NL155459B - Werkwijze voor het epitaxiaal doen groeien van een laag op een substraat, alsmede gevormde voortbrengselen, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het epitaxiaal doen groeien van een laag op een substraat, alsmede gevormde voortbrengselen, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL155459B NL155459B NL7204826.A NL7204826A NL155459B NL 155459 B NL155459 B NL 155459B NL 7204826 A NL7204826 A NL 7204826A NL 155459 B NL155459 B NL 155459B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- manufactured
- procedure
- substrate
- epitaxial layer
- formed products
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
- H01F41/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids by liquid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
- C04B35/2675—Other ferrites containing rare earth metals, e.g. rare earth ferrite garnets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/062—Vertical dipping system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/26—Complex oxides with formula BMe2O4, wherein B is Mg, Ni, Co, Al, Zn, or Cd and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13336171A | 1971-04-12 | 1971-04-12 | |
US16339671A | 1971-07-16 | 1971-07-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7204826A NL7204826A (sv) | 1972-10-16 |
NL155459B true NL155459B (nl) | 1978-01-16 |
Family
ID=26831310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7204826.A NL155459B (nl) | 1971-04-12 | 1972-04-11 | Werkwijze voor het epitaxiaal doen groeien van een laag op een substraat, alsmede gevormde voortbrengselen, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5222955B1 (sv) |
BE (1) | BE781919A (sv) |
DE (1) | DE2217301C3 (sv) |
FR (1) | FR2132849B1 (sv) |
GB (1) | GB1386856A (sv) |
IT (1) | IT954626B (sv) |
NL (1) | NL155459B (sv) |
SE (1) | SE385193B (sv) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4293372A (en) * | 1980-07-15 | 1981-10-06 | Rockwell International Corporation | Growth of single-crystal magnetoplumbite |
FR2771107B1 (fr) * | 1997-11-18 | 1999-12-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation par croissance par epitaxie en phase liquide de couches monocristallines d'aluminate de lanthane et de magnesium (lma) et composants optiques comprenant ces couches |
JP3062603B1 (ja) * | 1999-07-08 | 2000-07-12 | 東京大学長 | 単結晶部材の作製方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3486937A (en) * | 1967-03-24 | 1969-12-30 | Perkin Elmer Corp | Method of growing a single crystal film of a ferrimagnetic material |
-
1972
- 1972-04-04 SE SE7204285A patent/SE385193B/sv unknown
- 1972-04-07 IT IT68090/72A patent/IT954626B/it active
- 1972-04-11 GB GB1661172A patent/GB1386856A/en not_active Expired
- 1972-04-11 NL NL7204826.A patent/NL155459B/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-04-11 DE DE2217301A patent/DE2217301C3/de not_active Expired
- 1972-04-11 BE BE781919A patent/BE781919A/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-04-11 FR FR7212613A patent/FR2132849B1/fr not_active Expired
- 1972-04-12 JP JP47036151A patent/JPS5222955B1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2132849A1 (sv) | 1972-11-24 |
FR2132849B1 (sv) | 1974-12-13 |
DE2217301C3 (de) | 1975-10-16 |
DE2217301B2 (de) | 1974-05-22 |
BE781919A (fr) | 1972-07-31 |
IT954626B (it) | 1973-09-15 |
DE2217301A1 (de) | 1972-10-26 |
GB1386856A (en) | 1975-03-12 |
SE385193B (sv) | 1976-06-14 |
NL7204826A (sv) | 1972-10-16 |
JPS5222955B1 (sv) | 1977-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL158823B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een gesegmenteerd, thermoplastisch copolyester-elastomeer. | |
NL147160B (nl) | Werkwijze voor de bereiding van een plakmiddel en voorwerpen, vervaardigd met behulp van dit plakmiddel. | |
NL167182C (nl) | Werkwijze voor de bereiding van thermohardende reactieprodukten, alsmede werkwijze voor het vervaar- digen van thermostabiele geharde voorwerpen. | |
NL172882B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een zelfborgend bevestigingsorgaan met een schroefdraadschacht, alsmede zelfborgend bevestigingsorgaan, vervaardigd met toepassing van deze werkwijze. | |
NL176082C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van polycarbonaatmengsels, alsmede daaruit vervaardigde voorwerpen. | |
NL7410874A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een aantal filamenten, alsmede produkten verkregen volgens de werkwijze. | |
NL7603316A (nl) | Werkwijze voor het dichten van breuken in uit meer dan een laag bestaande, zeer dunne membra- nen. | |
NL174062B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een uit een polycarbonaat bestaand, bekleed substraat. | |
NL158560B (nl) | Werkwijze voor het verbeteren van het hechtend vermogen van een koperfoelie op een onderlaag, alsmede plaat, verkregen met behulp van deze werkwijze. | |
NL161463C (nl) | Werkwijze voor het polymeriseren van alkenen, alsmede gevormde voorwerpen. | |
NL7506519A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekt- transistor, en veldeffekttransistor vervaardigd vol- gens deze werkwijze. | |
NL153187B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een preparaat met een wormen bestrijdende activiteit, gevormd preparaat en werkwijze voor het bereiden van daartoe geschikte verbindingen. | |
NL149842B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een grondverf en gevormde voortbrengselen, behandeld met deze grondverf. | |
NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL152275B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een blokcopolymeer, alsmede daarvan gevormd voortbrengsel. | |
NL179817C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een vulcaniseerbaar mengsel; werkwijze voor het bereiden van een 1,3,5triazineverbinding; gevormde voortbrengselen. | |
NL149831B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een bekledingspreparaat, alsmede gevormde voortbrengselen voorzien van een bekleding door toepassing van een dergelijk preparaat. | |
NL158999B (nl) | Werkwijze voor het verrijken van lysine-arme voedingsmiddelen en gevormde voedingsmiddelen, verkregen door toepassing van deze werkwijze. | |
NL169262C (nl) | Werkwijze voor het conserveren van plantaardige produkten, alsmede werkwijze voor het bereiden van een daarbij gebruikt conserveermiddel. | |
NL183937C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van octatrieen-(1,4,6) door octatrieen-(1,3,7) selectief katalytisch te isomeriseren. | |
NL155459B (nl) | Werkwijze voor het epitaxiaal doen groeien van een laag op een substraat, alsmede gevormde voortbrengselen, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. | |
NL147113B (nl) | Werkwijze en inrichting voor de behandeling van het bovenoppervlak van een strook drijfglas en drijfglas, voorzien van een oppervlaktebekleding, verkregen door toepassing van deze werkwijze. | |
NL154923B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een versnapering en de met deze werkwijze bereide versnapering. | |
NL151911B (nl) | Werkwijze voor het via een reactie in de dampfase epitaxiaal doen groeien van een al dan niet gedoteerde gaas1-*p*-laag op een onderlaag en door toepassing van deze werkwijze verkregen gevormd voortbrengsel. | |
NL7410978A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NL80 | Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent |
Owner name: WEST ELECTRIC |
|
V4 | Lapsed because of reaching the maximum lifetime of a patent |