NL7505698A - Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd volgens deze werkwijze.

Info

Publication number
NL7505698A
NL7505698A NL7505698A NL7505698A NL7505698A NL 7505698 A NL7505698 A NL 7505698A NL 7505698 A NL7505698 A NL 7505698A NL 7505698 A NL7505698 A NL 7505698A NL 7505698 A NL7505698 A NL 7505698A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
conductor device
manufacture
accordance
device manufactured
Prior art date
Application number
NL7505698A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of NL7505698A publication Critical patent/NL7505698A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/20—Interconnections within wafers or substrates, e.g. through-silicon vias [TSV]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/01—Manufacture or treatment
    • H10D64/013—Manufacture or treatment of electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator
    • H10D64/01302—Manufacture or treatment of electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H10D64/01304—Manufacture or treatment of electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
    • H10D64/01326—Aspects related to lithography, isolation or planarisation of the conductor
    • H10D64/0133—Aspects related to lithography, isolation or planarisation of the conductor at least part of the entire electrode being a sidewall spacer, being formed by transformation under a mask or being formed by plating at a sidewall
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/30—Diffusion for doping of conductive or resistive layers
    • H10P32/302—Doping polycrystalline silicon or amorphous silicon layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/66—Wet etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/663—Wet etching of conductive or resistive materials by chemical means only
    • H10P50/667—Wet etching of conductive or resistive materials by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
NL7505698A 1974-05-21 1975-05-15 Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd volgens deze werkwijze. NL7505698A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB2258374A GB1477511A (en) 1974-05-21 1974-05-21 Methods of manufacturing semiconductor devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7505698A true NL7505698A (nl) 1975-11-25

Family

ID=10181779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7505698A NL7505698A (nl) 1974-05-21 1975-05-15 Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd volgens deze werkwijze.

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS5617826B2 (OSRAM)
CA (1) CA1040749A (OSRAM)
DE (1) DE2522448A1 (OSRAM)
FR (1) FR2272486B1 (OSRAM)
GB (1) GB1477511A (OSRAM)
NL (1) NL7505698A (OSRAM)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4013489A (en) * 1976-02-10 1977-03-22 Intel Corporation Process for forming a low resistance interconnect in MOS N-channel silicon gate integrated circuit
JPS598855Y2 (ja) * 1978-09-01 1984-03-19 大阪電気株式会社 ワイヤ送給装置
JPS5546570A (en) * 1978-09-30 1980-04-01 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method of fabricating mos semiconductor device
US4298402A (en) * 1980-02-04 1981-11-03 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method of fabricating self-aligned lateral bipolar transistor utilizing special masking techniques
JPS6070401U (ja) * 1983-10-24 1985-05-18 株式会社月星製作所 車輪用スポ−ク
CN105824160B (zh) * 2015-01-08 2020-06-16 群创光电股份有限公司 显示面板

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5542501B2 (OSRAM) * 1974-01-29 1980-10-31

Also Published As

Publication number Publication date
GB1477511A (en) 1977-06-22
DE2522448A1 (de) 1975-12-04
JPS51282A (OSRAM) 1976-01-05
FR2272486A1 (OSRAM) 1975-12-19
FR2272486B1 (OSRAM) 1979-01-19
CA1040749A (en) 1978-10-17
JPS5617826B2 (OSRAM) 1981-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH528152A (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
NL7512514A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7602960A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting.
NL7507096A (nl) Cardanuskoppeling en wijze van vervaardigen.
NL7611773A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en halfgeleiderinrichting vervaar- digd door toepassing van een dergelijke werk- wijze.
NL7513483A (nl) Geintegreerde halfgeleiderinrichting.
NL7501244A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze ter ver- iging daarvan.
NL7510476A (nl) Van een deksel voorziene plastic houder.
NL7505668A (nl) Meervoudige v-riem en werkwijze tot vervaardi- ging daarvan.
NL7513311A (nl) Geintegreerde programmeerbare logicainrichting.
NL7504461A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een lens en lens vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL162246B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderweerstand en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
NL7511393A (nl) Warmte-herstelbare inrichting.
AT321994B (de) Reaktor und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung in diesem reaktor
SE7505738L (sv) Bikarboneringsforfarande samt anordning for utforande av forfarandet.
SE7501999L (sv) Diffusionsanordning.
NL7608901A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd door middel van een dergelijke werkwijze.
NL7412671A (nl) Kunststoflens en werkwijze ter vervaardiging an.
NL7506030A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een fluores- centieweergeefinrichting en inrichting vervaar- digd volgens deze werkwijze.
NL7507540A (nl) Halfgeleiderinrichting met veldeffect.
CH538749A (de) Vorrichtung für die Halterung von flachen Gegenständen
NL7503632A (nl) Fenolesters en fenolamiden.
NL7416779A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolai- re transistor en bipolaire transistor vervaardigd volgens deze werkwijze.
TR19318A (tr) 4-metiltio-2-triflorometilmetansulfonanilid ve tuerevleri
NL155984B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting voorzien van een metallisatiepatroon en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed