MD507Z - Устройство для получения колебаний на эффекте Ганна - Google Patents
Устройство для получения колебаний на эффекте Ганна Download PDFInfo
- Publication number
- MD507Z MD507Z MDS20110043A MDS20110043A MD507Z MD 507 Z MD507 Z MD 507Z MD S20110043 A MDS20110043 A MD S20110043A MD S20110043 A MDS20110043 A MD S20110043A MD 507 Z MD507 Z MD 507Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- fixed
- gunn
- contacts
- movable contact
- gunn effect
- Prior art date
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title abstract 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к микроволновой технике, основанной на полупроводниках, и может быть применено при изготовлении диодов Ганна для различных областей науки, техники, требующих усиление и генерацию сверхвысокочастотных колебаний.Устройство для получения колебаний на эффекте Ганна содержит криостат с жидким азотом (7), в котором размещена подложка из гетинакса фольгированного медью (2), на которой смонтированы неподвижные контакты (3), между которыми расположен подвижный контакт (5), соединенный с одним из неподвижных контактов (3) посредством пружинки (4), на другом неподвижном контакте (3) и подвижном контакте (5) закреплен посредством контактов из палладия (6) рабочий элемент (1), выполненный из монокристаллической проволоки из теллурида свинца р-типа проводимости с диаметром 5÷20 µм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20110043A MD507Z (ru) | 2011-03-03 | 2011-03-03 | Устройство для получения колебаний на эффекте Ганна |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20110043A MD507Z (ru) | 2011-03-03 | 2011-03-03 | Устройство для получения колебаний на эффекте Ганна |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD507Y MD507Y (en) | 2012-04-30 |
| MD507Z true MD507Z (ru) | 2012-11-30 |
Family
ID=46046416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20110043A MD507Z (ru) | 2011-03-03 | 2011-03-03 | Устройство для получения колебаний на эффекте Ганна |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD507Z (ru) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2014673C1 (ru) * | 1992-01-16 | 1994-06-15 | Василий Иванович Каневский | Высокочастотный прибор на эффекте ганна |
| RU2037916C1 (ru) * | 1992-06-04 | 1995-06-19 | Институт радиотехники и электроники РАН | Твердотельное устройство бегущей волны (варианты) |
| RU2054213C1 (ru) * | 1993-02-24 | 1996-02-10 | Василий Иванович Каневский | Полупроводниковый прибор на эффекте ганна |
| RU2064718C1 (ru) * | 1992-06-04 | 1996-07-27 | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов | Диод ганна |
| RU2168801C1 (ru) * | 2000-11-28 | 2001-06-10 | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | Диод ганна (варианты) |
| RU2361324C1 (ru) * | 2008-02-15 | 2009-07-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") | Полупроводниковый прибор с междолинным переносом электронов |
| MD282Z (ru) * | 2009-08-11 | 2011-04-30 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для излучения электромагнитных волн ультравысоких частот |
-
2011
- 2011-03-03 MD MDS20110043A patent/MD507Z/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2014673C1 (ru) * | 1992-01-16 | 1994-06-15 | Василий Иванович Каневский | Высокочастотный прибор на эффекте ганна |
| RU2037916C1 (ru) * | 1992-06-04 | 1995-06-19 | Институт радиотехники и электроники РАН | Твердотельное устройство бегущей волны (варианты) |
| RU2064718C1 (ru) * | 1992-06-04 | 1996-07-27 | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов | Диод ганна |
| RU2054213C1 (ru) * | 1993-02-24 | 1996-02-10 | Василий Иванович Каневский | Полупроводниковый прибор на эффекте ганна |
| RU2168801C1 (ru) * | 2000-11-28 | 2001-06-10 | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | Диод ганна (варианты) |
| RU2361324C1 (ru) * | 2008-02-15 | 2009-07-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") | Полупроводниковый прибор с междолинным переносом электронов |
| MD282Z (ru) * | 2009-08-11 | 2011-04-30 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для излучения электромагнитных волн ультравысоких частот |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD507Y (en) | 2012-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Li et al. | Doping of fullerenes via anion-induced electron transfer and its implication for surfactant facilitated high performance polymer solar cells. | |
| Kwon et al. | Giant photoamplification in indirect-bandgap multilayer MoS2 phototransistors with local bottom-gate structures. | |
| Park et al. | Extremely Low Contact Resistance on Graphene through n-Type Doping and Edge Contact Design. | |
| MY206809A (en) | Solar cell emitter region fabrication with differentiated p-type and n-type region architectures | |
| AU2014239524A8 (en) | Thermoelectric apparatus and articles and applications thereof | |
| EP2495777A3 (en) | Electrical energy generator | |
| PH12017500341A1 (en) | Solar cell and method for producing thereof | |
| WO2010085081A3 (en) | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure | |
| GB2509273A (en) | Organic semiconductor formulation | |
| MY171189A (en) | Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material | |
| WO2012054504A3 (en) | Thermoelectric apparatus and applications thereof | |
| MY167874A (en) | Solar cells | |
| WO2011160051A3 (en) | Nanowire led structure and method for manufacturing the same | |
| WO2011063228A3 (en) | Betavoltaic apparatus and method | |
| SG195107A1 (en) | An electrical interconnect assembly | |
| GB2511245A (en) | Improving metal contacts to group IV semiconductors by inserting interfacial atomic monolayers | |
| WO2012026775A3 (en) | Thermoelectric material, and thermoelectric module and thermoelectric device comprising the thermoelectric material | |
| MY178458A (en) | Photovoltaic devices and methods for making the same | |
| MY185700A (en) | In-cell bypass diode | |
| IN2012DN05898A (ru) | ||
| FR2981507B1 (fr) | Dispositif thermoelectrique securise | |
| WO2013090961A3 (de) | Thermo-elektrisches-element | |
| WO2014049080A3 (de) | Optoelektronische bauelementevorrichtung, verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementevorrichtung und verfahren zum betreiben einer optoelektronischen bauelementevorrichtung | |
| MD507Z (ru) | Устройство для получения колебаний на эффекте Ганна | |
| WO2013039613A3 (en) | Low resistivity contact |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued | ||
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |