NL147884B - Werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen met een vlak systeem van een of meer geleidende en isolerende lagen. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen met een vlak systeem van een of meer geleidende en isolerende lagen.

Info

Publication number
NL147884B
NL147884B NL707018740A NL7018740A NL147884B NL 147884 B NL147884 B NL 147884B NL 707018740 A NL707018740 A NL 707018740A NL 7018740 A NL7018740 A NL 7018740A NL 147884 B NL147884 B NL 147884B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
conductive
manufacture
semiconductor devices
insulating layers
flat system
Prior art date
Application number
NL707018740A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7018740A (enExample
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of NL7018740A publication Critical patent/NL7018740A/xx
Publication of NL147884B publication Critical patent/NL147884B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/412—Deposition of metallic or metal-silicide materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
    • H10W20/064—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by modifying the conductivity of conductive parts, e.g. by alloying
    • H10W20/065—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by modifying the conductivity of conductive parts, e.g. by alloying by making at least a portion of the conductive part non-conductive, e.g. by oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H10W74/43—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising oxides, nitrides or carbides, e.g. ceramics or glasses
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/02—Contacts, special
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/043—Dual dielectric
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/049—Equivalence and options
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
    • Y10S438/945—Special, e.g. metal
NL707018740A 1969-12-25 1970-12-23 Werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen met een vlak systeem van een of meer geleidende en isolerende lagen. NL147884B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP45001690A JPS4913914B1 (enExample) 1969-12-25 1969-12-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7018740A NL7018740A (enExample) 1971-06-29
NL147884B true NL147884B (nl) 1975-11-17

Family

ID=11508499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL707018740A NL147884B (nl) 1969-12-25 1970-12-23 Werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen met een vlak systeem van een of meer geleidende en isolerende lagen.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3737340A (enExample)
JP (1) JPS4913914B1 (enExample)
GB (1) GB1333610A (enExample)
NL (1) NL147884B (enExample)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4001870A (en) * 1972-08-18 1977-01-04 Hitachi, Ltd. Isolating protective film for semiconductor devices and method for making the same
US4005240A (en) * 1975-03-10 1977-01-25 Aeronutronic Ford Corporation Germanium device passivation
US4115799A (en) * 1977-01-26 1978-09-19 Westinghouse Electric Corp. Thin film copper transition between aluminum and indium copper films
JPS5678130A (en) * 1979-11-30 1981-06-26 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacture
ATE53709T1 (de) * 1984-06-19 1990-06-15 Siemens Ag In c-mos-technik realisierte basiszelle.
US4622576A (en) * 1984-10-22 1986-11-11 National Semiconductor Corporation Conductive non-metallic self-passivating non-corrodable IC bonding pads
US5055423A (en) * 1987-12-28 1991-10-08 Texas Instruments Incorporated Planarized selective tungsten metallization system
DE10223359B4 (de) * 2002-05-25 2011-08-11 Robert Bosch GmbH, 70469 Mikromechanisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung einer Anti-Haftschicht auf einem mikromechanischen Bauteil

Also Published As

Publication number Publication date
NL7018740A (enExample) 1971-06-29
US3737340A (en) 1973-06-05
JPS4913914B1 (enExample) 1974-04-03
GB1333610A (en) 1973-10-10
DE2061209B2 (de) 1972-07-27
DE2061209A1 (de) 1971-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU466690B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
NL151560B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende glaslaag en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL173907C (nl) Grondplaat met geleiderpatroon en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL161617C (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL162246B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderweerstand en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
ES381370A1 (es) Un metodo de fabricar un dispositivo semiconductor.
NL169250C (nl) Keten voor het in een blokkerende toestand brengen van een in geleidende toestand verkerende stuurbare halfgeleidergelijkrichter met een halfgeleiderlichaam met vier lagen van afwisselend tegengesteld geleidingstype.
NL157954B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een pooltapijt.
GB1343794A (en) Multilayer semiconductor devices
NL158325B (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een veelvoud van geleidende lagen, met een vooraf bepaald patroon van geleiders.
NL168654B (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleider- lichaam van een eerste geleidingstype met een door dif- fusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede gelei- dingstype.
NL171759C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van lichtemitterende halfgeleiderinrichtingen.
NL164157C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL154866B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL166171C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van, uit meerdere lagen opgebouwde, gedrukte schakelingen en inrichting ter realisering van deze werkwijze.
NL162420B (nl) Werkwijze voor het bekleden van een geleidend substraat.
NL161613C (nl) Foto-elektrische geleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
IT971409B (it) Impianto di frenatura elettronico antislittamento
IT960696B (it) Impianto elettronico di frenatura antislittamento
NL162512C (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging ervan.
NL145096B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderstelsel en het met deze werkwijze verkregen halfgeleiderstelsel.
AU450507B2 (en) Improved contact structure for semiconductor devices
CA970257A (en) Insulating layer on a semiconductor substrate
CA814097A (en) Semiconductor devices and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Information provided on patent owner name for an already discontinued patent

Owner name: FUJITSU