NL101320C - Veldeffecttransistor voor groot vermogen en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke transistor - Google Patents

Veldeffecttransistor voor groot vermogen en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke transistor

Info

Publication number
NL101320C
NL101320C NL223101A NL223101A NL101320C NL 101320 C NL101320 C NL 101320C NL 223101 A NL223101 A NL 223101A NL 223101 A NL223101 A NL 223101A NL 101320 C NL101320 C NL 101320C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
transistor
manufacturing
field effect
high power
power field
Prior art date
Application number
NL223101A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Inventor
Stanislas Teszner
Original Assignee
Forges Et Ateliers De Constructions Electriques De Jeumont
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Forges Et Ateliers De Constructions Electriques De Jeumont filed Critical Forges Et Ateliers De Constructions Electriques De Jeumont
Application granted granted Critical
Publication of NL101320C publication Critical patent/NL101320C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20—Arrangements for cooling
    • H10W40/22—Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections
    • H10W40/226—Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections characterised by projecting parts, e.g. fins to increase surface area
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10—Containers or parts thereof
    • H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
    • H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
    • H10W76/132—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having other interconnections through an insulated passage in the conductive base
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
NL223101A 1957-11-30 1957-12-09 Veldeffecttransistor voor groot vermogen en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke transistor NL101320C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR752813A FR72535E (fr) 1957-11-30 1957-11-30 Dispositif à semi-conducteur dit transistron unipolaire de puissance
FR867727A FR1301942A (fr) 1957-11-30 1961-07-11 Dispositifs à semi-conducteur dits tecnetrons pour redressement commandé et limitation de forts courants électriques

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL101320C true NL101320C (nl) 1962-05-15

Family

ID=74668069

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL223101D NL223101A (Direct) 1957-11-30
NL223101A NL101320C (nl) 1957-11-30 1957-12-09 Veldeffecttransistor voor groot vermogen en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke transistor

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL223101D NL223101A (Direct) 1957-11-30

Country Status (3)

Country Link
BE (2) BE647011A (Direct)
FR (3) FR1163241A (Direct)
NL (2) NL101320C (Direct)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1129625B (de) * 1958-05-23 1962-05-17 Telefunken Patent Drifttransistor, bei dem der spezifische Widerstand in der Basiszone von der Emitter-zur Kollektorzone zunimmt
US3044909A (en) * 1958-10-23 1962-07-17 Shockley William Semiconductive wafer and method of making the same
DE1114939B (de) * 1960-02-09 1961-10-12 Intermetall Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung mehrerer flaechenhafter Halbleiteranordnungen
NL262767A (Direct) * 1960-04-01
US3281699A (en) * 1963-02-25 1966-10-25 Rca Corp Insulated-gate field-effect transistor oscillator circuits

Also Published As

Publication number Publication date
FR1163241A (fr) 1958-09-23
BE647011A (fr) 1964-05-13
BE655057Q (fr) 1965-02-15
FR1301942A (fr) 1962-08-24
FR72535E (fr) 1960-04-14
NL223101A (Direct) 1900-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH397089A (de) Halbleiterbauelement
NL285598A (nl) Pakkingring en werkwijze voor het vervaardigen daarvan
BE612825A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gebouwen
BE602474A (nl) Werkwijze en inrichting voor het bewerken van een materiaalstrook
SE196372C1 (sv) Förfarande vid tillverkning av halvledaranordning
FR1256523A (fr) Transistor
CH350993A (de) Transistorverstärker
NL122951C (nl) Lagen-transistor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan
CH387801A (de) Flächentransistor
NL280224A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderbouwsteen en volgens de werkwijze vervaardigde halfgeleiderbouwsteen
NL189393B (nl) Inrichting voor het vervaardigen van honingraatachtige lichamen.
FR1212045A (fr) Article de lustrerie et similaires, et mode de montage
CH363376A (de) Transistor-Verstärker
BE594555R (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van zakken en volgens deze werkwijze vervaardigde zakken
CH369521A (de) Leistungstransistor aus Silizium
FR74228E (fr) Transistor perfectionné
BE601204A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleidende inrichtingen
NL270339A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met breedbandelectrode
BE585877A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleidende lichamen.
NL125233C (nl) Werkwijze voor het elektronisch tellen van afgebeelde voorwerpen, en inrichting ter uitvoering van deze wrkwijze
FR1159586A (fr) Habitation octogonale non fatigante et économique
BE604253A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een isolator en isolator vervaardigd volgens deze werkwijze
FR1173597A (fr) Piquets et leurs applications
BE608342A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van verbeterde magnetische banden
BE586470A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van zakken en volgens deze werkwijze vervaardigde zakken.