NL167548C - Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori
- Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication of NL167548CpublicationCriticalpatent/NL167548C/xx
H01H29/00—Switches having at least one liquid contact
NL7409555.A1951-03-01Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori
NL167548C
(nl)
Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori
Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori
Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori
Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van een eerste soort en van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van de voor de eerste soort complementaire tweede soort.