NL163675B - Werkwijze voor het in een voorafbepaalde richting overdragen van met informatiesignalen overeenkomende pakketten ladingsdragers in een halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type. - Google Patents

Werkwijze voor het in een voorafbepaalde richting overdragen van met informatiesignalen overeenkomende pakketten ladingsdragers in een halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type.

Info

Publication number
NL163675B
NL163675B NL7208841.A NL7208841A NL163675B NL 163675 B NL163675 B NL 163675B NL 7208841 A NL7208841 A NL 7208841A NL 163675 B NL163675 B NL 163675B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
load
information signals
defined direction
coupled type
Prior art date
Application number
NL7208841.A
Other languages
English (en)
Other versions
NL163675C (nl
NL7208841A (nl
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7208841A publication Critical patent/NL7208841A/xx
Publication of NL163675B publication Critical patent/NL163675B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL163675C publication Critical patent/NL163675C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76833—Buried channel CCD
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • G11C19/282—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
    • H01L29/1062—Channel region of field-effect devices of charge coupled devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76833—Buried channel CCD
    • H01L29/76841—Two-Phase CCD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76866—Surface Channel CCD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
NL7208841.A 1971-06-28 1972-06-27 Werkwijze voor het in een voorafbepaalde richting overdragen van met informatiesignalen overeenkomende pakketten ladingsdragers in een halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type. NL163675C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15750771A 1971-06-28 1971-06-28
US15750971A 1971-06-28 1971-06-28

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7208841A NL7208841A (nl) 1973-01-02
NL163675B true NL163675B (nl) 1980-04-15
NL163675C NL163675C (nl) 1980-09-15

Family

ID=26854197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7208841.A NL163675C (nl) 1971-06-28 1972-06-27 Werkwijze voor het in een voorafbepaalde richting overdragen van met informatiesignalen overeenkomende pakketten ladingsdragers in een halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type.

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS5147586B1 (nl)
BE (1) BE785468A (nl)
DE (1) DE2231616C3 (nl)
FR (1) FR2143837B1 (nl)
GB (1) GB1376640A (nl)
IT (1) IT958489B (nl)
NL (1) NL163675C (nl)
SE (2) SE387186B (nl)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3852799A (en) * 1973-04-27 1974-12-03 Bell Telephone Labor Inc Buried channel charge coupled apparatus
FR2259438B1 (nl) * 1974-01-24 1976-10-08 Commissariat Energie Atomique
FR2294546A1 (fr) * 1974-12-13 1976-07-09 Thomson Csf Dispositif a transfert de charges monophase

Also Published As

Publication number Publication date
DE2231616B2 (nl) 1981-02-05
GB1376640A (en) 1974-12-11
DE2231616A1 (de) 1973-01-11
DE2231616C3 (de) 1981-10-01
FR2143837B1 (nl) 1974-12-27
BE785468A (fr) 1972-10-16
NL163675C (nl) 1980-09-15
IT958489B (it) 1973-10-20
SE7509111L (sv) 1975-08-14
SE409773B (sv) 1979-09-03
JPS5147586B1 (nl) 1976-12-15
FR2143837A1 (nl) 1973-02-09
NL7208841A (nl) 1973-01-02
SE387186B (sv) 1976-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL182441C (nl) Datatransmissiestelsel met ten minste een dataschakelcentrum voor het tot stand brengen van verbindingen voor datapakketten.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL171873C (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een koppelorgaan.
NL160512C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een van uitsteeksels voorziene plaat.
BE785902A (fr) Rotoren voor maaidorsers van het type met axiale doorstroming.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL171912C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van ijzerfoelie.
NL171104C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van reflecterende nummerborden.
NL162964C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een magnetische legering.
NL151506B (nl) Werkwijze en inrichting voor het uitvoeren van een tweedimensionale immuunelektroforese.
NL145527B (nl) Werkwijze voor het disproportioneren van alkenen.
NL169374C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een overdrachtsbeeld.
NL167895C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van kunststofvoorwerpen.
NL163675C (nl) Werkwijze voor het in een voorafbepaalde richting overdragen van met informatiesignalen overeenkomende pakketten ladingsdragers in een halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type.
NL173507C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking.
NL181767C (nl) Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
NL171743C (nl) Inrichting voor het vormen van groepkarakteristieksignalen.
NL182682C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een halfgeleiderverbinding, alsmede halfgeleiderelement dat deze verbinding bevat.
NL166389C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een met een kaartje uitgeruste ritssluiting.
NL161995B (nl) Inrichting voor het transporteren van buizen.
NL176867B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een poedervormig reinigingsmiddel.
NL170092C (nl) Inrichting voor het plaatsen van lopers op sluitingen.
NL164865C (nl) Werkwijze voor het cycliseren van dieen-elastomeren.
NL174479C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gevormde voorwerpen.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee