MD3541G2 - Способ модификации приповерхностных слоев монокристаллов селенида цинка - Google Patents

Способ модификации приповерхностных слоев монокристаллов селенида цинка Download PDF

Info

Publication number
MD3541G2
MD3541G2 MDA20070192A MD20070192A MD3541G2 MD 3541 G2 MD3541 G2 MD 3541G2 MD A20070192 A MDA20070192 A MD A20070192A MD 20070192 A MD20070192 A MD 20070192A MD 3541 G2 MD3541 G2 MD 3541G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
monocrystals
zinc selenide
surface layers
modifying
chrome
Prior art date
Application number
MDA20070192A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD3541F1 (en
Inventor
Леонид КУЛЮК
Думитру НЕДЕОГЛО
Константин СУШКЕВИЧ
Анатолий СИМИНЕЛ
Original Assignee
Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20070192A priority Critical patent/MD3541G2/ru
Publication of MD3541F1 publication Critical patent/MD3541F1/xx
Publication of MD3541G2 publication Critical patent/MD3541G2/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способам термической обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в микроэлектронике.Сущность изобретения состоит в модификации приповерхностных слоев монокристалла селенида цинка, которая включает термообработку монокристаллов в расплаве висмута с добавкой 0,02…1,10 ат. % хрома при температуре 1000…1200°С в течение 60…150 часов.Результат состоит в расширении функциональных возможностей устройств, полученных на основе монокристаллов селенида цинка, легированных хромом из расплава висмута, а также в улучшении стехиометрии в процессе легирования.
MDA20070192A 2007-07-06 2007-07-06 Способ модификации приповерхностных слоев монокристаллов селенида цинка MD3541G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070192A MD3541G2 (ru) 2007-07-06 2007-07-06 Способ модификации приповерхностных слоев монокристаллов селенида цинка

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070192A MD3541G2 (ru) 2007-07-06 2007-07-06 Способ модификации приповерхностных слоев монокристаллов селенида цинка

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD3541F1 MD3541F1 (en) 2008-03-31
MD3541G2 true MD3541G2 (ru) 2008-10-31

Family

ID=39271508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20070192A MD3541G2 (ru) 2007-07-06 2007-07-06 Способ модификации приповерхностных слоев монокристаллов селенида цинка

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD3541G2 (ru)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD1000G2 (ru) * 1997-02-26 1999-03-31 Государственный Университет Молд0 Способ обработки окиси магния
RU2170292C1 (ru) * 1999-08-17 2001-07-10 Научно-технологический центр радиационного приборостроения Научно-технологического концерна "Институт монокристаллов" НАН Украины Способ получения сцинтиллятора на основе селенида цинка, активированного теллуром

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD1000G2 (ru) * 1997-02-26 1999-03-31 Государственный Университет Молд0 Способ обработки окиси магния
RU2170292C1 (ru) * 1999-08-17 2001-07-10 Научно-технологический центр радиационного приборостроения Научно-технологического концерна "Институт монокристаллов" НАН Украины Способ получения сцинтиллятора на основе селенида цинка, активированного теллуром

Also Published As

Publication number Publication date
MD3541F1 (en) 2008-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200731406A (en) Methods of forming SiC MOSFETs with high inversion layer mobility
NO20080047L (no) Blanding for doping av halvledere
ATE445912T1 (de) Solarzellenmarkierverfahren und solarzelle
GB2464061A (en) Isolated tri-gate transistor fabricated on bulk substrate
EA200970668A1 (ru) Способ нанесения тонкого слоя и полученный продукт
JP2009518263A5 (ru)
DE502006009208D1 (de) Halter aus quarzglas für die prozessierung von halbleiterwafern und verfahren zur herstellung des halters
SG137856A1 (en) A material architecture for the fabrication of low temperature transistor
TW201130053A (en) Method for manufacturing semiconductor device
TW200741821A (en) Method for manufacturing compound material wafers and method for recycling a used donor substrate
WO2007120905A3 (en) Cadmium telluride-based photovoltaic device and method of preparing the same
WO2011150089A3 (en) Ohmic contacts for semiconductor structures
JP2012195493A5 (ru)
EA200970541A1 (ru) Солнечные элементы
GB2534675A8 (en) Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond
WO2014002069A3 (en) Ii-vi based light emitting semiconductor device
WO2007112432A3 (en) Epitaxy of silicon-carbon substitutional solid solutions by ultra-fast annealing of amorphous material
NZ609295A (en) Method for treating semiconductor substrates and a semiconductor substrate
WO2008051670A3 (en) Substrate support structure with rapid temperature change
WO2011095560A3 (de) Verfahren und vorrichtung zur wärmebehandlung des scheibenförmigen grundmaterials einer solarzelle
TW200715468A (en) Strained silicon on insulator (SSOI) structure with improved crystallinity in the strained silicon layer
MY165316A (en) Layered semiconductor substrate and method for manufacturing it
TW200725742A (en) Annealed wafer and manufacturing method of annealed wafer
TW200707635A (en) Method for manufacturing SIMOX wafer and SIMOX wafer
WO2008099089A3 (fr) Substrat textile incorporant une composition de régulation thermique entourant des ilots de transfert

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees