NL1003390C2 - Planar sensor for neutron, X-ray or gamma radiation - Google Patents
Planar sensor for neutron, X-ray or gamma radiation Download PDFInfo
- Publication number
- NL1003390C2 NL1003390C2 NL1003390A NL1003390A NL1003390C2 NL 1003390 C2 NL1003390 C2 NL 1003390C2 NL 1003390 A NL1003390 A NL 1003390A NL 1003390 A NL1003390 A NL 1003390A NL 1003390 C2 NL1003390 C2 NL 1003390C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- wafer
- type
- applying
- pixels
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
vlakke stralingssensor en werkwijze voor haar vervaardigingflat radiation sensor and method for its manufacture
De uitvinding heeft betrekking op een vlakke stralingssensor omvattende een meertal pixels voor detectie van neutronen of röntgen- of gammastraling, waarbij voorzien is in een laag scintillatormateriaal voor omzetting van genoemde 5 straling in elektromagnetische straling welke in hoofdzaak in het zichtbare spectrum ligt, en waarbij voorzien is in een met de pixels corresponderende matrix van fotodiodes voor ontvangst van de elektromagnetische straling en omzetting in elektrische signalen aan de respectievelijke aansluitpunten 10 van de fotodiodes.The invention relates to a flat radiation sensor comprising a plurality of pixels for the detection of neutrons or X-rays or gamma rays, wherein a layer of scintillator material is provided for the conversion of said radiation into electromagnetic radiation which lies substantially in the visible spectrum, and wherein is in a matrix of photodiodes corresponding to the pixels for receiving the electromagnetic radiation and converting it into electrical signals at the respective terminals 10 of the photodiodes.
Een dergelijke stralingssensor is bekend uit het artikel CsI:Tl FOR SOLID STATE X-RAY DETECTORS van H. Wieczorek et al., gepubliceerd in de "Proceedings of the International Conference on Inorganic Scintillators and their 15 applications", gehouden 28 augustus tot 1 september 1995, Delft University Press 1995 (ISBN 90-407-1215-8). Volgens deze publikatie worden röntgenstralen opgevangen op scintillatormateriaal van CsI:Tl welke deze röntgenstralen omzetten in zichtbaar licht dat wordt ontvangen door fotodiodes ge-20 vormd in amorf silicium met een dotatie waterstof. Deze laag van amorf silicium is aangebracht op een glassubstraat waarin detectorelektronica is opgenomen voor verdere verwerking van de signalen welke door de fotodiodes worden afgegeven. Een probleem van deze bekende stralingssensor is dat de plaatsre-25 solutie met betrekking tot de respectievelijke pixels van de sensor niet groot is; de door het scintillatormateriaal uitgezonden lichtquanta verspreiden zich namelijk relatief onbelemmerd naar de diverse fotodiodes die in de op het scintillatormateriaal aangrenzende laag zijn aangebracht. In het 30 verleden is getracht dit probleem te verhelpen door het scintillatormateriaal in kristallijne vorm aan te brengen en daarin een craquelé structuur aan te brengen welke een onderbreking voor het licht vormt.Such a radiation sensor is known from the article CsI: Tl FOR SOLID STATE X-RAY DETECTORS by H. Wieczorek et al., Published in the "Proceedings of the International Conference on Inorganic Scintillators and their 15 applications", held August 28 to September 1 1995, Delft University Press 1995 (ISBN 90-407-1215-8). According to this publication, X-rays are received on scintillator material of CsI: T1 which convert these X-rays into visible light received by photodiodes formed in amorphous silicon with a dopant hydrogen. This amorphous silicon layer is applied to a glass substrate incorporating detector electronics for further processing of the signals emitted by the photodiodes. A problem of this known radiation sensor is that the location resolution with respect to the respective pixels of the sensor is not great; Namely, the light quanta emitted by the scintillator material spread relatively unobstructed to the various photodiodes disposed in the layer adjacent to the scintillator material. In the past, attempts have been made to overcome this problem by arranging the scintillator material in crystalline form and providing a crackle structure therein which forms an interruption to light.
Met de uitvinding wordt nu beoogd een vlakke stra-35 lingssensor van het in de aanhef bedoelde type te verschaffen waarbij vrijheid bestaat in de keuze van het toe te passen 1003390 2 scintillatormateriaal teneinde deze optimaal af te stemmen op de beoogde gebruikscondities.The object of the invention is now to provide a flat radiation sensor of the type referred to in the preamble, with freedom in the choice of the 1003390 2 scintillator material to be used in order to optimally adapt it to the intended conditions of use.
Volgens de uitvinding wordt daartoe voorgesteld, dat de matrix van fotodiodes is aangebracht op een eerste zijde 5 van een wafer van halfgeleidermateriaal en dat aan de tegenover de eerste zijde gelegen tweede zijde van de wafer telkens in de omgeving alwaar zich een fotodiode bevindt, het materiaal van de wafer lokaal en in hoofdzaak is verwijderd en vervangen door het scintillatormateriaal waarbij aan el-10 kaar grenzende lokaliteiten alwaar het scintillatormateriaal is aangebracht, gescheiden zijn door het behouden materiaal van de wafer. Het scintillatormateriaal kan daarbij eventueel voorbij het behouden materiaal van de wafer reiken.According to the invention, it is proposed for this purpose that the matrix of photodiodes is arranged on a first side 5 of a wafer of semiconductor material and that on the second side of the wafer opposite the first side, the material in which the photodiode is situated is the material of the wafer has been locally and substantially removed and replaced by the scintillator material, where adjacent sites where the scintillator material is applied are separated by the retained material from the wafer. The scintillator material may optionally extend beyond the retained material of the wafer.
Bij voorkeur heeft het halfgeleidermateriaal een 15 lage resistiviteit zoals siliciummateriaal dat gebruikt wordt voor consumentenelektronica. Dit type wafermateriaal is relatief goedkoop. Uiteraard is het ook mogelijk om wafermateriaal met een hoge resistiviteit te gebruiken, dan wel zogeheten silicon on insulator, respectievelijk amorf silicium op 20 een glassubstraat.Preferably, the semiconductor material has a low resistivity such as silicon material used for consumer electronics. This type of wafer material is relatively inexpensive. It is of course also possible to use wafer material with a high resistivity, or so-called silicon on insulator or amorphous silicon on a glass substrate.
De uitvinding is tevens belichaamd in een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke vlakke stralingssen-sor door het op een meertal plaatsen corresponderend met de pixels van de gerede sensor, bewerken van een wafer van half-25 geleidermateriaal. Hoewel in de onderhavige aanvrage de stra-lingssensor en de werkwijze voor de vervaardiging daarvan wordt besproken in termen van silicium-techniek, is uiteraard de uitvinding ook toepasbaar bij andersoortig halfgeleidermateriaal, zoals in germanium-techniek.The invention is also embodied in a method of manufacturing such a planar radiation sensor by processing a wafer of semiconductor material in a plurality of places corresponding to the pixels of the finished sensor. Although in the present application the radiation sensor and the method for its manufacture are discussed in terms of silicon technology, the invention is of course also applicable to other semiconductor material, such as in germanium technology.
30 De werkwijze voor het vervaardigen van een dergelij ke vlakke stralingssensor wordt er volgens de uitvinding door gekenmerkt, dat een wafer van p-type halfgeleidermateriaal op de met de pixels corresponderende plaatsen door middel van de volgende processtappen wordt bewerkt: 35 - het aan een eerste zijde van de p-type wafer aanbrengen van een dunne n-type gedoteerde laag op de voor iedere pixel bestemde plaats; - het daarop laten aangroeien van een n-type epitaxiale laag tot een dikte in het bereik 5-15 μπι; 1003390 3 - het opbrengen van een gepassiveerde laag op de epitaxiale laag; - het lokaal gecentreerd alwaar de pixel dient te komen, aanbrengen van een dunne p-type laag in de epitaxiale n-type 5 laag juist onder de gepassiveerde laag; - het aanbrengen van een diepe n-type dotering in de epitaxiale n-type laag juist onder de gepassiveerde laag, aan weerszijden van de zojuist genoemde dunne p-type laag en gescheiden daarvan; 10 - het in hoofdzaak ter plaatse van de dunne p-type laag en de diepe n-type laag verwijderen van de gepassiveerde laag; - het aanbrengen van een gemetalliseerde laag alwaar de gepassiveerde laag is verwijderd; - het aan de tweede zijde van de wafer ter plaatse van iedere 15 pixel in hoofdzaak verwijderen van het wafermateriaal onder handhaving van het wafermateriaal tussen naastliggende pixels; - het aanbrengen van scintillatormateriaal tussen het gehandhaafde wafermateriaal.The method for manufacturing such a flat radiation sensor is according to the invention characterized in that a wafer of p-type semiconductor material is processed in the places corresponding to the pixels by means of the following process steps: side of the p-type wafer applying a thin n-type doped layer at the location designated for each pixel; growing an n-type epitaxial layer thereon to a thickness in the range 5-15 µm; 1003390 3 - applying a passivated layer on the epitaxial layer; - locally centered where the pixel is to be placed, applying a thin p-type layer in the epitaxial n-type 5 layer just below the passivated layer; - applying a deep n-type doping in the epitaxial n-type layer just below the passivated layer, on either side of the thin p-type layer just mentioned and separated therefrom; - removing the passivated layer substantially at the location of the thin p-type layer and the deep n-type layer; - applying a metallized layer where the passivated layer has been removed; - substantially removing the wafer material on the second side of the wafer at the location of every 15 pixels while maintaining the wafer material between adjacent pixels; - applying scintillator material between the maintained wafer material.
20 Ten behoeve van de genoemde passivatie kan bijvoor beeld een geoxideerde laag worden aangebracht.For the purpose of said passivation, an oxidized layer can for instance be applied.
Uiteraard kan deze werkwijze volgens de uitvinding ook worden uitgevoerd op een n-type wafer waarbij in de opvolgende processtappen telkens alwaar sprake is van n-type 25 dotatie, deze wordt vervangen door een p-type dotatie en vice versa.Naturally, this method according to the invention can also be carried out on an n-type wafer, in which the subsequent process steps always involve n-type doping, which is replaced by a p-type doping and vice versa.
Ter optimalisatie van de goede werking van de stra-lingssensor dient voordat het scintillatormateriaal wordt aangebracht, het gehandhaafde wafermateriaal dat de grens 30 vormt van naastliggende pixels te worden voorzien van een re-flectielaag, en het gehandhaafde wafermateriaal gelegen tegenover de eerste zijde van de wafer te worden voorzien van een anti-reflectielaag.In order to optimize the proper functioning of the radiation sensor, before the scintillator material is applied, the maintained wafer material forming the boundary 30 of adjacent pixels must be provided with a reflection layer, and the maintained wafer material located opposite the first side of the wafer to be provided with an anti-reflection layer.
De uitvinding zal nu nader worden toegelicht aan de 35 hand van de tekening, waarin fig. 1 in onderdeelfiguren A t/m I diverse vormings-stadia toont van de stralingssensor volgens de uitvinding bij uitvoering van de werkwijze voor haar vervaardiging volgens de uitvinding; en 1003330 4 fig. 2 een schematische dwarsdoorsnede ter plaatse van één pixel van de stralingssensor volgens de uitvinding toont.The invention will now be further elucidated with reference to the drawing, in which Fig. 1 shows, in sub-figures A to I, various forming stages of the radiation sensor according to the invention when the method for its manufacture according to the invention is carried out; and 1003330 Fig. 2 shows a schematic cross section at the location of one pixel of the radiation sensor according to the invention.
In de figuren gebruikte gelijke verwijzingscijfers 5 verwijzen naar dezelfde onderdelen.Like reference numerals 5 used in the figures refer to like parts.
Onder verwijzing naar fig. 1 zal de werkwijze voor het vervaardigen van een vlakke stralingssensor volgens de uitvinding worden toegelicht aan de hand van een niet-beper-kende voorkeursuitvoeringsvorm. Daarbij wordt, uitgaande van 10 een p-type waferhalfgeleidermateriaal van silicium zoals getoond in fig. IA, deze wafer 1 in een eerste processtap aan een eerste zijde van de wafer 1 voorzien van een dunne n-type gedoteerde laag 2, zoals getoond in fig. 1B. Daarna wordt op de dunne n-type gedoteerde laag 2 een n-type epitaxiale laag 15 3 aangebracht waarvan de dikte wordt gekozen in afhankelijk heid van het type straling waarvoor de sensor bestemd is. In de praktijk ligt de dikte van deze n-type epitaxiale laag in het bereik van 5-15 μιη (zie fig. 1C) . Op de n-type epitaxiale laag 3 wordt vervolgens een gepassiveerde laag 4 aangebracht 20 (zie fig. 1D), waarna lokaal gecentreerd alwaar de desbetreffende pixel dient te komen, een dunne p-type laag 5 in de epitaxiale laag 3 wordt aangebracht juist onder de gepassiveerde laag 4 (zie fig. IE). Daarna wordt een diepe n-type dotering 6 in de epitaxiale n-type laag 3 aangebracht juist 25 onder de gepassiveerde laag 4 en aan weerszijden van de juist daarvoor aangebrachte dunne p-type laag 5 (zie fig. 1F) gevolgd door het in hoofdzaak ter plaatse van de dunne p-type laag 5 en de diepe n-type laag 6 verwijderen van de gepassiveerde laag 4 (zie fig. 1G). Alwaar de passivatielaag is ver-30 wijderd, wordt vervolgens een metallische laag 7 opgedampt waarmee de aansluitpunten worden verschaft voor de pn-junctie van de fotodiode gevormd door de dunne p-type laag 5 en de n-type epitaxiale laag 3. Op deze aansluitpunten kan in de gerede stralingssensor verdere verwerkingselektronica worden 35 aangesloten voor het verwerken van de signalen welke tijdens gebruik van de sensor door de zojuist genoemde pn-junctie worden afgegeven. Deze aansluitpunten zijn aangegeven met respectievelijk 7' en 7". Vervolgens wordt aan de tweede zijde van de wafer 1 ter plaatse van iedere pixel het aldaar 1003390 5 aanwezige wafermateriaal in hoofdzaak verwijderd, bijvoorbeeld door etsen, onder handhaving van het wafermateriaal dat de afscheiding vormt tussen naastliggende pixels. Dit gehandhaafde wafermateriaal is in fig. II aangeduid met verwij-5 zingscijfer 8. In de vrijgekomen ruimte 9 kan vervolgens het toe te passen scintillatormateriaal worden aangebracht. Daarbij is wel wenselijk dat voordien het gehandhaafde wafermateriaal dat de grens vormt van naastliggende pixels, te weten het materiaal dat is aangeduid met verwijzingscijfer 8, wordt 10 voorzien van een reflectielaag 11, bijvoorbeeld door opdampen van aluminium, en dat het gehandhaafde wafermateriaal gelegen tegenover de eerste zijde van de wafer alwaar op de hierboven beschreven wijze de pn-juncties zijn gevormd, een met verwij-zingscijfer 10 aangeduide anti-reflectielaag wordt aange-15 bracht. Hiertoe kan bijvoorbeeld een passivatielaag van het wafermateriaal dienen. De volgens fig. II verkregen halfvoltooide stralingssensor is op vergrote schaal in fig. 2 getoond. In het onderhavige voorbeeld is aan de n-type epitaxi-ale laag 3 een dikte gegeven van circa 10 Mm. Voor de ver-20 vaardiging van de stralingssensor is uitgegaan van waferhalf-geleidermateriaal uit silicium met een dikte van circa 300 Mm. De pixelafmeting van de ene wand 8 tot de andere wand 8 ligt in het bereik van circa 0,05 tot 5 mm in het vierkant. Ook niet-vierkante structuren zijn echter mogelijk; bijvoor-25 beeld hexagonaal. De dikte van de overblijvende wanden 8 na verwijdering van de hoofdzaak van het wafermateriaal ter plaatse van een pixel bedraagt circa 10 m®·With reference to Fig. 1, the method of manufacturing a planar radiation sensor according to the invention will be explained with reference to a non-limiting preferred embodiment. Thereby, starting from a p-type wafer semiconductor material of silicon as shown in Fig. 1A, this wafer 1 is provided in a first process step on a first side of the wafer 1 with a thin n-type doped layer 2, as shown in Fig. 1B. An n-type epitaxial layer 3, the thickness of which is selected depending on the type of radiation for which the sensor is intended, is then applied to the thin n-type doped layer 2. In practice, the thickness of this n-type epitaxial layer is in the range of 5-15 μιη (see Fig. 1C). A passivated layer 4 is then applied to the n-type epitaxial layer 3 (see Fig. 1D), after which locally centered where the relevant pixel is to be placed, a thin p-type layer 5 is applied in the epitaxial layer 3 just below the passivated layer 4 (see fig. IE). Thereafter, a deep n-type doping 6 is placed in the epitaxial n-type layer 3 just below the passivated layer 4 and on either side of the thin p-type layer 5 just applied (see Fig. 1F) followed by the substantial remove the passivated layer 4 at the location of the thin p-type layer 5 and the deep n-type layer 6 (see fig. 1G). Where the passivation layer has been removed, a metallic layer 7 is then deposited to provide the terminals for the pn junction of the photodiode formed by the thin p-type layer 5 and the n-type epitaxial layer 3. At these terminals further processing electronics can be connected in the finished radiation sensor for processing the signals which are emitted during use of the sensor by the aforementioned pn junction. These connection points are indicated with 7 'and 7 "respectively. Subsequently, on the second side of the wafer 1, at the location of each pixel, the wafer material present there is substantially removed, for example by etching, while maintaining the wafer material which forms the separation. between adjacent pixels This maintained wafer material is indicated in Fig. II with reference numeral 8. The scintillator material to be used can then be applied in the vacated space 9. It is desirable, however, that previously the maintained wafer material which forms the boundary of adjacent pixels, namely the material indicated by reference numeral 8, is provided with a reflection layer 11, for example by evaporation of aluminum, and that the maintained wafer material is situated opposite the first side of the wafer where the pn junctions are described in the manner described above. are formed, an anti-reflective denoted by reference numeral 10 layer is applied. A passivation layer of the wafer material can serve for this purpose, for example. The semi-finished radiation sensor obtained according to Fig. II is shown on an enlarged scale in Fig. 2. In the present example, the n-type epitaxial layer 3 is given a thickness of approximately 10 mm. The manufacture of the radiation sensor is based on silicon wafer semiconductor material with a thickness of approximately 300 mm. The pixel size from one wall 8 to the other wall 8 is in the range of about 0.05 to 5 mm square. Non-square structures are also possible, however; for example, hexagonal. The thickness of the remaining walls 8 after removal of the main of the wafer material at the location of a pixel is approximately 10 m
Volgens de uitvinding wordt voorzien in een stralingssensor welke aan de röntgen- of gammastralen ontvangende 30 zijde voorzien is van putten 9 gevuld met scintillatormateriaal welke onder invloed van de ontvangen straling licht uitzenden dat per put 9 geïsoleerd blijft en slechts kan dienen ter activering van de pn-junctie welke aan de tegenoverliggende zijde van de put is gevormd. Op deze wijze kan het zich 35 in een put 9 bevindende scintillatormateriaal slechts één diode activeren tot het opwekken van een potentiaalverschil geschikt voor verdere verwerking en detectie. De stralingssensor volgens de uitvinding is bijzonder geschikt voor toepassing inzake medische diagnostiek met röntgen- of gamma- 1003390 6 straling, naar ook in andersoortige afbeeldingstechnieken waarbij deze straling of neutronenstraling een rol speelt, zoals materiaalonderzoek met behulp van röntgendiffractie, vindt de stralingssensor volgens de uitvinding geschikte toe-5 passing.According to the invention, a radiation sensor is provided which, on the X-ray or gamma-ray receiving side, is provided with wells 9 filled with scintillator material which emit light under the influence of the received radiation, which remains isolated per well 9 and can only serve to activate the pn junction formed on the opposite side of the well. In this manner, the scintillator material contained in a well 9 can activate only one diode to generate a potential difference suitable for further processing and detection. The radiation sensor according to the invention is particularly suitable for use in medical diagnostics with X-ray or gamma 1003390 6 radiation, as well as in other imaging techniques in which this radiation or neutron radiation plays a role, such as material research using X-ray diffraction, according to the radiation sensor according to the invention. suitable application.
10033901003390
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1003390A NL1003390C2 (en) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | Planar sensor for neutron, X-ray or gamma radiation |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1003390 | 1996-06-21 | ||
| NL1003390A NL1003390C2 (en) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | Planar sensor for neutron, X-ray or gamma radiation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1003390C2 true NL1003390C2 (en) | 1997-12-23 |
Family
ID=19763050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1003390A NL1003390C2 (en) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | Planar sensor for neutron, X-ray or gamma radiation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL1003390C2 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196572A (en) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Hitachi Zosen Corp | Amorphous silicon x-ray sensor |
| DE3813079A1 (en) * | 1987-04-21 | 1988-11-03 | Toshiba Kawasaki Kk | X-RAY RAY DETECTOR |
| EP0337826A1 (en) * | 1988-03-11 | 1989-10-18 | Thomson-Csf | Radiation detector in matrix form |
| WO1993003496A1 (en) * | 1991-07-31 | 1993-02-18 | The Regents Of The University Of California | Improvements in particle detector spatial resolution |
| EP0697743A1 (en) * | 1994-08-17 | 1996-02-21 | Seiko Instruments Inc. | Avalanche photodiode joined with with an integrated circuit package and method of fabrication |
-
1996
- 1996-06-21 NL NL1003390A patent/NL1003390C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196572A (en) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Hitachi Zosen Corp | Amorphous silicon x-ray sensor |
| DE3813079A1 (en) * | 1987-04-21 | 1988-11-03 | Toshiba Kawasaki Kk | X-RAY RAY DETECTOR |
| EP0337826A1 (en) * | 1988-03-11 | 1989-10-18 | Thomson-Csf | Radiation detector in matrix form |
| WO1993003496A1 (en) * | 1991-07-31 | 1993-02-18 | The Regents Of The University Of California | Improvements in particle detector spatial resolution |
| EP0697743A1 (en) * | 1994-08-17 | 1996-02-21 | Seiko Instruments Inc. | Avalanche photodiode joined with with an integrated circuit package and method of fabrication |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 011, no. 027 (E - 474) 27 January 1987 (1987-01-27) * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9773930B2 (en) | Integrated circuit with reflective material in trenches and related methods | |
| EP0316222B1 (en) | Radiological image registration device | |
| US7667400B1 (en) | Back-illuminated Si photomultipliers: structure and fabrication methods | |
| EP2013916B1 (en) | Implementation of avalanche photo diodes in (bi) cmos processes | |
| EP2267795A2 (en) | Avalanche photodiode | |
| US5670817A (en) | Monolithic-hybrid radiation detector/readout | |
| CN102217082B (en) | Thin active layer fishbone photodiode with a shallow n+ layer and method of manufacturing the same | |
| US11239382B2 (en) | Semiconductor photomultiplier | |
| EP0503062A1 (en) | High senstivity, high resolution, solid state x-ray imaging device with barrier layer and a method of producing the imaging device. | |
| US5030828A (en) | Recessed element photosensitive detector array with optical isolation | |
| NL1003390C2 (en) | Planar sensor for neutron, X-ray or gamma radiation | |
| US20210055434A1 (en) | Semiconductor membrane enabled hard x-ray detectors | |
| KR20090129123A (en) | Silicon photomultiplier with improved photodetecting efficiency and gamma radiation detector comprising the same | |
| EP3794643B1 (en) | Integration of a short-wave infrared detector with cmos compatible substrates | |
| US20240105740A1 (en) | Photodiode device with enhanced characteristics | |
| US5583352A (en) | Low-noise, reach-through, avalanche photodiodes | |
| EP3738147B1 (en) | Short-wave infrared detector and its integration with cmos compatible substrates | |
| US20160172415A1 (en) | Image sensor and method for manufacturing same | |
| JPH06140613A (en) | Semiconductor light detector | |
| WO2009040270A2 (en) | Two colour photon detector | |
| EP4032124B1 (en) | Method for manufacturing a backside illumination optical sensor with improved detection parameters | |
| WO2011071483A1 (en) | Back-illuminated si photomultipliers: structure and fabrication methods | |
| Hinckley et al. | Modelling of device structure effects in backside illuminated CMOS compatible photodiodes | |
| US20240030360A1 (en) | Photodiode device with high responsivity | |
| KR20210141476A (en) | Avalanche-type photodetector (variant) and its manufacturing method (variant) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AD1B | A search report has been drawn up | ||
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| VD1 | Lapsed due to non-payment of the annual fee |
Effective date: 20010101 |