NL7604445 A NL 7604445A NL 7604445 A NL7604445 A NL 7604445A NL 7604445 A NL7604445 A NL 7604445A NL 7604445 A NL7604445 A NL 7604445A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
procedure
manufacture
application
conducted
Prior art date
Application number
NL7604445A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL7604445A priority Critical patent/NL7604445A/xx
Priority to US05/788,732 priority patent/US4151006A/en
Priority to IT22780/77A priority patent/IT1078440B/it
Priority to GB16818/77A priority patent/GB1522291A/en
Priority to JP4749577A priority patent/JPS52139386A/ja
Priority to CA277,047A priority patent/CA1085061A/en
Priority to DE19772718449 priority patent/DE2718449A1/de
Priority to FR7712719A priority patent/FR2349955A1/fr
Publication of NL7604445A publication Critical patent/NL7604445A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/133—Emitter regions of BJTs
    • H10P32/1408—
    • H10P32/1412—
    • H10P32/1414—
    • H10P32/171—
    • H10P95/00—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/02—Contacts, special
NL7604445A 1976-04-27 1976-04-27 Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. NL7604445A (nl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7604445A NL7604445A (nl) 1976-04-27 1976-04-27 Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
US05/788,732 US4151006A (en) 1976-04-27 1977-04-19 Method of manufacturing a semiconductor device
IT22780/77A IT1078440B (it) 1976-04-27 1977-04-22 Metodo di fabbricazione di un dispositivo semiconduttore e dispositivo fabbricato con l'ausilio di tale metodo
GB16818/77A GB1522291A (en) 1976-04-27 1977-04-22 Semiconductor device manufacture
JP4749577A JPS52139386A (en) 1976-04-27 1977-04-26 Method of producing semiconductor device and semiconductor device
CA277,047A CA1085061A (en) 1976-04-27 1977-04-26 Transistor with emitter of high and low doping
DE19772718449 DE2718449A1 (de) 1976-04-27 1977-04-26 Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und durch dieses verfahren hergestellte anordnung
FR7712719A FR2349955A1 (fr) 1976-04-27 1977-04-27 Procede pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur, et dispositif semi-conducteur fabrique de la sorte

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7604445A NL7604445A (nl) 1976-04-27 1976-04-27 Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7604445A true NL7604445A (nl) 1977-10-31

Family

ID=19826076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7604445A NL7604445A (nl) 1976-04-27 1976-04-27 Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4151006A (OSRAM)
JP (1) JPS52139386A (OSRAM)
CA (1) CA1085061A (OSRAM)
DE (1) DE2718449A1 (OSRAM)
FR (1) FR2349955A1 (OSRAM)
GB (1) GB1522291A (OSRAM)
IT (1) IT1078440B (OSRAM)
NL (1) NL7604445A (OSRAM)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0029887A1 (de) * 1979-12-03 1981-06-10 International Business Machines Corporation Verfahren zum Herstellen eines vertikalen PNP-Transistors und so hergestellter Transistor

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7810549A (nl) * 1978-10-23 1980-04-25 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
US4228452A (en) * 1979-05-02 1980-10-14 Eastman Kodak Company Silicon device with uniformly thick polysilicon
US4452645A (en) * 1979-11-13 1984-06-05 International Business Machines Corporation Method of making emitter regions by implantation through a non-monocrystalline layer
US4534806A (en) * 1979-12-03 1985-08-13 International Business Machines Corporation Method for manufacturing vertical PNP transistor with shallow emitter
US4301588A (en) * 1980-02-01 1981-11-24 International Business Machines Corporation Consumable amorphous or polysilicon emitter process
US4380774A (en) * 1980-12-19 1983-04-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High-performance bipolar microwave transistor
US4633287A (en) * 1982-08-09 1986-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor photoelectric conversion device
US4713355A (en) * 1984-04-16 1987-12-15 Trw Inc. Bipolar transistor construction
US4604150A (en) * 1985-01-25 1986-08-05 At&T Bell Laboratories Controlled boron doping of silicon
USRE35642E (en) * 1987-12-22 1997-10-28 Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage MOS power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process
IT1217323B (it) * 1987-12-22 1990-03-22 Sgs Microelettronica Spa Struttura integrata di transistor bipolare di potenza di alta tensione e di transistor mos di potenza di bassa tensione nella configurazione"emitter switching"e relativo processo di fabbricazione
US5008208A (en) * 1988-12-07 1991-04-16 Honeywell Inc. Method of making planarized, self-aligned bipolar integrated circuits
US5028973A (en) * 1989-06-19 1991-07-02 Harris Corporation Bipolar transistor with high efficient emitter
US5296047A (en) * 1992-01-28 1994-03-22 Hewlett-Packard Co. Epitaxial silicon starting material
US5324684A (en) * 1992-02-25 1994-06-28 Ag Processing Technologies, Inc. Gas phase doping of semiconductor material in a cold-wall radiantly heated reactor under reduced pressure
US5989962A (en) * 1997-09-26 1999-11-23 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device having dual gate and method of formation
US7482642B2 (en) * 2005-03-11 2009-01-27 Lsi Corporation Bipolar transistors having controllable temperature coefficient of current gain

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3536547A (en) * 1968-03-25 1970-10-27 Bell Telephone Labor Inc Plasma deposition of oxide coatings on silicon and electron bombardment of portions thereof to be etched selectively
US3775191A (en) * 1971-06-28 1973-11-27 Bell Canada Northern Electric Modification of channel regions in insulated gate field effect transistors
US3847687A (en) * 1972-11-15 1974-11-12 Motorola Inc Methods of forming self aligned transistor structure having polycrystalline contacts
US4007474A (en) * 1972-12-29 1977-02-08 Sony Corporation Transistor having an emitter with a low impurity concentration portion and a high impurity concentration portion
US4027324A (en) * 1972-12-29 1977-05-31 Sony Corporation Bidirectional transistor
US4032957A (en) * 1972-12-29 1977-06-28 Sony Corporation Semiconductor device
US4032956A (en) * 1972-12-29 1977-06-28 Sony Corporation Transistor circuit
US4028155A (en) * 1974-02-28 1977-06-07 Lfe Corporation Process and material for manufacturing thin film integrated circuits
GB1502165A (en) * 1974-04-10 1978-02-22 Sony Corp Semiconductor devices
JPS50137478A (OSRAM) * 1974-04-18 1975-10-31
DE2429957B2 (de) * 1974-06-21 1980-08-28 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone eines bestimmten Leitungstyps in einem Halbleiterkörper
DE2449688C3 (de) * 1974-10-18 1980-07-10 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone eines Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiterkörper

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0029887A1 (de) * 1979-12-03 1981-06-10 International Business Machines Corporation Verfahren zum Herstellen eines vertikalen PNP-Transistors und so hergestellter Transistor

Also Published As

Publication number Publication date
FR2349955B1 (OSRAM) 1983-06-17
IT1078440B (it) 1985-05-08
JPS52139386A (en) 1977-11-21
CA1085061A (en) 1980-09-02
JPS6112388B2 (OSRAM) 1986-04-08
US4151006A (en) 1979-04-24
DE2718449C2 (OSRAM) 1987-11-26
FR2349955A1 (fr) 1977-11-25
GB1522291A (en) 1978-08-23
DE2718449A1 (de) 1977-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7611773A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en halfgeleiderinrichting vervaar- digd door toepassing van een dergelijke werk- wijze.
NL7709484A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een glazen omhulling.
NL7705557A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een kunst- stof reflektor.
NL7614535A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van voorwerpen met een micropatroon alsmede de als zodanig verkre- gen voorwerpen.
NL7705330A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektro- magnetische inrichting alsmede inrichting ver- vaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL7702676A (nl) Werkwijze ter bereiding van polyurethanen met een integrale huid.
NL7510903A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7703941A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en inrichting, vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL7701739A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een polymeer.
NL7604986A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd door toe- passing van de werkwijze.
NL7804854A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een werkstuk door ex- trusie, toepassing van de werkwijze en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL7604445A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL7513161A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7608901A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd door middel van een dergelijke werkwijze.
NL7709695A (nl) Werkwijze voor de bereiding van 1-chloor-1,1-di- fluorethaan.
NL7807983A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderin- richting.
NL7709363A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd onder toepassing van een dergelijke werkwijze.
NL7511160A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een foto-gal- vanisch element.
NL7703160A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een afsluit- middel.
NL182476B (nl) Werkwijze voor de bereiding van een 4-halogeen-beta-pyron.
NL7709772A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een loodchromaat- -pigment.
NL7611928A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting.
NL7803409A (nl) Werkwijze voor de bereiding van 4-hydroxy-5- -alkyl- en 4-hydroxy-2,5-dialkyl-3-oxo-2h- -furanen.
NL164293C (nl) Werkwijze ter bereiding van een door stralen hardbaar materiaal.
NL7611858A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van inrichtingen met een amorfe bobbelfilm, en met deze werkwijze verkregen inrichtingen.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed