NL1033519C2 - Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders. - Google Patents

Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders. Download PDF

Info

Publication number
NL1033519C2
NL1033519C2 NL1033519A NL1033519A NL1033519C2 NL 1033519 C2 NL1033519 C2 NL 1033519C2 NL 1033519 A NL1033519 A NL 1033519A NL 1033519 A NL1033519 A NL 1033519A NL 1033519 C2 NL1033519 C2 NL 1033519C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
conductive metal
metal substrate
insulating layer
heat transfer
electrolytic oxidation
Prior art date
Application number
NL1033519A
Other languages
English (en)
Inventor
Yun Tai
Ruey-Feng Tai
Original Assignee
Yun Tai
Ruey-Feng Tai
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yun Tai, Ruey-Feng Tai filed Critical Yun Tai
Priority to NL1033519A priority Critical patent/NL1033519C2/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1033519C2 publication Critical patent/NL1033519C2/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/142—Metallic substrates having insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders
Achtergrond van de uitvinding 1. Toepassingsgebied van de uitvinding
De huidige uitvinding heeft betrekking op de fabricage van halfgeleide producten en meer in het bijzonder op een werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders.
5 2. Beschrijving van de aanverwante techniek:
De opbouw van een materiaal voor warmteoverdracht bij halfgeleiders wordt gekenmerkt door: het opspuiten of printen van een isolerend afdekmateriaal op het oppervlak van een 10 goed schoongemaakte metalen onderlaag, het dan bij een verhoogde temperatuur uitdampen van het isolerend afdekmateriaal tot een droge toestand zodat er een isolerende laag op de metalen onderlaag ontstaat en het dan aanbrengen van een geleidende laag op de isolerende laag. Het isolerend 15 opdekmateriaal wordt aangemaakt door steenpoeder te mengen met een hars en een oplosmiddel. Deze werkwijze heeft verschillende nadelen zoals hieronder zal worden beschreven: (1) De isolerende laag is niet naadloos verbonden met de metalen onderlaag en de spleet tussen de isolerende laag 20 en de metalen onderlaag vormt een belemmering voor warmteoverdracht.
(2) Om in de isolerende laag een structuur met capillaire eigenschappen te verkrijgen, moet de isolerende laag een bepaalde dikte hebben maar een dikkere isolerende 25 laag vormt een belemmering voor warmteoverdracht.
(3) Omdat het warmtegeleidingsvermogen van een niet-metalen materiaal slecht is, kan de warmte die wordt l n a a ς 1 o 2 geproduceerd door de elektronische apparatuur die op de geleidende laag is aangebracht niet snel worden overgebracht naar de metalen onderlaag om vervolgens snel te worden afgevoerd.
5
Samenvatting van de uitvinding
De huidige uitvinding is tot stand gebracht met het oog op deze omstandigheden. De werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders van de huidige uitvinding 10 omvat de volgende stappen: (a) het door middel van een elektrolytisch oxidatieproces behandelen van een goed geleidende metalen onderlaag om een geoxideerde isolerende laag aan te brengen op het oppervlak van de goed geleidende metalen onderlaag, (b) het op vooraf gekozen plaatsen 15 aanbrengen van een metalen geleidende laag op de geoxideerde isolerende laag en (c) het aanbrengen van een elektronische component in de goed geleidende metalen onderlaag en het vastlijmen van aansluitdraden aan de elektronische component en aan de metalen geleidende laag om het mogelijk te maken 20 dat tijdens het functioneren van de elektronische component de geproduceerde warmte wordt overgebracht naar de metalen onderlaag om snel te worden afgevoerd. De uitvinding heeft de volgende voordelen: (1) De streeploze verbinding met de geoxideerde 25 isolerende laag verbetert de efficiency van warmteoverdracht.
(2) De warmte die tijdens het functioneren van de elektronische component wordt geproduceerd kan effectief en gelijkmatig worden overgebracht naar de metalen onderlaag om snel te worden afgevoerd.
30 (3) De geoxideerde isolerende laag heeft een geringe dikte om warmteoverdracht te vergemakkelijken.
(4) De geoxideerde isolerende laag heeft thermische en elektrische weerstandseigenschappen.
3 (5) De halfgeleiderinrichting kan naar believen zo worden bewerkt dat deze past bij de contour van de elektronische component die erop moet worden aangebracht.
5 Korte beschrijving van de tekeningen
Figuur 1 een is een doorsnede aanzicht van een inrichting voor warmteoverdracht bij halfgeleiders voor een verlichtingsarmatuur van het LED-type overeenkomstig de huidige uitvinding.
10 Figuur 2 is een bovenaanzicht van een inrichting voor warmteoverdracht bij halfgeleiders die in Figuur 1 is weergegeven.
Figuur 3 is een stroomdiagram dat de huidige uitvinding weergeeft.
15 Figuur 4 is een doorsnede aanzicht van een andere vorm van de inrichting voor warmteoverdracht bij halfgeleiders overeenkomstig de huidige uitvinding.
Figuur 5 is een uit elkaar getrokken aanzicht van een nog andere vorm van de inrichting voor warmteoverdracht bij 20 halfgeleiders overeenkomstig de huidige uitvinding.
Figuur 6 is een uit elkaar getrokken aanzicht van een nog weer andere vorm van de inrichting voor warmteoverdracht bij halfgeleiders overeenkomstig de huidige uitvinding.
Figuur 7 is een uit elkaar getrokken aanzicht van een 25 nog weer andere vorm van de inrichting voor warmteoverdracht bij halfgeleiders overeenkomstig de huidige uitvinding.
Gedetailleerde beschrijving van de voorkeursuitvoerina
In de Figuren 1 en 2 is te zien dat een goed 30 geleidende metalen onderlaag A door middel van een elektrolytisch oxidatieproces zo is behandeld dat er een geoxideerde isolerende laag B is ontstaan op het oppervlak ervan. De geoxideerde isolerende laag B heeft een hoge 4 weerstand ten aanzien van warmtegeleiding en elektrische geleiding. Daarna wordt er op vooraf gekozen plaatsen op de geoxideerde isolerende laag B een geleidende laag C aangebracht door middel van elektro depositie of foto 5 lithografie. Aansluitdraden 111 worden vastgelijmd op de metalen geleidende laag C en op een elektronische component(en) Al op de goed geleidende metalen onderlaag A. Tijdens het functioneren van de elektronische component(en)
Al wordt de geproduceerde warmte snel overgebracht naar de 10 goed geleidende metalen onderlaag A om snel te worden afgevoerd.
Verwijzend naar de Figuren 3 en 4 wordt opgemerkt dat het hier genoemde elektrolytische oxidatieproces op de goed geleidende metalen onderlaag A wordt uitgevoerd nadat de goed 15 geleidende metalen onderlaag A in stromend water goed is schoongemaakt. De uitvinding omvat de volgende stappen: (1) ontvetten, (2) een eerste chemisch opruwen van het oppervlak, (3) een eerste spoelgang, (4) een neutralisatieproces, (5) elektrolytisch oxideren, (6) een tweede spoelgang, (7) 20 afdichten, (8) onderdompelen in heet water, (9) uitharden van het oppervlak, (10) een tweede chemisch opruwen van het oppervlak, (11) een derde spoelgang en (12) drogen. Als er een elektro depositie bewerking wordt uitgevoerd om de metalen geleidende laag C aan te brengen op de geoxideerde 25 isolerende laag B van de goed geleidende metalen onderlaag A, omvat de werkwijze van de huidige uitvinding verder de volgende stappen: (13) onderdompelen in een geleidende vloeistof, (14) elektro depositie, (15) laatste spoelgang en (16) definitief drogen.
30 De eerder genoemde metalen geleidende laag C kan ook direct op de gekozen plaatsen op de geoxideerde isolerende laag B van de goed geleidende metalen onderlaag A worden geprint.
5
In Figuur 5 is te zien dat de metalen geleidende laag C ook kan bestaan uit meerdere geleidende metalen plaatelementen die op vooraf gekozen plaatsen direct op de geoxideerde isolerende laag B van de goed geleidende metalen 5 onderlaag A zijn gelijmd.
In Figuur 6 is te zien dat de eerder genoemde geleidende metalen laag C ook kan bestaan uit meerdere metalen klemplaten C3 die respectievelijk op vooraf gekozen plaatsen op de geoxideerde isolerende laag B van de goed 10 geleidende metalen onderlaag A zijn geklemd. De metalen klemplaten C3 hebben elk een gedeelte C4 met een haak die zich vastzet in een bijbehorend gat A2 in de geoxideerde isolerende laag B van de goed geleidende metalen onderlaag A.
In Figuur 7 is een voorbeeld te zien van een 15 toepassing van de huidige uitvinding in een geïntegreerde schakeling. Zoals is te zien is er op de goed geleidende metalen onderlaag A een geoxideerde isolerende laag B aangebracht en een geleidende laag, die bestaat uit meerdere geleidende verbindingen Cl die respectievelijk op vooraf 20 gekozen plaatsen op de geoxideerde isolerende laag B zijn
aangebracht en die respectievelijk elektrisch zijn verbonden met de bijbehorende pennetjes C2 aan de rand van de goed geleidende metalen onderlaag A, en is er een elektronische component D gemonteerd in een uitsparing A3 die is 25 aangebracht in de goed geleidende metalen onderlaag A
waarvoor er uit de geoxideerde isolerende laag B een stuk is weggesneden. De elektronische component D heeft contacten Dl die respectievelijk door middel van de geleidende verbindingen Cl elektrisch zijn verbonden met de 30 respectievelijke pennetjes C2 in de goed geleidende metalen onderlaag A.
Tijdens het functioneren van de elektronische component D wordt de geproduceerde warmte vanuit de 6 elektronische component D via de geleidende verbindingen Cl en de pennetjes C2 overgebracht naar de goed geleidende metalen onderlaag A om snel te worden afgevoerd.
Hoewel er hier bepaalde uitvoeringsvormen van de 5 uitvinding in detail zijn beschreven voor illustratieve doeleinden, kunnen er wijzigingen en verbeteringen worden aangebracht zonder af te wijken van de geest en de beoogde reikwijdte van de uitvinding. Dienovereenkomstig wordt de uitvinding slechts ingeperkt door de aangehechte conclusies.
10 7
Lijst van verwiizinqsciifers Figuur 3 5 A Goed geleidende metalen onderlaag 1 Ontvetten 2 Eerste chemisch opruwen van het oppervlak 3 Eerste spoelgang 4 Neutralisatie proces 10 5 Elektrolytisch oxideren 6 Tweede spoelgang 7 Afdichten 8 Onderdompelen in heet water 9 Uitharden van het oppervlak 15 10 Tweede chemisch opruwen van het oppervlak 11 Derde spoelgang 12 Drogen 13 Onderdompelen in geleidende vloeistof 14 Elektro depositie 20 15 Laatste spoelgang 16 Definitief drogen ί n 3 7 ς 1 q

Claims (8)

1. Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders die de volgende stappen omvat: (a) het aanmaken van een goed geleidende metalen onderlaag en het vervolgens door middel van een 5 elektrolytisch oxidatieproces behandelen van de goed geleidende metalen onderlaag zodat het oppervlak van de goed geleidende metalen onderlaag wordt bedekt met een geoxideerde isolerende laag; (b) het op vooraf gekozen plaatsen aanbrengen van een 10 geleidende metalen laag op de geoxideerde isolerende laag; en (c) het aanbrengen van een elektronische component op de goed geleidende metalen onderlaag en het vastlijmen van aansluitdraden aan de elektronische component en aan de geleidende metaallaag.
2. Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders van conclusie 1, waarbij het elektrolytische oxidatieproces de volgende stappen omvat (1) ontvetten, (2) een eerste chemisch opruwen van het oppervlak 2), (3) een eerste spoelgang, (4) een neutralisatieproces, (5) elektrolytisch 20 oxideren, (6) een tweede spoelgang, (7) afdichten, (8) onderdompelen in heet water, (9) uitharden van het oppervlak, (10) een tweede chemisch opruwen van het oppervlak, (11) een derde spoelgang en (12) drogen.
3. Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders 25 van conclusie 1, waarbij de geleidende metalen laag op vooraf gekozen plaatsen op de geoxideerde isolerende laag wordt aangebracht door middel van elektro depositie, die de volgende stappen omvat (a) onderdompelen in een geleidende vloeistof, (b) elektro depositie, (c) spoelen en (d) drogen. 10 3 3 5 19
4. Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders van conclusie 1, waarbij de geleidende metalen laag bestaat uit meerdere geleidende verbindingen.
5. Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders 5 van conclusie 1, waarbij de geleidende metalen laag bestaat uit meerdere geleidende plaatelementen die respectievelijk op vooraf gekozen plaatsen op de geoxideerde isolerende laag zijn gelijmd.
6. Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders 10 van conclusie 1, waarbij de geleidende metalen laag bestaat uit meerdere metalen klemmen die respectievelijk op vooraf gekozen plaatsen op de geoxideerde isolerende laag van de goed geleidende metalen onderlaag zijn geklemd, waarbij de metalen klemplaten (C3)elk een gedeelte hebben met een haak 15 die valt in een bijbehorend gat in de geoxideerde isolerende laag van de goed geleidende metalen onderlaag.
7. Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders van conclusie 1, waarbij de geleidende metalen laag direct op vooraf gekozen plaatsen op de geoxideerde isolerende laag van 20 de goed geleidende metalen onderlaag wordt geprint.
8. Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders van conclusie 1, waarbij de geoxideerde isolerende laag het hele oppervlak van de goed geleidende metalen onderlaag bedekt.
NL1033519A 2007-03-08 2007-03-08 Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders. NL1033519C2 (nl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1033519A NL1033519C2 (nl) 2007-03-08 2007-03-08 Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1033519 2007-03-08
NL1033519A NL1033519C2 (nl) 2007-03-08 2007-03-08 Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1033519C2 true NL1033519C2 (nl) 2008-09-16

Family

ID=39473619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1033519A NL1033519C2 (nl) 2007-03-08 2007-03-08 Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders.

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL1033519C2 (nl)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1584094A (nl) * 1967-08-03 1969-12-12
FR2466103A1 (fr) * 1979-09-18 1981-03-27 Lerouzic Jean Procede de realisation d'un reseau d'interconnexion de composants electroniques a conducteurs en aluminium et isolant en alumine et reseau d'interconnexion obtenu par ce procede
EP0366338A2 (en) * 1988-10-26 1990-05-02 Texas Instruments Incorporated A substrate for an electrical circuit system and a circuit system using that substrate
DE10045466A1 (de) * 2000-09-14 2002-03-28 Ulrich Eichert Verfahren zur Herstellung von Dickschicht- und Dünnschicht-Hybridschaltungen

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1584094A (nl) * 1967-08-03 1969-12-12
FR2466103A1 (fr) * 1979-09-18 1981-03-27 Lerouzic Jean Procede de realisation d'un reseau d'interconnexion de composants electroniques a conducteurs en aluminium et isolant en alumine et reseau d'interconnexion obtenu par ce procede
EP0366338A2 (en) * 1988-10-26 1990-05-02 Texas Instruments Incorporated A substrate for an electrical circuit system and a circuit system using that substrate
DE10045466A1 (de) * 2000-09-14 2002-03-28 Ulrich Eichert Verfahren zur Herstellung von Dickschicht- und Dünnschicht-Hybridschaltungen

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5857767A (en) Thermal management system for L.E.D. arrays
TWI458055B (zh) 熱傳送總成
TW380360B (en) Attaching heat sinks directly to flip chip and ceramic chip carriers
TW201123387A (en) Thermal-electric separated metal PCB with a chip carrier.
CN105027687A (zh) 用于制造非平面印刷电路板组件的方法
RU2009131220A (ru) Способ изготовления структурированных токопроводящих повехностей
GB2422249A (en) Power substrate
WO2011041934A1 (zh) 半导体承载结构
US9082706B2 (en) Semiconductor device with a semiconductor chip and electrical connecting elements to a conductor structure
NL1033519C2 (nl) Werkwijze voor warmteoverdracht bij halfgeleiders.
RU2635338C2 (ru) Полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа
US20070092998A1 (en) Semiconductor heat-transfer method
US10734562B2 (en) Method for manufacturing substrate terminal board for mounting semiconductor element
JP5737934B2 (ja) 平板状ではないワークを選択的に表面処理するための方法
TWI405308B (zh) 封裝件及其製造方法
CN209964358U (zh) 复合散热型电路板及紫外光固化模组
KR101332802B1 (ko) 금속 동박 적층기판 제조방법
JP2003273413A (ja) 熱電素子およびその製造方法
GB2446839A (en) Semiconductor heat transfer method
TW201410083A (zh) 電路板結構及使用該電路板結構的背光模組
US20130148307A1 (en) Method for producing and electrical circuit and electrical circuit
CA2579869A1 (en) Semiconductor heat-transfer method
RU66651U1 (ru) Устройство полупроводникового передатчика тепла
KR101338320B1 (ko) 금속 동박 적층 기판 제조 방법
JP2008227304A (ja) 電子素子熱伝導の方法

Legal Events

Date Code Title Description
PD2B A search report has been drawn up
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20101001