NL157749C - Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.Info
- Publication number
- NL157749C NL157749C NL6814191.A NL6814191A NL157749C NL 157749 C NL157749 C NL 157749C NL 6814191 A NL6814191 A NL 6814191A NL 157749 C NL157749 C NL 157749C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- manufacturing
- manufactured
- transistor manufactured
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title 2
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/043—Dual dielectric
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/053—Field effect transistors fets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/103—Mask, dual function, e.g. diffusion and oxidation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/105—Masks, metal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/106—Masks, special
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US67522867A | 1967-10-13 | 1967-10-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL6814191A NL6814191A (de) | 1969-04-15 |
| NL157749C true NL157749C (nl) | 1980-12-15 |
Family
ID=24709573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL6814191.A NL157749C (nl) | 1967-10-13 | 1968-10-03 | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3566517A (de) |
| JP (1) | JPS4931833B1 (de) |
| BR (1) | BR6802966D0 (de) |
| CH (1) | CH489913A (de) |
| DE (1) | DE1803028B2 (de) |
| FR (1) | FR1587468A (de) |
| GB (1) | GB1245116A (de) |
| NL (1) | NL157749C (de) |
| SE (1) | SE339725B (de) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3698078A (en) * | 1969-12-22 | 1972-10-17 | Gen Electric | Diode array storage system having a self-registered target and method of forming |
| US3764411A (en) * | 1970-06-23 | 1973-10-09 | Gen Electric | Glass melt through diffusions |
| US3730787A (en) * | 1970-08-26 | 1973-05-01 | Bell Telephone Labor Inc | Method of fabricating semiconductor integrated circuits using deposited doped oxides as a source of dopant impurities |
| US3724065A (en) * | 1970-10-01 | 1973-04-03 | Texas Instruments Inc | Fabrication of an insulated gate field effect transistor device |
| US3745647A (en) * | 1970-10-07 | 1973-07-17 | Rca Corp | Fabrication of semiconductor devices |
| US3798083A (en) * | 1971-04-15 | 1974-03-19 | Monsanto Co | Fabrication of semiconductor devices |
| US3728784A (en) * | 1971-04-15 | 1973-04-24 | Monsanto Co | Fabrication of semiconductor devices |
| US3728785A (en) * | 1971-04-15 | 1973-04-24 | Monsanto Co | Fabrication of semiconductor devices |
| US3897286A (en) * | 1974-06-21 | 1975-07-29 | Gen Electric | Method of aligning edges of emitter and its metalization in a semiconductor device |
| JPS5158045U (de) * | 1974-10-31 | 1976-05-07 | ||
| DE2454412A1 (de) * | 1974-11-16 | 1976-05-26 | Licentia Gmbh | Verfahren zum dotieren eines halbleiterkoerpers durch diffusion aus der gasphase |
| US4282647A (en) * | 1978-04-04 | 1981-08-11 | Standard Microsystems Corporation | Method of fabricating high density refractory metal gate MOS integrated circuits utilizing the gate as a selective diffusion and oxidation mask |
| US4557036A (en) * | 1982-03-31 | 1985-12-10 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. | Semiconductor device and process for manufacturing the same |
| US6149269A (en) * | 1997-04-18 | 2000-11-21 | Madison; Julie B. | Eyeglasses having magnetically held auxiliary lenses |
-
1967
- 1967-10-13 US US675228A patent/US3566517A/en not_active Expired - Lifetime
-
1968
- 1968-10-01 GB GB46546/68A patent/GB1245116A/en not_active Expired
- 1968-10-03 NL NL6814191.A patent/NL157749C/xx not_active IP Right Cessation
- 1968-10-09 BR BR202966/68A patent/BR6802966D0/pt unknown
- 1968-10-11 FR FR1587468D patent/FR1587468A/fr not_active Expired
- 1968-10-11 JP JP43074123A patent/JPS4931833B1/ja active Pending
- 1968-10-11 CH CH1522568A patent/CH489913A/de not_active IP Right Cessation
- 1968-10-14 DE DE19681803028 patent/DE1803028B2/de not_active Ceased
- 1968-10-14 SE SE13840/68A patent/SE339725B/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1587468A (de) | 1970-03-20 |
| BR6802966D0 (pt) | 1973-01-04 |
| CH489913A (de) | 1970-04-30 |
| NL6814191A (de) | 1969-04-15 |
| SE339725B (de) | 1971-10-18 |
| DE1803028A1 (de) | 1971-02-11 |
| US3566517A (en) | 1971-03-02 |
| DE1803028B2 (de) | 1973-03-08 |
| JPS4931833B1 (de) | 1974-08-24 |
| GB1245116A (en) | 1971-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL160143C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een afgesloten neutro- nengenerator. | |
| NL161591C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm. | |
| NL161616C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
| NL156631B (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van biaxiaal verstrekte slangfoelies. | |
| NL158541B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van laminaten. | |
| NL148654B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
| NL162789C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
| NL157749C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL143167B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van gestrekte polypropeenfoelies. | |
| NL163369C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
| NL162511B (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
| NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
| NL162011B (nl) | Inrichting voor het opbouwen van een banddeel. | |
| NL155476B (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van een buisvormige film. | |
| NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL158298B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een gemigreerde seismische registratie, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. | |
| NL146522B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van georienteerde foelies van polyethyleentereftalaat. | |
| NL162710C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ladder en een met behulp van de werkwijze vervaardigde ladder. | |
| NL139874B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een liksteen en liksteen, vervaardigd met de werkwijze. | |
| NL141401B (nl) | Werkwijze voor het disproportioneren van alkenen. | |
| NL162865B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ritssluiting. | |
| NL144120B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnelaagschakeling, alsmede de volgens deze werkwijze verkregen schakeling. | |
| NL158323C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. | |
| NL151558B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL145492B (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van een laminaat. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| P2 | Not automatically granted patents | ||
| V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |