MA31511B1 - Procédé de fabrication de silicium polycristallin à partir d'une solution d'acide fluorosilicique et installation de fabrication de tétrafluorure de silicium et de silicium polycristallin - Google Patents

Procédé de fabrication de silicium polycristallin à partir d'une solution d'acide fluorosilicique et installation de fabrication de tétrafluorure de silicium et de silicium polycristallin

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MA31511B1
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silicon tetrafluoride
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Andrey Pavlovich Chukanov
Ruslan Alekseevich Shevchenko
Alexander Yurevich Vakhrushin
Oleg Alexandrovich Manchulyantsev
Stella Valerievna Smetankina
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Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo Solar Si
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Abstract

L'invention concerne le domaine de la métallurgie et/ou de la chimie et notamment des procédés de fabrication de tétrafluorure de silicium gazeux et de silicium polycristallin à partir de tétrafluorure de silicium gazeux. Le procédé de fabrication de tétrafluorure de silicium à partir d'une solution d'acide fluorosilicique consiste à former un extrait d'acide, de nettoyer ledit extrait, de le sécher, de le décomposer, d'effectuer le barbotage du flux gazeux non différencié de tétrafluorure de silicium et d'hydrogène fluoré en passant par le dioxyde de silicium. Le procédé de production de silicium comprend l'interaction du tétrafluorure de silicium gazeux avec les vapeurs de magnésium puis la séparation du produit fini. L'invention pemret d'obtenir du silicium présentant un degré de pureté élevé, d'augmenter le rendement en termes de produit fini, de rendre le processus de fabrication plus respectueux de l'environnement et de simplifier sa technologie ainsi que de réduire le coût du produit fini.
MA32492A 2007-06-19 2010-01-07 Procédé de fabrication de silicium polycristallin à partir d'une solution d'acide fluorosilicique et installation de fabrication de tétrafluorure de silicium et de silicium polycristallin MA31511B1 (fr)

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