NL2000656C2 - Werkwijze en systeem voor het splitsen van een patroonlayout. - Google Patents

Werkwijze en systeem voor het splitsen van een patroonlayout. Download PDF

Info

Publication number
NL2000656C2
NL2000656C2 NL2000656A NL2000656A NL2000656C2 NL 2000656 C2 NL2000656 C2 NL 2000656C2 NL 2000656 A NL2000656 A NL 2000656A NL 2000656 A NL2000656 A NL 2000656A NL 2000656 C2 NL2000656 C2 NL 2000656C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
color
features
layout
mask
line
Prior art date
Application number
NL2000656A
Other languages
English (en)
Other versions
NL2000656A1 (nl
Inventor
Tsai-Sheng Gau
Burn-Jeng Lin
Jaw-Jung Shin
King-Chang Shu
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Mfg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Mfg filed Critical Taiwan Semiconductor Mfg
Publication of NL2000656A1 publication Critical patent/NL2000656A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL2000656C2 publication Critical patent/NL2000656C2/nl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

Werkwijze en systeem voor het splitsen van een patroonlayout ACHTERGROND
De onderhavige uiteenzetting heeft algemeen betrekking op 5 het vervaardigen van halfgeleider inrichtingen, en meer in het bijzonder op een fotolithografieproces voor de fabricage van halfgeleiders.
Fotolithografie wordt vaak gebruikt voor het vormen van componenten van geïntegreerde schakelingen. Algemeen omvat 10 een belichtingswerktuig een fotomasker of fotogevoelige plaat (retikel) waardoor lichtbundels lopen en gefocusseerd worden door een projectielens op een plak, waardoor een beeld ontstaat van de geïntegreerde schakelingen in een fotoresistlaag (fotogevoelige laag) van de plak.
15 De dichtheid van inrichtingen die op een chip geplaatst kunnen worden blijft toenemen en bijgevolg is het printen van inrichtingsdetailpatronen met uiterst kleine tussenruimtes vereist. Er is echter een minimale tussenafstand (pitch) printresolutiegrens die bepaald wordt door de golflengte van 20 de lichtbundel en de numerieke apertuur van het belichtingswerktuig. De tussenafstand is de afstand van één inrichtings-detail tot het volgende aangrenzend inrichtingsdetail. Indien de tussenafstand te klein wordt, kan het geprojecteerde beeld verstoord zijn door zogenaamde "nabijheidseffecten" (proximi-25 ty effects) die verband houden met de diffractie van licht.
Er is dus behoefte aan een verbeterde en kosten efficiënte werkwijze om te voldoen aan de minimale tussenafstands-vereisten van huidige fotolithografiewerktuigen.
30 KORTE BESCHRIJVING VAN DE TEKENINGEN
Aspecten van de onderhavige uiteenzetting worden het best begrepen uit de volgende gedetailleerde beschrijving wanneer deze gelezen wordt samen met de figuren in bijlage. Er wordt 2000656 2 benadrukt dat in overeenstemming met de standaard praktijk in de industrie de verschillende kenmerken niet op schaal getekend zijn. Eigenlijk kunnen de afmetingen van de verschillende kenmerken op willekeurige wijze vergroot of verkleind zijn 5 om de bespreking ervan te verduidelijken.
Figuur 1 is een stroomschema van een werkwijze voor het splitsen van een patroonlayout volgens een eerste uitvoerins-vorm van de onderhavige uitvinding.
Figuur 2 is een voorbeeld van een patroonlayout die ge-10 splitst is in twee afzonderlijke layouts volgens een minimale tussenafstand voor aangrenzende lijnen.
Figuur 3 is een voorbeeld van een patroonlayout die gesplitst is in twee afzonderlijke layouts volgens een minimale afstand tussen twee lijnuiteinden.
15 Figuur 4 is een voorbeeld van een patroonlayout die ge splitst is in twee afzonderlijke layouts volgens de minimale tussenafstand van figuur 2 en de minimale afstand van figuur 3.
Figuren 5a-5b zijn aanzichten van een patroonlayout met 20 een kleurconfliet welke een ontbindingsproces ondergaan.
Figuren 6a-6d zijn aanzichten van een patroonlayout die gedeeltelijk onderhevig is aan de patroonsplitsingswerkwijze van figuur 1.
Figuur 7 is een stroomschema van een maskerpatroon veref-25 feningsstap voor de werkwijze van figuur 1.
Figuur 8 is een voorbeeld van een netwerklayout die gebruikt wordt in de maskerpatroon vereffeningsstap van figuur 7.
Figuur 9 is een voorbeeld van maskers die gegenereerd 30 worden uit een patroonlayout die gesplitst werd met en zonder de maskerpatroon vereffeningsstap van figuur 7.
3
Figuur 10 is een systeem voor het genereren van een meervoudig masker waarin de werkwijze van figuur 1 geïmplementeerd is.
5 GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING
Men zal begrijpen dat de volgende uiteenzetting vele verschillende uitvoeringsvormen of voorbeelden verschaft voor het implementeren van de verschillende kenmerken van de uitvinding. Specifieke voorbeelden van componenten en inrich-10 tingen worden hieronder beschreven om de onderhavige uiteenzetting te vereenvoudigen. Uiteraard zijn deze enkel voorbeelden en niet bedoeld om beperkend te zijn. Bovendien kan de onderhavige uiteenzetting verwijzingscijfers en/of -letters in de verschillende voorbeelden herhalen. Deze herha-15 ling is bedoeld voor eenvoud en duidelijkheid en legt op zichzelf geen verband vast tussen de verschillende uitvoeringsvormen en/of configuraties die worden besproken. Bovendien kan het vormen van een eerste kenmerk over of op een tweede kenmerk in de beschrijving die volgt uitvoeringsvormen 20 omvatten waarin het eerste en tweede kenmerk in rechtstreeks contact gevormd zijn, en eveneens uitvoeringsvormen omvatten waarin bijkomende kenmerken gevormd kunnen zijn tussen de eerste en tweede kenmerken, zodanig dat de eerste en tweede kenmerken geen rechtstreeks contact maken met elkaar.
25 Nu verwijzend naar figuur 1 is een werkwijze 100 getoond voor het splitsen van een patroonlayout (waarnaar ook verwezen wordt onder de term designlayout) in twee afzonderlijke layouts. De werkwijze 100 begint met stap 110 waarin een patroonlayout voor een geïntegreerde schakeling wordt ver-30 schaft. De patroonlayout kan voorzien worden in een CAD (computer aided design) formaat zoals GDS formaat. De patroonlayout definieert de layout van inrichtingen, metaallijnen, doorvoerverbindingen (via connections), sleuven (trenches) en 4 andere speciale circuitontwerpen van de geïntegreerde schakeling. De geïntegreerde schakeling wordt typisch vervaardigd gebruikmakend van meervoudige patroonlayouts die de lagen van de geïntegreerde schakeling definiëren. In de onderhavige 5 uitvoering wordt een enkelvoudige patroonlayout geopenbaard omwille van eenvoud en duidelijkheid. Men zal echter begrijpen dat de hier geopenbaarde werkwijze bedoeld is om geïmplementeerd te worden met alle patroonlayouts van de geïntegreerde schakeling. De patroonlayout kan kenmerken (features) 10 (of patronen) zoals polygatelijnen, metaallijnen, contacten, sleuven, of andere schakelingsontwerpkenmerken die bekend zijn in het vakgebied, omvatten. Deze kenmerken (features) kunnen gevormd zijn als lijnen, lijnuiteinden, contactgaten, hoekvormen, T-vormen, of andere geschikte veelhoeken.
15 De werkwijze 100 vervolgt met stap 120 waarin een designregelcontrole (design rule check, DRC) uitgevoerd wordt op de patroonlayout om te bepalen of de patroonlayout voldoet aan een stel designregels. Dit wordt gedaan om te waarborgen dat de patroonlayout leidt tot een goed productierendement 20 en/of een betrouwbare productwerking. De designregels speci-fiëren parameters zoals de lijnbreedte, de afstand tussen lijnen, de contactafmetingen, de doorvoerdiameter, en de afstand tussen aangrenzende kenmerken die gedefinieerd zijn op een masker. De onderhavige uitvoeringsvorm houdt verband 25 met de designregel die de afstand tussen aangrenzende kenmerken (waarnaar ook verwezen wordt met de term tussenafstand (pitch)) welke gedefinieerd is op het masker, specifieert. De kenmerken die gedefinieerd zijn op het masker stellen de patroonlayout voor en het masker wordt gebruikt om een beeld 30 van de patroonlayout te printen in een fotoresistlaag van een plak tijdens fotolithografie. Er kan echter een minimale tussenafstand printresolutie zijn voor het fotolithografie-systeem zoals hieronder in detail wordt besproken.
5
De resolutie in fotolithografie kan gedefinieerd zijn als het vermogen om paren van dicht bij elkaar gelegen kenmerken of patronen op een plak, bijvoorbeeld gelijke lijnen en ruimtes discreet te onderscheiden. Resolutie is een kritische 5 parameter omwille van de behoefte om uiterst kleine kenmerken te printen samen met een hoge opslagdichtheid voor deze kenmerken in geavanceerde 1C halfgeleidersfabricage. De resolutie van een optisch systeem kan uitgedrukt worden als R = kX/NA, waarbij k de procesfactor van het optisch systeem 10 is, λ de golflengte van de lichtbron is en NA de numerieke apertuur van de projectielens is. Als een voorbeeld kan k liggen tussen 0,3 en ongeveer 0,8, kan λ liggen tussen 150 tot ongeveer 400 nm, en kan NA liggen tussen 0,6 en ongeveer 1,5. Men zal begrijpen dat de hier verschafte waarden slechts 15 voorbeelden zijn en dat andere waarden en/of een combinatie van waarden gebruikt kan worden al naargelang het type optisch systeem en het type halfgeleider toepassing.
Uit de vergelijking hierboven kan de resolutie van het kleinste printbaar kenmerk voorspeld worden voor elk bepaald 20 optisch systeem. Dus voor een bepaald optisch systeem is er een minimale tussenafstand of minimale afstand tussen aangrenzende kenmerken waaraan moet worden voldaan om distorsie te vermijden wanneer kenmerken van de patroonlayout worden afgedrukt. De minimale tussenafstand bevat een minimale tus-25 senafstand van een ruimte/lijn voor naast elkaar gelegen lijnen, een minimale tussen een eerste lijnuiteinde en een tweede lijnuiteinde (of lijnuiteinden), en een minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen contacten. Als voorbeeld kan een polysiliciumgate (of polygate) laag met een lijn-30 breedte van 90 nm een minimale tussenafstand van 290 nm hebben voor naast elkaar gelegen lijnen en een minimale afstand van 170 nm tussen lijnuiteinden. Dienovereenkomstig kunnen naast elkaar gelegen lijnen met een tussenafstand die kleiner 6 is dan 290 nm of lijnuiteinden op een afstand van elkaar die kleiner is dan 170 nm verstoord zijn wanneer deze gedrukt worden in een fotoresistlaag op de plak. Men zal begrijpen dat het gebruik van een polygatelaag slechts een voorbeeld is 5 en dat andere kenmerken of patronen zoals metaallijnpatronen, sleufpatronen, contactgatpatronen en andere circuitontwerppa-tronen gebruikt kunnen worden.
De werkwijze 100 vervolgt met stap 130 waarin de patronen of kenmerken die een splitsing vereisen geselecteerd worden. 10 Dit zijn de kenmerken van de patroonlayout die niet voldoen aan de designregels die de minimale tussenafstand of afstand voor het bepaald optisch systeem specifiëren. Bovendien kunnen alle andere kenmerken die geen splitsing vereisen een maskerpatroonvereffening ondergaan in stap 135 welke verder 15 in detail zal worden beschreven. Met verwijzing naar figuur 2 wordt een voorbeeld van een patroonlayout 200 geïllustreerd die in twee afzonderlijke layouts 210, 220 gesplitst wordt in overeenstemming met een minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen. Als voorbeeld kan de designregel voor 20 een polysiliciumgatelaag zoals hierboven besproken geïmplementeerd zijn op de patroonlayout 200. Een designregel voor een minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen kan 290 nm zijn. De patroonlayout 200 omvat kenmerken van parallelle polygatelijnen die gevormd zijn als hoeklijnen 25 231, 232, 233, 234 (slechts vier kenmerken zijn in dit voor beeld genummerd). De eerste hoeklijn 231 kan geëvalueerd worden met kenmerken die ernaast liggen waarbij het enige kenmerk de tweede hoeklijn 232 is. De eerste hoeklijn 231 en de tweede hoeklijn 232 worden gecontroleerd en er wordt be-30 paald dat de tussenafstand 240 nm is. Aangezien deze tussenafstand kleiner is dan de minimale tussenafstand van 290 nm voor naast elkaar gelegen lijnen, worden de eerste hoeklijn 231 en de tweede hoeklijn 232 geselecteerd om in twee ge- 7 scheiden layouts te worden gesplitst. Dienovereenkomstig wordt de eerste hoeklijn 231 toegevoegd aan de eerste layout 210 en de tweede hoeklijn 232 toegevoegd aan de tweede layout 220.
5 Vervolgens kan de tweede hoeklijn 232 geëvalueerd worden met kenmerken die ernaast liggen, welke kenmerken de eerste hoeklijn 231 en de derde hoeklijn 233 zijn. De tweede hoeklijn 232 werd reeds geëvalueerd voor de eerste hoeklijn 231 zoals hierboven werd besproken. Dienovereenkomstig worden de 10 tweede hoeklijn 232 en de derde hoeklijn 233 gecontroleerd en wordt bepaald dat de tussenafstand 240 nm is. Aangezien deze tussenafstand kleiner is dan de minimale tussenafstand van 290 nm voor naast elkaar gelegen lijnen, worden de tweede hoeklijn 232 en de derde hoeklijn 233 geselecteerd om in twee 15 afzonderlijke layouts gesplitst te worden. Aangezien de tweede hoeklijn 232 reeds werd toegevoegd aan de tweede layout 220 tijdens de vorige splitsing, wordt de derde hoeklijn 233 toegevoegd aan de eerste layout 210 zoals getoond.
Vervolgens kan de derde hoeklijn 233 geëvalueerd worden 20 met kenmerken die ernaast liggen, welke kenmerken de tweede hoeklijn 232 en de vierde hoeklijn 234 zijn. De derde hoeklijn 233 werd reeds geëvalueerd met de tweede hoeklijn 232 zoals hierboven besproken. Dienovereenkomstig worden de derde hoeklijn 233 en de vierde hoeklijn 234 gecontroleerd en wordt 25 bepaald dat de tussenafstand 240 nm is. Aangezien deze tussenafstand opnieuw kleiner is dan de minimale tussenafstand van 290 nm, worden de derde hoeklijn 233 en de vierde hoeklijn 234 geselecteerd om gesplitst te worden in twee afzonderlijke layouts. Aangezien de derde hoeklijn 233 reeds werd 30 toegevoegd aan de eerste layout 210 in de voorgaande splitsing, wordt de vierde hoeklijn 234 toegevoegd aan de tweede layout 220 zoals getoond.
8
Deze procedure wordt uitgevoerd op alle kenmerken van de patroonlayout 200 en resulteert in twee afzonderlijke layouts 210, 220 die gegenereerd worden zoals getoond. De eerste layout 210 omvat evenwijdige hoeklijnen 231, 233 die een 5 tussenafstand van 480 nm hebben en de tweede layout 220 omvat evenwijdige hoeklijnen 232, 234 die eveneens een tussenafstand van 480 nm hebben. Wanneer de eerste layout 210 gecombineerd wordt met de tweede layout 220, dan is deze equivalent aan de oorspronkelijke patroonlayout 200. Aangezien 10 beide layouts 210, 220 voldoen aan de minimale tussenafstand-regel voor naast elkaar gelegen lijnen in dit voorbeeld, zullen deze kenmerken wanneer deze gedrukt worden in een fotoresistlaag van een plak niet verstoord zijn.
Nu ook verwijzend naar figuur 3 wordt een voorbeeld ge-15 illustreerd van een patroonlayout 300 die gesplitst is in twee layouts 310, 320 volgens een minimale afstand tussen lijnuiteinden. Als voorbeeld kan een designregel voor een polysilicium gatelaag zoals voorheen besproken geïmplementeerd zijn op de patroonlayout 300. De designregel voor een 20 minimale afstand tussen lijnuiteinden is 170 nm. De patroonlayout 300 omvat kenmerken van polygatelijnen die gevormd zijn als lijnen die lopen van uiteinde tot uiteinde 331, 332, 333, 334 (slechts vier kenmerken zijn genummerd in dit voorbeeld) . In dit voorbeeld wordt aangenomen dat voldaan is aan 25 de minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen maar dat niet voldaan is aan de minimale afstand tussen lijnuiteinden. De eerste lijn 331 en de tweede lijn 332 worden gecontroleerd en er wordt bepaald dat de afstand 340 tussen het eerste lijnuiteinde en het tweede lijnuiteinde 100 nm is. 30 Aangezien deze afstand kleiner is dan de minimale afstand van 170 nm, worden de eerste lijn 331 en de tweede lijn 332 geselecteerd om in twee afzonderlijke layouts gesplitst te worden. De eerste lijn 331 wordt toegevoegd aan de eerste layout 9 310 en de tweede lijn 332 wordt toegevoegd aan de tweede layout 320, zoals getoond.
Vervolgens worden de derde lijn 333 en de vierde lijn 334 gecontroleerd en wordt bepaald dat de afstand 341 tussen het 5 derde lijnuiteinde en het vierde lijnuiteinde 100 ntn is. Aangezien deze afstand opnieuw kleiner is dan de minimale afstand van 170 nm, worden de derde lijn 333 en de vierde lijn 334 geselecteerd om in gescheiden layouts te worden gesplitst. De derde lijn 333 wordt toegevoegd aan de eerste 10 layout 310 en de vierde lijn 334 wordt toegevoegd aan de tweede layout 320, zoals getoond. Volgens een alternatief kan de derde lijn 333 optioneel toegevoegd worden aan de tweede layout 320 en de vierde lijn 334 aan de eerste layout 310 (niet getoond).
15 Deze procedure wordt uitgevoerd op alle kenmerken van de patroonlayout 300 en resulteert erin dat twee gescheiden layouts 310, 320 gegenereerd worden zoals getoond. De eerste layout 310 omvat nu lijnen 331, 333 en de tweede layout 320 omvat nu lijnen 332, 334 welke layouts beide geen afstanden 20 hebben tussen lijnuiteinden die kleiner zijn dan de minimale afstand van 170 nm. In dit voorbeeld zijn er eigenlijk niet langer afstanden tussen lijnuiteinden in beide layouts 310 en 320. Wanneer de eerste layout 310 gecombineerd wordt met de tweede layout 320 dan is de combinatie equivalent aan de 25 oorspronkelijke patroonlayout 300. Aangezien beide layouts 310, 320 voldoen aan de minimale afstand voor lijnuiteinden in dit voorbeeld, zullen deze kenmerken of patronen wanneer deze op een fotogevoelige laag van een plak gedrukt worden, niet verstoord zijn.
30 Nu eveneens met verwijzing naar figuur 4 is een voorbeeld geïllustreerd van een patroonlayout 400 die gesplitst is in twee layouts 410, 420 volgens een minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen en een minimale afstand voor 10 lijnuiteinden. Als voorbeeld kunnen designregels voor een polygatelaag zoals voorheen besproken, geïmplementeerd zijn op de patroonlayout 400. De designregel voor een minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen is 290 nm en 5 de designregel voor een minimale afstand tussen lijnuiteinden is 170 nm. De patroonlayout 400 omvat kenmerken van polygate-lijnen die gevormd zijn als evenwijdige lijnen die van één uiteinde naar een ander uiteinde lopen 431, 432, 433, 434, 435, 436 (slechts 6 kenmerken zijn genummerd in dit voor-10 beeld). De eerste lijn 431 kan geëvalueerd worden ten opzichte van de kenmerken die ernaast liggen, welke kenmerken de tweede lijn 432 en de derde lijn 433 zijn. De eerste lijn 431 en de tweede lijn 432 worden gecontroleerd en er wordt bepaald dat de afstand 440 tussen het eerste lijnuiteinde en 15 het tweede lijnuiteinde 100 nm is (voor de eerste en tweede lijnen is de minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen geen punt). Aangezien deze afstand kleiner is dan de minimale afstand van 170 nm, worden de eerste lijn 431 en de tweede lijn 432 geselecteerd om gesplitst te worden in twee 20 afzonderlijke layouts. De eerste lijn 431 wordt toegevoegd aan de eerste layout 410 en de tweede lijn 432 wordt toegevoegd aan de tweede layout 420, zoals getoond.
Vervolgens worden de eerste lijn 431 en de derde lijn 433 gecontroleerd en wordt bepaald dat de tussenafstand 440 240 25 nm is (voor de eerste en derde lijnen is de minimale afstand tussen lijnuiteinden geen punt). Aangezien deze tussenafstand kleiner is dan de minimale tussenafstand van 290 nm, worden de eerste lijn 431 en de derde lijn 433 geselecteerd om in twee afzonderlijke layouts gesplitst te worden. Aangezien de 30 eerste lijn 431 toegevoegd werd aan de eerste layout 410 van de eerdere splitsing, wordt de derde lijn 433 toegevoegd aan de tweede layout 420, zoals getoond. In dit voorbeeld wordt opgemerkt dat de tweede lijn 432 en de derde lijn 433 geen 11 rol spelen voor de minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen en voor de minimale afstand tussen lijnuiteinden en dus beide toegevoegd kunnen worden aan dezelfde layout .
5 Vervolgens kan de tweede lijn 432 geëvalueerd worden met kenmerken die ernaast liggen, welke kenmerken de eerste lijn 431 en de vierde lijn 434 zijn. De tweede lijn 432 werd reeds geëvalueerd ten opzichte van de eerste lijn 431 zoals hierboven besproken. Dienovereenkomstig worden de tweede lijn 432 10 en de vierde lijn 434 gecontroleerd en wordt bepaald dat de tussenafstand 440 nm is. Aangezien deze tussenafstand kleiner is dan de minimale tussenafstand van 290 nm, worden de tweede lijn 432 en de vierde lijn 434 geselecteerd om in twee afzonderlijke layouts gesplitst te worden. Aangezien de tweede 15 lijn 432 toegevoegd werd aan de tweede layout 420 van de vorige splitsing, wordt de vierde lijn 434 toegevoegd aan de eerste layout 410, zoals getoond. In dit voorbeeld wordt opgemerkt dat minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen en de minimale afstand tussen lijnuiteinden geen 20 rol speelt voor de eerste lijn 431 en de vierde lijn 434, en dat beide lijnen dus toegevoegd kunnen worden aan dezelfde layout.
Vervolgens kan de derde lijn 433 geëvalueerd worden met kenmerken die ernaast liggen, welke kenmerken de eerste lijn 25 431, de vierde lijn 434 en de vijfde lijn 435 zijn. De derde lijn 433 werd reeds geëvalueerd ten opzichte van de eerste lijn 431 zoals hierboven besproken. Bovendien is het niet nodig om de derde lijn te evalueren ten opzichte van de vierde lijn, aangezien de derde lijn en de vierde lijn toegevoegd 30 werden aan gescheiden layouts 410, 420 in eerdere splitsingen, zoals hierboven besproken. Dienovereenkomstig worden de derde lijn 433 en de vijfde lijn 435 gecontroleerd en wordt bepaald dat de tussenafstand 240 nm is. Aangezien deze tus- 12 senafstand kleiner is dan de minimale tussenafstand van 290 nm, worden de derde lijn 433 en de vijfde lijn 435 geselecteerd om in twee gescheiden layouts gesplitst te worden.
Aangezien de derde lijn 433 toegevoegd werd aan de tweede 5 layout 420 in de voorgaande splitsing, wordt de vijfde lijn 435 toegevoegd aan de eerste layout 410, zoals getoond. In dit voorbeeld wordt opgemerkt dat de minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen en de minimale afstand tussen lijnuiteinden geen rol spelen voor de eerste lijn 431, de 10 vierde lijn 434 en de vijfde lijn 435, zodanig dat alle drie de lijnen toegevoegd kunnen worden aan dezelfde layout.
Vervolgens kan de vierde lijn 434 geëvalueerd worden met kenmerken die ernaast liggen, welke kenmerken de tweede lijn 432, de derde lijn 433 en de zesde lijn 436 zijn. De vierde 15 lijn 434 werd reeds geëvalueerd ten opzichte van de tweede lijn 432 zoals hierboven besproken. Bovendien is het niet nodig om de vierde lijn 434 te evalueren ten opzichte van de derde lijn 433, aangezien de vierde lijn en de derde lijn toegevoegd werden aan gescheiden layouts 410, 420 in eerdere 20 splitsingen, zoals hierboven besproken. Dienovereenkomstig worden de vierde lijn 434 en de zesde lijn 436 gecontroleerd en wordt bepaald dat de tussenafstand 240 nm is. Aangezien deze tussenafstand kleiner is dan de minimale tussenafstand van 290 nm, worden de vierde lijn 434 en de zesde lijn 436 25 geselecteerd om in twee gescheiden layouts gesplitst te worden. Aangezien de vierde lijn 434 toegevoegd werd aan de eerste layout 410 in de voorgaande splitsing, wordt de zesde lijn 436 toegevoegd aan de tweede layout 420, zoals getoond.
In dit voorbeeld wordt opgemerkt dat de minimale tussenaf-30 stand voor naast elkaar gelegen lijnen en de minimale afstand tussen lijnuiteinden geen rol spelen voor de tweede lijn 432, de derde lijn 433 en de zesde lijn 436, zodanig dat alle drie de lijnen toegevoegd kunnen worden aan dezelfde layout.
i 13
Deze procedure wordt uitgevoerd op alle kenmerken van de patroonlayout 400 en resulteert erin dat twee gescheiden layouts 410, 420 gegenereerd worden zoals getoond. De eerste layout 410 omvat nu lijnen 431, 434, 435 en de tweede layout 5 420 omvat nu lijnen 432, 433, 436, welke layouts nu allebei geen tussenafstanden hebben die kleiner zijn dan de minimale tussenafstand van 290 nm en geen afstanden hebben tussen lijnuiteinden die kleiner zijn dan de minimale afstand van 170 nm. De eerste layout 410 gecombineerd met de tweede lay-10 out 420 is equivalent aan de oorspronkelijke patroonlayout 400. Aangezien beide layouts 410, 420 voldoen aan de minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen en aan de minimale afstand voor lijnuiteinden, zullen deze kenmerken of patronen wanneer deze gedrukt worden op een fotogevoelige 15 laag van een plak, geen distorsie vertonen.
Nu opnieuw verwijzend naar figuur 1 vervolgt de werkwijze 100 na het selecteren van de kenmerken van de patroonlayout die een splitsen vereisen, met stap 140 waarin een kleurbe-werking uitgevoerd wordt op deze kenmerken. Zoals voorheen 20 werd besproken en geïllustreerd in figurén 2-4 worden de naast elkaar gelegen kenmerken die niet voldoen aan de de-signregels zoals aan een minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen of een minimale afstand tussen lijnuiteinden, geselecteerd om in twee afzonderlijke layouts te 25 worden gesplitst. In deze stap 140 worden de naast elkaar gelegen kenmerken die gesplitst moeten worden gekleurd met twee kleuren. Één van de kenmerken wordt gekleurd met een eerste kleur en het ander kenmerk wordt gekleurd met een tweede kleur. Deze twee kleuren stellen de twee gescheiden 30 layouts voor waarnaar deze naast elkaar gelegen kenmerken afgesplitst worden. De kleurbewerking in stap 140 is voltooid nadat alle kenmerken die een afsplitsing vereisen ofwel met de eerste kleur ofwel met de tweede kleur gekleurd zijn.
14
De werkwijze 100 vervolgt met stap 150 waarin bepaald wordt of de kleurbewerking in stap 140 kleurconflieten heeft veroorzaakt. Kleurconflicten treden op wanneer twee naast elkaar gelegen kenmerken die afgesplitst moeten worden in 5 dezelfde kleur zijn gekleurd. Dit zal hieronder in meer detail worden uitgelegd en geïllustreerd. Indien er geen kleurconflicten aanwezig zijn zoals geïllustreerd in figuren 2-4, dan vervolgt de werkwijze 100 met stap 160 waarin de kenmerken van de patroonlayout gesplitst worden in twee gescheiden 10 layouts. De kenmerken die gekleurd zijn met de eerste kleur worden toegevoegd aan een eerste layout en de kenmerken die gekleurd zijn met de tweede kleur worden toegevoegd aan een tweede layout.
Indien er na de kleurbewerkingsstap 140 kleurconflicten 15 optreden, vervolgt de werkwijze 100 met stap 170 waarin één van de naast elkaar gelegen kenmerken met dezelfde kleur ontbonden wordt in tenminste twee componentkenmerken en resulteert in een nieuwe combinatie van naast elkaar gelegen kenmerken. De ontbinding treedt gewoonlijk op bij een hoek-20 sectie van één van de kenmerken. De werkwijze 100 vervolgt met stap 180 waarin een overlapgebied gevormd wordt op de plaats van ontbinding. De nieuwe combinatie van naast elkaar gelegen kenmerken wordt vervolgens gekleurd met de eerste en tweede kleuren zoals werd beschreven in stap 140. Deze stap-25 pen kunnen herhaald worden tot alle kleurconflicten opgelost zijn. Het voorbeeld dat volgt illustreert een patroonlayout met een kleurconflict en illustreert hoe het kleurconflict opgelost wordt met ontbinding.
Nu eveneens verwijzend naar figuren 5a-5b worden aanzich-30 ten geïllustreerd van een patroonlayout 500 met een kleurconflict welke de ontbindingsstap 170 van figuur 1 ondergaat.
Als voorbeeld stelt de patroonlayout 500 een polygatelaag met polygatekenmerken 510, 520, 530 voor die als volgt zijn ge- 15 vormd. In figuur 5a is de patroonlayout 500 getoond nadat deze de kleurbewerking in stap 140 van figuur 1 heeft ondergaan. Het eerste polygatekenmerk 410 en het tweede polygate-kenmerk 420 werden gecontroleerd en er werd bepaald dat de 5 tussenafstand 541 kleiner is dan een minimale tussenafstand die vereist is voor naast elkaar gelegen lijnen. Dienovereenkomstig werd het eerste polygatepatroon 510 gekleurd met een eerste kleur en het tweede polygatekenmerk 520 gekleurd met een tweede kleur.
10 Vervolgens werden het eerste polygatekenmerk 510 en het derde polygatekenmerk 520 gecontroleerd en werd bepaald dat de tussenafstand 542 kleiner is dan de minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen. Aangezien het eerste polygatekenmerk 510 gekleurd werd met de eerste kleur in de voor-15 gaande splitsing, werd het derde polygatekenmerk 530 gekleurd met de tweede kleur. De kleurbewerking is voltooid aangezien alle kenmerken 510, 520, 530 van de patroonlayout 500 ofwel gekleurd werden met de eerste kleur ofwel met de tweede kleur. Aangezien het tweede polygatekenmerk 520 en het derde 20 polygatekenmerk 530 een tussenafstand 543 hebben die eveneens kleiner is dan de minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen, maar deze naast elkaar gelegen kenmerken 520, 530 hebben dezelfde kleur. Er bestaat dus een kleurconfliet tussen het tweede polygatekenmerk 520 en het derde polygate-25 kenmerk 530.
In figuur 5b is de patroonlayout 50Ö getoond nadat deze de ontbindingsstap 170 heeft ondergaan om het kleurconflict op te lossen. Één van de naast elkaar gelegen kenmerken kan in tenminste twee componenten ontbonden worden. In dit voor-30 beeld kan het derde polygatekenmerk 530 ontbonden worden in tenminste twee componentkenmerken, een eerste componentken-merk 550 en een tweede componentkenmerk 560. De ontbinding wordt doorgaans uitgevoerd bij een hoeksectie 570. Het kleur- 16 conflict was met het tweede polygatekenmerk 520 dat gekleurd was met de tweede kleur. Dienovereenkomstig wordt het eerste componentkenmerk 550 gekleurd met de tweede kleur en het tweede componentkenmerk 560 gekleurd met de eerste kleur.
5 Verder wordt een overlapgebied 580 gevormd bij de junctie van het eerste componentkenmerk 550 en het tweede componentkenmerk 560. Het kleurconfliet tussen het tweede polygatekenmerk 520 en het derde polygatekenmerk 530 (nu bestaande uit het eerste componentkenmerk 550 en het tweede componentkenmerk 10 560) werd opgelost.
Nu ook verwijzend naar figuren 6a-6d worden aanzichten van een patroonlayout 600 geïllustreerd die gedeeltelijk de patroonsplitsingsmethode van figuur 1 ondergaan. Dit is een ander voorbeeld van een kleurconf liet en van het oplossen van 15 het kleurconfliet door ontbinding. Als voorbeeld stelt de patroonlayout 600 in figuur 6a een polygatelaag voor met polygatekenmerken 610, 620 , 630, 640, 650 die zoals getoond zijn gevormd (stap 110 van figuur 1). Een designregelcontrole (design rule check, DRC) wordt uitgevoerd op de patroonlayout 20 600 om te bepalen of de patroonlayout voldoet aan een stel designregels (stap 120 van figuur 1). In het onderhavige voorbeeld omvat de designregel een minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen en een minimale afstand voor lijnuiteinden. Er wordt bepaald dat alle kenmerken 610, 620, 25 630, 640, 650 een splitsen vereisen aangezien de patroonlay out 600 tussenafstanden 661, 662, 663, 664 van naast elkaar gelegen lijnen en afstanden 665, 666 tussen lijnuiteinden omvat die niet voldoen aan de designregelparameters (stap 130 van figuur l). In figuur 6b kunnen de tussenafstanden 661, 30 662, 663, 664 van de naast elkaar gelegen lijnen en de af standen 665, 666 tussen lijnuiteinden geïdentificeerd worden met een arcering als hulp bij het herkennen van kleurconflieten die gevormd worden door de kleurbewerkingsstap 140 van 17 figuur l. Men zal begrijpen dat het arceren geen onderdeel is van de kleurbewerking en enkel gebruikt wordt om te verduidelijken en te helpen bij het begrijpen hoe kleurconflieten worden herkend.
5 In figuur 6c is de patroonlayout 600 getoond na de kleur- bewerkingsstap 140 van figuur 1. Het eerste kenmerk 610 en vierde kenmerk 640 zijn gekleurd met een eerste kleur. Het tweede kenmerk 620, derde kenmerk 630, en vijfde kenmerk 650 zijn gekleurd met een tweede kleur. Kleurconflieten treden op 10 wanneer twee naast elkaar gelegen kenmerken die een splitsen vereisen, gekleurd zijn met dezelfde kleur. Dienovereenkomstig kunnen de kleurconflieten geïdentificeerd worden door de gearceerde gebieden van tussenafstanden 661, 662, 663, 664 en afstanden 665, 666 te controleren en door zich ervan te ver-15 zekeren dat de kenmerken die gescheiden zijn door deze gearceerde gebieden een verschillende kleur hebben. De kleurcon-flicten treden dus op bij tussenafstand 663 en afstand 665 (stap 150 van figuur 1). In figuur 6d is de patroonlayout 600 getoond na het oplossen van de kleurconflieten door middel 20 van een herhaalde ontbinding en kleuring. Bijgevolg werden het eerste kenmerk 610 en het vijfde kenmerk 650 ontbonden in eerste componentkenmerken 670, 675 en tweede componentkenmer-ken 680, 685 bij een hoeksectie (stap 170 van figuur 1). Het tweede kenmerk 620 werd opnieuw gekleurd met de eerste kleur. 25 De overlapgebieden 690, 695 werden gevormd bij de junctie tussen de eerste kenmerkcomponenten 670, 675 en de tweede kenmerkcomponenten 680, 685 (stap 180 van figuur 1). Alle gearceerde gebieden van tussenafstanden 661, 662, 663, 664 en afstanden 665, 666 scheiden nu dus kenmerken met verschillen-30 de kleuren.
Opnieuw verwijzend naar figuur 1 vervolgt de werkwijze 100 nadat alle kleurconflieten opgelost zijn (of indien geen kleurconflieten optreden zoals voorheen besproken) met stap 18 160 waarin de kenmerken van de patroonlayout gesplitst worden in twee gescheiden layouts. De kenmerken die gekleurd zijn met de eerste kleur worden toegevoegd aan een eerste layout en de kenmerken die gekleurd zijn met de tweede kleur worden 5 toegevoegd aan een tweede layout. De werkwijze 100 vervolgt met stap 190 waarin maskers gegenereerd worden uit de twee gescheiden layouts. Een eerste masker dat de eerste layout voorstelt en een tweede masker dat de tweede layout voorstelt worden gegenereerd. Het proces voor het generen van maskers 10 uit designlayout is algemeen bekend in de techniek en zal hier dus niet in detail worden beschreven.
Merk op dat de eerste en tweede maskers niet voltooid zijn aangezien de eerste en tweede layouts enkel samengesteld zijn uit kenmerken die splitsen vereisen (de eerste en tweede 15 maskers zijn voltooid in het geval dat alle kenmerken van een patroonlayout splitsen vereisen). Dienovereenkomstig kunnen de kenmerken van de patroonlayout die geen splitsen vereisen toegevoegd worden aan het eerste masker en/of aan het tweede masker. Volgens een alternatief kunnen deze kenmerken toege-20 voegd worden aan de eerste en tweede layouts en kunnen de eerste en tweede maskers daaruit gegenereerd worden. Het proces voor het toevoegen van deze kenmerken zodanig dat het eerste masker en het tweede masker een gelijkaardige patroon-dichtheid bereiken, wordt hieronder beschreven. Hierdoor 25 wordt de kwaliteit van het vanaf de maskers afgedrukte beeld tijdens fotolithografie verbeterd.
Zoals voorheen vermeld kunnen de kenmerken van de patroonlayout die geen splitsen vereisen een maskerpatroon vereffeningsstap 135 van figuur 1 ondergaan. De maskerpatroon 30 vereffeningsstap 135 wordt in meer detail geïllustreerd in figuur 7. De vereffeningsstap 135 begint met stap 710 waarin een netwerklayout gecreëerd wordt. De netwerklayout kan verschillende gebieden van een eerste en tweede masker defini- 19 eren waaraan kenmerken toegevoegd kunnen worden. De vereffe-ningsstap 135 vervolgt met stap 720 waarin de kenmerken van de patroonlayout die geen splitsen vereisen (zoals besproken in stap 120 van figuur 1) vereffend worden en toegekend wor-5 den aan de gebieden die gedefinieerd zijn in de netwerklay-out. Dit gebeurt door een gelijke toekenning van ongeveer de helft van de2e kenmerken aan gebieden van het eerste masker gedefinieerd in de netwerklayout en door toekenning van de andere helft aan gebieden van het tweede masker gedefinieerd 10 in de netwerklayout. Volgens een alternatief kunnen de kenmerken die toegekend worden aan de gebieden van het eerste masker gekleurd zijn met de eerste kleur en de kenmerken die toegekend worden aan de gebieden van het tweede masker gekleurd zijn met de tweede kleur (deze kenmerken kunnen ver-15 volgens toegevoegd worden aan de eerste en tweede layouts zoals besproken in stap 160 van figuur 1). De vereffenings-stap 135 vervolgt met stap 730 waarin de kenmerken die toegekend werden aan gebieden van het eerste masker vereffend worden in het eerste masker dat gegenereerd werd in stap 190 20 van figuur 1 en waarin de kenmerken die toegekend werden aan gebieden van het tweede masker vereffend worden in het tweede masker dat gegenereerd werd in stap van 190 van figuur 1.
Bijgevolg kunnen het eerste masker en het tweede masker een gelijkaardige patroondichtheid hebben en zijn deze klaar 25 om gebruikt te worden voor halgeleiderfabricage. De eerste en tweede maskers kunnen gebruikt worden om een beeld van de patroonlayout te projecteren op een fotogevoelige laag van een plak tijdens fotolithografie (bijvoorbeeld belichting van het eerste masker gevolgd door belichting van het tweede 30 masker). Aangezien de eerste en tweede layouts voldoen aan alle designregels die de minimale tussenafstand en/of afstand voor een bepaald optisch systeem specifiëren, kan het beeld dat gegenereerd wordt door de eerste en tweede maskers voor- 20 speld worden en zal dit beeld goede rendementen produceren en leiden tot een goede plakwerking.
Nu verwijzend naar figuur 8 wordt een voorbeeld geïllustreerd van een netwerklayout 800 die gebruikt kan worden in 5 de maskerpatroon vereffeningsstap van figuur 7. In figuur 8 stelt de netwerklayout 800 een volledige maskerlayout 810 voor en definieert verschillende gebieden 820 van een eerste masker en verschillende gebieden 830 van een tweede masker waaraan kenmerken toegevoegd kunnen worden. Hoewel de net-10 werklayout 800 getoond is met een damrangschikking van gebieden, zal men begrijpen dat de rangschikking van de gebieden afhankelijk zal zijn van de specifieke patroonlayout die gesplitst wordt. Dienovereenkomstig zullen de kenmerken van een patroonlayout die niet gesplitst moeten worden, vereffend 15 worden en toegekend worden aan gebieden 820 van het eerste masker en gebieden 830 van het tweede masker welke gedefinieerd zijn in de netwerklayout 800.
Nu verwijzend naar figuur 9 zijn maskers geïllustreerd die gegenereerd werden uit een patroonlayout 910 die werd 20 gesplitst met en zonder de maskerpatroon vereffeningsstap van figuur 7. De oorspronkelijke patroonlayout 910 kan gesplitst worden in twee gescheiden layouts volgens minimale tussenafstand. Een eerste masker (Maskl) en een tweede masker (Mask2) worden gegenereerd uit de twee gescheiden layouts. Het eerste 25 stel maskers 920, 930 werden gegenereerd zonder de maskerpatroon vereffeningsstap van figuur 7 (bijvoorbeeld de kenmerken die geen splitsen vereisten werden alle toegevoegd aan Mask2 930) . In dit voorbeeld heeft Maskl 920 een veel kleinere patroondichtheid dan Mask2 930. Het tweede stel maskers 30 940, 950 werd gegenereerd met de maskerpatroon vereffenings stap van figuur 7 (de kenmerken die geen splitsen vereisen werden bijvoorbeeld gelijk toegevoegd aan Maskl 940 en Mask2 21 950) . In dit voorbeeld heeft Maskl 940 een gelijkaardige patroondichtheid als Mask2 950.
Nu verwijzend naar figuur 10 wordt een systeem 1000 geïllustreerd voor het genereren van een meervoudig masker 5 waarin de werkwijze van figuur 1 is geïmplementeerd. Het systeem 1000 omvat een patroonlayout 1010 die verschaft wordt in een computer aided formaat zoals een GDS formaat. De patroonlayout 1010 wordt ingegeven in een maskerschrijver 1020. De maskerschrijver 1020 kan alle software- en hardwarecompo-10 nenten omvatten die vereist zijn om de werkwijze 100 van figuur 1 te implementeren. De maskerschrijver 1020 omvat bijvoorbeeld software die geprogrammeerd is met instructies om alle stappen in de werkwijze 100 van figuur 1 uit te voeren. Daarnaast omvat de maskerschrijver 1020 hardware om de 15 resulterende layouts over te brengen in een eerste masker 1030 en een tweede masker 1040. De maskerschrijver 1020 kan bijvoorbeeld een elektronenbundel gebruiken voor het schrijven van de layouts in elektronische vorm naar het eerste masker 1030 en het tweede masker 1040. Men zal begrijpen dat 20 hoewel de onderhavige uitvoering twee maskers gebruikt, het systeem geconfigureerd is en werkzaam is om meer dan twee maskers te genereren.
Er wordt dus een werkwijze verschaft voor het splitsen van een patroonlayout. De werkwijze omvat het verschaffen van 25 de patroonlayout met een aantal kenmerken, het controleren van de patroonlayout met een designregelcontrole (design rule check, DRC) om de kenmerken te bepalen die splitsen vereisen, het kleuren van de kenmerken die splitsen vereisen met een eerste kleur en een tweede kleur, het oplossen van kleurcon-30 flicten door het ontbinden van het kenmerk met het kleurcon-flict en het kleuren van het ontbonden kenmerk met de eerste en tweede kleur, en het genereren van een eerste masker met 22 kenmerken van de eerste kleur en een tweede masker met kenmerken van de tweede kleur.
In sommige uitvoeringsvormen omvat het aantal kenmerken polygatelijnen, metaallijnen, contacten, of sleuven. In ande-5 re uitvoeringsvormen is het aantal kenmerken gevormd als lijnen, lijnuiteinden, contactgaten, hoekvormen, T-vormen, of combinaties daarvan. In andere uitvoeringsvormen houdt het controleren in dat de designregelcontrole (design rule check, DRC) geconfigureerd wordt om een minimale tussenafstand voor 10 naast elkaar gelegen contactgaten te omvatten. In nog andere uitvoeringsvormen houdt het controleren in dat de designregelcontrole (DRC) geconfigureerd wordt om een minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen en een minimale afstand voor lijnuiteinden te omvatten.
15 In andere uitvoeringsvormen omvat het kleuren het kleuren van één van de naast elkaar gelegen kernmerken met de eerste kleur en het kleuren van het andere van de naast elkaar gelegen kenmerken met de tweede kleur. In andere uitvoeringsvormen treden kleurconflieten op wanneer de naast elkaar gelegen 20 kenmerken die splitsen vereisen dezelfde kleur hebben. In nog andere uitvoeringsvormen wordt het genereren uitgevoerd nadat alle kleurconflieten opgelost zijn. In sommige uitvoeringsvormen omvat de werkwijze verder het selecteren van de kenmerken van de patroonlayout die geen splitsen vereisen, het 25 genereren van een netwerklayout die gebieden van het eerste masker en gebieden van het tweede masker waaraan kenmerken toegevoegd kunnen worden, definieert, het vereffenen en toekennen van de kenmerken die geen splitsen vereisen aan de netwerklayout, en het toevoegen van de kenmerken die werden 30 vereffend en toegekend aan de netwerklayout aan de overeenstemmende eerste en tweede maskers. In andere uitvoeringsvormen omvat de werkwijze verder het afdrukken van een beeld van de patroonlayout uitgaande van de eerste en tweede maskers.
23
In nog andere uitvoeringsvormen omvat het oplossen van kleur-conflicten het vormen van een overlapgebied in het ontbonden kenmerk. In sommige uitvoeringsvormen is het overlapgebied gevormd als een rechthoek. In andere uitvoeringsvormen is het 5 overlapgebied gevormd als een hoekvorm. In andere uitvoeringsvormen is het overlapgebied gevormd als een T-vorm.
Ook wordt een door een computer leesbaar medium met een aantal instructies verschaft. De instructies omvatten het verschaffen van een patroonlayout met een aantal kenmerken, 10 het controleren van de patroonlayout met een designregelcon-trole (DRC) om de kenmerken te bepalen die gesplitst moeten worden, het kleuren van de kenmerken die splitsen vereisen met een eerste kleur en een tweede kleur, het oplossen van kleurconflieten door het ontbinden van het kenmerk met het 15 kleurconfliet en het kleuren van het ontbonden kenmerk met de eerste kleur en de tweede kleur, en het vormen van een eerste masker met kenmerken van de eerste kleur en een tweede masker met kenmerken van de tweede kleur.
In andere uitvoeringsvormen omvat het door een computer 20 leesbaar medium verder het selecteren van de kenmerken van de patroonlayout die geen splitsen vereisen, het genereren van een netwerklayout die gebieden van het eerste masker en gebieden van het tweede masker definieert waaraan kenmerken toegevoegd kunnen worden, het vereffenen en toekennen van de 25 kenmerken die geen splitsen vereisen aan de netwerklayout, en het toevoegen van de kenmerken die werden vereffend en toegekend aan de netwerklayout aan de overeenstemmende eerste en tweede maskers.
In sommige uitvoeringsvormen omvat het aantal kenmerken 30 polygatelijnen, metaallijnen, contacten, of sleuven. In sommige andere uitvoeringsvormen is het aantal kenmerken gevormd als lijnen, lijnuiteinden, contactgaten, hoekvormen, 24 T-vormen, of combinaties daarvan. In andere uitvoeringsvormen omvat de designregelcontrole (DRC) een minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen lijnen en een minimale afstand voor lijnuiteinden. In andere uitvoeringsvormen omvat de designre-5 gelcontrole (DRC) een minimale tussenafstand voor naast elkaar gelegen contactgaten. In nog andere uitvoeringsvormen omvatten de instructies voor het oplossen van kleurconflieten het vormen van een overlapgebied in het ontbonden kenmerk. In sommige uitvoeringsvormen is het overlapgebied gevormd als 10 een rechthoek. In andere uitvoeringsvormen is het overlapgebied gevormd als een hoekvorm. In andere uitvoeringsvormen is het overlapgebied gevormd als een T-vorm.
Bijkomend wordt een systeem verschaft voor het genereren van meervoudige maskers, welk systeem een patroonlayout met 15 een aantal kenmerken en een maskerschrijver omvat. De masker-schrijver is geconfigureerd en werkzaam voor het controleren van de patroonlayout om kenmerken te selecteren die een splitsen vereisen in afzonderlijke layouts, voor het kleuren van de kenmerken die splitsen vereisen met een eerste kleur 20 en een tweede kleur, waarbij de eerste kleur een eerste layout definieert en de tweede kleur een tweede layout definieert, voor het oplossen van kleurconflieten met ontbinding, waarbij kleurconflicten optreden wanneer naast elkaar gelegen kenmerken die splitsen vereisen dezelfde kleur hebben, het 25 vereffenen en toekennen van de kenmerken die geen splitsen vereisen in de eerste en tweede layouts, en het vormen van een eerste masker dat de eerste layout voorstelt en van een tweede masker dat de tweede layout voorstelt.
In sommige uitvoeringsvormen omvat het controleren het 30 bepalen van een tussenafstand van naast elkaar gelegen kenmerken van de patroonlayout. De naast elkaar gelegen kenmerken worden geselecteerd voor het splitsen indien de tussenafstand kleiner is dan de minimale tussenafstand. In andere 25 uitvoeringsvormen omvat het oplossen van kleurconflicten het ontbinden van één van de naast elkaar gelegen in tenminste twee componenten en het kleuren van één van de componenten met de eerste kleur en van de andere van de componenten met 5 de tweede kleur. In nog andere uitvoeringsvormen omvat het oplossen van kleurconflicten het vormen van een overlapgebied voor de tenminste twee componenten. In sommige uitvoeringsvormen is het overlapgebied gevormd als een rechthoek. In andere uitvoeringsvormen is het overlapgebied gevormd als een 10 hoekvorm. In andere uitvoeringsvormen is het overlapgebied gevormd als een T-vorm.
Een aantal verschillende voordelen bestaan voor deze en andere uitvoeringsvormen. Naast het verschaffen van een doeltreffende en efficiënte werkwijze voor het splitsen van een 15 volledige chippatroonlayout, doet de werkwijze dit met vereffening zodanig dat de gescheiden layouts een gelijkaardige patroondichtheid vertonen. Bovendien kan de werkwijze gebruikt worden om de huidige belichtingswerktuigen uit te breiden om designpatronen van een volgende generatie af te 20 drukken naarmate kenmerken kleiner worden en dichter bij elkaar liggen. De werkwijze laat dit toe door deze patronen te splitsen in gescheiden layouts en hierdoor de tussenafstand in elke gescheiden layout te vergroten.
Hoewel slechts een aantal uitvoeringsvoorbeelden van de 25 uitvinding hierboven in detail werden beschreven, zal de vakman begrijpen dat vele wijzigingen mogelijk zijn in de uitvoeringsvoorbeelden zonder de nieuwe leer en voordelen van de onderhavige uitvinding te verlaten. Men zal begrijpen dat een aantal verschillende combinaties van de hierboven opge-30 somde processtappen in combinatie of in parallel gebruikt kunnen worden. Ook kunnen kenmerken die hierboven geïllustreerd en besproken werden voor bepaalde uitvoeringsvormen gecombineerd worden met de kenmerken die hierboven geïllus- 26 treerd en besproken werden voor andere uitvoeringsvormen. Bijgevolg is het de bedoeling dat alle dergelijke wijzigingen binnen de beschermingsomvang van de uitvinding vallen.
27 LEGENDE VAN DE FIGUREN Figuur 1 135 maskerpatroonvereffening met alle andere kenmerken 5 110 verschaf patroonlayout 120 designregelcontrole (DRC) 130 selecteer kenmerken die splitsen vereisen 140 kleurbewerking 150 kleurconfliet? 10 160 splits in twee layouts 170 ontbind conflicterend kenmerk 190 genereer maskers 180 creëer overlapgebied 15 Figuur 7 710 creëer netwerk dat gebieden van Maskl en Mask2 definieert 720 vereffen en ken alle andere kenmerken aan netwerk toe 730 vereffen naar Maskl en Mask2 20
Figuur 10 1020 maskerschrijver 2000656

Claims (23)

1. Werkwijze voor het splitsen van een patroonlayoutf welke werkwijze omvat: 5 het verschaffen van de patroonlayout met een aantal ken merken ; het controleren van de patroonlayout met een designregel-controle (design rule check, DRC) om de kenmerken te bepalen die gesplitst moeten worden; 10 het kleuren van de kenmerken die gesplitst moeten worden met een eerste kleur en een tweede kleur; het oplossen van kleurconflieten door het kenmerk met het kleurconfliet te ontbinden en het ontbonden kenmerk te kleuren met de eerste kleur en de tweede kleur; en 15 het genereren van een eerste masker met kenmerken van de eerste kleur en van een tweede masker met kenmerken van de tweede kleur.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het aantal kenmerken polygatelijnen, metaallijnen, contacten of sleuven 20 omvat.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het aantal kenmerken gevormd is als lijnen, lijnuiteinden, contactgaten, hoekvormen (elbow shapes), T-vormen, of combinaties daarvan.
4. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het controleren 25 het configureren van de designregelcontrole (DRC) omvat om een minimale tussenafstand (pitch) voor naast elkaar gelegen contactgaten te bevatten.
5. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het controleren het configureren van de designregelcontrole (DRC) omvat om 30 een minimale tussenafstand (pitch) voor naast elkaar gelegen lijnen te bevatten. 2000656
6. Werkwijze volgens conclusie 5, waarbij het controleren het configureren van de designregelcontrole (DRC) omvat om een minimale afstand voor lijnuiteinden te bevatten.
7. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het kleuren 5 inhoudt dat één van de naast elkaar gelegen kenmerken gekleurd wordt met de eerste kleur en dat het andere van de naast elkaar gelegen kenmerken gekleurd wordt met de tweede kleur.
8. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de kleurcon-10 flicten optreden wanneer naast elkaar gelegen kenmerken die splitsen vereisen dezelfde kleur hebben.
9. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het genereren uitgevoerd wordt na het oplossen van alle kleurconflieten.
10. Werkwijze volgens conclusie 1, verder omvattende: 15 het selecteren van kenmerken van de patroonlayout die geen splitsen vereisen; het genereren van een netwerklayout die gebieden van het eerste masker en gebieden van het tweede masker definieert waaraan kenmerken toegevoegd kunnen worden; 20 het vereffenen en toekennen van de kenmerken die geen splitsen vereisen aan de netwerklayout; en het toevoegen van de kenmerken die werden vereffend en toegekend aan de netwerklayout aan de overeenstemmende eerste en tweede maskers.
11. Werkwijze volgens conclusie 10, verder omvattende het afdrukken van een beeld van de patroonlayout in een fotoge-voelige laag van een plak gebruikmakend van de eerste en tweede maskers.
12. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het oplossen 30 van kleurconflieten het vormen van een overlapgebied in het ontbonden kenmerk omvat, waarbij het overlapgebied gevormd is als een rechthoek, een hoekvorm, of een T-vorm.
13. Door een computer leesbaar medium met een aantal instructies die daarop zijn opgeslagen voor het splitsen van een patroonlayout in gescheiden maskers, welke instructies omvatten: 5 het verschaffen van de patroonlayout met een aantal ken merken ; het controleren van de patroonlayout met een designregel-controle (design rule check, DRC) om de kenmerken te bepalen die gesplitst moeten worden; 10 het kleuren van de kenmerken die gesplitst moeten worden met een eerste kleur en een tweede kleur; het oplossen van kleurconflieten door het kenmerk met het kleurconfliet te ontbinden en het ontbonden kenmerk te kleuren met de eerste kleur en de tweede kleur; en 15 het genereren van een eerste masker met kenmerken van de eerste kleur en van een tweede masker met kenmerken van de tweede kleur.
14. Door een computer leesbaar medium volgens conclusie 13, verder omvattende: 20 het selecteren van kenmerken van de patroonlayout die geen splitsen vereisen; het genereren van een netwerklayout die gebieden van het eerste masker en gebieden van het tweede masker definieert waaraan kenmerken toegevoegd kunnen worden; 25 het vereffenen en toekennen van de kenmerken die geen splitsen vereisen aan de netwerklayout; en het toevoegen van de kenmerken die werden vereffend en toegekend aan de netwerklayout aan de overeenstemmende eerste en tweede maskers.
15. Door een computer leesbaar medium volgens conclusie 14, waarbij het aantal kenmerken polygatelijnen, metaallij-nen, contacten of sleuven omvatten.
16. Door een computer leesbaar medium volgens conclusie 14, waarbij het aantal kenmerken gevormd zijn als lijnen, lijnuiteinden, contactgaten, hoekvormen, T-vormen, of combinaties daarvan.
17. Door een computer leesbaar medium volgens conclusie 14, waarbij de designregelcontrole (DRC) een minimale tussenafstand (pitch) van naast elkaar gelegen lijnen en een minimale afstand van lijnuiteinden omvat.
18. Door een computer leesbaar medium volgens conclusie 10 14, waarbij de designregelcontrole (DRC) een minimale tussen afstand (pitch) van naast elkaar gelegen contactgaten omvat.
19. Door een computer leesbaar medium volgens conclusie 14, waarbij de instructies voor het oplossen van kleurcon- flieten het vormen van een overlapgebied in het ontbonden 15 kenmerk omvatten, waarbij het overlapgebied gevormd is als een rechthoek, een hoekvorm of een T-vorm.
20. Systeem voor het genereren van meervoudige maskers, welk systeem omvat: een patroonlayout met een aantal kenmerken; en 20 een maskerschrijver die geconfigureerd is en werkzaam is voor: het controleren van de patroonlayout om de kenmerken te bepalen die gesplitst moeten worden in gescheiden layouts; het kleuren van de kenmerken die gesplitst moeten worden 25 met een eerste kleur en een tweede kleur, waarbij de eerste kleur een eerste layout definieert en de tweede kleur een tweede layout definieert; het oplossen van kleurconflicten met ontbinding, waarbij de kleurconflicten optreden wanneer naast elkaar gelegen 30 kenmerken die gesplitst moeten worden dezelfde kleur hebben; het vereffenen en toekennen van de kenmerken die niet gesplitst moeten worden in eerste en tweede layouts; en het vormen van een eerste masker dat de eerste layout voorstelt en van een tweede masker dat de tweede layout voorstelt .
21. Systeem volgens conclusie 20, waarbij het controleren 5 het bepalen van een tussenafstand van naast elkaar gelegen kenmerken van de patroonlayout omvat, waarbij de naast elkaar gelegen kenmerken geselecteerd worden om gesplitst te worden indien de tussenafstand kleiner is dan de minimale tussenafstand.
22. Systeem volgens conclusie 20, waarbij het oplossen van kleurconflieten het ontbinden van één van de naast elkaar gelegen kenmerken in tenminste twee componenten, en het kleuren van één van de componenten met de eerste kleur en het kleuren van de andere van de componenten met de tweede kleur, 15 omvat.
23. Systeem volgens conclusie 21, waarbij het oplossen van kleurconflieten het vormen van een overlapgebied omvat voor de tenminste twee componenten, waarbij het overlapgebied gevormd is als een rechthoek, een hoekvorm of een T-vorm. 2000656
NL2000656A 2007-02-06 2007-05-22 Werkwijze en systeem voor het splitsen van een patroonlayout. NL2000656C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US67186607 2007-02-06
US11/671,866 US7934177B2 (en) 2007-02-06 2007-02-06 Method and system for a pattern layout split

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL2000656A1 NL2000656A1 (nl) 2008-08-07
NL2000656C2 true NL2000656C2 (nl) 2009-06-23

Family

ID=39677257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL2000656A NL2000656C2 (nl) 2007-02-06 2007-05-22 Werkwijze en systeem voor het splitsen van een patroonlayout.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7934177B2 (nl)
CN (1) CN101241517B (nl)
NL (1) NL2000656C2 (nl)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5032948B2 (ja) 2006-11-14 2012-09-26 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. Dptプロセスで用いられるパターン分解を行うための方法、プログラムおよび装置
US8028253B2 (en) * 2007-04-02 2011-09-27 Synopsys, Inc. Method and apparatus for determining mask layouts for a multiple patterning process
US8453107B2 (en) * 2008-11-14 2013-05-28 Microsoft Corporation Diagram layout patterns
KR101828492B1 (ko) * 2010-10-13 2018-03-29 삼성전자 주식회사 패턴 형성 방법, 레티클, 및 패턴 형성 프로그램이 기록된 기록 매체
US8375348B1 (en) 2010-12-29 2013-02-12 Cadence Design Systems, Inc. Method, system, and program product to implement colored tiles for detail routing for double pattern lithography
US8560998B1 (en) 2010-12-29 2013-10-15 Cadence Design Systems, Inc. Method, system, and program product to implement C-routing for double pattern lithography
US8671368B1 (en) * 2010-12-29 2014-03-11 Cadence Design Systems, Inc. Method, system, and program product to implement detail routing for double pattern lithography
US8775977B2 (en) * 2011-02-15 2014-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Decomposition and marking of semiconductor device design layout in double patterning lithography
US8359556B1 (en) 2011-06-29 2013-01-22 International Business Machines Corporation Resolving double patterning conflicts
US8516403B2 (en) * 2011-09-01 2013-08-20 International Business Machines Corporation Multiple patterning layout decomposition for ease of conflict removal
US8434033B2 (en) 2011-09-01 2013-04-30 International Business Machines Corporation Mask assignment for multiple patterning lithography
US9152039B2 (en) * 2011-10-18 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multiple patterning technology method and system for achieving minimal pattern mismatch
US9003349B1 (en) 2013-06-28 2015-04-07 Cadence Design Systems, Inc. Methods, systems, and articles of manufacture for implementing a physical electronic design with area-bounded tracks
US9117052B1 (en) 2012-04-12 2015-08-25 Cadence Design Systems, Inc. Methods, systems, and articles of manufacture for interactively implementing physical electronic designs with track patterns
US8984465B1 (en) 2013-06-28 2015-03-17 Cadence Design Systems, Inc. Methods, systems, and articles of manufacture for automatically assigning track patterns to regions for physical implementation of an electronic design
US9251299B1 (en) 2013-06-28 2016-02-02 Cadence Design Systems, Inc. Methods, systems, and articles of manufacture for associating track patterns with rules for electronic designs
US9183343B1 (en) 2012-08-31 2015-11-10 Cadence Design Systems, Inc. Methods, systems, and articles of manufacture for implementing high current carrying interconnects in electronic designs
US9104830B1 (en) 2013-06-28 2015-08-11 Cadence Design Systems, Inc. Methods, systems, and articles of manufacture for assigning track patterns to regions of an electronic design
US9213793B1 (en) 2012-08-31 2015-12-15 Cadence Design Systems, Inc. Methods, systems, and articles of manufacture for implementing electronic designs using flexible routing tracks
US9817941B2 (en) 2012-12-04 2017-11-14 Cadence Design Systems, Inc. Methods, systems, and articles of manufacture for implementing high current carrying interconnects in electronic designs
US9141752B2 (en) * 2013-03-14 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EDA tool and method for conflict detection during multi-patterning lithography
US8914755B1 (en) * 2013-05-28 2014-12-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Layout re-decomposition for multiple patterning layouts
US9165103B1 (en) 2013-06-28 2015-10-20 Cadence Design Systems, Inc. Methods, systems, and articles of manufacture for tessellating and labeling routing space for routing electronic designs
US20150097249A1 (en) * 2013-10-04 2015-04-09 Globalfoundries Inc. Cross coupling gate using mulitple patterning
US9026971B1 (en) * 2014-01-07 2015-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-patterning conflict free integrated circuit design
CN104166303B (zh) * 2014-08-06 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板和曝光方法
US10339249B2 (en) * 2016-03-29 2019-07-02 Synopsys, Inc. Using color pattern assigned to shapes for custom layout of integrated circuit (IC) designs
US10192021B1 (en) * 2017-02-21 2019-01-29 Cadence Design Systems, Inc. Generating and inserting metal and metal etch shapes in a layout to correct design rule errors
CN113126422B (zh) * 2021-03-01 2022-11-29 上海华力集成电路制造有限公司 改善金属线工艺热点的opc修正方法
CN114638189A (zh) * 2022-03-16 2022-06-17 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 一种解决掩模版着色边界冲突的方法、装置和计算机设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040010770A1 (en) * 2002-03-25 2004-01-15 Broeke Doug Van Den Method and apparatus for decomposing semiconductor device patterns into phase and chrome regions for chromeless phase lithography
US20040265710A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic processing method and device manufactured thereby
US20050147898A1 (en) * 2000-02-04 2005-07-07 Advanced Micro Devices, Inc. Photolithography using interdependent binary masks
EP1712954A1 (en) * 2005-04-12 2006-10-18 ASML MaskTools B.V. A method, program product and apparatus for performing double exposure lithography
WO2006124879A2 (en) * 2005-05-13 2006-11-23 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for printing lithographic images with multiple exposures
EP1804123A2 (en) * 2005-12-29 2007-07-04 ASML MaskTools B.V. A method, program product and apparatus for model based geometry decomposition for use in a multiple exposure process
EP1925978A2 (en) * 2006-11-14 2008-05-28 ASML MaskTools B.V. A method and a computer program for performing decomposition of a pattern for use in a DPT process and a mask

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3406506B2 (ja) * 1997-03-24 2003-05-12 シャープ株式会社 フォトマスクのパターン補正方法およびフォトマスクのパターン補正装置
US6653026B2 (en) * 2000-12-20 2003-11-25 Numerical Technologies, Inc. Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask
US6541166B2 (en) 2001-01-18 2003-04-01 International Business Machines Corporation Method and apparatus for lithographically printing tightly nested and isolated device features using multiple mask exposures
JP4746753B2 (ja) * 2001-03-05 2011-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 荷電粒子線露光用マスクの形成方法および荷電粒子線用マスクを形成するためのパターンデータの処理プログラム
US8132130B2 (en) * 2005-06-22 2012-03-06 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for performing mask feature pitch decomposition for use in a multiple exposure process

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050147898A1 (en) * 2000-02-04 2005-07-07 Advanced Micro Devices, Inc. Photolithography using interdependent binary masks
US20040010770A1 (en) * 2002-03-25 2004-01-15 Broeke Doug Van Den Method and apparatus for decomposing semiconductor device patterns into phase and chrome regions for chromeless phase lithography
US20040265710A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic processing method and device manufactured thereby
EP1712954A1 (en) * 2005-04-12 2006-10-18 ASML MaskTools B.V. A method, program product and apparatus for performing double exposure lithography
WO2006124879A2 (en) * 2005-05-13 2006-11-23 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for printing lithographic images with multiple exposures
EP1804123A2 (en) * 2005-12-29 2007-07-04 ASML MaskTools B.V. A method, program product and apparatus for model based geometry decomposition for use in a multiple exposure process
EP1925978A2 (en) * 2006-11-14 2008-05-28 ASML MaskTools B.V. A method and a computer program for performing decomposition of a pattern for use in a DPT process and a mask

Also Published As

Publication number Publication date
CN101241517A (zh) 2008-08-13
NL2000656A1 (nl) 2008-08-07
CN101241517B (zh) 2010-06-23
US20080189672A1 (en) 2008-08-07
US7934177B2 (en) 2011-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL2000656C2 (nl) Werkwijze en systeem voor het splitsen van een patroonlayout.
CN101278233B (zh) 使用离散的辅助特征而改善的工艺范围
US8151225B2 (en) Pattern layout designing method, semiconductor device manufacturing method, and computer program product
US7562334B2 (en) Method for manufacturing a photomask
JPH10125570A (ja) 位相エッジ位相シフト設計における相互接続の設計競合を排除する方法
US10877380B1 (en) Using inverse lithography technology in a method of mask data preparation for generating integrated circuit
JP5355112B2 (ja) パターンレイアウト作成方法
US7386829B2 (en) Method of fabricating a photomask
US8103979B2 (en) System for generating and optimizing mask assist features based on hybrid (model and rules) methodology
US20230367942A1 (en) Method for coloring circuit layout and system for performing the same
CN109325247A (zh) 集成电路制造方法
US10274829B2 (en) Multiple patterning decomposition and manufacturing methods for IC
CN104166304B (zh) 修正辅助图案的方法
TW201443555A (zh) 修正輔助圖案的方法
JP2009020393A (ja) マスクパターン形成方法
US10770304B2 (en) Hybrid double patterning method for semiconductor manufacture
CN110187600B (zh) 一种根据规则添加sraf的方法
US20140082572A1 (en) Method of generating assistant feature
US8092958B2 (en) Mask and method for patterning a semiconductor wafer
Pikus et al. Advanced multi-patterning and hybrid lithography techniques
US11592751B2 (en) Method of manufacturing photo masks
KR101911993B1 (ko) 패턴을 생성하기 위한 방법, 저장 매체 및 정보 처리 장치
KR100834234B1 (ko) 반도체 장치 제조용 마스크 패턴 결정 방법
JPH11133585A (ja) 露光用マスク及びその製造方法
JP4663857B2 (ja) レイアウトパターンデータ補正方法及び半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 20090422

PD2B A search report has been drawn up