MD1406C2 - Фотоприемник - Google Patents

Фотоприемник Download PDF

Info

Publication number
MD1406C2
MD1406C2 MD99-0224A MD990224A MD1406C2 MD 1406 C2 MD1406 C2 MD 1406C2 MD 990224 A MD990224 A MD 990224A MD 1406 C2 MD1406 C2 MD 1406C2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
photosensitivity
narrow
layer
integral
contact layer
Prior art date
Application number
MD99-0224A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD1406B1 (en
Inventor
Михай ЙОВУ
Pavel Cerbari
Mihail Cernii
Original Assignee
Biroul Specializat De Constructie Si Tehnologie A Electronicii Corpului Solid Al Institutului De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Biroul Specializat De Constructie Si Tehnologie A Electronicii Corpului Solid Al Institutului De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova filed Critical Biroul Specializat De Constructie Si Tehnologie A Electronicii Corpului Solid Al Institutului De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova
Priority to MD99-0224A priority Critical patent/MD1406C2/ru
Publication of MD1406B1 publication Critical patent/MD1406B1/xx
Publication of MD1406C2 publication Critical patent/MD1406C2/ru

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области микрофотоэлектроники, конкретно к полупроводниковым фотоприемникам (ФП).ФП выполнен на диэлектрической подложке, на которую последовательно нанесены первый контактный слой, аморфные полупроводниковые слои, дополнительный из узкозонного материала и основной из материала As2Se3Snx, второй контактный слой. Расширение спектрального диапазона обусловлено вкладом в фотоответ узкозонного полупроводникового слоя, выполненного, например, из In2Se3, Sb2Se3, TISbSe2. Повышение интегральной фоточувствительности достигается более эффективным использованием спектра регистрируемого излучения. ФП со структурой SnO2-TISbSe2/ As2Se3Snx-AI, выполненный на стеклянной подложке имеет спектральный диапазон чувствительности 0,5-1,4 мкм и интегральную фоточувствительность4?4?10-1A/Вт.
MD99-0224A 1988-11-14 1999-08-25 Фотоприемник MD1406C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD99-0224A MD1406C2 (ru) 1988-11-14 1999-08-25 Фотоприемник

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4604898 1988-11-14
MD99-0224A MD1406C2 (ru) 1988-11-14 1999-08-25 Фотоприемник

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD1406B1 MD1406B1 (en) 2000-01-31
MD1406C2 true MD1406C2 (ru) 2001-02-28

Family

ID=26640708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD99-0224A MD1406C2 (ru) 1988-11-14 1999-08-25 Фотоприемник

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD1406C2 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Андриеш А. М. и др. Тонкопленочные элементы для автоматического измерения площади листовой пластинки. Изв. АН МССР, Сер. Биологических и химических наук, 1983, № 6, с. 57-59 *

Also Published As

Publication number Publication date
MD1406B1 (en) 2000-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY117089A (en) Photo sensor and method for forming the same
EP0364780A3 (en) Solar cell with a transparent electrode
EP0328331A3 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
AU8559491A (en) Diamond neutron detector
NO914401L (no) Fotodetektor
EP0308127A3 (en) Semi-conductor photo-detecting device
JPS56146142A (en) Electrophotographic sensitive film
TW359039B (en) Circuit-integrating light-receiving element
CA1269164A (en) Photosensitive diode with hydrogenated amorphous silicon layer
CA1077604A (en) Phototransistor array having uniform current response and method of manufacture
CA2050435A1 (en) Photo-sensing device
AU3519395A (en) Three-colour sensor
MD1406C2 (ru) Фотоприемник
EP0838860A3 (en) Radiation imager with discontinuous dielectric
WO1998005072A3 (en) Radiation sensors
Ben Chouikha et al. Colour detection using buried triple pn junction structure implemented in BiCMOS process
JPS56150877A (en) Photoelectric converter
WO1997017719A3 (de) Halbleiterheterostruktur-strahlungsdetektor, mit zwei spektralen empfindlichkeitsbereichen
CA1295402C (en) Photosensor
JPS54146681A (en) Photo-detector
JPS5732683A (en) Semiconductor device
SU637766A1 (ru) Пассивный элемент интегральных оптоэлектронных устройств
JPS6461964A (en) Semiconductor device
US3522435A (en) Photodiode assembly for optical encoder
Sakamoto et al. High speed and high resolution ISO A4 size amorphous Si: H contact linear image sensor