NL175561C - Werkwijzen voor het als geheugenelement bedrijven van een veldeffekttranssistor met een n-type inversiekanaal en een door isolerend materiaal omgeven in elektrisch opzicht zwevende geheugenelektrode en met de werkwijzen als geheugenelement te bedrijven veldeffekttransistor. - Google Patents
Werkwijzen voor het als geheugenelement bedrijven van een veldeffekttranssistor met een n-type inversiekanaal en een door isolerend materiaal omgeven in elektrisch opzicht zwevende geheugenelektrode en met de werkwijzen als geheugenelement te bedrijven veldeffekttransistor.Info
- Publication number
- NL175561C NL175561C NL7511017A NL7511017A NL175561C NL 175561 C NL175561 C NL 175561C NL 7511017 A NL7511017 A NL 7511017A NL 7511017 A NL7511017 A NL 7511017A NL 175561 C NL175561 C NL 175561C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- insulating material
- memory
- transsistor
- companies
- operating
- Prior art date
Links
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 title 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
- H01L29/7881—Programmable transistors with only two possible levels of programmation
- H01L29/7884—Programmable transistors with only two possible levels of programmation charging by hot carrier injection
- H01L29/7885—Hot carrier injection from the channel
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
- G11C11/404—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh with one charge-transfer gate, e.g. MOS transistor, per cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0416—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and no select transistor, e.g. UV EPROM
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0425—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a merged floating gate and select transistor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
- G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2445137A DE2445137C3 (de) | 1974-09-20 | 1974-09-20 | Verfahren zum Betrieb eines n-Kanal-Speicher-FET, n-Kanal-Speicher-FET zur Ausübung des Verfahrens und Anwendung des Verfahrens auf die n-Kanal-Speicher-FETs einer Speichermatrix |
DE19752505816 DE2505816C3 (de) | 1974-09-20 | 1975-02-12 | Verfahren zum Betrieb eines n-Kanal-Speicher-FET, n-Kanal-Speicher-FET zur Ausübung des Verfahrens und Anwendung des Verfahrens auf die n-Kanal-Speicher-FETs einer Speichermatrix |
DE2513207A DE2513207C2 (de) | 1974-09-20 | 1975-03-25 | n-Kanal-Speicher-FET |
DE19752525062 DE2525062C2 (de) | 1975-06-05 | 1975-06-05 | Matrixanordnung aus n-Kanal-Speicher-FET |
DE19752525097 DE2525097C3 (de) | 1975-06-05 | 1975-06-05 | Verfahren zum Betrieb eines n-Kanal-Speicher-FET |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7511017A NL7511017A (nl) | 1976-03-23 |
NL175561B NL175561B (nl) | 1984-06-18 |
NL175561C true NL175561C (nl) | 1984-11-16 |
Family
ID=27510366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7511017A NL175561C (nl) | 1974-09-20 | 1975-09-18 | Werkwijzen voor het als geheugenelement bedrijven van een veldeffekttranssistor met een n-type inversiekanaal en een door isolerend materiaal omgeven in elektrisch opzicht zwevende geheugenelektrode en met de werkwijzen als geheugenelement te bedrijven veldeffekttransistor. |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5157255A (fr) |
AT (1) | AT365000B (fr) |
AU (1) | AU498494B2 (fr) |
BE (1) | BE833633A (fr) |
CA (1) | CA1070427A (fr) |
CH (1) | CH607233A5 (fr) |
DK (1) | DK143923C (fr) |
FR (1) | FR2285677A1 (fr) |
GB (1) | GB1517927A (fr) |
IT (1) | IT1042632B (fr) |
NL (1) | NL175561C (fr) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5391585A (en) * | 1977-04-04 | 1978-08-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Nonvolatile field effect transistor |
US4173766A (en) * | 1977-09-16 | 1979-11-06 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Insulated gate field-effect transistor read-only memory cell |
SE7907193L (sv) * | 1978-09-28 | 1980-03-29 | Rca Corp | Bestendigt minne |
JPS5560469U (fr) * | 1978-10-20 | 1980-04-24 | ||
JPS5571072A (en) * | 1978-11-24 | 1980-05-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor nonvolatile memory |
JPS57160163A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Agency Of Ind Science & Technol | Nonvolatile semiconductor memory |
JPS5864068A (ja) * | 1981-10-14 | 1983-04-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 不揮発性半導体メモリの書き込み方法 |
JPH04307974A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-10-30 | Sharp Corp | 電気的消去可能不揮発性半導体記憶装置 |
CN111739572A (zh) * | 2019-03-25 | 2020-10-02 | 亿而得微电子股份有限公司 | 电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS526148B2 (fr) * | 1972-05-18 | 1977-02-19 |
-
1975
- 1975-08-21 AT AT0646575A patent/AT365000B/de not_active IP Right Cessation
- 1975-09-09 GB GB3698375A patent/GB1517927A/en not_active Expired
- 1975-09-11 CA CA235,230A patent/CA1070427A/fr not_active Expired
- 1975-09-12 AU AU84797/75A patent/AU498494B2/en not_active Expired
- 1975-09-16 FR FR7528356A patent/FR2285677A1/fr active Granted
- 1975-09-16 CH CH1198075A patent/CH607233A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-09-18 IT IT2734475A patent/IT1042632B/it active
- 1975-09-18 DK DK419975A patent/DK143923C/da not_active IP Right Cessation
- 1975-09-18 NL NL7511017A patent/NL175561C/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-09-19 JP JP11352275A patent/JPS5157255A/ja active Pending
- 1975-09-19 BE BE160218A patent/BE833633A/fr not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DK143923B (da) | 1981-10-26 |
AU8479775A (en) | 1977-03-17 |
DK143923C (da) | 1982-04-19 |
DK419975A (da) | 1976-03-21 |
FR2285677B1 (fr) | 1981-05-29 |
CA1070427A (fr) | 1980-01-22 |
JPS5157255A (fr) | 1976-05-19 |
NL175561B (nl) | 1984-06-18 |
GB1517927A (en) | 1978-07-19 |
IT1042632B (it) | 1980-01-30 |
AU498494B2 (en) | 1979-03-15 |
NL7511017A (nl) | 1976-03-23 |
BE833633A (fr) | 1976-03-19 |
FR2285677A1 (fr) | 1976-04-16 |
ATA646575A (de) | 1981-04-15 |
CH607233A5 (fr) | 1978-11-30 |
AT365000B (de) | 1981-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL176306C (nl) | Werkwijze voor het inbrengen van een ten dele bevochtigde teststrook in een langwerpig huis. | |
NL7503726A (nl) | Veldeffecttransistor met geisoleerde stuur- electrode en diepe depletie. | |
NL7511329A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het verwerken van door warmte zachtgemaakt materiaal. | |
NL185483C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort. | |
NL7512706A (nl) | Elektro-optische werkwijze en inrichting voor het bepalen van een afmeting van een voorwerp. | |
NL7515064A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het niet-verspanend bewerken van kunststof. | |
NL7513422A (nl) | Transistorversterker met veldeffecttransistoren. | |
NL7511576A (nl) | Vochtigheidsopnemer en van een dergelijke voch- tigheidsopnemer voorzien video bandapparaat. | |
NL7513192A (nl) | Geheugeninrichting met twee complementaire veld- effecttransistoren. | |
NL175561C (nl) | Werkwijzen voor het als geheugenelement bedrijven van een veldeffekttranssistor met een n-type inversiekanaal en een door isolerend materiaal omgeven in elektrisch opzicht zwevende geheugenelektrode en met de werkwijzen als geheugenelement te bedrijven veldeffekttransistor. | |
NL7511940A (nl) | Ritssluiting met een orgaan voor het openen in geval van nood. | |
NL7507900A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van mestkorrels. | |
NL169120C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch element en element verkregen volgens deze werkwijze. | |
NL180896C (nl) | Elektrisch weerstandselement en werkwijze voor het vervaardigen van zulk een elektrisch weerstandselement. | |
NL179713C (nl) | Inrichting voor het in de middenstand terugbrengen van een centrale koppeling. | |
NL7503868A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het meten van fouten in afdichtingen. | |
NL7509650A (nl) | Afdichtconstructie voor het afdichten van concen- trisch ten opzichte van elkaar geplaatste en in axiale richting ten opzichte van elkaar beweeg- bare delen. | |
NL7408110A (nl) | Halfgeleiderinrichting met complementaire tran- sistorstrukturen en werkwijze ter vervaardiging daarvan. | |
NL7709870A (nl) | Complementair geisoleerde veldeffecthalfgeleider- inrichting met poortwerking en werkwijze voor de vervaardiging daarvan. | |
NL7512499A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het meten en regis- treren van ruis. | |
CH546875A (de) | Vorrichtung an schiebetuere zur daempfung sowohl ihrer oeffnungs- als auch ihrer schliessbewegung. | |
NL7506288A (nl) | Complementair veldeffekttransistorstelsel met geisoleerde poortelektrode. | |
NL7410199A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van koorden. | |
NL163373C (nl) | Veldeffecttransistor met een n-type inversiekanaal voorzien van een zwevende geheugenelektrode. | |
NL7514849A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het afdichten van een asdoorgang. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V4 | Lapsed because of reaching the maxim lifetime of a patent |
Free format text: 950918 |