MD173Y

MD173Y - Procedeu de confectionare a microconductorului bifilar

Info

Publication number: MD173Y
Application number: MDS20090233A
Authority: MD
Inventors: Dragos Meglei; Maria Dintu; Elena Condrea; Alexandru Rusu
Original assignee: Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei
Priority date: 2008-07-25
Filing date: 2008-07-25
Publication date: 2010-03-31
Also published as: MD173Z

Abstract

Inventia se refera la electronica, in particular la un procedeu de confectionare a microconductoarelor bifilare. Procedeul de confectionare a microconductorului bifilar include confectionarea prealabila a semifabricatului, care contine doua fiole vidate de sticla, amplasate paralel una fata de alta, contactand mecanic intre ele, spatiul fiolelor vidate fiind umplut cu preforme din material metalic, semimetalic sau semiconductor, incalzirea ulterioara a semifabricatului intr-un cuptor cu rezistenta si extinderea lui.

Description

Invenţia se referă la electronică, în particular la un procedeu de confecţionare a microconductoarelor bifilare.

Este cunoscut un procedeu de obţinere a microconductoarelor coaxiale din materiale metalice, semimetalice sau semiconductoare prin metoda Ulitovski, care constă în încălzirea semifabricatului care, la rândul său, încălzeşte fiola de sticlă, şi formarea microconductorului [1].

Mai este cunoscut un procedeu de trefilare a microconductorului, care include fabricarea prealabilă a semifabricatului, încălzirea lui în procesul trefilării prin cuptorul rezistiv şi formarea microconductorului, totodată semifabricatul conţine două fiole vidate de sticlă, amplasate coaxial, spaţiul inelar dintre ele şi cavitatea fiolei interioare fiind umplute cu şarje din material metalic sau semimetalic, sau semiconductor [2].

Dezavantajul procedeelor cunoscute constă în complexitatea procesului tehnologic de obţinere a microconductoarelor.

Problema pe care o rezolvă invenţia constă în simplificarea procesului tehnologic.

Procedeul de confecţionare a microconductorului bifilar înlătură dezavantajul menţionat mai sus prin aceea că include confecţionarea prealabilă a semifabricatului, care conţine două fiole vidate de sticlă, amplasate paralel una faţă de alta, contactând mecanic între ele, spaţiul fiolelor vidate fiind umplut cu preforme din material metalic, semimetalic sau semiconductor, încălzirea ulterioară a semifabricatului într-un cuptor cu rezistenţă şi extinderea lui.

Invenţia se explică prin desenele din fig. 1 şi 2, care reprezintă:

- fig. 1, secţiunea transversală a semiconductorului bifilar;

- fig. 2, un segment al firului bifilar.

Procedeul se realizează în modul următor

Semifabricatul conţine două fiole vidate de sticlă, amplasate paralel una faţă de alta, care mecanic contactează între ele, spaţiul vidat al cărora este umplut cu şarje din materiale metalice, semimetalice sau semiconductoare. Se iau două ţevi de sticlă cu un capăt lipit cu diametrul interior de 5…6 mm, în care se introduc câteva grame de material metalic, semimetalic sau semiconductor în formă de granule mici. După vidarea până la presiunea de 10-5 tor, ele se lipesc una de alta la ambele capete, cum este arătat în fig. 1. Aici 1 - o fiolă, umplută cu un material granulat 2, şi 3 - o altă fiolă, umplută cu un alt material granulat 4. Fiola dublă obţinută se introduce într-un cuptor cu încălzire rezistivă. Metoda de obţinere a firelor bifilare este similară cu metoda Ulitovski, cu excepţia că în loc de inductorul de frecvenţă înaltă al instalaţiei se montează un cuptor rezistiv, alimentat de curent electric stabilizat. În funcţie de temperatura cuptorului, materialele din ambele fiole se topesc, iar sticla fiolelor se înmoaie.

Cu ajutorul unui beţişor de sticlă, atingând lipitura de la capătul de jos a fiolelor, o parte din învelişurile ambelor fiole se întinde în formă de două capilare bifilar lipite unul de altul şi umplute cu diferite materiale, pe un dispozitiv special de recepţie în formă de un microconductor bifilar cu două conductoare electrice izolate unul de altul.

În funcţie de temperatura cuptorului, de vitezele de coborâre a fiolei în cuptor şi de trefilare a microconductorului pe dispozitivul de recepţie, se pot obţine microconductoare bifilare de diferite diametre.

În fiola interioară 1 cu diametrul exterior de 4…5 mm s-au introdus 4…5 g de telurură de bismut cu conductibilitatea de tipul n, iar în fiola 3 cu acelaşi diametru s-au introdus câte 4…5 g de telurură de bismut cu conductibilitate de tip p şi n. După vidare din fiola dublă s-au obţinut microconductoare bifilare 1 cu diametre exterioare de 20…60 µm şi cu diametrul electrozilor 2 şi 3 de 10…30 µm în funcţie de regimul tehnologic. În funcţie de cantitatea materialelor, lungimea microconductoarelor variază de la 10 până la 100…200 m.

1. Бадинтер Е.Я., Берман Н.Р., Драбенко И.Ф. и др. Литой микропровод и его свойства. Кишинев, Издательство «Штиинца», 1973, с. 318

2. MD 2752 C2 2005.03.31

Claims

1. Procedeu de confecţionare a microconductorului bifilar, care include confecţionarea prealabilă a semifabricatului, care conţine două fiole vidate de sticlă, amplasate paralel una faţă de alta, contactând mecanic între ele, spaţiul fiolelor vidate fiind umplut cu preforme din material metalic, semimetalic sau semiconductor, încălzirea ulterioară a semifabricatului într-un cuptor cu rezistenţă şi extinderea lui.

2. Procedeu de confecţionare a microconductorului bifilar, conform revendicării 1, caracterizat prin aceea că preformele plasate în fiolele vidate sunt din diferite materiale.