NL1037061C2 - SEMICONDUCTOR FACILITY, CONTAINING AT LEAST ONE VERY LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TREATMENT INSTALLATION. - Google Patents

SEMICONDUCTOR FACILITY, CONTAINING AT LEAST ONE VERY LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TREATMENT INSTALLATION. Download PDF

Info

Publication number
NL1037061C2
NL1037061C2 NL1037061A NL1037061A NL1037061C2 NL 1037061 C2 NL1037061 C2 NL 1037061C2 NL 1037061 A NL1037061 A NL 1037061A NL 1037061 A NL1037061 A NL 1037061A NL 1037061 C2 NL1037061 C2 NL 1037061C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
facility
successive
arrangement
semiconductor substrate
Prior art date
Application number
NL1037061A
Other languages
Dutch (nl)
Inventor
Edward Bok
Original Assignee
Edward Bok
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Edward Bok filed Critical Edward Bok
Priority to NL1037061A priority Critical patent/NL1037061C2/en
Application granted granted Critical
Publication of NL1037061C2 publication Critical patent/NL1037061C2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

Semiconductor faciliteit, bevattende tenminste één zeer lange smalle semiconductor substraat transfer/behandelingsinstallatie.Semiconductor facility, containing at least one very long narrow semiconductor substrate transfer / treatment installation.

5 In deze semiconductor faciliteit volgens de uitvinding onder toepassing van bijvoorbeeld een vijftal semiconductor installaties en één reserve-installatie vindt daarbij typisch de enorme jaarproductie van circa 2 miljard semiconductor chips plaats.In this semiconductor facility according to the invention using, for example, five semiconductor installations and one spare installation, the enormous annual production of approximately 2 billion semiconductor chips typically takes place.

In vergelijking, bij de bestaande semiconductor faciliteiten 10 een gemiddelde jaarproductie van minder dan 0,5 miljard chips.In comparison, with the existing semiconductor facilities 10 an average annual output of less than 0.5 billion chips.

Zulk een faciliteit is tot op heden nog niet bekend.Such a facility is not yet known.

Daarbij verder de navolgende hoofdvoordelen van zulk een nieuwe semiconductor faciliteit ten opzichte van de bestaande semiconductor faciliteiten onder toepassing van tenminste mede individuele 15 semiconductor modules en wafers: 1. Een continue 24 uur per dag ononderbroken werking van de daarin opgencmen semiconductor installaties; 2. Een fractie van de gebouw- en equipmentkosten, minder dan 10%; 20 3. Een fractie van het benodigde grondoppervlak van deze semiconductor installaties en werkruimte, minder dan 5%; 4. Een ononderbroken toe- en afvoer van de transfer- en behandekingsmediums; 5. Een fractie van de benodigde tijdsduur voor de bewerkstelliging 25 van de chips, typisch minder dan 10%; 6. Een fractie van de personeelskosten per geproduceerde chip, typisch minder dan 5%; 7. Een fractie van de kosten van de geproduceerde chips, typisch minder dan 10%; 30 8. Ideale werkomstandigheden voor het bedieningspersoneel; en 9. Een fractie van de onderhoudskosten van de semiconductor installaties, minder dan 5%.In addition, the following main advantages of such a new semiconductor facility compared to the existing semiconductor facilities using at least co-individual semiconductor modules and wafers: 1. Continuous 24-hour continuous operation of the semiconductor installations included therein; 2. A fraction of the building and equipment costs, less than 10%; 3. A fraction of the required surface area of these semiconductor installations and workspace, less than 5%; 4. The uninterrupted supply and removal of transfer and treatment media; 5. A fraction of the time required to effect the chips, typically less than 10%; 6. A fraction of the personnel costs per chip produced, typically less than 5%; 7. A fraction of the cost of the chips produced, typically less than 10%; 30 8. Ideal working conditions for operating personnel; and 9. A fraction of the maintenance costs of the semiconductor installations, less than 5%.

10. Dé faciliteit bevat tenminste één, typisch circa 10 meter lange semiconductor substraat transfer/behandelings- 35 installatie, onder andere bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 2, met typisch een breedte ervan van minder dan 1 meter ten behoeve van daarin tijdens de werking ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips uit opvolgende semiconductor substraatgedeeltes.10. The facility contains at least one, typically approximately 10 meter long semiconductor substrate transfer / treatment installation, inter alia the accompanying Dutch Patent Application no. 2, typically having a width of less than 1 meter for the purpose of effecting, during its operation, semiconductor chips from successive semiconductor substrate portions.

1037061 21037061 2

In een gunstige uitvoering ervan daarbij de toepassing van een aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen semiconductor installaties en tussengelegen personeels-doorgangenIn a favorable embodiment thereof, the use of a number of semiconductor installations and transient personnel passageways, which are situated next to each other in transverse direction

Daarbij in zulk een installatie de opname onder andere van een 5 semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling, z0al-s de nog in te dienen Octrooi-aanvragen, waarin tijdens de werking ervan in opvolgende semiconductor behandelingsseeties het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende 10 semiconductor substraatgedeeltes onder toepassing van een ononderbroken folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.In addition, the incorporation of such a semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement into such an installation, such as the patent applications still to be filed, in which during its operation in subsequent semiconductor treatment sequences, the subsequent semiconductor treatments of the semiconductor treatments of the successive semiconductor substrate portions moving continuously through it using a continuous film as at least a temporary semiconductor substrate.

In een volgende gunstige uitvoering van deze faciliteit daarin de opname van een inrichting ten behoeve van de bewerkstelliging van een zodanig zeer lange folie, dat gedurende een zeer lange tijd, typisch 15 circa 1 jaar, een ononderbroken lineaire verplaatsing ervan door zulk een tunnel-opstelling geschiedt.In a further favorable embodiment of this facility, the incorporation of a device for the purpose of effecting such a very long film is provided that, for a very long time, typically about 1 year, a continuous linear displacement thereof through such a tunnel arrangement occurs.

Verder bevat zulk een folie evenwijdige opstaande zijwanden en heeft deze een breedte, welke in geringe mate kleiner is dan die van de doorgang van zulk een tunnel-opstelling.Furthermore, such a foil comprises parallel upright side walls and has a width which is slightly smaller than that of the passage of such a tunnel arrangement.

20 In een gunstige uitvoering is zulk een tunnel-opstelling ononderbroken en strekt zich uitsluitend in lineaire richting uit.In a favorable embodiment, such a tunnel arrangement is continuous and extends exclusively in a linear direction.

Daarbij is de doorgang ervan ten behoeve van tenminste de verplaatsing erdoorheen van de opvolgende semiconductor substraatgedeeltes tijdens de werking alleen ter plaatse van de in- en 25 uitgangszijde ervan in open verbinding met de atmospherische buitenlucht onder toepassing van een gasvormig mediumslot aan tenminste de ingangszijde ervan.Thereby, its passage for at least the displacement therethrough of the successive semiconductor substrate portions during operation is only open at the input and output side thereof with the atmospheric outside air using a gaseous medium slot on at least the input side thereof.

Verder in een gunstige uitvoering van zulk een faciliteit achter zulk een tunnel-opstelling dé opname van een inrichting ten behoeve van 30 daarin tenminste mede door deling van de opvolgende,, daarin ononderbroken semiconductor behandelde semiconductor substraatgedeeltes, de bewerkstelliging van semiconductor chips.Furthermore, in a favorable embodiment of such a facility behind such a tunnel arrangement, the incorporation of a device for the purpose of at least partly by dividing the subsequent semiconductor substrate sections treated therein continuously, the realization of semiconductor chips.

Verder bevat deze faciliteit middelen ten behoeve van de besturing van tenminste mede de opvolgende semiconductor 35 behandelingen in zulk een tunnel-opstelling en het semiconductor substraat transfersysteem ten behoeve van een ononderbroken gelijkmatige verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraatgedeeltes erdoorheen.Furthermore, this facility comprises means for controlling at least also the subsequent semiconductor treatments in such a tunnel arrangement and the semiconductor substrate transfer system for a continuous uniform movement of the subsequent semiconductor substrate portions therethrough.

33

De faciliteit bevat verder personeel ten behoeve van het plaatsvinden van tenminste mede het navolgende: a) het opstarten van de werking van zulk een semiconductor installatie en beëindiging ervan; en b) controle van de correcte continue werking van de semiconductor installatie en het onderhoud ervan.The facility also contains personnel for the benefit of at least the following: a) starting up the operation of such a semiconductor installation and ending it; and b) checking the correct continuous operation of the semiconductor installation and its maintenance.

Verder bevat deze faciliteit inrichtingen ten behoeve van het navolgende: a) starten en beëindiging van de toe- en afvoer van de 10 semiconductor behandelingsmediums en de transfermediums; en c) onaerhouden van een continue toe*en afvoer van deze mediums.Furthermore, this facility contains devices for the following: a) starting and ending the supply and removal of the semiconductor treatment media and the transfer media; and c) the retention of a continuous supply and removal of these mediums.

De faciliteit bevat verder de opslag-opstellingen van de verschillende semiconductor behandelings- en tranfermediums.The facility also contains the storage arrangements for the various semiconductor treatment and transfer media.

In een gunstige alternatieve uitvoering ervan bevat deze middelen 15 ten behoeve van in het uitgangsgedeelte van de daarin opgenomen installatie het verwijderen van de opvolgende folie-gedeeltes vanaf de opvolgende substraat-gedeeltes als een tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.In a favorable alternative embodiment thereof, said means for removing in the output part of the installation included therein comprises the removal of the successive film portions from the successive substrate portions as a temporary semiconductor substrate thereof.

Daarbij bevat deze faciliteit in een volgende gunstige uitvoering 20 ervan aan de uitgangszijde van de tunnel-opstelling middelen ten behoeve van via een reinigings-inrichting verplaatsing van deze folie naar een opslagrol ervoor.In addition, in a further favorable embodiment thereof, this facility comprises means on the exit side of the tunnel arrangement for displacing this foil via a cleaning device to a storage roller in front of it.

In een volgende gunstige uitvoering van deze faciliteit daarbij de opname van een rol-opstelling aan de ingangszijde van de tunnel-25 opstelling ten behoeve van het opnieuw invoeren van de gereinigde folie daarin.In a further favorable embodiment of this facility, the inclusion of a roll arrangement on the entrance side of the tunnel arrangement for the purpose of re-introducing the cleaned film therein.

Bij de bestaande semiconductor installaties onder toepassing van opslag van semiconductor wafers in cassettes en transfer ervan naar en vanaf opvolgende semiconductor behandelingsmodules ten behoeve van de 30 vervaardiging van semiconductor chips tenminste mede de navolgende nadelen ervan: 1. De semiconductor technologie gaat naar typisch 30 nanometer grote lijnbreedtes voor deze chips, waarbij het uiterst moeilijk en veelal ónmogelijk is cm de (sub)jjm grote verontreinigingen en 35 bijvoorbeeld weggeëtst semiconductor materiaal te verwijderen van de boven-topografie van zulk een wafer, vooral uit de bewerkstelligde multi, relatief diepe nanometer brede groeven ervan.In the existing semiconductor installations using storage of semiconductor wafers in cassettes and transfer thereof to and from subsequent semiconductor treatment modules for the manufacture of semiconductor chips, at least partly the following disadvantages thereof: 1. The semiconductor technology goes to typically 30 nanometers in size line widths for these chips, in which it is extremely difficult and often impossible to remove the (sub) ym large impurities and, for example, etched away semiconductor material from the top-topography of such a wafer, especially from the multi-relatively deep nanometer-wide grooves effected of it.

4 2. Het opslaan van deze wafers in cassettes en het met behulp van een wafer transferrobot verplaatsen ervan uit zulk een cassette naar een veelal individuele semiconductor processingmodule ten behoeve van het daarin plaatsvinden van een semiconductor behandeling ervan en het 5 vervolgens veelal afvoeren eruit naar de volgende opslagcassette, waarbij tijdens deze transfer en opslag het onvermijdelijk erop neerslaan van eveneens moeilijk te verwijderen sub-pm grote verontreinigingen, welke de daarop volgende behandeling ervan in zulk een module nadelig beïnvloeden en mede dientengevolge in zulk een totaal semiconductor 10 productieproces ten behoeve van het vervaardigen van semiconductor chips het daarbij noodzakelijk plaatsvinden van circa een 500-tal opvolgende reinigingsprocessen.2. Storing these wafers in cassettes and moving them from such a cassette to a mostly individual semiconductor processing module with the aid of a wafer transfer robot for the purpose of a semiconductor treatment thereof taking place therein and subsequently subsequently discharging it out to the subsequent storage cassette, wherein during this transfer and storage the inevitably depositing of sub-pm large contaminants, which adversely affect their subsequent treatment in such a module and, consequently, in such a total semiconductor production process for the benefit of the manufacture of semiconductor chips and the necessity of approximately 500 subsequent cleaning processes.

3. In zulk een semiconductor installatie het nagenoeg niet plaatsvinden van continue doorlopende en opvolgende semiconductor 15 processingstappen voor opvolgende wafers.3. In such a semiconductor installation, the virtually non-occurrence of continuous continuous and subsequent semiconductor processing steps for subsequent wafers.

4. Aldus een resulterend uiterst langdurig en kostbaar vervaardigingsproces voor zulk een semiconductor chip.4. Thus, a resulting extremely long and costly manufacturing process for such a semiconductor chip.

5. Een uiterst hoge kostprijs per semiconductor chip door het verkrijgen ervan uit deze wafers met een benodigde aanzienlijke dikte ervan, 20 typisch 0,3 itm, ten behoeve van zulk een robotische transfer ervan en zulks vooral, zoals de diameter van deze wafers gaat naar φ 400 mm en deze geringe productie per tijdseenheid ervan.5. An extremely high cost price per semiconductor chip by obtaining it from these wafers with a necessary considerable thickness thereof, typically 0.3 itm, for such a robotic transfer thereof and especially, such as the diameter of these wafers goes to φ 400 mm and this low production per unit time.

In deze faciliteit tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor inrichtingen, welke zijn 25 ontschreven in de binnenkort in te dienen Nederlandse Octrooiaanvragen.In this facility also the possible application of several of the means and methods of the semiconductor devices, which are described in the Dutch Patent Applications to be filed shortly.

Verder in deze facilitèü de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in modules, ook welke reeds zijn ontschreven in Octrooien, indien daarin de 30 vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele wafer of substraat? en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module.Furthermore in this facility the possible application of all semiconductor treatments that are already generally used for wafers in modules, including those already described in Patents, if therein the mention in the text and Conclusions of the following: a) an individual wafer or substrate? and / or b) an individual or non-individual semiconductor processing module.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet en toegelicht aan de hand van de in de Figuren weergegeven uitvoeringsvoorbeelden van 35 de semiconductor faciliteit volgens de uitvinding.The invention will be explained and explained in more detail below with reference to the exemplary embodiments of the semiconductor facility according to the invention shown in the Figures.

Figuur 1 toont schematisch de semiconductor faciliteit volgens de uitvinding onder toepassing van een zeer lange folie als semiconductor 5 onderlaag van opvolgende, zich door een semiconductor installatie ervan verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips, in een horizontaal bovenaanzicht èrvan.Figure 1 shows schematically the semiconductor facility according to the invention using a very long film as a semiconductor bottom layer of successive semiconductor substrate parts moving through a semiconductor installation, from which, by dividing it, the realization of semiconductor chips, in a horizontal top view of it.

5 Figuur 2 toont schematisch een verticale doorsnede van zulk een semiconductor installatie ter plaatse van de daarin opgencmen semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling.Figure 2 schematically shows a vertical section of such a semiconductor installation at the location of the semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement included therein.

Figuren 3 en 4 tonen schematisch uitvoeringen van deze semiconductor installatie, waarbij achter de tunnel-opstelling de opname 10 van een inrichting met een rol-opstelling ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van scheiding van de opvolgende folie-gedeeltes vanaf de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, met een afvoer van deze folie-gedeeltes naar een opslagrol of een daaronder gelegen inrichting ten behoeve van het daarin plaatsvinden van reiniging van deze 15 opvolgende folie-gedeeltes.Figures 3 and 4 schematically show embodiments of this semiconductor installation, wherein behind the tunnel arrangement the accommodation of a device with a roll arrangement for the purpose of thereby separating the subsequent foil sections from the subsequent semiconductor substrate sections , with a discharge of these foil sections to a storage roller or a device situated below for the purpose of cleaning these successive foil sections therein.

Figuur 1 toont de semiconductor faciliteit 10 in een bovenaanzicht ervan.Figure 1 shows the semiconductor facility 10 in a top view thereof.

Daarbij in het centrale hoofdgedeelte ervan de opname van een vijftal semiconductor substraat transfer/behandelings-installaties 12, 14, 16, 18 20 en 20, met de ertussen gelegen personeelsruimte 22 en aan weerszijde de ruimtes 24.In addition, the central main part thereof accommodates five semiconductor substrate transfer / treatment installations 12, 14, 16, 18, 20 and 20, with the personnel room 22 between them and the spaces 24 on either side.

Zulk een semiconductor installatie bestaat daarbij typisch in hoofdzaak uit een zich in de lengterichting ervan uitstrekkende semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling 26, 25 bevattende een boventunnelblok 28 en een ondertunnelblok 30 met de ertussen opgencmen tunnel-doortocht 32, Figuur 2.Such a semiconductor installation typically consists essentially of a longitudinal semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement 26, comprising an upper tunnel block 28 and a lower tunnel block 30 with the tunnel passage 32 interposed therebetween, Figure 2.

In zulk een semiconductor installatie nabij de ingangszijde 34 van zulk een daarin opgencmen semiconductor tunnel-opstelling 26 de opname van een opslagrol-opstelling 36 ten behoeve van tijdens de werking ervan de 30 ononderbroken toevoer van opvolgende folie-gedeeltes met typisch slechts een minder dan 0,1 mm dikte ervan en bevattende een tweetal typisch evenwijdige opstaande zijwand-gedeeltes 40 en 42.In such a semiconductor installation near the entrance side 34 of such a semiconductor tunnel arrangement 26 accommodated therein, the inclusion of a storage roller arrangement 36 for the continuous supply of successive film portions during operation thereof with typically only less than 0 1 mm in thickness and containing two typically parallel upright sidewall portions 40 and 42.

Tijdens de werking van zulk een semiconductor installatie vindt een ononderbroken lineaire verplaatsing van deze folie 38 door deze 35 tunneldoortocht 32 plaats.During the operation of such a semiconductor installation, a continuous linear displacement of this foil 38 through this tunnel passage 32 takes place.

Daarbij in de opvolgende secties van het centrale boven-semiconductor behandelingsgedeelte 44 van deze tunneldoortocht het plaatsvinden van de 6 opbouw van opvolgende semiconductor lagen op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende, zich onderlangs dit boven-behandelingsgedeelte 44 verplaatsende semiconductor substraat/ gedeeltes 46.In addition, in the subsequent sections of the central top semiconductor treatment section 44 of this tunnel passage, the construction of successive semiconductor layers on the upper side of this foil takes place while effecting successive semiconductor substrate / sections moving along this top treatment section 44 46.

5 Zulk een semiconductor installatie bevat verder aan de uitgangszijde 48 van de tunnel-opstelling 26 de inrichting 50, waarin het plaatsvinden van deling van de daarin vanuit deze tunnel-opstelling toegevoerde semiconductor substraat-gedeeltes46 in tenminste mede semiconductor chips 52.Such a semiconductor installation further comprises on the output side 48 of the tunnel arrangement 26 the device 50, in which the division of the semiconductor substrate portions 46 supplied therein from this tunnel arrangement takes place into at least partly semiconductor chips 52.

10 In de Figuur 3 is in een zijaanzicht van de alternatieve semiconductor facilitie 10' de semiconductor installatie 12' aangegeven, waarbij daarin in de inrichting 54 het plaatsvinden van scheiding van de opvolgende gedeeltes van de metalen folie 38' van de daarop in de semiconductor tunnel-opstelling 26' opgebrachte opvolgende semiconductor substraat-15 gedeeltes 46’.Fig. 3 shows, in a side view of the alternative semiconductor facility 10 ', the semiconductor installation 12', the separation 54 of the successive portions of the metal foil 38 'taking place thereon in the semiconductor tunnel thereon - arrangement 26 'applied successive semiconductor substrate - portions 46'.

Deze opvolgende folie-gedeeltes zijn daarbij afkcmstig uit de folie-opslagrol 36'.These successive film portions are thereby removed from the film storage roll 36 '.

Ten behoeve van de bewerkstelliging van zulk een scheiding daarbij het voorafgaand in het begingedeelte van de tunnel-opstelling 26' cp 20 deze opvolgende folie-gedeeltes aangebracht zijn van een ym hoge film zeer hoogkokend vloeibaar medium, typisch gallium.For the purpose of effecting such a separation, the successive film portions are previously arranged in the initial portion of the tunnel arrangement 26 'to 20 of a very high-boiling liquid medium, typically gallium.

Daarbij via mede de rol-opstelling 56 het verplaatsen van deze opvolgende folie-gedeeltes naar de reinigings-inrichting 58 : ten behoeve van het daarin plaatsvinden van reiniging van in het bijzonder het 25 boven-oppervlak 60 ervan.Thereby moving these successive foil sections to the cleaning device 58 via the roller arrangement 56, among other things, for the purpose of cleaning there, in particular of the upper surface 60 thereof.

Vervolgens vindt daarbij in de rol-opstelling 62 opslag van deze opvolgende folie-gedeeltes plaats.Storage of these successive film sections then takes place in the roll arrangement 62.

Daarbij fungeert deze rol-opstelling 62 tevens ten behoeve van het daarbij uitoefenen van een trekkracht op deze opvolgende folie-gedeeltes. 30 In de aangepas te inrichting 56' vindt daarbij na reiniging van de opvolgende, daarin toegevoerde semiconductor substraat-gedeeltes 46' deling ervan in semiconductor chips 52' plaats.In this case, this roll arrangement 62 also functions for exerting a tensile force on these successive film sections. In the device 56 'to be adapted, after the cleaning of the subsequent semiconductor substrate portions 46' supplied therein, division thereof into semiconductor chips 52 'takes place.

De in de Figuren 1 en 2 aangegeven folie 38 bestaat typisch uit kunststof of een metaal, waarbij aldus de semiconductor onderlaag van de . 35 in de tunnel-opstelling 26 ervan bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 46 en daarmede eveneens zulk een semiconductor chip 52 uit zulk een kunststof of metaal bestaat.The foil 38 shown in Figures 1 and 2 typically consists of plastic or a metal, thus the semiconductor bottom layer of the. 35, successive semiconductor substrate portions 46 realized in its tunnel arrangement 26, and thus also such a semiconductor chip 52, consists of such a plastic or metal.

77

Figuur 4 toont de faciliteit 10", waarbij de ingang van de tunnel-opstellings-ingang de rol-opstelling 64 ten behoeve van het wederom invoeren in zulk een inrichting 58" gereinigde opvolgende gedeeltes van de folie 38"met het typisch fungeren ervan als een ononderbroken 5 semiconductor draag/transferband.Figure 4 shows the facility 10 ", wherein the entrance to the tunnel setup input the roll setup 64 for re-insertion into such a device 58" cleaned successive portions of the film 38 "with its typical functioning as a uninterrupted 5 semiconductor carrier / transfer belt.

In de inrichting 68 vindt daartoe na deze reinigings-inrichting 58" daarbij het daartoe plaatsvinden van het opbrengen van een um hoge film vloeibare hechtsubstantie 70 op de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende van deze daarbij in geringe mate dikkere metalen 10 band.To this end, after this cleaning device 58 ", in device 68 there occurs for this purpose the application of a um high film of liquid adhesive substance 70 to the subsequent, continuously moving therethrough of this, in this case, slightly thicker metal strip.

Daarbij in een gunstige uitvoering van deze faciliteit tijdens de werking van de tunnel-opstelling 26" toevoer van folie vanaf de . folie-opslagrol 36" plaats ten behoeve van het in het ingangs-gedeelte van deze semiconductor tunnel opbrengen ervan (¾) deze band met daarbij 15 deze tussengelegen um hoge laag hechtsubstantie.In addition, in a favorable embodiment of this facility during the operation of the tunnel arrangement 26 "supply of film from the film storage roller 36" takes place for the purpose of applying this strip (¾) into the entrance part of this semiconductor tunnel with this intermediate um high low adhesive substance.

10370611037061

Claims (59)

1. Semiconductor faciliteit met het kenmerk, dat deze tenminste mede bevattende één lange semiconductor substraat transfer/ 5 behandelings-installatie en zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tijdens de werking van zulk een installatie het tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van een lineaire verplaatsing erdoorheen van opvolgende aaneengesloten, semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het typisch in een daarachter opgencmen inrichting door deling ervan de 10 bewerkstelliging van semiconductor chips.Claims 1. Semiconductor facility, characterized in that it is at least in part including one long semiconductor substrate transfer installation and treatment installation such that, during the operation of such an installation, the linear movement of successive consecutive consecutive contiguous , semiconductor substrate portions for the purpose of typically producing a semiconductor chips in a subsequent device by dividing it. 2. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de breedte van zulk een daarin opgencmen semiconductor installatie minder dan 2 meter is.2. A semiconductor facility as claimed in Claim 1, characterized in that it is further designed such that the width of such a semiconductor installation incorporated therein is less than 2 meters. 3. Semiconductor faciliteit volgens één der voorgaande Conclusies, 15 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarin de opname van een aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen semiconductor installaties met tenminste mede tussengelegen personeels-doorgangen.3. Semiconductor facility as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed in such a way that it accommodates therein a number of semiconductor installations which are situated next to each other in the transverse direction and with at least partly personnel passages. 4. Semiconductor faciliteit volgens één der vorige Conclusies, 20 niet het kenmerk, dat dezë verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in zulk een semiconductor installatie ervan de opname van een semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling, bevattende tenminste mede opvolgende semiconductor behandelings-gedeeltes ten behoeve van daarin tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van 25 opvolgende semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes .4. A semiconductor facility as claimed in any one of the preceding Claims, not characterized in that it is further embodied such that in such a semiconductor installation thereof the inclusion of a semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement, comprising at least co-successive semiconductor treatment sections for the purpose of the uninterrupted occurrence of successive semiconductor treatments therein during the operation thereof of the subsequent semiconductor substrate portions moving continuously through it. 5. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in zulk een 30 semiconductor tunnel-qpstelling het tenminste nagenoeg ononderbroken erdoorheen verplaatsen van opvolgende gedeeltes van een ononderbroken folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes plaatsvindt.5. A semiconductor facility as claimed in Claim 4, characterized in that it is further designed such that, in such a semiconductor tunnel arrangement, moving successive portions of an uninterrupted film as at least temporary semiconductor bottom layer of said continuous layer. subsequent substrate portions. 6. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 5, met het kenmerk, 35 dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze folie bestaat uit een metalen substantie onder de bewerkstelliging daarin van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een metalen onderlaag.6. A semiconductor facility as claimed in Claim 5, characterized in that it is further designed such that this foil consists of a metal substance with the effect thereon of successive semiconductor substrate sections, comprising a metal substrate. 7. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 5, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze folie bestaat uit een 1037061 kunststoffen substantie onder de bewerkstelliging daarin van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een kunststoffen onderlaag.The semiconductor facility according to Claim 5, characterized in that it is further designed such that this film consists of a 1037061 plastic substance under the effect thereon of successive semiconductor substrate sections, containing a plastic substrate. 8. Semiconductoe faciliteit volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, 5 dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in een inrichting achter de daarin opgencmen semiconductor tunnel-opstelling door deling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips rost een metalen onderlaag ervan.8. A semiconductor facility as claimed in Claim 6, characterized in that it further comprises means such that, in a device behind the semiconductor tunnel arrangement included therein, the realization of semiconductor chips rosters an arrangement of these successive semiconductor substrate sections. metal base layer. 9. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, 10 dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij in een inrichting achter de daarin opgencmen semiconductor tunnel-opstelling door deling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips met een kunststoffen onderlaag ervan.9. A semiconductor facility as claimed in Claim 7, characterized in that it further comprises means such that in a device behind the semiconductor tunnel arrangement accommodated therein the division of semiconductor chips with a plastic base layer. 10. Semiconductor faciliteit volgens eén der voorgaande Conclusies, 15 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de dikte van zulk een folie geringer is dan o,2 nm.10. Semiconductor facility as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed in such a way that the thickness of such a film is then less than 1.3 nm. 11. Semiconductor faciliteit volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de toepassing van een folie met tenminste nagenoeg evenwijdige opstaande 20 zijwanden ervan.11. Semiconductor facility as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such that the use of a foil with at least substantially parallel upright side walls thereof is thereby provided. 12. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de tunnel-doorgang van zulk een semiconductor tunnel-opstelling slechts in geringe mate breder is dan de breedte van zulk een folie. 25A semiconductor facility according to Claim 11, characterized in that it is further designed such that the tunnel passage of such a semiconductor tunnel arrangement is only slightly wider than the width of such a film. 25 13, Semiconductor faciliteit volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daarin de opname van een inrichting ten behoeve van de beschikbaarheid daarin van een zodanig zeer lange folie, dat gedurende een zeer lange tijd een ononderbroken lineaire verplaatsing van de opvolgende gedeeltes 30 van deze folie door zulk een semiconductor tunnel-opstelling plaats vindt.13. A semiconductor facility as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that it is furthermore designed in such a way that it accommodates therein a device for the availability therein of such a very long film that an uninterrupted period of time is achieved. linear displacement of the successive portions of this film through such a semiconductor tunnel arrangement takes place. 14. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 13, verder zodanig uitgevoerd, dat daarbij daartoe de toepassing van een folie-opslagrol.14. A semiconductor facility as claimed in Claim 13, further implemented in such a way that the use of a foil storage roller is used for this purpose. 15. Semiconductor faciliteit volgens één der voorgaande Conclusies, 35 met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij de tijdsduur van zulk een ononderbroken verplaatsing van deze opvolgende folie-gedeeltes door zulk een semiconductor tunnel-opstelling tenminste 4 maanden bedraagt.15. A semiconductor facility as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that it further comprises means such that the duration of such uninterrupted displacement of these successive foil sections through such a semiconductor tunnel arrangement is at least 4 months. 16. Semi conductor faciliteit volgens één de voorgaande Gonclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij de verplaatsingssnelheid van de opvolgende folie-gedeeltes door zulk een semiconductor tunnel-opstelling beperkt is tot minder dan 3 mm/seconde.16. Semi-conductor facility according to one of the preceding Gonclusions, characterized in that it further comprises means such that the speed of movement of the subsequent foil sections through such a semiconductor tunnel arrangement is limited to less than 3 mm / second. 17. Semiconductor faciliteit volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij zulk een semiconductor tunnel-opstelling, bevattende tenminste mede een boven- en ondertunnelblok, zich ononderbroken uitstrekt in de lineaire verplaatsingsrichting van deze opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende 10 semiconductor substraat-gedeeltes.17. A semiconductor facility as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that it is further embodied such that such a semiconductor tunnel arrangement, comprising at least partly an upper and a lower tunnel block, extends uninterruptedly in the linear direction of movement of said successive, moving semiconductor substrate portions therethrough. 18. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 17, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij de doorgang van zulk een semiconductor tunnel-opstelling voor de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens de werking ervan 15 alleen ter plaatse van de in- en uitgangszijde ervan in een open verbinding o is met de atmospherische buitenlucht onder toepassing van een gasvormig mediumslot aan tenminste de ingangszijde ervan.18. A semiconductor facility as claimed in Claim 17, characterized in that it further comprises means such that the passage of such a semiconductor tunnel arrangement for the subsequent moving semiconductor substrate sections during its operation is only performed on site. from its input and output sides in an open connection with the atmospheric outside air using a gaseous medium slot on at least the input side thereof. 19. Semiconductor faciliteit volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in 20 zulk een semiconductor installatie achter de uitgang van de daarin opgencmen semiconductor tunnel-opstelling de opname van een inrichting ten behoeve van daarin tenminste mede door deling van de opvolgende, daarin ononderbroken semiconductor behandelde semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips.19. Semiconductor facility as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that in such a semiconductor installation behind the exit of the semiconductor tunnel arrangement accommodated therein the accommodation of a device for the purpose of at least therein partly by dividing the subsequent semiconductor substrate parts treated therein without interruption, the realization of semiconductor chips. 20. Semiconductor faciliteit volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van het daarin plaatsvinden van besturing van tenminste mede de opvolgende semiconductor behandelingen in zulk een semiconductor tunnel-opstelling en het daarin opgenomen semiconductor substraat transfersysteem ten 30 behoeve van een tenminste nagenoeg ononderbroken gelijkmatige verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen.20. Semiconductor facility as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it further comprises means for controlling therein at least also the subsequent semiconductor treatments in such a semiconductor tunnel arrangement and the semiconductor substrate transfer system included therein. for at least substantially continuous uninterrupted displacement of the subsequent semiconductor substrate portions therethrough. 21. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 20, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij daartoe in tenminste mede het eindgedeelte van zulk een tunnel-opstelling het continue 35 uitoefenen van een trekkracht op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.21. A semiconductor facility as claimed in Claim 20, characterized in that it further comprises means such that, for this purpose at least partly in the end portion of such a tunnel arrangement, the continuous exertion of a tensile force on the subsequent semiconductor substrate moving through it sections. 22. Semiconductoe faciliteit volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij met behulp van daarin aanwezig personeel tenminste de navolgende handelingen plaatsvinden: a) het opstarten van de werking van zulk een semiconductor installatie en beëindiging ervan; en 5 b) controle van de correcte continue werking van de semiconductor installatie em het onderhoud ervan.A semiconductor facility as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that it further comprises means such that, with the help of personnel present therein, at least the following actions take place: a) starting up the operation of such a semiconductor installation and terminating it ; and b) checking the correct continuous operation of the semiconductor installation and its maintenance. 23. Semiconductor faciliteit volgend de Gonclusie 22, met het kenmerk, dat deze inrichtingen bevat ten behoeve van het navolgende: a) starten van de toevoer van de semiconductor behandel ingsmediums en 10 de semiconductor transfernvediums en af voer ervan; b) onderhouden van een continue toe- en af voer van deze mediums; en c) beëindiging van tenminste de continue toevoer van semiconductor behandelingsmediums en -transfermediums.A semiconductor facility according to Gonclusion 22, characterized in that it comprises devices for the following: a) starting the supply of the semiconductor treatment mediums and the semiconductor transfer mediums and their discharge; b) maintaining a continuous supply and removal of these mediums; and c) terminating at least the continuous supply of semiconductor treatment media and transfer media. 24. Semiconductor faciliteit volgens één der voorgaande Conclusies, 15 met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van in het uitgangs-gedeelte van zulk een daarin opgenomen semiconductor installatie het . tenminste male plaatsvinden van verwijdering van de opvolgende folie-gedeeltes als tijdelijke semiconductor onderlaag van de daarop in de semiconductor tunnel-opstelling ervan bewerkstelligde 20 semiconductor substraat-gedeeltes ervanaf.24. A semiconductor facility as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that it further comprises means for the purpose of installing in the output part of such a semiconductor installation incorporated therein. removal of the subsequent film portions at least once as a temporary semiconductor substrate from the semiconductor substrate portions thereof produced thereon in the semiconductor tunnel arrangement. 25. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat deze verder daartoe zodanige middelen bevat, dat daarbij in het ingangs-gedeelte van deze semiconductor tunnel-opstelling het plaatsvinden van het opbrengen van een micro hoge film hechtvloeistof met 25 een hoge kooktemperatuur ervan ten behoeve van het tijdelijk in deze tunnel-opstelling het plaatsvinden van een tijdelijke verankering op deze folie van de opvolgende, daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeies.25. A semiconductor facility as claimed in Claim 24, characterized in that it further comprises means for this purpose such that the application of a micro high film adhesive with a high boiling temperature takes place in the entrance part of this semiconductor tunnel arrangement. for the purpose of temporarily anchoring this film in the tunnel arrangement of the subsequent semiconductor substrate portions produced therein. 26. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, 30 dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daartoe tenminste mede in deze semiconductor installatie ter plaatse van de uitgangszijde van deze tunnel-opstelling de opname van een afvoerrol-opstelling ten behoeve van verplaatsing in tenminste benedenwaartse richting van de vanaf deze opvolgende, zich lineair verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 35 verwijderde opvolgende folie-gedeeltes.26. Semiconductor facility according to Claim 24, characterized in that it is further designed such that, for this purpose at least partly in this semiconductor installation at the location of the exit side of this tunnel arrangement, the accommodation of a discharge roll arrangement for displacement in at least downward direction of the subsequent foil portions removed from these successive linearly moving semiconductor substrate portions. 27. Semiconductor faciliteit volgensde Conclusie 26, met het kenmerk, dat daarbij in een inrichting achter deze rol-opstelling door deling van deze verwijderde semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips met een di-electrische onderlaag.27. A semiconductor facility as claimed in Claim 26, characterized in that in a device behind this roll arrangement by dividing said removed semiconductor substrate portions the realization of semiconductor chips with a dielectric substrate. 28. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze tevens een opslagrol bevat voor deze opvolgende, verwijderde folie-gedeeltes, met tussen deze 5 afvoerrol-opstelling en deze opslagrol-opstelling de opname van een reinigings-inrichting voor deze opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende folie-gedeeltes.28. Semiconductor facility according to Claim 26, characterized in that it is further designed such that it also comprises a storage roll for these successive, removed foil sections, with the take-up of between this discharge roll arrangement and this storage roll arrangement a cleaning device for these successive film sections moving therethrough. 29. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in zulk een 10 semiconductor installatie de opname van een rol-opstelling aan de ingangszijde van zulk een semiconductor tunnel-opstelling ten behoeve van het daarin opnieuw invoeren van deze verwijderde opvolgende folie-gedeeltes.29. Semiconductor facility according to Claim 26, characterized in that it is further designed such that, in such a semiconductor installation, the inclusion of a roll arrangement on the entrance side of such a semiconductor tunnel arrangement for the purpose of placing therein re-entering these deleted successive foil sections. 30. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, 15 dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij onder deze semiconductor tunnel-opstelling tussen deze beide rol-opstellingen de opname van een reinigings-inrichting ten behoeve van het daarin plaatsvinden van reiniging van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende f olie-gedeeltes.30. A semiconductor facility as claimed in Claim 29, characterized in that it is further designed such that, under this semiconductor tunnel arrangement between these two roller arrangements, the accommodation of a cleaning device for the purpose of cleaning taking place therein of the succeeding, uninterruptedly moving foil sections. 31. Semiconductor faciliteit volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uibgevoerd, dat daarbij in zulk een semiconductor installatie ervan de toepassing van een metalen semiconductor substraat draag/transferband ten behoeve van het daarmede verplaatsen van tenminste mede zulk een folie door de semiconductor 25 tunnel-opstelling en daarbij eveneens fungerend als tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.31. A semiconductor facility as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed such that, in such a semiconductor installation thereof, the use of a metal semiconductor substrate carrier / transfer belt for displacing at least partly such a foil through the semiconductor tunnel arrangement and thereby also serving as a temporary semiconductor bottom layer of the successive semiconductor substrate portions moving therethrough. 32. Semiconductor faciliteit volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij 30 daarin de toepassing van meerdere van de middelen, omschreven in de biiinenkort door de aanvrager in te dienen Octrooiaanvragen betreffende semiconductor installaties en - tunnel-opstellingen.32. Semiconductor facility as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that therein the application of several of the means described in the biininenkort is to be filed by the applicant Patent applications concerning semiconductor installations and tunnel setups. 33. Semiconductor faciliteit volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarin de toepassing van 35 semiconductor inrichtingen, welke zijn opgencmen in de bestaande semiconductor faciliteiten onder gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds zijn cmschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en COnclusues van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-nodule.A semiconductor facility as claimed in Claim 32, characterized in that it is further designed such that the use of 35 semiconductor devices incorporated in the existing semiconductor facilities using semiconductor modules already described in Patents, if it contains the mention in the text and the following of the following: a) an individual semiconductor wafer or substrate; and / or b) an individual or non-individual semiconductor processing module. 34. Werkwijze van de semiconductor faciliteit, bevattende tenminste één lange semiconductor substraat transfer/behandelings-installatie, met het 5 kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van zulk een installatie het tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van een lineaire verplaatsing erdoorheen van opvolgende aaneengesloten semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het typisch in een daarachter opgencmen inrichting door deling ervan de bewerkstelliging van 10 semiconductor chips.34. Method of the semiconductor facility, comprising at least one long semiconductor substrate transfer / treatment installation, characterized in that, during the operation of such an installation, the linear displacement of successive continuous semiconductor substrate through it takes place substantially continuously. portions for the purpose of typically arranging a device behind it by dividing it into effecting semiconductor chips. 35. Werkwijze volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat zoals daarbij in zulk een semiconductor installatie ervan de opname van een semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling, bevattende tenminste mede opvolgende semiconductor behandelings- 15 gedeeltes, daarin tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.35. A method according to Claim 34, characterized in that, as is the case in such a semiconductor installation, the incorporation of a semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement, comprising at least co-successive semiconductor treatment sections, is continuously interrupted during its operation. occurrence of successive semiconductor treatments of the successive, continuously moving semiconductor substrate portions. 36. Werkwijze volgens de Conclusie 35, met het kenmerk, dat daarbij 20 tijdens de werking ervan in zulk een semiconductor tunnel-opstelling het tenminste nagenoeg ononderbroken erdoorheen verplaatsen van opvolgende gedeeltes van een ononderbroken folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes plaatsvindt.36. A method according to claim 35, characterized in that during its operation in such a semiconductor tunnel arrangement, moving successive portions of a continuous film through it at least substantially uninterruptedly as at least temporary semiconductor substrate of said successive semiconductor substrate substrate. parts. 37. Werkwijze volgens de Conclusie 36, met het kenmerk, dat zoals deze folie daarbij bestaat uit een metalen substantie, in deze semiconductor tunnel-opstelling de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een metalen onderlaag.Method according to Claim 36, characterized in that, like this film, it consists of a metal substance, in this semiconductor tunnel arrangement the realization of successive semiconductor substrate sections, comprising a metal substrate. 38. Werkwijze volgens de Conclusie 36, met het kenmerk, dat zoals deze 30 folie daarbij bestaat uit een kunststoffai substantie, in deze semiconductor tunnel-opstelling de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een kunststoffen onderlaag.38. A method according to Claim 36, characterized in that, like this film, it consists of a plastic substance, in this semiconductor tunnel arrangement the realization of successive semiconductor substrate sections, comprising a plastic substrate. 39. Werkwijze volgens de Conclusie 37, met het kenmerk, dat daarbij in 35 een inrichting achter de daarin opgencmen semiconductor tunnel- opstelling door deling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips met een metalen onderlaag ervan.39. A method according to Claim 37, characterized in that, in a device behind the semiconductor tunnel arrangement included therein, by dividing these successive semiconductor substrate sections, the realization of semiconductor chips with a metal substrate thereof. 40. Werkwijze volgens de Conclusie 37, met het kefcmerk, dat daarbij in een inrichting achter de daarin opgencmen semiconductor tummel-opstelling door deling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips met een kunststoffen onderlaag 5 ervan.40. A method according to claim 37, characterized in that in a device behind the semiconductor tummel arrangement accommodated therein by dividing these successive semiconductor substrate sections the realization of semiconductor chips with a plastic substrate 5 thereof. 41. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een folie, bevattende tenminste een tweetal nagenoeg evenwijdige opstaande zijwanden ervan, tijdens de verplaatsing ervan door de semiconductor tunnel-opstelling van deze 10 faciliteit één opstaande zijwand ervan geleid wordt langs een opstaande zijwand van de tunneldoorgang, welke mede daartoe in geringe mate breder is dan de breedte van zulk een folie.41. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, like the use of a film, comprising at least two substantially parallel upright side walls thereof, one upright side wall thereof during its movement through the semiconductor tunnel arrangement of this facility is guided along an upright side wall of the tunnel passage, which, partly for this purpose, is slightly wider than the width of such a film. 42. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tijens de werking van zulk eem semiconductor installatie van 15 deze semiconductor faciliteit gedurende een zeer lange tijd, typisch tenminste 3 maanden, het continue onderhouden van een ononderbroken lineaire verplaatsing van de opvolgende gedeeltes van deze folie door zulk een semiconductor tunnel-opstelling ervan plaatsvindt.42. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that during the operation of such a semiconductor installation of this semiconductor facility for a very long time, typically at least 3 months, the continuous maintenance of an uninterrupted linear displacement of the subsequent portions of this foil through such a semiconductor tunnel arrangement thereof. 43. Werkwijze volgens de Conclusie 42, met het kenmerk, dat daarbij 20 tijdens de werking ervan zulk een folie ononderbroken wordt toegevoerd vanaf een folie-opslagrok.43. A method according to Claim 42, characterized in that such a film is continuously supplied from a film storage skirt during its operation. 44. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de verplaatsingssnelheid van de opvolgende folie-gedeeltes door zulk een semiconductor tunnel-opstelling beperkt is tot minder dan 25. mn/seconde.A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the speed of movement of the subsequent film sections through such a semiconductor tunnel arrangement is thereby limited to less than 25. mn / second. 45. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van zulk een semiconductor tunnel-opstelling de verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes geschiedt met ter plaatse van de in- en uitgangszijde ervan een open 30 verbinding met de atmospherische buitenlucht en zulks onder toepassing van een gasvormig mediumslot aan tenminste de ingangangszijde ervan.45. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that during the operation of such a semiconductor tunnel arrangement the displacement of the subsequent semiconductor substrate sections takes place with an open connection at the location of the input and output side thereof. the atmospheric outside air and this using a gaseous medium slot on at least the entrance side thereof. 46. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een semiconductor installatie tijdens de werking ervan in een inrichting achter de uitgang van de daarin opgencmen 35 semiconductor tunnel-opstelling tenminste mede door deling van de opvolgende, daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor behandelde semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips.A method according to any one of the preceding claims, characterized in that in such a semiconductor installation during its operation in a device behind the exit of the semiconductor tunnel arrangement accommodated therein, at least partly by division of the subsequent, continuously supplied therein semiconductor treated semiconductor substrate portions the realization of semiconductor chips. 47. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusie/ met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking ervan in de semiconductor installatie plaatsvinden van besturing van tenminste mede de opvolgende semiconductor behandelingen in de semiconductor tunnel-opstelling en 5 het daarin opgencmen semiconductor substraat transfersysteem ten behoeve van een tenminste nagenoeg ononderbroken gelijkmatige verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen.47. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that during its operation in the semiconductor installation control of at least the subsequent semiconductor treatments in the semiconductor tunnel arrangement and the semiconductor substrate transfer system included therein for the purpose of at least substantially continuous, uniform movement of the subsequent semiconductor substrate portions therethrough. 48. Werkwijze volgens de Conclusie 47, met het kenmerk, dat daarbij 10 daartoe in tenminste mede het eindgedeelte van deze tunnel-opstelling het continue uitoefenen van een trekkracht op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.A method according to Claim 47, characterized in that for this purpose at least partly in the end portion of this tunnel arrangement the continuous application of a tensile force to the subsequent semiconductor substrate portions moving through it. 49. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van in deze semiconductor faciliteit aanwezig 15 personeel tenminste de navolgende handelingen plaatsvinden: a) het opstarten van de werking van zulk een daarin opgencmen semiconductor installatie en beëindiging ervan; en b) contröntrole van de correcte continue werking van deze semiconductor installatie en het onderhoud ervan.49. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that at least the following operations take place with the aid of personnel present in this semiconductor facility: a) the start-up of the operation of such a semiconductor installation and the termination thereof; and b) checking the correct continuous operation of this semiconductor installation and its maintenance. 50. Werkwijze volgens de Conclusie 49, met het kenmerk, dat daarbij ten behoeve van zulk een ononderbroken semiconductor transfer/ behandelingsproces het plaatsvinden van het navolgende: a) starten van de toevoer van de semiconductor behandelingsmediums en de semiconductor transfermediums en afvoer ervan; 25 b) onderhouden van een continue toe- en afvoer van deze mediums; en c) beëindiging van tenminste de continue toevoer van deze semiconductor behandelingsmediums en -transfermediums.A method according to Claim 49, characterized in that, for the purpose of such a continuous semiconductor transfer / treatment process, the following takes place: a) starting the supply of the semiconductor treatment mediums and the semiconductor transfer mediums and discharge thereof; B) maintaining a continuous supply and removal of these mediums; and c) termination of at least the continuous supply of these semiconductor treatment media and transfer media. 51. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van zulk een semiconductor installatie in 30 het uitgangsgedeelte ervan het tenminste mede plaatsvinden van verwijdering van de opvolgende folie-gedeeltes als tijdelijke semiconductor onderlaag van de daarop in de semiconductor tunnel-opstelling ervan bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes ervanaf.51. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that during the operation of such a semiconductor installation in its initial part, at least co-occurrence of removal of the subsequent film parts takes place as a temporary semiconductor substrate of the semiconductor thereon its tunnel arrangement produced semiconductor substrate portions thereof. 52. Werkwijze volgens de Conclusie 51, met het kenmerk, dat zoals 35 daartoe tenminste mede ter plaatse van de uitgangszijde van deze tunnel-opstelling de opname van een folie afvoerrol-opstelling, het ononderbroken plaatsvinden van verplaatsing in tenminste benedenwaartse richting van de vanaf deze opvolgende, zich lineair verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes verwijderde opvolgende folie-gedeeltes.52. A method according to Claim 51, characterized in that, as for this purpose at least partly at the exit side of this tunnel arrangement the accommodation of a foil discharge roll arrangement, the uninterrupted occurrence of displacement in at least downward direction of the successive, linearly moving semiconductor substrate portions removed successive foil portions. 53. Werkwijze volgens de Oonclusie 52, met het kenmerk, dat daarbij in een inrichting achter deze rol-opstelling door deling van deze verwijderde semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van 5 semiconductor chips met een di-electrische onderlaag.53. A method according to Claim 52, characterized in that in a device behind this roll arrangement by dividing these removed semiconductor substrate portions, the realization of semiconductor chips with a dielectric substrate. 54. Werkwijze volgens de Conclusie 52, met het kenmerk, dat daarbij zulk een semiconductor tunnel-opstelling tevens een opslagrol bevat voor deze opvolgende, verwijderde folie-gedeeltes, met tussen deze afvoerrol-opstelling en deze opslagrol-opstelling de opname van een reinigings- 10 inrichting en tijdens de werking van zulk een semiconductor tunnel- opstelling het daarin ononderbroken plaatsvinden van reiniging van deze opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende folie-gedeeltes.A method according to Claim 52, characterized in that such a semiconductor tunnel arrangement also comprises a storage roller for these successive, removed foil sections, with the inclusion of a cleaning device between this discharge roller arrangement and this storage roller arrangement. The device and during the operation of such a semiconductor tunnel arrangement the continuous occurrence therein of cleaning of these successive, continuous foil sections moving through it. 55. Werkwijze volgens de Conclusie 54, zoals daarbij de opname van een rol-opstelling aan de ingangszijde van zulk een semiconductor 15 tunnel-opstelling ervan, het daarbij tijdens de werking ervan daarin opnieuw invoeren van deze verwijderde opvolgende folie-gedeeltes plaats vindt.A method according to Claim 54, such as thereby incorporating a roll arrangement on the input side of such a semiconductor tunnel arrangement thereof, thereby reintroducing said removed successive film portions therein during its operation therein. 56. Werkwijze volgens de Conclusie 54, met het kenmerk, dat zoals daarbij onder deze semiconductor tunnel-opstelling tussen deze beide rol-opstellingen de opname van een reinigings-inrichting, daarin tijdens 20 tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van reiniging van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende folie-gedeeltes.56. A method according to Claim 54, characterized in that, as is the case under this semiconductor tunnel arrangement between these two roll arrangements, the incorporation of a cleaning device, the uninterrupted occurrence of this during the operation of this tunnel arrangement. cleaning of the subsequent foil sections moving continuously through it. 57. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze semiconductor installatie de toepassing van een 25 metalen semiconductor substraat draag/transferband, tijdens de werking ervan een ononderbroken verplaatsing van tenminste mede zulk een band door deze daarin opgencmen semiconductor tunnel-opstelling met het daarbij tevens fungeren ervan als tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat- 30 gedeeltes.57. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as in this semiconductor installation the use of a metal semiconductor substrate carrier / transfer belt, during its operation a continuous displacement of at least part of such a belt by this semiconductor included therein tunnel arrangement with its thereby also acting as a temporary semiconductor bottom layer of the successive moving semiconductor substrate sections therethrough. 58. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, met het kenmerk, dat daarbij in deze faciliteit de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen, welke zijn cmschreven in de gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende 35 semiconductor installaties en - tunnel-opstellingen.58. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the possible application of several of the methods described in the Dutch Patent Applications simultaneously submitted by the applicant concerning 35 semiconductor installations and - tunnel arrangements. 59. Werkwijze volgens de Conclusie 58, met het kenmerk, dat daarbij in deze faciliteit de mogelijke toepassing can semiconductor werkwijzen, welke reeds worden gebruikt in de bestaande semiconductor faciliteiten onder toepassing van semiconductor modules, welke reeds zijn ontschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Gonclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat? en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-nodule. 1037061A method according to Claim 58, characterized in that in this facility the possible application of semiconductor methods, which are already used in the existing semiconductor facilities using semiconductor modules, which have already been described in Patents, if it is mentioned therein. in the text and Gonclusions of the following: a) an individual semiconductor wafer or substrate? and / or b) an individual or non-individual semiconductor processing module. 1037061
NL1037061A 2009-06-23 2009-06-23 SEMICONDUCTOR FACILITY, CONTAINING AT LEAST ONE VERY LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TREATMENT INSTALLATION. NL1037061C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1037061A NL1037061C2 (en) 2009-06-23 2009-06-23 SEMICONDUCTOR FACILITY, CONTAINING AT LEAST ONE VERY LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TREATMENT INSTALLATION.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1037061A NL1037061C2 (en) 2009-06-23 2009-06-23 SEMICONDUCTOR FACILITY, CONTAINING AT LEAST ONE VERY LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TREATMENT INSTALLATION.
NL1037061 2009-06-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1037061C2 true NL1037061C2 (en) 2010-12-27

Family

ID=42646331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1037061A NL1037061C2 (en) 2009-06-23 2009-06-23 SEMICONDUCTOR FACILITY, CONTAINING AT LEAST ONE VERY LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TREATMENT INSTALLATION.

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL1037061C2 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4587002A (en) * 1982-08-24 1986-05-06 Edward Bok Apparatus for floating transport and processing of substrate or tape

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4587002A (en) * 1982-08-24 1986-05-06 Edward Bok Apparatus for floating transport and processing of substrate or tape

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9381731B2 (en) Epitaxial lift off systems and methods
TWI510670B (en) Apparatus for high-throughput atomic layer deposition
US10204831B2 (en) Tape-based epitaxial lift off apparatuses and methods
US20060096536A1 (en) Pressure control system in a photovoltaic substrate deposition apparatus
NL2003836C2 (en) Floating wafer track with lateral stabilization mechanism.
US20130284094A1 (en) Modular System for Continuous Deposition of a Thin Film Layer on a Substrate
US8597430B2 (en) Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
TW201044482A (en) Process module facility
KR20170088953A (en) Thin glass sheet and system and method for forming the same
US6927165B2 (en) Method and apparatus for processing substrates and method for manufacturing a semiconductor device
NL1037060C2 (en) SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING AT LEAST A LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNING TUNNEL SETUP FOR THE FUNCTIONING OF THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCLAIMER.
NL1037061C2 (en) SEMICONDUCTOR FACILITY, CONTAINING AT LEAST ONE VERY LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TREATMENT INSTALLATION.
WO2012020274A1 (en) Process and apparatus for texturizing a flat semiconductor substrate
US20100040991A1 (en) In-line annealing apparatus and method of annealing substrate using the same
CN102463237B (en) Substrate cleaning system and method
TWI253433B (en) Substrate transportation device, substrate transportation method, and substrate transportation apparatus
NL1037063C2 (en) SEMICONDUCTOR CHIP, WHICH IS MANUFACTURED IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANDFER / TUNING TUNNEL INSTALLATION FOR THE PURPOSE OF OPERATING THERE FOR THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DEPARTMENTAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATION DEPROCESSING SEPARATE DEPROCESSING SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSIONAL SEPARATE SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATE SEMICONDUCTOR CHIP.
KR100679591B1 (en) Purging apparatus and purging method
KR100782448B1 (en) Substrate cassette, substrate transporting apparatus, substrate storage and transporting apparatus, and substrate transporting and insertion/transporting and removal system
KR20060015788A (en) Inline cross substrate transfer apparatus of organic electro luminescence deposition apparatus
KR100566697B1 (en) Multi-chamber system for fabricating semiconductor devices and method of fabricating semiconductor devices using thereof
EP0905745A3 (en) Semiconductor device manufacting apparatus
CN114737255B (en) Residue removal method for nitriding process of diffusion furnace
CA2586969A1 (en) Pressure control system in a photovoltaic substrate deposition
KR20140119948A (en) Line Processing System with Vacuum Buffer Chamber

Legal Events

Date Code Title Description
SD Assignments of patents

Effective date: 20120919

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20140101