MD403Z - Термоэлектрический материал n-типа с повышенной эффективностью для средних температур - Google Patents

Термоэлектрический материал n-типа с повышенной эффективностью для средних температур Download PDF

Info

Publication number
MD403Z
MD403Z MDS20110025A MDS20110025A MD403Z MD 403 Z MD403 Z MD 403Z MD S20110025 A MDS20110025 A MD S20110025A MD S20110025 A MDS20110025 A MD S20110025A MD 403 Z MD403 Z MD 403Z
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
thermoelectric
increased efficiency
type material
average temperatures
effectiveness
Prior art date
Application number
MDS20110025A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Николае ПОПОВИЧ
Original Assignee
ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ filed Critical ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ
Priority to MDS20110025A priority Critical patent/MD403Z/ru
Publication of MD403Y publication Critical patent/MD403Y/mo
Publication of MD403Z publication Critical patent/MD403Z/ru

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области связанной с разработкой термоэлектрических материалов, которые могут быть использованы в термоэлектрических генераторах для конвертирования тепловой энергии в электрическую энергию.Термоэлектрический материал n-типа с повышенной эффективностью для средних температур представляет твердый раствор в форме монокристалла со следующим химическим составом: (Tl2-xS)(Bi2+xS3), где х меняется в пределах 0,003…0,008. Предлагаемый материал обладает повышенной термоэлектрической эффективностью (ZT ~ 0,75). Эффективность поддерживается в относительно широком диапазоне температур (500…850К).Технический результат состоит в создании термоэлектрического материала n-типа с высокой эффективностью в относительно широком диапазоне температур (500…850К).
MDS20110025A 2011-02-09 2011-02-09 Термоэлектрический материал n-типа с повышенной эффективностью для средних температур MD403Z (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20110025A MD403Z (ru) 2011-02-09 2011-02-09 Термоэлектрический материал n-типа с повышенной эффективностью для средних температур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20110025A MD403Z (ru) 2011-02-09 2011-02-09 Термоэлектрический материал n-типа с повышенной эффективностью для средних температур

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD403Y MD403Y (en) 2011-07-31
MD403Z true MD403Z (ru) 2012-02-29

Family

ID=45815228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20110025A MD403Z (ru) 2011-02-09 2011-02-09 Термоэлектрический материал n-типа с повышенной эффективностью для средних температур

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD403Z (ru)
  • 2011

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Strained endotaxial nanostructures with high thermoelectric figure of merit, 2011.01.16 (regăsit în Internet la 2011.05.18, URL: www.nature.com/nchem/journal/v3/n2/pdf/nchem.955.pdf) *
Гольцман Б.М. и др., ФТТ, 12, 1402 (1970); Гольцман Б.М., Кудинов Н.А., Смирнов И.А./ Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. Издательство Наука, Москва, 1972 г., с. 250 *
Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. Издательство Наука, Москва, 1968, с. 335 *

Also Published As

Publication number Publication date
MD403Y (en) 2011-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yin et al. Recent advances in oxide thermoelectric materials and modules
Ovik et al. A review on nanostructures of high-temperature thermoelectric materials for waste heat recovery
BR112015003948A8 (pt) Método para produção de pó e composto maienite condutivo, método para produção de um catalisador metálico apoiado, e método para sintetizar amônia
MX2016006528A (es) Sistemas de generación de energía y métodos relacionados con los mismos.
JP2012508466A5 (ru)
MX337036B (es) Metodo para generar energia electrica asi como uso de un medio de trabajo.
CN104263986B (zh) 一种超快速制备高性能SnTe基热电材料的方法
WO2012094055A3 (en) HIGH THERMOELECTRIC PERFORMANCE BY CONVERGENCE OF BANDS IN IV-VI SEMICONDUCTORS, HEAVILY DOPED PbTe, AND ALLOYS/NANOCOMPOSITES
JP2012104477A5 (ru)
IN2013DE02693A (ru)
ITMI20112405A1 (it) Composto fotoluminescente o miscela di composti fotoluminescenti
EA201100542A1 (ru) Кристаллические керамические частицы
TWD158417S (zh) 用於半導體沉積設備之電漿功率轉接桿
WO2014011247A3 (en) Electrode materials and configurations for thermoelectric devices
WO2014104941A3 (en) Thermoelectric generator based on samarium sulfide doped with atoms of the lanthanide family and methods of making same
CA2830236C (en) Device for converting heat into electrical power
MD403Y (en) Thermoelectric n-type material with increased efficiency for average temperatures
Yang et al. High-performance thermoelectric materials for solar energy application
IN2015DN01477A (ru)
WO2014050127A8 (ja) 製造設備列および熱電発電方法
UA93753C2 (ru) Способ выработки смешанного пара
UA98368C2 (ru) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ЭВТЕКТИЧЕСКОГО КОМПОЗИТА СИСТЕМЫ SnSe2-Bi2Se3
WO2012161467A3 (ko) 열전특성을 가지는 액체 화합물을 이용한 p-type, n-type의 열전물질 제조방법 및 이를 포함하는 열전 소자
Zhang et al. Study of the experiment on thermoelectric-microcombustors.
MD20110044A2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device with relief p-n junction

Legal Events

Date Code Title Description
KA4Y Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)