MD1889G2 - Акустоэлектронный криотрон с перестраеваемым временем коммутации - Google Patents
Акустоэлектронный криотрон с перестраеваемым временем коммутации Download PDFInfo
- Publication number
- MD1889G2 MD1889G2 MDA20010061A MD20010061A MD1889G2 MD 1889 G2 MD1889 G2 MD 1889G2 MD A20010061 A MDA20010061 A MD A20010061A MD 20010061 A MD20010061 A MD 20010061A MD 1889 G2 MD1889 G2 MD 1889G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- contacts
- yba2cu3o7
- deposited
- acoustic surface
- layer
- Prior art date
Links
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электроники и предназначено для изготовления запоминающих и коммутационных устройств, использующихся в вычислительной и коммутационной технике.Устройство содержит основание из Pb, на которое последовательно нанесены слой, поглощающий поверхностные акустические волны, вентильный слой из сверхпроводящей керамики YBa2Cu3O7, и управляющий слой из пьезокристалла GaAs, в центре которого нанесен встречноштыревой преобразователь из Cr-Al, причем между вентильным и управляющим слоями нанесены контакты из Cr-Cu. Контакты из Cr-Cu расположены по периметру окружности и состоят из продольных контактов, расположенных вдоль кристаллографической оси c состава YBa2Cu3O7, которые совпадают с направлением распространения поверхностных акустических волн; поперечных контактов, расположенных перпендикулярно кристаллографической оси c состава YBa2Cu3O7, которые перпендикулярны направлению распространения поверхностных акустических волн; промежуточных контактов, расположеных по периметру окружности между продольными и поперечными контактами.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20010061A MD1889G2 (ru) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | Акустоэлектронный криотрон с перестраеваемым временем коммутации |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20010061A MD1889G2 (ru) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | Акустоэлектронный криотрон с перестраеваемым временем коммутации |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1889F1 MD1889F1 (en) | 2002-03-31 |
| MD1889G2 true MD1889G2 (ru) | 2002-10-31 |
Family
ID=19739770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20010061A MD1889G2 (ru) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | Акустоэлектронный криотрон с перестраеваемым временем коммутации |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1889G2 (ru) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD1481G2 (ru) * | 1999-02-17 | 2000-12-31 | Технический университет Молдовы | Акустоэлектронный криотрон |
-
2001
- 2001-03-14 MD MDA20010061A patent/MD1889G2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD1481G2 (ru) * | 1999-02-17 | 2000-12-31 | Технический университет Молдовы | Акустоэлектронный криотрон |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1889F1 (en) | 2002-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU2430401A (en) | Methods of fabricating gallium nitride layers on textured silicon substrates, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby | |
| AU5044600A (en) | Trench semiconductor device having gate oxide layer with multiple thicknesses and processes of fabricating the same | |
| WO2004059751A3 (en) | Methods of forming semiconductor mesa structures including self-aligned contact layers and related devices | |
| JP2003151978A5 (ru) | ||
| WO2005015065A3 (en) | Valve component with multiple surface layers | |
| WO2004062966A3 (en) | Molded lightweight foam acoustical barrier and its method of application | |
| DE60033252D1 (de) | Mehrschichtige halbleiter-struktur mit phosphid-passiviertem germanium-substrat | |
| AU2002359741A1 (en) | Oxide layer on a gaas-based semiconductor structure and method of forming the same | |
| TWI266396B (en) | Semiconductor device | |
| DE69727480D1 (de) | Schallisolierungsschicht mit integriertem schutzbalg | |
| MY129570A (en) | Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same | |
| TW200614420A (en) | Semiconductor structure and semiconductor process | |
| AU2001218182A1 (en) | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on substrates including non-gallium nitride posts, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby | |
| AU2001259447A1 (en) | Surface acoustic wave devices using non-symmetric optimized cuts of a piezoelectric substrate | |
| MD1889G2 (ru) | Акустоэлектронный криотрон с перестраеваемым временем коммутации | |
| DE60134042D1 (de) | Parallelebenensubstrat | |
| AU6157798A (en) | Ii-vi semiconductor device with bete buffer layer | |
| WO2002101819A3 (en) | Leaky, thermally conductive insulator material (ltcim) in a semiconductor-on-insulator (soi) structure | |
| NO862324D0 (no) | Innretning basert paa akustiske overflateboelger. (saw-innretning). | |
| AU7389800A (en) | Method of etching a wafer layer using multiple layers of the same photoresistantmaterial and structure formed thereby | |
| DE3481884D1 (de) | Wenig reflektierende elektrodenanordnung fuer, mit akustischen oberflaechenwellen, arbeitende halbleitereinrichtungen. | |
| MD1481F1 (en) | Acoustoelectronic cryotron | |
| TW334632B (en) | Field effective semiconductor | |
| AU2002361847A1 (en) | Silicon on sapphire structure (devices) with buffer layer | |
| WO2002061181A3 (fr) | Electrode de grandes dimensions |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |