NL2030087B1 - Method and device for temperature-controlled bonding of substrates with electromagnetic irradiation - Google Patents
Method and device for temperature-controlled bonding of substrates with electromagnetic irradiation Download PDFInfo
- Publication number
- NL2030087B1 NL2030087B1 NL2030087A NL2030087A NL2030087B1 NL 2030087 B1 NL2030087 B1 NL 2030087B1 NL 2030087 A NL2030087 A NL 2030087A NL 2030087 A NL2030087 A NL 2030087A NL 2030087 B1 NL2030087 B1 NL 2030087B1
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- substrates
- substrate
- temperature
- adhesive layer
- temperature control
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Claims (16)
1. Werkwijze voor het hechten van twee substraten (12, 14) welke omvat: het verschaffen van een eerste substraat (12), een tweede substraat (14) dat is uitgelijnd met het eerste substraat (12) en een klevende laag (20) die is opgesteld tussen het eerste (12) en het tweede substraat (14), waarbij ten minste een van de substraten (12) transparant is voor elektromagnetische straling die elektromagnetische golven omvat met een golflengte waarbij de klevende laag (20) kan uitharden; het bestralen van de elektromagnetische straling door het transparante substraat (12), waardoor de klevende laag (20) ten minste gedeeltelijk uithardt; het door middel van een temperatuurregeleenheid (24) regelen van de temperatuur van ten minste een van de substraten (12, 14) zodanig dat het eerste en tweede substraat (12, 14) ten minste gedeeltelijk aan elkaar hechten bij genoemde temperatuur.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het transparante substraat (12) zich bevindt op een transparante kop (26) en waarbij de elektromagnetische bestraling wordt bestraald via de transparante kop (26).
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of conclusie 2, waarbij het eerste of tweede substraat (12, 14) zich bevindt op een kop (26), waarbij de temperatuurregeleenheid (24) de temperatuur van de kop (26) regelt.
4. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het eerste of tweede substraat (12, 14) zich bevindt op ten minste een steun (34) zodanig dat beide substraten (12, 14) worden blootgesteld aan een gas, waarbij de temperatuurregeleenheid (24) de temperatuur en/of stroomsnelheid van het gas regelt.
5. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de temperatuur van ten minste een van de substraten (12, 14) en/of de klevende laag (20) wordt verhoogd door het aansturen van een temperatuurregelmiddel (30), in het bijzonder een Peltierelement en/of een elektrisch verwarmingselement, via de temperatuurregeleenheid (24).
6. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de stappen van het bestralen van de elektromagnetische golven en het regelen van de temperatuur van ten minste een van de substraten (12, 14) tegelijkertijd en/of in een en dezelfde uithardingskamer (16) worden uitgevoerd.
7. Inrichting voor het hechten van twee substraten (12, 14), omvattende: een uithardingskamer (16) met een substraatruimte (18) voor het ontvangen van een eerste substraat (12), een tweede substraat (14) dat is uitgelijnd met het eerste substraat (12) en een klevende laag (20) die is opgesteld tussen het eerste en het tweede substraat (12, 14), waarbij ten minste een van de substraten (12) transparant is voor elektromagnetische bestraling die golven omvat met een golflengte waarbij de klevende laag (20) kan uitharden; een elektromagnetische bestralingsbron (22) die zodanig is opgesteld dat de uitgezonden elektromagnetische straling via het transparante substraat (12) kan passeren op de klevende laag (20); en een temperatuurregeleenheid (24) die is ingericht om de temperatuur van ten minste een van de substraten (12, 14) zodanig te regelen, dat het eerste en tweede substraat (12, 14) tenminste gedeeltelijk aan elkaar hechten bij genoemde temperatuur.
8. Inrichting volgens conclusie 7, omvattende een kop (26) voor het vasthouden van het eerste of tweede substraat (12, 14).
9. Inrichting volgens conclusie 8, waarbij de kop (26) transparant is voor de elektromagnetische bestraling.
10. Inrichting volgens conclusie 8 of 9, waarbij de kop (26) een temperatuurregelmiddel (30) omvat, in het bijzonder een Peltierelement en/of een elektrisch verwarmings- of koelelement en/of met vloeistof gevulde kanalen, waarbij de temperatuur van de kop (26) regelbaar is door de temperatuurregeleenheid (24) via het temperatuurregelmiddel (30).
11. Inrichting volgens conclusie 7, omvattende ten minste een steun (34) voor het zodanig dragen van het eerste of tweede substraat (12, 14), dat beide substraten (12, 14) worden blootgesteld aan een gas waarvan de temperatuur wordt geregeld door de temperatuurregeleenheid (24).
12. Inrichting volgens een of meer van de conclusies 7 tot en met 11, waarbij de elektromagnetische bestralingsbron (22) zich buiten de uithardingskamer (18) bevindt.
13. Inrichting volgens een of meer van de conclusies 7 tot en met 11, waarbij de elektromagnetische bestralingsbron (22) zich in de uithardingskamer (16) bevindt.
14. Inrichting volgens een of meer van de conclusies 7 tot en met 13, waarbij de elektromagnetische bestralingsbron (22) een reeks licht uitzendende diodes omvat.
15. Inrichting volgens een of meer van de conclusies 7 tot en met 14, omvattende een bundelvormingsmiddel (32) dat zich tussen de elektromagnetische stralingsbron (22) en het transparante substraat (12) bevindt.
16. Inrichting volgens een of meer van de conclusies 7 tot en met 15, waarbij de inrichting is ingericht om de elektromagnetische golven te bestralen en om de temperatuur van ten minste een van de substraten (12, 14) tegelijkertijd en/of in een en dezelfde uithardingskamer (16) te regelen.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2030087A NL2030087B1 (en) | 2021-12-09 | 2021-12-09 | Method and device for temperature-controlled bonding of substrates with electromagnetic irradiation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2030087A NL2030087B1 (en) | 2021-12-09 | 2021-12-09 | Method and device for temperature-controlled bonding of substrates with electromagnetic irradiation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL2030087B1 true NL2030087B1 (en) | 2023-06-26 |
Family
ID=87103468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL2030087A NL2030087B1 (en) | 2021-12-09 | 2021-12-09 | Method and device for temperature-controlled bonding of substrates with electromagnetic irradiation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL2030087B1 (nl) |
-
2021
- 2021-12-09 NL NL2030087A patent/NL2030087B1/en active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5754965B2 (ja) | インプリント装置、および、物品の製造方法 | |
| US7144471B2 (en) | Bonding method and apparatus | |
| KR101271287B1 (ko) | 사전 및 포스트 스파이크 온도 제어에 의한 기판의 열처리 | |
| KR101937360B1 (ko) | 레이저 리플로우 장치 | |
| US20030196993A1 (en) | Thermal flux deposition by scanning | |
| JP5611212B2 (ja) | 基板のアニールにおける熱量の管理 | |
| US8405175B2 (en) | Suitably short wavelength light for laser annealing of silicon in DSA type systems | |
| KR20030004324A (ko) | 매우 신속한 열 처리 챔버 및 사용 방법 | |
| KR101943181B1 (ko) | 기판 온도 조절 장치 및 기판 처리 장치 | |
| KR20190008822A (ko) | 레이저 리플로우 장치 | |
| KR20170095997A (ko) | 웨이퍼 프로세싱을 위한 동적 가열 방법 및 시스템 | |
| US8748850B2 (en) | Energy application device and energy application method | |
| NL2030087B1 (en) | Method and device for temperature-controlled bonding of substrates with electromagnetic irradiation | |
| US20130119030A1 (en) | Method and apparatus for heat treating the wafer-shaped base material of a solar cell, in particular a crystalline or polycrystalline silicon solar cell | |
| US10261420B2 (en) | UV mask device and method for using the same | |
| KR102147379B1 (ko) | Vcsel을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법 | |
| CN102456603A (zh) | 半导体器件制造方法和制造装置 | |
| NL2030086B1 (en) | Method and device for bonding of substrates with electromagnetic irradiation | |
| US10591823B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| WO2018190273A1 (ja) | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 | |
| KR0151074B1 (ko) | 자외선 조사장치 | |
| KR101016979B1 (ko) | 두 개의 플레이트 형태 물체의 본딩 방법 및 장치 | |
| US8431063B2 (en) | Heat treatment for a panel and apparatus for carrying out the heat treatment method | |
| KR20240023756A (ko) | 웨이퍼 가압경화장치 및 웨이퍼 가압경화방법 | |
| KR102643109B1 (ko) | 자외선 경화 장치, 밴딩보호층 형성 시스템 및 자외선 경화 방법 |