NL7601453A - Werkwijze voor de vervaardiging van een ladings- -gekoppelde halfgeleiderinrichting, en een op deze wijze verkregen halfgeleiderinrichting. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van een ladings- -gekoppelde halfgeleiderinrichting, en een op deze wijze verkregen halfgeleiderinrichting.

Info

Publication number
NL7601453A
NL7601453A NL7601453A NL7601453A NL7601453A NL 7601453 A NL7601453 A NL 7601453A NL 7601453 A NL7601453 A NL 7601453A NL 7601453 A NL7601453 A NL 7601453A NL 7601453 A NL7601453 A NL 7601453A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
guide device
semi
manufacture
load
way
Prior art date
Application number
NL7601453A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Ncr Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ncr Co filed Critical Ncr Co
Publication of NL7601453A publication Critical patent/NL7601453A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0198—Integrating together multiple components covered by H10D44/00, e.g. integrating charge coupled devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6302—Non-deposition formation processes
    • H10P14/6324—Formation by anodic treatments, e.g. anodic oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D44/00—Charge transfer devices
    • H10D44/01—Manufacture or treatment
    • H10D44/041—Manufacture or treatment having insulated gates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
    • H10D64/665—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes the conductor comprising a layer of elemental metal contacting the insulator, e.g. tungsten or molybdenum
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6938—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides
    • H10P14/6939—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal
    • H10P14/69391—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6938—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides
    • H10P14/6939—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal
    • H10P14/69392—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal the material containing hafnium, e.g. HfO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6938—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides
    • H10P14/6939—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal
    • H10P14/69393—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal the material containing tantalum, e.g. Ta2O5
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6938—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides
    • H10P14/6939—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal
    • H10P14/69394—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6938—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides
    • H10P14/6939—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal
    • H10P14/69395—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal the material containing zirconium, e.g. ZrO2
NL7601453A 1975-02-12 1976-02-12 Werkwijze voor de vervaardiging van een ladings- -gekoppelde halfgeleiderinrichting, en een op deze wijze verkregen halfgeleiderinrichting. NL7601453A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US54926775A 1975-02-12 1975-02-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7601453A true NL7601453A (nl) 1976-08-16

Family

ID=24192303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7601453A NL7601453A (nl) 1975-02-12 1976-02-12 Werkwijze voor de vervaardiging van een ladings- -gekoppelde halfgeleiderinrichting, en een op deze wijze verkregen halfgeleiderinrichting.

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS51107072A (https=)
DE (1) DE2605281A1 (https=)
FR (1) FR2301095A1 (https=)
GB (1) GB1475277A (https=)
IT (1) IT1054573B (https=)
NL (1) NL7601453A (https=)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5493990A (en) * 1978-01-06 1979-07-25 Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Semiconductor
JPS5612789A (en) * 1979-07-10 1981-02-07 Nec Corp Laser oscillator
US4625391A (en) * 1981-06-23 1986-12-02 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
IT1054573B (it) 1981-11-30
JPS51107072A (https=) 1976-09-22
FR2301095A1 (fr) 1976-09-10
GB1475277A (en) 1977-06-01
DE2605281A1 (de) 1976-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7510903A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7610068A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een vinylideen- fluoridepolymeerhars.
NL162669B (nl) Werkwijze voor de bereiding van een fluorpolymeer.
NL174608C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een zwenkspiegelinrichting en een zwenkspiegelinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7701739A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een polymeer.
NL7604632A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting en een halfgeleiderinrich- ting volgens deze werkwijze verkregen.
NL7609420A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half-geleiderinrichting.
NL7603592A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een vormmassa op basis van polybutyleentereftalaat.
NL7612695A (nl) Textiellaminaat, werkwijze en inrichting voor de vervaardiging daarvan.
NL7606206A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een trilin- richting, alsmede een trilinrichting.
NL7608358A (nl) Werkwijze voor de bereiding van aminopoly- amide-acryl-amide-glyoxalhars.
NL7602997A (nl) Polymeermengsel en werkwijze voor de bereiding ervan.
NL178260C (nl) Werkwijze voor de bereiding van fosfonitrilfluorelastomeren.
NL182476C (nl) Werkwijze voor de bereiding van een 4-halogeen-beta-pyron.
NL7602998A (nl) Polymeermengsel en werkwijze voor de bereiding ervan.
NL7614594A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en een halfgeleiderinrichting op deze wijze verkregen.
NL7611057A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7611928A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting.
NL186176C (nl) Werkwijze voor de bereiding van een organo-alfa,omega-alkyleentitanaat en mengsel daarvan.
NL167981B (nl) Werkwijze voor de bereiding van een harspreparaat, als- mede hieruit verkregen gevormd voortbrengsel.
NL7611088A (nl) N-acetylmuramyl-d-alanyl-d-isoglutamine en werk- wijze voor de bereiding en toepassing ervan.
NL7612069A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een commu- tator voor een electromotor, en onder toepassing van een dergelijke werkwijze vervaardigde com- mutator.
NL7712470A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een fluoresce- rend materiaal.
NL7605752A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van vezelhouden- de produkten, alsmede produkten verkregen volgens deze werkwijze.
NL7611929A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting alsmede aldus verkregen halfge- leiderinrichting.