NL2014818A - Method for producing solar cells with a p-doped CdTe layer with reduced thickness. - Google Patents
Method for producing solar cells with a p-doped CdTe layer with reduced thickness. Download PDFInfo
- Publication number
- NL2014818A NL2014818A NL2014818A NL2014818A NL2014818A NL 2014818 A NL2014818 A NL 2014818A NL 2014818 A NL2014818 A NL 2014818A NL 2014818 A NL2014818 A NL 2014818A NL 2014818 A NL2014818 A NL 2014818A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- cdte
- doping
- applying
- cdte layer
- Prior art date
Links
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 title claims abstract 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 claims 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 127
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Substances OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000013056 hazardous product Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Claims (16)
1. Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel, omvattende de stappen van: a) aanbrengen van een eerste CdTe laag op een basislaag, waarin de CdTe laag korrels heeft van een eerste grootte, b) aanbrengen van een offer doping laag omvattende een doping element op de eerste CdTe laag, en c) aanbrengen van een tweede CdTe laag op de offer doping laag, waarin de tweede CdTe laag korrels heeft van een tweede grootte, waarbij de tweede grootte kleiner is dan de eerste grootte.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, gekenmerkt doordat de offer doping laag één omvat van de groep omvattende koper, fosfor, antimoon, bismut, molybdeen of mangaan als het doping element.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, gekenmerkt doordat het doping element wordt aangeboden als een laag die alleen één element bevat.
4. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, gekenmerkt doordat het doping element wordt aangebracht in een combinatie van verschillende doping elementen of in een compositie.
5. Werkwijze volgens conclusie 4, gekenmerkt doordat de compositie een halogeen omvat.
6. Werkwijze volgens een der voorafgaande conclusies, gekenmerkt doordat de offer doping laag wordt aangebracht met een sputter proces of met een proces dat een vloeibare oplossing gebruikt welke het doping element omvat.
7. Werkwijze volgens een der voorafgaande conclusies, gekenmerkt doordat de offer doping laag wordt aangebracht met een dikte in een bereik van 2nm tot 15nm.
8. Werkwijze volgens een der voorafgaande conclusies, gekenmerkt doordat de offer doping laag wordt aangebracht op een substraattemperatuur in een bereik van kamertemperatuur tot 350°C.
9. Werkwijze volgens een der voorafgaande conclusies, gekenmerkt doordat de eerste CdTe laag wordt gedeponeerd op een substraattemperatuur in het bereik van 490°C tot 540°C met een dikte in het bereik van 0.5 pm tot 6pm.
10. Werkwijze volgens conclusie 9, met het kenmerk dat de eerste CdTe laag gedeponeerd wordt met een dikte in bereik van lpm tot 1.8pm.
11. Werkwijze volgens een der voorafgaande conclusies, gekenmerkt doordat de tweede CdTe laag op een substraat temperatuur in het bereik van 200°C tot 350°C wordt gedeponeerd met een dikte van 20% tot 40% van de totale laag dikte van een CdTe laag die bestaat uit de eerste CdTe laag en de tweede CdTe laag.
12. Werkwijze volgens een der voorafgaande conclusies, gekenmerkt doordat de werkwijze verder een temperatuur behandelingsstap omvat die na genoemde stap c) wordt uitgevoerd op een temperatuur in het bereik van 300°C tot 550°C.
13. Werkwijze volgens conclusie 12, gekenmerkt doordat de temperatuur behandelingsstap uitgevoerd wordt op een temperatuur in het bereik van 300°C tot 450°C.
14. Werkwijze volgens conclusie 12 of 13, gekenmerkt doordat gedurende de temperatuurbehandelingsstap een materiaal dat een halogeen omvat wordt aangebracht op het oppervlak van de tweede CdTe laag.
15. Werkwijze volgens een der voorafgaande conclusies, gekenmerkt doordat de werkwijze verder de stappen bevat van: d) het beschikbaar maken van een transparant substraat, e) aanbrengen van een transparante voor-contact laag, f) aanbrengen van een CdS laag, en g) aanbrengen van een achter-contact laag, waarin de stappen d), e) en f) in deze volgorde worden uitgevoerd vóór het uitvoeren van de stappen a), b) en c) en waarin de stap g) wordt uitgevoerd na het uitvoeren van de stappen a), b) en c) en waarin de laagstapel van transparante substraat, de transparante voor-contact laag en de CdS laag de basis laag vormt.
