MXPA01012893A - Laser semiconductor de reborde oculto con capa de confinamiento libre de aluminio. - Google Patents

Abstract

Un laser diodico semiconductor de reborde oculto, preferiblemente a base de la familia de materiales de GaAs y AlGaAs; la delgada capa de revestimiento superior esta sobrepuesta con una capa de reten grabada libre de aluminio y una capa de confinamiento libre de aluminio, de preferencia de GalnP, de tipo de conductividad opuesto contrario a la de la capa de revestimiento superior; una zanja esta formada en la capa de confinamiento que se extiende hacia abajo hacia la capa de reten grabada; AlGaAs adicional vuelve a crecer en la abertura para formar un reborde oculto; durante el rebrote, no se expone aluminio en la parte inferior ni en los lados de la abertura; la capa de confinamiento, de preferencia coincide el reticulo con el AlGaAs; la delgada capa de reten grabada preferiblemente tiene el mismo tipo de conductividad y el mismo espacio de banda que el AlGaAs que la intercala; para laseres que producen radiacion de longitud de onda mas corta, el contenido de aluminio de las capas de revestimiento de AlGaAs se incrementa y se anade algo de aluminio a la capa de confinamiento pero en menor cantidad que a las capas de revestimiento.

Description

LÁSER SEMICONDUCTOR DE REBORDE OCULTO CON CAPA DE CONFINAMIENTO LIBRE DE ALUMINIO ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN CAMPO DE LA INVENCIÓN La presente invención se refiere de manera general a láseres semiconductores. En particular, la invención se refiere a un láser diódico.

ANTECEDENTES TÉCNICOS Los láseres diódicos semiconductores que emiten en las porciones infrarrojas del espectro han sido suficientemente desarrollados ya que se utilizan ampliamente en una variedad de aplicaciones. En una aplicación, un láser de alta potencia que emite por ejemplo, a aproximadamente 980 nm, bombea ópticamente un amplificador de fibra impurificado con erbio (EDFA). Se sabe que dichos láseres se pueden formar a partir de capas, por ejemplo de GalnAs o AlGaAs o materiales relacionados que crecen en un substrato de GaAs. Para un láser emisor de borde típico, se forma una unión de p-n mediante impurificación diferencial de las capas semiconductoras, y se forman contactos eléctricos arriba y abajo de la unión para proveer la energía eléctrica para desviar hacia delante el láser y de esta forma, bombearlo eléctricamente. Las estructuras avanzadas **%»•-* « feit incluyen una o más regiones semiconductoras activas no impurificadas muy delgadas formadas en cavidades cuánticas entre capas semiconductoras mucho más espesas impurificadas con p e impurificadas con n que actúan como capas de revestimiento óptico y en la formación de una estructura diódica de p-n vertical. Diversas cantidades cuánticas se aislan electrónicamente mediante capas de barrera. La composición y espesor de las cavidades cuánticas permiten el ajuste preciso de la longitud de onda de emisión, y por consiguiente, la longitud de onda de acción láser. Una guía de onda que se extiende horizontalmente para la radiación de acción láser se forma mediante estructuras de confinamiento óptico vertical y horizontal. Los espejos, normalmente formados en los bordes de la plaqueta optoelectrónica, define los extremos de la cavidad de láser. La estructura de confinamiento óptico vertical está normalmente asociada de manera estrecha con la unión de p-n a través de perfiles de composición adecuados. El confinamiento horizontal se puede conseguir mediante diferentes estructuras, siendo las dos que se discutirán en la presente, el reborde grabado y el reborde oculto. En la estructura de reborde grabado, la capa de revestimiento semiconductora superior, la cual por ejemplo es una capa tipo p, se graba de manera selectiva hacia abajo cerca pero lo más alejado posible de la capa activa para formar un reborde en la capa de revestimiento superior teniendo un ancho de 2 a 5 µm, pero dejando una delgada porción de la capa de revestimiento superior. Los lados del reborde están ya sea expuestos al ambiente o cubiertos con un material de baja constante dieléctrica para proveer así una estructura de ¡.«fc-lj Ant.t * >t -. j.-?.j *£.A ti guía de onda de modo sencillo. La altura del reborde es normalmente comparable con su ancho, pero confina horizontalmente la luz de manera efectiva hacia una región principalmente debajo del reborde. Se hace un contacto eléctrico a la parte superior del reborde, mientras normalmente la parte inferior del substrato se conecta a tierra eléctricamente para el otro contacto. El reborde provee la función adicional de confinamiento de corriente para guiar la corriente de desviación hacia un punto horizontal angosto de la capa activa subyacente correspondiente al ancho del reborde, de modo que la corriente de desviación no se desperdicia en áreas fuera de la guía de onda. Sin embargo, la estructura de reborde grabado, sufre diferentes problemas cuando se aplica a un láser de alta potencia. El ancho angosto del reborde y su proyección hacia arriba desde el substrato incrementa la resistencia eléctrica en serie para la corriente de desviación y además, incrementa la impedancia térmica para calor generado en el reborde. Además, el grabado del reborde, normalmente se realiza mediante grabado al ácido químico en húmedo de difusión limitada dando como resultado un reborde ensanchado, pero el desempeño de alta energía depende críticamente del perfil del grabado del reborde. Como resultado, los láseres de reborde grabado sufren de reproductibilidad deficiente. La estructura de reborde oculto evita el reborde grabado que se proyecta y sus problemas. En cambio, el crecimiento de la capa de revestimiento semiconductora superior, por ejemplo de AlGaAs impurificada con p+, se divide en dos porciones. Después de que se deposita una porción inferior de AlcGa?-cAs M.&-JL.?.J.. impurificada con p+, crece una barrera o capa de confinamiento, por ejemplo de AlcGa1-cAs impurificada con n+ de alto contenido de aluminio (b>c) en la porción inferior del AlcGa?-cAs, y un orificio se moldea y se graba debajo de la capa de AlcGa-?-cAs impurificada con p+ subyacente. Una porción superior de la capa de revestimiento de AlcGa?-cAs impurificada con p+ entonces vuelve a crecer tanto en el orificio sobre el AlcGa-?-cAs impurificada p+ expuesta y sobre la parte superior de la capa de barrera de AlbGa?-DAs contrariamente impurificada. La impurificación opuesta de la capa de barrera confine la corriente de desviación hacia el orificio a través de la capa de barrera. La porción superior de la capa de revestimiento superior dentro del orificio opera como un reborde que se extiende hacia arriba desde la porción inferior. El espesor de la porción inferior de la capa de revestimiento superior es menor al que se necesita para confinar verticalmente la luz, pero el espesor adicional del reborde sí la confina, tanto vertical como horizontalmente. Normalmente, una capa protectora de AlpGa?-pAs impurificada con n+ de bajo contenido de aluminio (p<b) crece en la capa de barrera de AlbGa-i-bAs antes del grabado del orificio con el fin de evitar que la capa de barrera rica en aluminio se oxide antes de rebrote. Sin embargo, la capa protectora no protege la pared lateral de la capa de barrera después del grabado del orificio y antes del rebrote. La oxidación de la pared lateral puede conducir a confiabilidad deficiente del láser. En general, para obtener un láser altamente confiable, se debe evitar cualquier capa rica en aluminio por dos razones. Dicha capa es sometida a un mayor grado de oxidación en cualquier faceta dividida. Además, introduce l.íiá-U.J-i.A>a.. ,.,. ^^.^^ ... .. ja» f¡ ?im „ , „r , <- _~ ..t - ai. -VH- — - ~r~ -* •»-*>* >-. deformación de retículo por tracción con relación a las capas con escaso aluminio debido a que la constante de retículo de AlAs es inferior a la de GaAs. De esta forma, se desea obtener un láser de reborde oculto que no utilice una capa de barrera que contenga aluminio u otra capa que contenga aluminio expuesta antes de rebrote. También se desea obtener un láser de reborde oculto que no utilice una capa rica en aluminio que esté expuesta durante rompimiento.

BREVE DESCRIPCIÓN DE LA INVENCIÓN La invención incluye un láser diódico de guía de onda semiconductor de reborde oculto basado en la familia de materiales de AlGaAs. En un aspecto de la invención, una capa de confinamiento libre de aluminio de tipo de conductividad opuesta a la capa de revestimiento de AlGaAs superior se deposita sobre la porción inferior de la capa de revestimiento de AlGaAs superior y se moldea con una zanja que se extiende a través de la capa de revestimiento superior para definir la inyección de corriente y el confinamiento óptico lateral. Una capa adicional de AlGaAs, llamada una capa de revestimiento más alta, vuelve a crecer en la abertura y sobre la capa de confinamiento. La porción de la capa de revestimiento más alta en la zanja que se extiende a través de la capa de barrera sirve como un reborde oculto para la luz de guía de onda. La capa de confinamiento tiene la composición por ejemplo de GalnP.

L?.A. *?-* t~É?Í. , ... ^«- „-.... ^fc.j .i En otro aspecto de la invención, una capa de retén grabada libre de aluminio por ejemplo de GalnAsP, crece entre la porción inferior de la capa de revestimiento superior y la capa de confinamiento. Se puede seleccionar un reactivo para ataque, por ejemplo un líquido tal como HCI:H3PO o HCI:HBr:CH3COOH:H2O, el cual graba a través de la capa de confinamiento de GalnP pero se detiene en el GalnAsP. De esta forma, ninguna superficie que contenga aluminio está expuesta para el rebrote. De preferencia, el reactivo para ataque graba una ranura en forma de V para formar la abertura en la capa de confinamiento.

BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS La figura 1 es una vista transversal de una modalidad de un láser de reborde oculto de la invención. La figura 2 es un gráfico de la relación entre el tamaño lateral de un modo óptico de primer orden y el contraste de refracción entre las capas de revestimiento y confinamiento. La figura 3 es un gráfico de la dependencia de contraste de índice con el espesor de la capa de revestimiento superior.

DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LAS MODALIDADES PREFERIDAS Una modalidad de un láser de guía de onda diódico 10 que utiliza una capa de confinamiento libre de aluminio se ilustra en sección transversal en la figura 1. Un estructura de diodo de heterounión crece epitáxicamente en una placa de contacto de GaAs impurificada con n+ 12 con una orientación cristalina de <001>. El crecimiento se puede realizar a través de epitaxia de rayo molecular (MBE) o deposición de vapores químicos organometálicos (OMCVD), entre otros métodos. La estructura diódica incluye una capa de revestimiento inferior de AlGaAs impurificada con n 14 sobrepuesta por una capa de heteroestructura de confinamiento separada con grado de índice inferior (GRINSCH) 16, una estructura de cavidad cuántica intrínseca 18, una capa de GRINSCH superior 20, y una capa de revestimiento superior de AlGaAs impurificada con p 22. La longitud de onda de emisión óptica ?, correspondiente a la longitud de onda de acción láser, es determinada por el espesor de una o más cavidades cuánticas en la estructura de cavidad cuántica 18 y su composición con relación a capas de barrera electrónicas delgadas que rodean y separan cada cavidad cuántica. Las composiciones y espesores ejemplares son una cavidad cuántica sencilla de 6.5 nm de espesor de Gao.82lno.i8 s rodeada por barreras de 2nm de espesor de GaAs. Las capas de GRINSCH 16, 20 producen índices de refracción linealmente graduados entre los materiales en cualquier lado a modo de confinar ópticamente mejor la luz, y también tienen perfiles de composición que producen un campo eléctrico que promueve transportación de electrones a través de la estructura de cavidad cuántica activa 18. Una capa de GRINSCH ejemplar 16, 20 tiene un espesor de 170 nm y una composición que varía de Alo.05Gao.95As a Alo.28Gao.72As. Esta estructura global produce un rayo con un ángulo de campo lejano en la dirección vertical de 29° de anchura de banda a media altura. En esta modalidad, crece una capa de retén grabada delgada (5 a 10nm) 24 de GalnAsP impurificada con p sobre la capa de revestimiento superior 22, y una capa de confinamiento libre de aluminio 26 de GalnP impurificada con n+ crece sobre la capa de retén 24. La composición de la capa de confinamiento 26 se selecciona en relación con aquella de la capa de revestimiento superior 22, de modo que la capa de confinamiento 26 tiene un índice de refracción inferior y se forma un contraste de refracción lateral ?n-i entre los dos materiales. La capa de confinamiento 26 está fotoenmascarada para un reborde oculto que se extiende a lo largo de la dirección <110>, la cual define tanto la inyección de corriente como el confinamiento óptico lateral. Una zanja inclinada 28 está grabada en la capa de confinamiento 26, pero el grabado se detiene en la capa de retén 24. Este grabado anisotrópico se puede realizar con un reactivo húmedo al ataque, tal como HCI:H3P04(1 :1 en volumen) o HCI:HBr:CH3COOH:H20 (30:30:30:5 en volumen) el cual graba facetas que miran de frente hacia arriba en GalnP pero no graba GalnAsP que contiene fracciones significativas de As. La placa de contacto es entonces devuelta a la cámara de crecimiento, y una capa de revestimiento más alta 30 de AlGaAs impurificada con p normalmente de la misma composición e impurificación que la capa de revestimiento superior 22, vuelve a crecer sobre la capa de retén 24 en la parte inferior de la zanja 28 y sobre la capa de confinamiento 26. El AlGaAs que llena la zanja 28 actúa como un reborde rodeado por la capa de confinamiento 26 de índice de refracción inferior. Debido a que el reborde actúa para confinar lateralmente la onda óptica en las capas debajo del mismo, la profundidad de la capa de revestimiento más alta 30 sobre la parte superior de la capa de confinamiento 26 no es normalmente crucial. Es posible variar la composición y niveles de impurificación entre las capas de revestimiento superior y la más alta 22, 30 para efectos ópticos y eléctricos mejorados. Sin embargo, normalmente están formadas del mismo material. Una capa de contacto de GaAs impurificada con p++ 32 crece sobre la capa de revestimiento más alta 30. Se depositan capas de contacto metálicas 34, 36 respectivamente en la parte anterior y posterior de la placa de contacto para proveer almohadillas de contacto al sistema de circuitos de desviación eléctrica. La placa de contacto es entonces dividida en plaquetas separadas, y las caras de extremo de las plaquetas se forman como espejos que definen los extremos de la cavidad de láser, una de las cuales transmite parcialmente. Ahora se presentarán como ejemplos de la invención, composiciones y espesores más precisos de las capas de revestimiento y confinamiento. Sin embargo, estas son solamente ejemplares, y se pueden utilizar otros parámetros con la invención. Las capas de revestimiento 14, 22 de ambos tipos de conductividad y la capa de revestimiento más alta 30 normalmente tienen composiciones de Al0 2dGao.72As para un láser diseñado para emitir a 980nm. Debido a que AlAs y GaAs tienen casi las mismas constantes de tu.-1 -lJ.Í.A ^.M ... . M. ^U-, ... j ^.. ., *..- i, .*«.—. ,.J.....J...^.aJ„t., „. .»,.. .,,«.-. ^ ^a.„ .J*&lk.?sLá retículo (0.56605 vs. 0.56533nm), las capas de revestimiento coinciden esencialmente en retículo con el substrato 12. La composición de la capa de confinamiento n+ libre de aluminio 26, de preferencia se elige que sea Ga05ilno 9P, la cual también coincide en retículo con GaAs. Esta composición produce una energía de espacio de banda de 1.904eV, la cual es igual a la de Alo 385Gao 6i5 s, y un índice de refracción de 3.268 a 980 nm, el cual es igual al de Alo 5Gao 55AS. La igualdad de espacios de banda de la capa de retén 24 y las porciones de capa de revestimiento superior 22, 30 evita que la capa de retén 24 actúe como una barrera para inyección de corriente. Debido a que la capa de confinamiento 26 tiene un tipo de conductividad contraria a la de las dos porciones de capa de revestimiento superior 22, 30, ésta confina la inyección de la corriente de desviación hacia el área del reborde oculto 28. Sin embargo, el confinamiento horizontal de la inyección de corriente se restringe a la profundidad de la capa de confinamiento 26, y la forma de la zanja incrementa la sección transversal promedio. Como resultado, se minimiza la resistencia eléctrica en serie. En vista de los índices de refracción relativos entre la capa de confinamiento y la capa de revestimiento superior, la capa de confinamiento de GalnP libre de aluminio de la invención puede proveer confinamiento óptico horizontal similar que la capa de confinamiento rica en aluminio de la técnica anterior. La combinación del confinamiento óptico vertical provisto por las capas de revestimiento 14, 22, 30 y las capas de GRINSCH 16, 18 y el confinamiento óptico horizontal producido por el contraste de refracción entre la capa de -*--»» < *?*? confinamiento 26 y las capas de revestimiento superior 22, 30 produce una región de guía de onda 38 que se extiende a lo largo de la dirección <011>. La forma ilustrada de la región de guía de onda 38 es solamente sugestiva, y de hecho no existe un límite de forma para la onda guiada. Para evitar el efecto antí-guía inducido por inyección del portador, el contraste de índice lateral ?n-i entre la capa de revestimiento superior de AlGaAs 22 y la capa de confinamiento de GalnP 26 debe ser mayor a 5x10"3 para láseres volumétricos y mayor a 1x10"3 para láseres de cavidad cuántica. Además, es generalmente aconsejable que la región de guía de onda 38 soporte solamente un modo sencillo, fundamental, pero que la extensión lateral sea relativamente grande, por ejemplo 5µm incluso para ?=0.98µm para minimizar la densidad de energía óptica en la faceta de salida y eliminar así cualquier daño térmico de la faceta. Se sabe que el ancho de corte W8 para el modo de primer orden se puede expresar principalmente como una función del contraste de índice lateral W co = 2 2n « ?/71 ' en donde n es el índice de refracción efectivo promedio. A un ancho de guía de onda inferior al ancho de corte W8, la guía de onda soporta solamente el modo fundamental de manera que la estructura está en modo sencillo, por lo menos en la dirección horizontal. Como resultado, el ancho de corte W8 representa el ancho máximo de una guía de onda de modo sencillo. La relación entre el ancho de corte W8 y el contraste de índice de refracción lateral efectivo ?ni se muestra en el gráfico de la figura 2. Se desea un valor pequeño de 10"3 para ?n! para incrementar el tamaño de rayo para operación en modo sencillo. El tamaño de rayo se determina principalmente por el ancho de la parte inferior de la zanja 28 grabada a través de la capa de confinamiento 26. Sin embargo, necesitan observarse otras consideraciones las cuales dan como resultado un valor preferido de aproximadamente 3x10"3 para ?n!. El límite entre la capa de confinamiento y la capa de revestimiento superior, es decir, el borde de la zanja 28, define tanto el confinamiento lateral del campo óptico como el confinamiento de inyección de corriente. Con un contraste de índice muy bajo, el campo óptico se extiende lateralmente lejos en la capa de revestimiento superior subyacente 22 más allá del borde de la capa de confinamiento 26. Como resultado, la corriente es inyectada solamente a una porción de la región de guía de onda. Esto es, el modo óptico es mayor que la región de ganancia creada por inyección de corriente. Como resultado, la ganancia o eficiencia óptica se degrada. Por esta razón, se prefiere que el contraste de índice ?ni se establezca en aproximadamente 3x10"3 incluso para anchos de reborde de 5 a 7µm. El gráfico de la figura 2 índica que serán soportados tanto un modo fundamental como un modo lateral de primer orden. Sin embargo, aún se puede obtener operación con un modo lateral sencillo, siempre que el modo fundamental disfrute de ganancia óptica suficientemente elevada de la corriente inyectada confinada. Se sabe que el modo de primer orden está menos confinado por las discontinuidades de índice que el modo fundamental para contrastes de índice ?ni de entre 1x10"3 a 3x10"3 y anchos de z-.? . -j reborde en la escala de 5 a 7µm. Por lo tanto, el confinamiento de corriente favorece el modo fundamental. El valor del contraste de índice efectivo ?ni depende en gran parte del espesor de la capa de revestimiento superior 26 y de la capa de confinamiento 24, así como de sus composiciones. Un cálculo de modelo produce la dependencia del contraste de índice ?ni sobre el espesor de la capa de revestimiento superior 22 mostrado en el gráfico de la figura 3. Un espesor de 0.18µm para la capa de revestimiento superior 22 produce un contraste de índice de 3x10"3 para un ángulo de campo lejano de 29°. La disminución del ángulo de campo lejano a 22° incrementa el espesor a 0.31 µm. Los espesores serían aproximadamente 50% más grandes para un reborde grabado, a diferencia del reborde oculto que es discutido. Otros cálculos de modelo muestran que el contraste de índice disminuye significativamente a espesores pequeños de la capa de confinamiento 26, es decir, para rebordes más cortos, pero que el contraste de índice ?n-i se satura en aproximadamente un espesor de 0.4 µm para la capa de confinamiento 26. Se selecciona un espesor ligeramente más grande. Con el fin de conseguir una energía de angulación elevada que marque la transición de modo sencillo a operación de modo múltiple, la impurificación de tipo p de la capa de revestimiento superior necesita optimizarse con el fin de coincidir la distribución de portador con el modo óptico. La coincidencia en retículo de la capa de confinamiento con GaAs no necesita ser precisa. Es suficiente para la coincidencia en retículo, que la ^«f-f j^ jf-.-. tAj»* .. » „ .T ^.^fr^ . -«H i -"J"-i-*'?if f n- » -. . *-—--..- ..-— . .- •- .M .- »i t i. composición de la capa de confinamiento produzca una constante en retículo igual a cualquier combinación de GaAs y AlAs. Aunque se prefiere que la capa de confinamiento 26 y la capa de retén 24 estén completamente libres de aluminio, una pequeña fracción de aluminio, tal como 2% atómico con relación a los aniones, proveería incluso más de una mejora de un factor de diez para resistencia a la oxidación sobre la técnica anterior. Este diseño de láser antes presentado produce emisión óptica a aproximadamente 980nm. El diseño se puede ampliar a longitudes de onda más cortas, incluso a las visibles, incrementando la cantidad de aluminio en las capas de revestimiento de AlGaAs. Sin embargo, para obtener entonces el índice de refracción elevado en la capa de confinamiento requerido para confinar ópticamente la luz hacia el reborde, se puede agregar una cantidad sustancial de aluminio a la capa de confinamiento, produciendo una composición de GaAlInp. Esta fracción de aluminio puede ser de hasta 10 a 15 % atómico con relación a los aniones, pero es inferior a la fracción de aluminio en las capas de revestimiento de AlGaAs y es sustancialmente inferior a la fracción de aluminio que es requerida en una capa de confinamiento que no utiliza GalnP como parte del material de confinamiento. Aunque el láser diódico ilustrado contenía una región activa de cavidad cuántica, la invención se puede aplicar de manera ventajosa a láseres diódicos volumétricos en donde una unión de p-n se forma entre las capas de revestimiento contrariamente impurificadas, o se puede interponer una capa activa intrínseca delgada para formar una unión de p-i-n. El diseño de la invención ofrece muchas ventajas sobre la técnica anterior. La estructura de reborde oculto ofrece control mucho más estrecho sobre el contraste de índice lateral ya que depende solamente de los espesores y composiciones de capas depositadas. En contraste, la estructura de reborde grabado produce una capa de revestimiento superior plana que tiene un espesor que depende del tiempo de grabado del reborde. Cualquier variación en uniformidad de espesor o características de grabado se amplifican para la capa de revestimiento superior restante y su efecto de espesor sobre el contraste de índice. La estructura de reborde oculto provee además resistencia eléctrica en serie inferior que la estructura de reborde grabado, debido a que el contacto para la estructura de reborde oculto se puede hacer mucho más grande que el ancho de la guía de onda óptica. Además, se reduce la impedancia térmica para la estructura de reborde oculto. El diodo de láser de reborde oculto de la invención ofrece la ventaja sobre el diodo de láser de reborde oculto de la técnica anterior, de que tanto la capa de confinamiento como la capa grabada de retén están libre de aluminio o por lo menos tienen un contenido reducido de aluminio. Como resultado, menos o nada de aluminio se expone durante rebrote. La falta de oportunidad de oxidación durante el rebrote da como resultado un dispositivo más confiable. Será evidente para los expertos en la técnica que se pueden hacer diferentes modificaciones y variaciones a la presente invención sin apartarse del espíritu y alcance de la misma. De esta forma, se pretende que la presente invención abarque las modificaciones y variaciones de esta invención siempre que estén dentro del alcance de las reivindicaciones anexas y sus equivalentes. í-j j t .é J¡a4 1.-.Í-JÍ 7.i &á¿&..¿i-t. .^M ?A

Claims (7)

NOVEDAD DE LA INVENCIÓN REIVINDICACIONES

1.- Un láser diódico de reborde oculto que comprende: una capa de revestimiento inferior que comprende AlGaAs de un primer tipo de conductividad; una primer capa de revestimiento superior que comprende AlGaAs de un segundo tipo de conductividad formada en la capa de revestimiento inferior; una capa de confinamiento semiconductora sustancialmente libre de aluminio del primer tipo de conductividad formada en la primer capa de revestimiento superior y que tiene una abertura a través de la misma para guiar corriente; y una segunda capa de revestimiento superior que comprende AlGaAs del segundo tipo de conductividad formada en la abertura a través de la capa de confinamiento.

2.- El láser diódico de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque un índice de refracción de la capa de confinamiento es menor al de la primer capa de revestimiento superior.

3.- El láser diódíco de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque la diferencia en índice de refracción entre la capa de confinamiento y la capa de confinamiento está en una escala de entre 1 x 10"3 y 3 x 10_3.

4.- El láser diódico de conformidad con la reivindicación 3, caracterizado además porque un ancho de la abertura está dentro de una escala entre 5 y 7 µm. . ,MÁ' l~* í ±k

5.- El láser diódico de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque la segunda capa de revestimiento superior también está formada sobre la capa de confinamiento.

6.- El láser diódico de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque la capa de confinamiento comprende GalnP.

7.- El láser diódico de conformidad con la reivindicación 6, caracterizado además porque el GalnP de la capa de confinamiento coincide sustancialmente en retículo con el AlGaAs de la capa inferior y de la primer capa de revestimiento superior.