NL149233B - Werkwijze voor het doen groeien van een dunne laag van een verbinding van groep iii (a) - v (a) van het periodiek systeem der elementen op een substraatoppervlak en lichamen voorzien van een aldus verkregen laag. - Google Patents

Werkwijze voor het doen groeien van een dunne laag van een verbinding van groep iii (a) - v (a) van het periodiek systeem der elementen op een substraatoppervlak en lichamen voorzien van een aldus verkregen laag.

Info

Publication number
NL149233B
NL149233B NL717106152A NL7106152A NL149233B NL 149233 B NL149233 B NL 149233B NL 717106152 A NL717106152 A NL 717106152A NL 7106152 A NL7106152 A NL 7106152A NL 149233 B NL149233 B NL 149233B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
layer
growing
joint
elements
substrate surface
Prior art date
Application number
NL717106152A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7106152A (nl
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7106152A publication Critical patent/NL7106152A/xx
Publication of NL149233B publication Critical patent/NL149233B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0617—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/017—Clean surfaces
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/022—Controlled atmosphere
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/049—Equivalence and options
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/056—Gallium arsenide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/119—Phosphides of gallium or indium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/122—Polycrystalline
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/15—Silicon on sapphire SOS
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/158—Sputtering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/169—Vacuum deposition, e.g. including molecular beam epitaxy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/967—Semiconductor on specified insulator

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
NL717106152A 1970-05-08 1971-05-05 Werkwijze voor het doen groeien van een dunne laag van een verbinding van groep iii (a) - v (a) van het periodiek systeem der elementen op een substraatoppervlak en lichamen voorzien van een aldus verkregen laag. NL149233B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3574870A 1970-05-08 1970-05-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7106152A NL7106152A (nl) 1971-11-10
NL149233B true NL149233B (nl) 1976-04-15

Family

ID=21884564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL717106152A NL149233B (nl) 1970-05-08 1971-05-05 Werkwijze voor het doen groeien van een dunne laag van een verbinding van groep iii (a) - v (a) van het periodiek systeem der elementen op een substraatoppervlak en lichamen voorzien van een aldus verkregen laag.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3666553A (nl)
JP (1) JPS5015114B1 (nl)
BE (1) BE766699A (nl)
CA (1) CA938783A (nl)
DE (1) DE2122760B2 (nl)
FR (1) FR2088447B1 (nl)
GB (1) GB1336910A (nl)
NL (1) NL149233B (nl)
SE (1) SE375019B (nl)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS513632B2 (nl) * 1971-10-26 1976-02-04
US3974002A (en) * 1974-06-10 1976-08-10 Bell Telephone Laboratories, Incorporated MBE growth: gettering contaminants and fabricating heterostructure junction lasers
US3928092A (en) * 1974-08-28 1975-12-23 Bell Telephone Labor Inc Simultaneous molecular beam deposition of monocrystalline and polycrystalline III(a)-V(a) compounds to produce semiconductor devices
GB1528192A (en) * 1975-03-10 1978-10-11 Secr Defence Surface treatment of iii-v compound crystals
US4063974A (en) * 1975-11-14 1977-12-20 Hughes Aircraft Company Planar reactive evaporation method for the deposition of compound semiconducting films
JPS5349217U (nl) * 1976-09-29 1978-04-26
JPS53131618U (nl) * 1977-03-25 1978-10-19
DE3310044A1 (de) * 1983-03-19 1984-09-20 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren und anordnung zur beschichtung eines substrates
US4550411A (en) * 1983-03-30 1985-10-29 Vg Instruments Group Limited Sources used in molecular beam epitaxy
US4619844A (en) * 1985-01-22 1986-10-28 Fairchild Camera Instrument Corp. Method and apparatus for low pressure chemical vapor deposition
JPS61260622A (ja) * 1985-05-15 1986-11-18 Res Dev Corp Of Japan ＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法
US4739787A (en) * 1986-11-10 1988-04-26 Stoltenberg Kevin J Method and apparatus for improving the yield of integrated circuit devices
US5451258A (en) * 1994-05-11 1995-09-19 Materials Research Corporation Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber
JP5017950B2 (ja) * 2005-09-21 2012-09-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル成長装置の温度管理方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1340497A (fr) * 1962-11-26 1963-10-18 Beckman Instruments Inc Procédé de dépôt sous vide de couches semi-conductrices et dispositifs fabriqués selon ce procédé
US3480484A (en) * 1966-06-28 1969-11-25 Loral Corp Method for preparing high mobility indium antimonide thin films

Also Published As

Publication number Publication date
GB1336910A (en) 1973-11-14
DE2122760A1 (nl) 1972-01-27
FR2088447A1 (nl) 1972-01-07
JPS466419A (nl) 1971-12-10
BE766699A (fr) 1971-10-01
CA938783A (en) 1973-12-25
FR2088447B1 (nl) 1974-04-05
JPS5015114B1 (nl) 1975-06-02
DE2122760B2 (de) 1973-07-12
NL7106152A (nl) 1971-11-10
SE375019B (nl) 1975-04-07
US3666553A (en) 1972-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL188354C (nl) Werkwijze voor de bereiding van een substraat voor de kwantitatieve bepaling van plasmakallikreine en werkwijze voor het kwantitatief bepalen van plasmakallikreine.
NL149233B (nl) Werkwijze voor het doen groeien van een dunne laag van een verbinding van groep iii (a) - v (a) van het periodiek systeem der elementen op een substraatoppervlak en lichamen voorzien van een aldus verkregen laag.
NL7710659A (nl) Werkwijze voor het vormen van een epitaxiale laag op het oppervlak van een substraat.
NL178173C (nl) Inrichting voor het aanbrengen van een dunne laag op het oppervlak van een voorwerp.
NL183038C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een substraat voor de kwantitatieve bepaling van proteolytische enzymen uit de groep e.c.3.4.21. en werkwijze voor het kwantitatief bepalen van dergelijke enzymen.
NL174478B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een plakmiddel en werkwijze voor het aanbrengen van een kleeflaag aan de achterzijde van getufte tapijten.
NL178700C (nl) Inrichting voor het neerslaan van een dunne laag op een substraat.
NL7507947A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een samengesteld profiel of dergelijke.
NL7512085A (nl) Werkwijze voor het uitvoeren van een kiemproces en daarvoor geschikte inrichting.
NL7604843A (nl) Werkwijze voor het losneembaar vasthechten van een materiaal met pool-oppervlaktestructuur, alsmede enveloppe van het zelf-dichtende type.
NL7503319A (nl) Werkwijze voor het immobiliseren van microbe- cellen.
NL7407941A (nl) Werkwijze voor het enzymatisch scheiden van dl-fenylglycine-amide in zijn optisch actieve antipoden.
NL161084B (nl) Werkwijze en inrichting voor het machinaal ver- vaardigen van stenen met een handvormsteenachtig oppervlak.
NL7313572A (nl) Werkwijze voor het etsen van silicium- of ger- mplakken en halfgeleiderinrichtingen ver- igd met toepassing van deze werkwijze.
NL168279C (nl) Werkwijze en inrichting voor het vormen van een epitaxiale laag.
NL150492B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een losmiddel en voorwerp, voorzien van een laag van dit losmiddel in uitgeharde toestand.
NL7503458A (nl) Werkwijze voor het copolymeriseren van etheen en een (alpha)-monoalkeen.
NL7511873A (nl) Inrichting voor het vormen van een dunne laag.
NL7514453A (nl) Werkwijze voor het meten van een in een vlak gelegen oppervlaktevervorming.
NL7511752A (nl) Werkwijze voor het vormen van beelden en van een beeld voorzien substraat, verkregen met de werk- wijze.
NL7413682A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gegoten voorwerpen met een stengelkristalstruktuur alsmede gietvorm geschikt voor toepassing daar- bij en de aldus vervaardigde voorwerpen.
NL165509C (nl) Werkwijze ter bereiding van een vloeibaar bekledings- mengsel alsmede een werkwijze voor het bekleden van een metaaloppervlak met een corrosiewerende laag.
NL170385C (nl) Werkwijze voor het aan een substraat hechten van een onderdeel en inrichting voor het toepassen van deze werkwijze.
NL7605871A (nl) Werkwijze voor het controleren van de dikte van een epitaxiaal gegroeide laag op een substraat.
NL149548B (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een stabiele dunne film uit tantaal-aluminium op een substraat en substraat voorzien van een aldus verkregen film.