NL169802C - Werkwijze voor het vervaardigen van een door dielektrisch materiaal geisoleerde, geintegreerde halfgeleiderschakeling. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een door dielektrisch materiaal geisoleerde, geintegreerde halfgeleiderschakeling.Info
- Publication number
- NL169802C NL169802C NLAANVRAGE7113629,A NL7113629A NL169802C NL 169802 C NL169802 C NL 169802C NL 7113629 A NL7113629 A NL 7113629A NL 169802 C NL169802 C NL 169802C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- manufacturing
- dielectric material
- semiconductor circuit
- integrated semiconductor
- circuit isolated
- Prior art date
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76297—Dielectric isolation using EPIC techniques, i.e. epitaxial passivated integrated circuit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/026—Deposition thru hole in mask
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/051—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/085—Isolated-integrated
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Weting (AREA)
- Element Separation (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8658670A JPS4945035B1 (xx) | 1970-10-05 | 1970-10-05 | |
JP4925071A JPS5521461B1 (xx) | 1971-07-06 | 1971-07-06 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7113629A NL7113629A (xx) | 1972-04-07 |
NL169802B NL169802B (nl) | 1982-03-16 |
NL169802C true NL169802C (nl) | 1982-08-16 |
Family
ID=26389625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE7113629,A NL169802C (nl) | 1970-10-05 | 1971-10-05 | Werkwijze voor het vervaardigen van een door dielektrisch materiaal geisoleerde, geintegreerde halfgeleiderschakeling. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3756877A (xx) |
CA (1) | CA924026A (xx) |
DE (1) | DE2149566C3 (xx) |
FR (1) | FR2110235B1 (xx) |
GB (1) | GB1345752A (xx) |
NL (1) | NL169802C (xx) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111019659A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-17 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种选择性硅蚀刻液 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2294549A1 (fr) * | 1974-12-09 | 1976-07-09 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation de dispositifs optoelectroniques |
US3997381A (en) * | 1975-01-10 | 1976-12-14 | Intel Corporation | Method of manufacture of an epitaxial semiconductor layer on an insulating substrate |
JPS5215262A (en) * | 1975-07-28 | 1977-02-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor device and its manufacturing method |
DE69232347T2 (de) * | 1991-09-27 | 2002-07-11 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zur Behandlung eines Substrats aus Silizium |
DE69233314T2 (de) * | 1991-10-11 | 2005-03-24 | Canon K.K. | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Produkten |
US5843322A (en) * | 1996-12-23 | 1998-12-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3372063A (en) * | 1964-12-22 | 1968-03-05 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing at least one electrically isolated region of a semiconductive material |
FR1483068A (fr) * | 1965-05-10 | 1967-06-02 | Ibm | Montage de dispositif à semi-conducteur et procédé de fabrication |
-
1971
- 1971-10-04 US US00186257A patent/US3756877A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-10-04 CA CA124253A patent/CA924026A/en not_active Expired
- 1971-10-05 GB GB4625871A patent/GB1345752A/en not_active Expired
- 1971-10-05 FR FR7135864A patent/FR2110235B1/fr not_active Expired
- 1971-10-05 DE DE2149566A patent/DE2149566C3/de not_active Expired
- 1971-10-05 NL NLAANVRAGE7113629,A patent/NL169802C/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111019659A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-17 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种选择性硅蚀刻液 |
CN111019659B (zh) * | 2019-12-06 | 2021-06-08 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种选择性硅蚀刻液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2149566B2 (de) | 1980-11-27 |
US3756877A (en) | 1973-09-04 |
NL7113629A (xx) | 1972-04-07 |
DE2149566A1 (de) | 1972-04-06 |
FR2110235A1 (xx) | 1972-06-02 |
DE2149566C3 (de) | 1981-07-23 |
FR2110235B1 (xx) | 1977-03-18 |
CA924026A (en) | 1973-04-03 |
GB1345752A (en) | 1974-02-06 |
NL169802B (nl) | 1982-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL145087B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van elektrisch contactmateriaal, alsmede elektrisch contact vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. | |
NL161620C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling. | |
NL160512C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een van uitsteeksels voorziene plaat. | |
NL166583C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo- -elektrische eenheid. | |
NL159534B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met van een geisoleerde stuurelektrode voorziene veldeffecttransistoren. | |
NL161302C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL7508658A (nl) | Werkwijze voor het stabiliseren van gemodificeerd polyfenyleenoxyde, alsmede daaruit vervaardigde voorwerpen. | |
NL169018C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch verwarmbare glasruit. | |
NL172710C (nl) | Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen van deze laser. | |
NL162789C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL158026B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL164157C (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling. | |
NL169802C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een door dielektrisch materiaal geisoleerde, geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL161919C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, die een p,n-overgang bevat. | |
NL163048C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrische condensator. | |
NL143073B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze. | |
NL7410215A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling. | |
NL163854C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een isolerende profielstaaf. | |
NL148761B (nl) | Schakeling voor het verminderen van een wisselspanning, die een nuttige spanning stoort. | |
NL149711B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van pillen, alsmede de aldus vervaardigde pillen. | |
NL179248C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met complementaire transistoren. | |
NL162231B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van elektrisch isolerende elementen, geschikt voor de vervaardiging van gedrukte schakelingen. | |
NL156539B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een wolfraamhalogeengloeilamp en wolfraamhalogeengloeilamp vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL146630B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een hoogspanningsgeleider en hoogspanningsgeleider verkregen door toepassing van de werkwijze. | |
NL162247B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolaire transistor voor een geintegreerde halfgeleider- schakeling. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V4 | Lapsed because of reaching the maximum lifetime of a patent |