NL1008441C2 - Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateriaal. - Google Patents
Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateriaal. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1008441C2 NL1008441C2 NL1008441A NL1008441A NL1008441C2 NL 1008441 C2 NL1008441 C2 NL 1008441C2 NL 1008441 A NL1008441 A NL 1008441A NL 1008441 A NL1008441 A NL 1008441A NL 1008441 C2 NL1008441 C2 NL 1008441C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- current density
- value
- substrate
- semiconductor material
- etching
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/005—Bulk micromachining
- B81C1/00515—Bulk micromachining techniques not provided for in B81C1/00507
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/14—Etching locally
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0111—Bulk micromachining
- B81C2201/0114—Electrochemical etching, anodic oxidation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0111—Bulk micromachining
- B81C2201/0115—Porous silicon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Description
t \
Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type half-geleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateriaal
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal .
Een dergelijke werkwijze is bekend uit het artikel 5 "Porous Silicon: Microstructure, Optical Properties and Application to Light Emitting Diodes" van Y. Kanemitsu, T. Matsumoto, T. Futagi en H. Mimura, gepubliceerd in "Porous Silicon", World Scientific Singapore (1994), pagina's 363-367. In deze publikatie wordt de vervaardiging van vrijstaand 10 poreus silicium in een elektrochemische cel beschreven. Hiertoe wordt een p-type siliciumsubstraat blootgesteld aan een potentiaalverschil welke over het substraat wordt aangelegd, terwijl het substraat in een oplossing is gebracht van water-stoffluoride (HF). Tijdens het etsen wordt gedurende een 15 voorafbepaalde periode een constante stroomdichtheid toegepast, waarna deze stroomdichtheid sprongsgewijs wordt verhoogd voor het losetsen van het poreus silicium van het substraat. Het poreuze silicium wordt vervolgens gewassen.
Volgens de uitvinding wordt nu een werkwijze voor 20 het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal voorgesteld, welke de volgende stappen omvat: a) het aanbrengen van maskermateriaal op een substraat van het p-type halfgeleidermateriaal; b) het plaatselijk verwijderen van het maskermateri- 25 aal; en c) het plaatsen van het substraat met het daarop aanwezige masker in een etsende electrolytoplossing onder het gelijktijdig opleggen van een stroomdichtheid door het substraat, waarbij de stroomdichtheid tijdens stap c alternerend 30 wordt ingesteld op een hoge waarde waarbij het halfgeleidermateriaal volledig wordt weggeëtst, en een lage waarde waarbij het halfgeleidermateriaal poreus wordt geëtst.
Op deze wijze wordt een volstrekt nieuw produkt verschaft welke voorzien is van bepaalde microstructuren, zoals 1008441 2 hierna nog zal worden toegelicht.
De uitvinding is derhalve tevens belichaamd in een substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateri-aal waarop zich maskermateriaal bevindt. Het substraat is er 5 volgens de uitvinding door gekenmerkt, dat op het maskermateriaal aan de zijde waar zich het substraat bevindt, ten minste een structuur van poreus halfgeleidermateriaal aanwezig is welke een kanaal begrenst dat vrij is van halfgeleidermateriaal. Een dergelijk substraat laat zich vervaardigen met 10 de werkwijze volgens de uitvinding.
Zoals zojuist opgemerkt, is een dergelijk substraat volstrekt nieuw. Diverse nuttige toepassingen van een dergelijk substraat liggen in het verschiet doordat het kanaal althans gedeeltelijk begrensd wordt door het poreuze halfge-15 leidermateriaal. Een dergelijk substraat kan bijvoorbeeld gebruikt worden als een buisvormige zeef, als μ-batterij, als dragermateriaal voor een katalysator, als ionenwisselaar, als doseersysteem, maar ook andere toepassingen zijn denkbaar. De zojuist gegeven omschrijving dient derhalve enuntiatief te 20 worden opgevat en niet limitatief.
De werkwijze volgens de uitvinding laat zich goed realiseren door een uitvoering waarin de hoge waarde van de stroomdichtheid boven een kritische stroomdichtheidswaarde ligt, en de lage waarde beneden de kritische stroomdicht-25 heidswaarde ligt, waarbij - althans bij silicium - de kritische stroomdichtheidswaarde bepaald wordt op circa de helft van de hoogte van de eerste piek in de stroomspanningscurve van het substraat wanneer dit geplaatst is in de electrolyt-oplossing. Voor andere halfgeleidertypen dan silicium kan dit 30 op een overeenkomstige wijze worden uitgevoerd.
Het is daarbij wenselijk gebleken dat de kritische stroomdichtheidswaarde wordt bepaald in afhankelijkheid van de concentratie in de electrolytoplossing, zodanig dat bij een hogere concentratie een hogere kritische stroomdicht-35 heidswaarde wordt gekozen.
Het is denkbaar dat de werkwijze in stap c aanvangt met het wegetsen van het substraat door het toepassen van een hoge waarde van de stroomdichtheid gevolgd door het alternerend aanbrengen van een lage waarde van de stroomdichtheid en 1008441 3 vervolgens een hoge waarde van deze stroomdichtheid. Het heeft echter de voorkeur dat de stroomdichtheid eerst op de lage waarde wordt ingesteld, en na een voorafbepaalde eerste periode wordt ingesteld op de hoge waarde welke gedurende een 5 voorafbepaalde tweede periode wordt gehandhaafd, waarna het etsen wordt gestaakt. Dit leidt ertoe dat de poreuze wand van het te realiseren kanaal direct is aangebracht op het masker-materiaal, hetgeen een stabielere structuur oplevert. Overigens is ook mogelijk om indien in stap c begonnen wordt met 10 volledig etsen van het substraat, dit in plaats van de hierboven beschreven uitvoering van het elektrochemisch etsen met een hoge stroomdichtheid, uit te voeren in een andere techniek zoals plasma-etsen of KOH-etsen.
In een verder aspect van de uitvinding is het wense-15 lijk dat de lage waarde van de stroomdichtheid wordt ingesteld op een waarde afhankelijk van de gewenste poriegrootte, zodanig dat voor een grove porie een hoog niveau van de lage stroomdichtheidswaarde wordt ingesteld.
In het algemeen leent het met de werkwijze verkregen 20 produkt zich uitstekend voor micromachining-toepassingen, zodat miniaturisering van produkten in bijvoorbeeld de toepassingsvelden die hierboven zijn genoemd, in het verschiet ligt. Door de met de uitvinding te bereiken kostenbesparingen kan dit uitmonden in een reeks van nieuwe produkten die van-25 wege de lage kosten ook single-use produkten kunnen zijn.
De uitvinding zal nu nader worden toegelicht aan de hand van de tekening, welke in fig. 1 en 2 het produkt volgens de uitvinding in twee alternatieve uitvoeringsvormen toont.
30 In de figuren gebruikte gelijke verwijzingscijfers verwijzen naar dezelfde onderdelen.
In de fig. 1 en 2 is met verwijzingscijfer 1 een substraat van p-type halfgeleidermateriaal aangeduid, bijvoorbeeld p-type silicium. Hiervoor kunnen echter ook andere 35 elektrochemisch poreus etsende materialen worden gebruikt. Op dit p-type silicium is maskermateriaal 2 aangebracht. In het maskermateriaal 2 is althans plaatselijk een gat aangebracht, teneinde het etsen van het substraat 1 mogelijk te maken. Hiertoe wordt tevens op overigens bekende wijze een potenti- 1008441 4 aalverschil aangebracht over het substraat 1 door het aanleggen van een positieve spanning aan de zijde van het substraat 1, welke is afgekeerd van het maskermateriaal 2. De negatieve potentiaal wordt geplaatst aan de zijde van het maskermateri-5 aal 2. Als maskermateriaal 2 kan bijvoorbeeld n-type silicium of silicium-nitride worden gebruikt. Tijdens de etsbewerking wordt de stroomdichtheid door het substraat alternerend ingesteld op een hoge waarde waarbij het halfgeleidermateriaal volledig wordt weggeëtst, en een lage waarde waarbij het 10 halfgeleidermateriaal poreus wordt geëtst. Wanneer hierbij begonnen wordt met het volledig wegetsen, dat wil zeggen het toepassen van een hoge waarde van de stroomdichtheid, dan ontstaat de structuur welke is getoond in fig. 1. Onder het maskermateriaal 2 is deze voorzien van een kanaal 4 die ge-15 deeltelijk begrensd is door een boogvormige structuur 5 van poreus halfgeleidermateriaal. Door het alterneren van de genoemde stroomdichtheid kunnen dan voorts kanalen 6 en 7 worden gerealiseerd, welke onderling nog gescheiden zijn door een verdere boogvormige structuur 8 van poreus halfgeleider-20 materiaal.
De lage waarde en de hoge waarde van de stroomdicht-heid worden bepaald ten opzichte van een kritische stroomdichtheid, zodanig dat de hoge waarde van de stroomdichtheid boven de kritische stroomdichtheidswaarde ligt en de lage 25 waarde beneden de kritische stroomdichtheidswaarde. De kritische stroomdichtheidswaarde wordt bepaald op ongeveer de helft van de hoogte van de eerste piek in de stroomspannings-curve van het substraat wanneer dit geplaatst is de electro-lytoplossing. Deze kritische stroomdichtheidswaarde wordt dan 30 bij voorkeur bepaald in afhankelijkheid van de concentratie van de electrolytoplossing zodanig dat bij een hogere concentratie van het electrolyt ook een hogere kritische stroomdichtheidswaarde wordt gekozen. Voor de stap van het poreuze etsen, waarbij een lage waarde van de stroomdichtheid wordt 35 ingesteld, kan de poriegrootte beïnvloed worden door een geschikte keuze van de lage waarde van de stroomdichtheidswaarde. Dit dient zodanig te geschieden dat voor een grove porie een hoog niveau van de lage stroomdichtheidswaarde wordt ingesteld.
1008441 5
In fig. 2 is het volgens de uitvinding te verkrijgen produkt getoond wanneer de werkwijze in stap c aanvangt met het aanleggen van een lage waarde van de stroomdichtheid. Hierdoor wordt eerst een gedeelte poreus halfgeleidermateri-5 aal 9 gevormd. Door het navolgende etsen met een hoge stroomdichtheid ontstaat een dieper gelegen kanaal 10 die op haar beurt verder kan zijn begrensd door een boogvormige structuur 11 van poreus halfgeleidermateriaal dat is gevormd door het etsen bij een lage stroomdichtheid na het volledig etsen dat 10 daaraan voorafging voor het vormen van kanaal 10. Tenslotte kan de poreuze etsstap gevolgd zijn door nog een volledige etsstap waarbij kanaal 12 ontstaat. De genoemde boogvormige structuren zijn bevestigd op het maskermateriaal 2. Door geschikte keuze van de perioden gedurende welke de lage respec-15 tievelijke hoge stroomdichtheden worden opgelegd, kunnen de afmetingen van de kanalen en de deze kanalen begrenzende boogvormige structuren van poreus halfgeleidermateriaal ingesteld worden. Opgemerkt wordt nog dat het poreuze silicium van de boogvormige structuren naar behoefte kan worden voor-20 zien van een coating of worden omgevormd tot silicium-oxide, -nitride, -carbide, of metaal-silicides op voor de vakman bekende manieren welke hier niet verder behoeven te worden toegelicht. De poriegrootten die in het poreuze silicium aanwezig zijn, kunnen door geschikte keuze van de procescondi-25 ties onder welke het poreus etsen plaatsvindt, worden ingesteld op enkele nanometers tot enkele honderden van nanometers in doorsnede.
Voorbeeld
Een wafer van halfgeleidermateriaal wordt ten behoe-30 ve van het etsen, respectievelijk het poreus etsen, gebracht in een electrolyt van waterstoffluoride. De sterkte van de poreuze structuren wordt o.a. bepaald door de hoogte van de dotering van het siliciumsubstraat. Een geschikte waarde van de dotering van het silicium bedraagt bijvoorbeeld circa 1019 35 atomen/cm3 (specifieke weerstand 0.01 - 0.018 Qcm). De kritische stroomdichtheidswaarde ikrit wordt dan bepaald op ongeveer de helft van de hoogte van de eerste piek in de stroomspan-ningscurve van het substraat wanneer dit in het electrolyt is geplaatst. Wanneer voor het electrolyt het genoemde water- 1008441 6 stoffluoride wordt toegepast, resulteren hieruit de waarden die in onderstaande tabel zijn opgenomen.
[HF] (%)__ikrit (mA/cm2)_ 10__75_ 5 5__22_ 1__3_ 1008441
Claims (6)
1. Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, gekenmerkt door de volgende stappen: a) het aanbrengen van maskermateriaal op een sub-5 straat van het p-type halfgeleidermateriaal; b) het plaatselijk verwijderen van het maskermateriaal ; c) het plaatsen van het substraat met het daarop aanwezige masker in een etsende electrolytoplossing onder het 10 gelijktijdig opleggen van een stroomdichtheid over het substraat ; waarbij de stroomdichtheid tijdens stap c alternerend wordt ingesteld op een hoge waarde waarbij het halfgeleidermateriaal volledig wordt weggeëtst, en een lage waarde 15 waarbij het halfgeleidermateriaal poreus wordt geëtst.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de hoge waarde van de stroomdichtheid boven een kritische stroomdichtheidswaarde ligt, en de lage waarde beneden de kritische stroomdichtheidswaarde ligt, waarbij de kritische 20 stroomdichtheidswaarde bepaald wordt op circa de helft van de hoogte van de eerste piek in de stroomspanningscurve van het substraat wanneer dit geplaatst is in de electrolytoplossing.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de kritische stroomdichtheidswaarde wordt bepaald in af- 25 hankelijkheid van de concentratie van de electrolytoplossing, zodanig dat bij een hogere concentratie een hogere kritische stroomdichtheidswaarde wordt gekozen.
4. Werkwijze volgens één der conclusies 1-3, met het kenmerk, dat de stroomdichtheid eerst op de lage waarde wordt 30 ingesteld, en na een voorafbepaalde eerste periode wordt ingesteld op de hoge waarde welke gedurende een voorafbepaalde tweede periode wordt gehandhaafd, waarna het etsen wordt gestaakt .
5. Werkwijze volgens één der conclusies 1-4, met het 35 kenmerk, dat de lage waarde van de stroomdichtheid wordt ingesteld op een waarde afhankelijk van de gewenste poriegroot- 1008441 te, zodanig dat voor een grove porie een hoog niveau van de lage stroomdichtheidswaarde wordt ingesteld.
6. Substraat van althans gedeeltelijk poreus halfge-leiderraateriaal waarop zich maskermateriaal bevindt, geken-5 merkt doordat op het maskermateriaal aan de zijde waar zich het substraat bevindt, ten minste een structuur van poreus halfgeleidermateriaal aanwezig is welke een kanaal begrenst dat vrij is van halfgeleidermateriaal. 1008441
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1008441A NL1008441C2 (nl) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateriaal. |
| NL1010234A NL1010234C1 (nl) | 1998-03-02 | 1998-10-02 | Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateriaal. |
| AU28605/99A AU2860599A (en) | 1998-03-02 | 1999-03-02 | Method for electrochemically etching a p-type semiconducting material, and a substrate of at least partly porous semiconducting material |
| PCT/NL1999/000111 WO1999045583A1 (en) | 1998-03-02 | 1999-03-02 | Method for electrochemically etching a p-type semiconducting material, and a substrate of at least partly porous semiconducting material |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1008441A NL1008441C2 (nl) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateriaal. |
| NL1008441 | 1998-03-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1008441C2 true NL1008441C2 (nl) | 1999-09-03 |
Family
ID=19766626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1008441A NL1008441C2 (nl) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateriaal. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL1008441C2 (nl) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5139624A (en) * | 1990-12-06 | 1992-08-18 | Sri International | Method for making porous semiconductor membranes |
-
1998
- 1998-03-02 NL NL1008441A patent/NL1008441C2/nl not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5139624A (en) * | 1990-12-06 | 1992-08-18 | Sri International | Method for making porous semiconductor membranes |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| BEHREN VON J ET AL: "PROPERTIES OF ULTRATHIN FILMS OF POROUS SILICON", JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY: PART B, vol. 13, no. 3, May 1995 (1995-05-01), pages 1225 - 1229, XP000537393 * |
| TJERKSTRA R W ET AL: "Etching technology for chromatography microchannels", ELECTROCHIMICA ACTA, vol. 42, no. 20-22, 1997, pages 3399-3406, XP004086710 * |
| VINCENT G: "OPTICAL PROPERTIES OF POROUS SILICON SUPERLATTICES", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 64, no. 18, 2 May 1994 (1994-05-02), pages 2367 - 2369, XP000440967 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5539214A (en) | Quantum bridges fabricated by selective etching of superlattice structures | |
| US5970361A (en) | Process for producing semiconductor device having porous regions | |
| Koshida et al. | Visible electroluminescence from porous silicon | |
| Halimaoui et al. | Electroluminescence in the visible range during anodic oxidation of porous silicon films | |
| Lehmann et al. | The physics of macropore formation in low‐doped p‐type silicon | |
| Kelly et al. | Charge carrier dynamics in nanoporous photoelectrodes | |
| US5306647A (en) | Method for manufacturing a solar cell from a substrate wafer | |
| NL1010234C1 (nl) | Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateriaal. | |
| Tjerkstra et al. | Porous GaP multilayers formed by electrochemical etching | |
| Tsuchiya et al. | Electrochemical formation of porous superlattices on n-type (1 0 0) InP | |
| WO1995024261B1 (en) | Microfabricated particle filter | |
| EP0351110B1 (en) | Method of manifacturing a cold cathode, field emission device and a field emission device manufactured by the method | |
| US5458735A (en) | Process for the production of electroluminescent silicon structures | |
| Barillaro et al. | Dimensional constraints on high aspect ratio silicon microstructures fabricated by HF photoelectrochemical etching | |
| Defforge et al. | Plasma-deposited fluoropolymer film mask for local porous silicon formation | |
| KR20010052320A (ko) | 전기 화학적 에칭 방법에 의해 제조된 다공 실리콘 박막 | |
| NL1008441C2 (nl) | Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateriaal. | |
| KR100284519B1 (ko) | 발광 장치 및 이의 제조방법 | |
| US8330036B1 (en) | Method of fabrication and structure for multi-junction solar cell formed upon separable substrate | |
| Shor et al. | Dopant-selective etch stops in 6H and 3C SiC | |
| Li et al. | Electrochemically etched pores and wires on smooth and textured GaAs surfaces | |
| Claussen et al. | Self-organized pore formation and open-loop control in semiconductor etching | |
| Zheng et al. | Thick macroporous membranes made of p‐type silicon | |
| US6702637B2 (en) | Method of forming a small gap and its application to the fabrication of a lateral FED | |
| Christophersen et al. | Deep electrochemical trench etching with organic hydrofluoric electrolytes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| VD1 | Lapsed due to non-payment of the annual fee |
Effective date: 20021001 |