16. Werkwijze volgens een der voorafgaande conclusies, gekarakteriseerd doordat de werkwijze verder de stappen omvat van: h) beschikbaar maken van een substraat, i) aanbrengen van een achter-contact laag, j) aanbrengen van een CdS laag, en k) aanbrengen van een transparante voor-contact laag, waarin de stappen h) en i) in deze volgorde worden uitgevoerd vóór het uitvoeren van de stappen a), b) en c) en de stappen j) en k) worden uitgevoerd na het uitvoeren van de stappen a), b) en c) en waarin de laagstapel van substraat omvat en het achter-contact de basis laag vormt.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2014818A NL2014818B1 (en) | 2015-05-18 | 2015-05-18 | Method for producing solar cells with a p-doped CdTe layer with reduced thickness. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2014818A NL2014818B1 (en) | 2015-05-18 | 2015-05-18 | Method for producing solar cells with a p-doped CdTe layer with reduced thickness. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL2014818A true NL2014818A (en) | 2016-11-28 |
| NL2014818B1 NL2014818B1 (en) | 2017-01-31 |
Family
ID=57838575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL2014818A NL2014818B1 (en) | 2015-05-18 | 2015-05-18 | Method for producing solar cells with a p-doped CdTe layer with reduced thickness. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL2014818B1 (nl) |
-
2015
- 2015-05-18 NL NL2014818A patent/NL2014818B1/en active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL2014818B1 (en) | 2017-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sutter-Fella et al. | Sodium assisted sintering of chalcogenides and its application to solution processed Cu2ZnSn (S, Se) 4 thin film solar cells | |
| CN102237445B (zh) | 形成碲化镉光伏电池的背接触电极的方法 | |
| CN102386274B (zh) | 在薄膜光伏器件中形成作为背接触的各向异性传导层的方法 | |
| US20160035927A1 (en) | Tandem Kesterite-Perovskite Photovoltaic Device | |
| US9899560B2 (en) | Method of manufacturing thin-film solar cells with a p-type CdTe layer | |
| CN105164813B (zh) | 用于光伏电池或模块的背接触式基板 | |
| CN104813482B (zh) | 用于cigs光伏器件的钼基材 | |
| CN101816073B (zh) | Cdte/cds薄膜太阳能电池中的非整流后接触的形成方法 | |
| CN103946987B (zh) | 制造光伏装置的方法 | |
| US9117956B2 (en) | Method of controlling the amount of Cu doping when forming a back contact of a photovoltaic cell | |
| CN102412316B (zh) | 薄膜光伏器件中作为背接触的各向异性传导层 | |
| CN104851938B (zh) | 制造具有厚度降低的p-掺杂CdTe层的太阳能电池的方法 | |
| JPWO2011136249A1 (ja) | 光電変換素子および光電変換装置ならびに光電変換素子の製造方法 | |
| NL2014818B1 (en) | Method for producing solar cells with a p-doped CdTe layer with reduced thickness. | |
| JP2014503129A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| EP3039727B1 (en) | Methods for producing thin-film solar cells | |
| TR2025002092T2 (tr) | Bakir i̇çermeyen cdte bazli i̇nce fi̇lm güneş pi̇li̇ ci̇hazi üreti̇mi̇ne yöneli̇k yöntem | |
| US9269850B2 (en) | Method and apparatus for forming copper(Cu) or antimony(Sb) doped zinc telluride and cadmium zinc telluride layers in a photovoltaic device | |
| US9640678B2 (en) | Method for producing the rear contact layer for CdTe thin-film solar cells | |
| KR20130064656A (ko) | 태양전지의 제조방법 | |
| KR20140035017A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| WO2012115267A1 (ja) | 光電変換素子および光電変換装置 | |
| TW201248866A (en) | Improving method of molybdenum electrode exfoliation for thin film solar cell | |
| KR20120086202A (ko) | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 | |
| KR20130053747A (ko) | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |