NL177263C - Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag.

Info

Publication number
NL177263C
NL177263C NLAANVRAGE7215288,A NL7215288A NL177263C NL 177263 C NL177263 C NL 177263C NL 7215288 A NL7215288 A NL 7215288A NL 177263 C NL177263 C NL 177263C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
electrodiator
composite
layer
semiconductor device
device provided
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7215288,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL177263B (nl
NL7215288A (OSRAM
Original Assignee
Nec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nec Corp filed Critical Nec Corp
Publication of NL7215288A publication Critical patent/NL7215288A/xx
Publication of NL177263B publication Critical patent/NL177263B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL177263C publication Critical patent/NL177263C/xx

Links

Classifications

    • H10P14/6324—
    • H10P14/69391—
    • H10P14/69393—
    • H10P95/00—
    • H10W20/40—
NLAANVRAGE7215288,A 1971-11-15 1972-11-10 Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag. NL177263C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9140571A JPS557020B2 (OSRAM) 1971-11-15 1971-11-15

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7215288A NL7215288A (OSRAM) 1973-05-17
NL177263B NL177263B (nl) 1985-03-18
NL177263C true NL177263C (nl) 1985-08-16

Family

ID=14025458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7215288,A NL177263C (nl) 1971-11-15 1972-11-10 Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3848260A (OSRAM)
JP (1) JPS557020B2 (OSRAM)
DE (1) DE2252832C2 (OSRAM)
GB (1) GB1414511A (OSRAM)
NL (1) NL177263C (OSRAM)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3987217A (en) * 1974-01-03 1976-10-19 Motorola, Inc. Metallization system for semiconductor devices, devices utilizing such metallization system and method for making devices and metallization system
US4215156A (en) * 1977-08-26 1980-07-29 International Business Machines Corporation Method for fabricating tantalum semiconductor contacts
US4206472A (en) * 1977-12-27 1980-06-03 International Business Machines Corporation Thin film structures and method for fabricating same
DE3232837A1 (de) * 1982-09-03 1984-03-08 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen einer 2-ebenen-metallisierung fuer halbleiterbauelemente, insbesondere fuer leistungshalbleiterbauelemente wie thyristoren
US5240868A (en) * 1991-04-30 1993-08-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabrication metal-electrode in semiconductor device
GB2284710B (en) * 1991-04-30 1995-09-13 Samsung Electronics Co Ltd Fabricating a metal electrode of a semiconductor device
US5679982A (en) * 1993-02-24 1997-10-21 Intel Corporation Barrier against metal diffusion
US5684331A (en) * 1995-06-07 1997-11-04 Lg Semicon Co., Ltd. Multilayered interconnection of semiconductor device
JP2000507052A (ja) * 1997-01-16 2000-06-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 少なくともチタン、タングステン又は窒素を有する金属化層が設けられた半導体装置及びその製造方法
US9653296B2 (en) 2014-05-22 2017-05-16 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3442701A (en) * 1965-05-19 1969-05-06 Bell Telephone Labor Inc Method of fabricating semiconductor contacts
US3409809A (en) * 1966-04-06 1968-11-05 Irc Inc Semiconductor or write tri-layered metal contact
US3442012A (en) * 1967-08-03 1969-05-06 Teledyne Inc Method of forming a flip-chip integrated circuit
US3465211A (en) * 1968-02-01 1969-09-02 Friden Inc Multilayer contact system for semiconductors
DE1764434A1 (de) * 1968-06-05 1971-07-22 Telefunken Patent Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelementes
US3672984A (en) * 1969-03-12 1972-06-27 Hitachi Ltd Method of forming the electrode of a semiconductor device
US3663279A (en) * 1969-11-19 1972-05-16 Bell Telephone Labor Inc Passivated semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
DE2252832A1 (de) 1973-05-24
JPS557020B2 (OSRAM) 1980-02-21
DE2252832C2 (de) 1984-08-02
NL177263B (nl) 1985-03-18
GB1414511A (en) 1975-11-19
JPS4856076A (OSRAM) 1973-08-07
NL7215288A (OSRAM) 1973-05-17
US3848260A (en) 1974-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL154012B (nl) Reflectieverminderende, uit verscheidene deellagen opgebouwde meervoudige laag.
NL173110B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam een uit ten minste twee deellagen van verschillend materiaal samengestelde maskeringslaag wordt aangebracht.
NL175772C (nl) Veldeffectgeheugentransistor met geisoleerde stuurelektrode die door een samengestelde isolatielaag wordt gescheiden van de kanaalzone.
SE382528B (sv) Termogenerator.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL172930C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een krimpbaar laminaat, met zuurstofwerende eigenschappen.
NL149859B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een ohms contact, alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL164425C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een koellichaam.
NL141031B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met ten minste een elektrisch geisoleerd halfgeleidergebied, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL177263C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag.
NL178462C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met ten minste een kruising tussen twee van elkaar geisoleerde elektrische verbindingen.
CH546482A (de) Halbleiterbauelement.
NL158325B (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een veelvoud van geleidende lagen, met een vooraf bepaald patroon van geleiders.
CH546483A (de) Halbleiteranordnung.
CH551188A (de) Krankentransport-fahrzeug.
CH552067A (de) Verbundwerkstoff fuer strangpressmatrizen.
NL175569C (nl) Samengestelde transistorketen.
NL168465C (nl) Zak uit kunststoffolie met een klep.
NL143194B (nl) Inrichting voor het vormen van een, uit rijen bestaande laag steenvormlingen met bepaalde onderlinge tussenruimten tussen rijen van die laag.
NL144987B (nl) Werkwijze ter bereiding van een metallurgisch vloeimiddel, alsmede voorwerpen, die uit dit vloeimiddel zijn gevormd.
NL149430B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een decoratief laminaat met een slijtvaste toplaag en laminaat, verkregen volgens deze werkwijze.
NL167541B (nl) Inrichting met een variabele capaciteit.
ES210332Y (es) Embalaje compuesto fraccionable.
NL162869C (nl) Gelaagd voorwerp, bestaande uit een metaallaag met een daaraan hechtende kunststoflaag.
NO136618C (no) Stableanordning for st}lprofiler el. lign.

Legal Events

Date Code Title Description
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
DNT Communications of changes of names of applicants whose applications have been laid open to public inspection

Free format text: NEC CORPORATION

V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent