NL155459B - Werkwijze voor het epitaxiaal doen groeien van een laag op een substraat, alsmede gevormde voortbrengselen, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het epitaxiaal doen groeien van een laag op een substraat, alsmede gevormde voortbrengselen, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.

Info

Publication number
NL155459B
NL155459B NL7204826.A NL7204826A NL155459B NL 155459 B NL155459 B NL 155459B NL 7204826 A NL7204826 A NL 7204826A NL 155459 B NL155459 B NL 155459B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufactured
procedure
substrate
epitaxial layer
formed products
Prior art date
Application number
NL7204826.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7204826A (sv
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7204826A publication Critical patent/NL7204826A/xx
Publication of NL155459B publication Critical patent/NL155459B/xx

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/24Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
    • H01F41/28Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids by liquid phase epitaxy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/26Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
    • C04B35/2675Other ferrites containing rare earth metals, e.g. rare earth ferrite garnets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/02Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/062Vertical dipping system
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/20Aluminium oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/26Complex oxides with formula BMe2O4, wherein B is Mg, Ni, Co, Al, Zn, or Cd and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/28Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
NL7204826.A 1971-04-12 1972-04-11 Werkwijze voor het epitaxiaal doen groeien van een laag op een substraat, alsmede gevormde voortbrengselen, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. NL155459B (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13336171A 1971-04-12 1971-04-12
US16339671A 1971-07-16 1971-07-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7204826A NL7204826A (sv) 1972-10-16
NL155459B true NL155459B (nl) 1978-01-16

Family

ID=26831310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7204826.A NL155459B (nl) 1971-04-12 1972-04-11 Werkwijze voor het epitaxiaal doen groeien van een laag op een substraat, alsmede gevormde voortbrengselen, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS5222955B1 (sv)
BE (1) BE781919A (sv)
DE (1) DE2217301C3 (sv)
FR (1) FR2132849B1 (sv)
GB (1) GB1386856A (sv)
IT (1) IT954626B (sv)
NL (1) NL155459B (sv)
SE (1) SE385193B (sv)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4293372A (en) * 1980-07-15 1981-10-06 Rockwell International Corporation Growth of single-crystal magnetoplumbite
FR2771107B1 (fr) * 1997-11-18 1999-12-10 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation par croissance par epitaxie en phase liquide de couches monocristallines d'aluminate de lanthane et de magnesium (lma) et composants optiques comprenant ces couches
JP3062603B1 (ja) * 1999-07-08 2000-07-12 東京大学長 単結晶部材の作製方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3486937A (en) * 1967-03-24 1969-12-30 Perkin Elmer Corp Method of growing a single crystal film of a ferrimagnetic material

Also Published As

Publication number Publication date
FR2132849A1 (sv) 1972-11-24
FR2132849B1 (sv) 1974-12-13
DE2217301C3 (de) 1975-10-16
DE2217301B2 (de) 1974-05-22
BE781919A (fr) 1972-07-31
IT954626B (it) 1973-09-15
DE2217301A1 (de) 1972-10-26
GB1386856A (en) 1975-03-12
SE385193B (sv) 1976-06-14
NL7204826A (sv) 1972-10-16
JPS5222955B1 (sv) 1977-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL158823B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een gesegmenteerd, thermoplastisch copolyester-elastomeer.
NL147160B (nl) Werkwijze voor de bereiding van een plakmiddel en voorwerpen, vervaardigd met behulp van dit plakmiddel.
NL167182C (nl) Werkwijze voor de bereiding van thermohardende reactieprodukten, alsmede werkwijze voor het vervaar- digen van thermostabiele geharde voorwerpen.
NL172882B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een zelfborgend bevestigingsorgaan met een schroefdraadschacht, alsmede zelfborgend bevestigingsorgaan, vervaardigd met toepassing van deze werkwijze.
NL176082C (nl) Werkwijze voor het bereiden van polycarbonaatmengsels, alsmede daaruit vervaardigde voorwerpen.
NL7410874A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een aantal filamenten, alsmede produkten verkregen volgens de werkwijze.
NL7603316A (nl) Werkwijze voor het dichten van breuken in uit meer dan een laag bestaande, zeer dunne membra- nen.
NL174062B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een uit een polycarbonaat bestaand, bekleed substraat.
NL158560B (nl) Werkwijze voor het verbeteren van het hechtend vermogen van een koperfoelie op een onderlaag, alsmede plaat, verkregen met behulp van deze werkwijze.
NL161463C (nl) Werkwijze voor het polymeriseren van alkenen, alsmede gevormde voorwerpen.
NL7506519A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekt- transistor, en veldeffekttransistor vervaardigd vol- gens deze werkwijze.
NL153187B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een preparaat met een wormen bestrijdende activiteit, gevormd preparaat en werkwijze voor het bereiden van daartoe geschikte verbindingen.
NL149842B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een grondverf en gevormde voortbrengselen, behandeld met deze grondverf.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL152275B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een blokcopolymeer, alsmede daarvan gevormd voortbrengsel.
NL179817C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een vulcaniseerbaar mengsel; werkwijze voor het bereiden van een 1,3,5triazineverbinding; gevormde voortbrengselen.
NL149831B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een bekledingspreparaat, alsmede gevormde voortbrengselen voorzien van een bekleding door toepassing van een dergelijk preparaat.
NL158999B (nl) Werkwijze voor het verrijken van lysine-arme voedingsmiddelen en gevormde voedingsmiddelen, verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL169262C (nl) Werkwijze voor het conserveren van plantaardige produkten, alsmede werkwijze voor het bereiden van een daarbij gebruikt conserveermiddel.
NL183937C (nl) Werkwijze voor het bereiden van octatrieen-(1,4,6) door octatrieen-(1,3,7) selectief katalytisch te isomeriseren.
NL155459B (nl) Werkwijze voor het epitaxiaal doen groeien van een laag op een substraat, alsmede gevormde voortbrengselen, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL147113B (nl) Werkwijze en inrichting voor de behandeling van het bovenoppervlak van een strook drijfglas en drijfglas, voorzien van een oppervlaktebekleding, verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL154923B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een versnapering en de met deze werkwijze bereide versnapering.
NL151911B (nl) Werkwijze voor het via een reactie in de dampfase epitaxiaal doen groeien van een al dan niet gedoteerde gaas1-*p*-laag op een onderlaag en door toepassing van deze werkwijze verkregen gevormd voortbrengsel.
NL7410978A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: WEST ELECTRIC

V4 Lapsed because of reaching the maximum lifetime of a patent