UA73847C2 - A method for preparing silicon tetrafluoride, a method for isolation of the silicon tetrafluoride from oxygen and highly volatile admixtures, a method for preparing silicon powder from the silicon tetrafluoride - Google Patents
A method for preparing silicon tetrafluoride, a method for isolation of the silicon tetrafluoride from oxygen and highly volatile admixtures, a method for preparing silicon powder from the silicon tetrafluoride Download PDFInfo
- Publication number
- UA73847C2 UA73847C2 UA2003098192A UA2003098192A UA73847C2 UA 73847 C2 UA73847 C2 UA 73847C2 UA 2003098192 A UA2003098192 A UA 2003098192A UA 2003098192 A UA2003098192 A UA 2003098192A UA 73847 C2 UA73847 C2 UA 73847C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- silicon
- tetrafluoride
- electrolyte
- fluorination
- silicon tetrafluoride
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 title claims abstract description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title abstract 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 38
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 25
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 21
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims description 20
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims description 11
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- -1 silicon cations Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 6
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 5
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 235000008753 Papaver somniferum Nutrition 0.000 claims 1
- 240000001090 Papaver somniferum Species 0.000 claims 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 7
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000011044 quartzite Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001199012 Usta Species 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000002283 diesel fuel Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REAOZOPEJGPVCB-UHFFFAOYSA-N dioxygen difluoride Chemical compound FOOF REAOZOPEJGPVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000009851 ferrous metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000004334 fluoridation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Inorganic materials [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical class [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Винахід відноситься до технології одержання полікристалічного напівпровідникового кремнію з природних 2 кремнійвмісних концентратів.The invention relates to the technology of obtaining polycrystalline semiconductor silicon from natural 2 silicon-containing concentrates.
Відомий електролітичний спосіб одержання розчину металевого кремнію в розплаві цинку і спосіб одержання металевого кремнію вакуумтермічним відгоном цинку з розплаву |Патент КО 2156220, заявка Мо99110318/12 від 26.05.1999, опублікований 20.09.2000 Бюл. Мо26). Недоліком зазначеного способу є низька розчинність кремнію в розплаві цинку (їх 0,195) і великі витрати на виділення металевого кремнію з розчину цинку з низькою концентрацією кремнію.A known electrolytic method of obtaining a solution of metallic silicon in a zinc melt and a method of obtaining metallic silicon by vacuum-thermal distillation of zinc from a melt Mo26). The disadvantage of this method is the low solubility of silicon in molten zinc (0.195 of them) and high costs for the extraction of metallic silicon from a zinc solution with a low concentration of silicon.
Відомий спосіб одержання кремнію сонячної чистоти карботермічним відновленням очищеного природного кварциту з одержанням технічного кремнію з наступним його екстракційним очищенням "тверде тіло-газ" від домішок |Юрченко А.В. Бизнес план "Производство кремния и изделий солнечной знергетики на их основе".A known method of obtaining silicon of solar purity by carbothermic recovery of purified natural quartzite to obtain technical silicon followed by its "solid-gas" extraction purification from impurities |Yurchenko A.V. Business plan "Production of silicon and solar energy products based on them".
Федеральное государственное унитарное предприятие НИЙ полупроводниковьїх приборов, г. Томек, 2002, 109с.. Основним недоліком цього способу є низький ступінь очищення кремнію від домішок, особливо, від вуглецю і домішок металів.Federal State Unitary Enterprise of Semiconductors, Tomek, 2002, 109 p. The main disadvantage of this method is the low degree of purification of silicon from impurities, especially from carbon and metal impurities.
Відомий і широко застосовується в промисловості західних країн хлоридний спосіб одержання напівпровідникового кремнію (Фалькевич З3.С., Пульнер З.С., Червонньй М.Ф. и др. Технология полупроводникового кремния. - М.: Металлургия, 1992, 408с.|.The chloride method of obtaining semiconductor silicon is well-known and widely used in the industry of Western countries (Z3.S. Falkevich, Z.S. Pulner, M.F. Chervonny, et al. Semiconductor silicon technology. - M.: Metallurgy, 1992, 408 p.|.
Головними недоліками хлоридного способу одержання напівпровідникового кремнію є багатостадійність процесів, дорожнеча напівпровідникового кремнію, низька корозійна стійкість устаткування і забруднення навколишнього середовища хлором і його хімічними сполуками.The main disadvantages of the chloride method of obtaining semiconductor silicon are multi-stage processes, high cost of semiconductor silicon, low corrosion resistance of the equipment and pollution of the environment with chlorine and its chemical compounds.
В основу винаходу поставлена задача одержання напівпровідникового полікристалічного кремнію високої чистоти при значному зниженні його собівартості шляхом виділення тетрафториду кремнію фторуванням с природних оксидів кремнію у виді кварцового піску або кварциту оборотним елементним фтором, його (3 електролітичного відновлення в розплаві евтектики фторидних солей лужних елементів і відмиванням солей електроліту і домішок гідрофторидом амонію.The invention is based on the task of obtaining semiconducting polycrystalline silicon of high purity with a significant reduction in its cost by isolating silicon tetrafluoride by fluoridation from natural silicon oxides in the form of quartz sand or quartzite with reversible elemental fluorine, its (3) electrolytic reduction in the eutectic melt of fluoride salts of alkaline elements and washing of salts electrolyte and impurities with ammonium hydrofluoride.
Поставлена задача вирішується за допомогою запропонованого способу одержання тетрафториду кремнію, що полягає, відповідно до винаходу, у тім, що здійснюють фторування природних кремнійвмісних концентратів з - 97,0-99,998905мас. ЗО» у дві наступні стадії, які незалежно протікають, без поділу продуктів реакцій: чЕ - на 1-іїй стадії фторування проводять у факелі при 1500-20002С з надлишком елементного фтору 15-2095мас. щодо стехіометрії реакцій фторування з виведенням із процесу нелетких фторидів при 100-350 С, а со середньо-летких - при мінус 40 - мінус 602; (зе) - на 2-ій стадії фторування здійснюють при 300-5002С в надлишку вихідних кремнійвмісних концентратів у чн кількості 60-70 96 щодо стехіометрії з поглинанням надлишку елементного фтору з 1-ої стадії фторування.The task is solved using the proposed method of obtaining silicon tetrafluoride, which consists, according to the invention, in carrying out fluorination of natural silicon-containing concentrates with - 97.0-99.998905 mass. ZO" in the following two stages, which proceed independently, without separation of reaction products: chE - in the 1st stage, fluorination is carried out in a torch at 1500-20002C with an excess of elemental fluorine of 15-2095 mass. regarding the stoichiometry of fluorination reactions with the removal of non-volatile fluorides from the process at 100-350 C, and medium-volatile ones - at minus 40 - minus 602; (ze) - at the 2nd stage, fluorination is carried out at 300-5002С in an excess of the original silicon-containing concentrates in the amount of 60-70 96 per part relative to stoichiometry with the absorption of excess elemental fluorine from the 1st stage of fluorination.
Поставлена задача вирішується також за допомогою способу відділення тетрафториду кремнію від кисню і високолетких фторидів домішок, отриманих за п.ї7, що полягає в контактуванні їх з розплавом евтектики фторидних солей лужних металів ГІР (0,465М) - КЕ (0,420М) - Мак (0,115М) при 430-5502С з виділенням кисню і « тетрафториду вуглецю в газову фазу, а тетрафториду кремнію - у розплав комплексних солей електроліту. шщ с Поставлена задача вирішується також за допомогою способу одержання порошку кремнію з тетрафториду ц кремнію, отриманого за п.2, що полягає в тім, що роблять електролітичне відновлення катіонів кремнію (5177) на "» рідкому цинковому катоді, а окислювання аніонів фтору (Е- ) - на графітовому аноді в розплаві електроліту Гі (0,465М) - Козігв (0,401М) - Ма»зіге (0,134М) при 500-5502С; з виведенням з електролізера порошку кремнію в суміші з електролітом. -і Поставлена задача вирішується також за допомогою способу відмивання порошку кремнію, отриманого за с п.3, від електроліту і домішок, що полягає у дії на суміш порошку кремнію й електроліту розчином гідрофториду амонію з концентрацією 140-16бОг/л при рН-3-5, температурі 40-602С в співвідношенні фаз тв:р-1:5 протягом 4-6 (ее) годин. їх 50 Для пояснення способу одержання напівпровідникового кремнію, що заявляється, доцільно привести приклад практичної його реалізації. "м Спосіб одержання тетрафториду кремнію здійснюють таким чином. Вихідну сировину - кварцовий пісок або кварцит з вмістом диоксиду кремнію 97,0-99,989омас, піддають сушінню при температурі 180-2002С протягом 6 годин до кінцевої вологості « 0,196. Висушений кремнійвмісний концентрат направляють на фторування 22 елементним фтором. Фторування здійснюють у двох стадіях: спочатку вихідний кремнійвмісний концентратThe task is also solved using the method of separating silicon tetrafluoride from oxygen and highly volatile fluorides of impurities obtained according to item 7, which consists in contacting them with the eutectic melt of fluoride salts of alkali metals GIR (0.465M) - KE (0.420M) - Mak (0.115 M) at 430-5502С with the release of oxygen and carbon tetrafluoride into the gas phase, and silicon tetrafluoride into the melt of complex salts of the electrolyte. The problem is also solved using the method of obtaining silicon powder from silicon tetrafluoride obtained according to item 2, which consists in electrolytic reduction of silicon cations (5177) on a liquid zinc cathode, and oxidation of fluorine anions (E - ) - on a graphite anode in a molten electrolyte Gi (0.465M) - Kozigv (0.401M) - Ma»zige (0.134M) at 500-5502С; with the removal of silicon powder mixed with the electrolyte from the electrolyzer. -i The problem is also solved using the method of washing the silicon powder, obtained according to clause 3, from the electrolyte and impurities, which consists in the action on the mixture of silicon powder and electrolyte with a solution of ammonium hydrofluoride with a concentration of 140-16 bOg/l at pH-3-5, temperature 40-602С in the phase ratio tv:p-1:5 for 4-6 (ee) hours. 50 of them To explain the method of obtaining semiconductor silicon, which is claimed, it is advisable to give an example of its practical implementation. "m The method of obtaining silicon tetrafluoride is carried out as follows. The raw material - quartz sand or quartzite with a silicon dioxide content of 97.0-99.989 omas, is dried at a temperature of 180-2002C for 6 hours to a final moisture content of 0.196. The dried silicon-containing concentrate is sent for fluorination with 22 elemental fluorine. Fluorination is carried out in two stages: first, the initial silicon-containing concentrate
Ф! надходить на стадію уловлювання надлишкового фтору з технологічного газу 1-ої стадії фторування. Потім цей концентрат подають на стадію фторування в полум'яний реактор. У середовищі газоподібного фтору диоксид де кремнію запалюється, реакція протікає практично на 10095 протягом 7-10с. Температура в зоні реакції досягає 1500-2000. Температуру стінки апарата підтримують у межах 150-17590. 60 Взаємодія диоксиду кремнію з фтором здійснюють по реакціях:F! enters the stage of capturing excess fluorine from the process gas of the 1st stage of fluorination. Then this concentrate is fed to the fluorination stage in a flame reactor. In an environment of gaseous fluorine dioxide where silicon ignites, the reaction proceeds almost at 10095 for 7-10s. The temperature in the reaction zone reaches 1500-2000. The temperature of the device wall is maintained within 150-17590. 60 The interaction of silicon dioxide with fluorine is carried out according to the following reactions:
Вібогву ков Є звір Ор 0 й ЕегОз (мізоз, сао твунврр з Еера (АВ, сагз)тву» зр) 2Vibogvu kov There is a beast Or 0 and EegOz (mizoz, sao tvunvrr from Eer (AV, sagz)tvu» zr) 2
ТІО(СьОз, УМО з, 502 нев етарЯ ТІЕу СТЕ (тв), від воTIO(Соз, UMO z, 502 nev etary TIEu STE (tv), from
Сітвую ото я усраі) 9I sow it with joy) 9
Реакція (1) протікає з виділенням великої кількості тепла 0)-168,4ккал/моль і не вимагає підведення тепла з зовнішнього середовища. У результаті взаємодії з фтором по реакціях (2)-(4) фторуються також домішки, що входять до складу кремнійвмісного концентрату.Reaction (1) proceeds with the release of a large amount of heat (0)-168.4 kcal/mol and does not require the introduction of heat from the external environment. As a result of interaction with fluorine according to reactions (2)-(4), impurities included in the silicon-containing concentrate are also fluorinated.
Отриманий у результаті фторування технологічний газ містить тетрафторид кремнію Біг, кисень, надлишок 70. фтору, середньолеткі, високолеткі фториди домішок, пилоподібну фракцію нелетких фторидів і диоксид кремнію, який не прореагував.The process gas obtained as a result of fluorination contains Big silicon tetrafluoride, oxygen, an excess of 70. fluorine, medium-volatile, high-volatile fluoride impurities, a dust-like fraction of non-volatile fluorides, and unreacted silicon dioxide.
Очищення газу від надлишку фтору відбувається на вихідному диоксиді кремнію на 2-ій стадії фторування.Gas purification from excess fluorine occurs on the original silicon dioxide at the 2nd stage of fluorination.
Після чого технологічний газ охолоджують до температури 1009С и направляють на тонку фільтрацію від пилоподібної фракції нелетких фторидів і диоксиду кремнію, який не прореагував. Уловлену пилоподібну 12 фракцію (Рег», АІРз, Сабо, Зі» та ін.) приєднують до фторидного недогарка 1-ої стадії фторування і виводять у відходи, що можуть бути використані як флюс у кольоровій, чорній металургії або в цементній промисловості.After that, the process gas is cooled to a temperature of 1009C and directed to fine filtration from the dusty fraction of non-volatile fluorides and unreacted silicon dioxide. The captured dust-like 12 fraction (Reg", AIRz, Sabo, Z", etc.) is added to the fluoride under-burner of the 1st stage of fluorination and is removed as waste, which can be used as a flux in non-ferrous, ferrous metallurgy or in the cement industry.
Очищений від пилу технологічний газ охолоджують до температури - мінус 602С з метою конденсації летких фторидів хрому, ванадію, молібдену та ін. При цій же температурі здійснюють тонку фільтрацію газу від сконденсованих фторидів. Коефіцієнт очищення від пилоподібної фракції більший 99,9995. Виділені леткі фториди направляють у систему газоочищення.The dust-free process gas is cooled to minus 602C in order to condense volatile fluorides of chromium, vanadium, molybdenum, etc. At the same temperature, fine filtration of gas from condensed fluorides is carried out. The coefficient of cleaning from the dusty fraction is greater than 99.9995. The released volatile fluorides are sent to the gas purification system.
Далі здійснюють спосіб розділення кисню і високолетких фторидів домішок. Очищений від усіх домішок технологічний газ нагрівають до температури 5002С, направляють на виділення кисню, високолетких фторидів, готування електроліту й електроліз з метою одержання електролітичного кремнію і газоподібного фтору.Next, a method of separating oxygen and highly volatile fluoride impurities is carried out. Cleaned from all impurities, the process gas is heated to a temperature of 5002C, directed to the release of oxygen, highly volatile fluorides, electrolyte preparation and electrolysis to obtain electrolytic silicon and gaseous fluorine.
Тетрафторид кремнію розчиняється в евтектиці фторидних солей за реакціями: сч (8) кЕруніВівнОз сте УКовівруюОзр уста)Silicon tetrafluoride dissolves in the eutectic of fluoride salts according to the reactions: сч (8) kEruniVivnOz ste UKovivruyuOzr usta)
МаруніВів, Ост МаоВІЕврук Оз Ста (8) м « а газоподібний кисень з домішкою тетрафториду вуглецю видаляють у систему газоочищення.MaruniViv, Ost MaoVIEvruk Oz Sta (8) m « and gaseous oxygen with an admixture of carbon tetrafluoride is removed in the gas purification system.
Як евтектики використовують розплави солей фторидів калію, літію, натрію. При розчиненні тетрафториду 00 кремнію (5іЕ;) утворюються комплексні солі - Козігв і МаозігЕв. соMelts of potassium, lithium, and sodium fluoride salts are used as eutectics. When dissolving silicon tetrafluoride 00 (5iE;), complex salts are formed - Kozigv and MaozigEv. co
Далі здійснюють спосіб одержання порошку кремнію з тетрафториду кремнію - здійснюють відновлення 3о катіонів кремнію (Зі) на рідкому цинковому катоді, а окислювання аніонів фтору (Е- ) - на графітовому аноді - в розплаві електроліту.Next, the method of obtaining silicon powder from silicon tetrafluoride is carried out - the reduction of 3o silicon cations (Zi) is carried out on a liquid zinc cathode, and the oxidation of fluorine anions (E-) - on a graphite anode - in the molten electrolyte.
Склад електроліту:The composition of the electrolyte:
ПЕ (0,465М) - КоБіБв (0,401М) - Маобівв (0,134М) «PE (0.465M) - KoBiBv (0.401M) - Maobivv (0.134M) «
Температура плавлення електроліту 472-55026.Melting point of electrolyte 472-55026.
Комплексні солі дисоціюють на іони: но) с Ковігв(Ма»віЕв)-» 2К(2Ма") вів з ВІЕв2 Уві нве-Complex salts dissociate into ions: no) with Kovigv(Ma»viEv)-» 2K(2Ma") viv with ВИЕv2 Uvi nve-
У результаті на електродах протікають процеси:As a result, the following processes occur at the electrodes:
І ІAnd I
-І Шо катоді | На аноді с вібзаео Ві ДЕ-- 48 -з ЗБЕ со Фторид літію (Гі) з тетрафторидом кремнію (Зі) не утворює комплексну сіль через її термічну- And what cathode | At the anode with vibzaeo Vi DE-- 48 -z ZBE with Lithium fluoride (Gi) with silicon tetrafluoride (Zi) does not form a complex salt due to its thermal
Щ» 70 нестійкість при температурах 472-550.Sh» 70 instability at temperatures of 472-550.
Отриманий на аноді фтор очищають від твердих домішок пилоподібної фракції електроліту, направляють на "м фторування вихідного кремнійвмісного концентрату.The fluorine obtained at the anode is cleaned of solid impurities of the dusty fraction of the electrolyte, sent to the fluorination of the original silicon-containing concentrate.
Спосіб відмивання порошку кремнію здійснюють таким чином. Охолоджену суміш кремнію з електролітом, виведену з електролізера, піддають дробленню з наступним тонким здрібнюванням до розмірів часток х 10Омкм.The method of washing silicon powder is carried out as follows. The cooled mixture of silicon with electrolyte removed from the electrolyzer is subjected to crushing followed by fine grinding to particle sizes x 10 Ωm.
Здрібнену суміш направляють на вилуговування електроліту і домішок гідрофторидом амонію МН АНеЕ».The crushed mixture is directed to the leaching of the electrolyte and impurities with ammonium hydrofluoride MN ANeE".
ГФ) Гідрофторид амонію добре розчинний у воді (26095 при температурі 602С). - Вилуговування проводять розчином т гідрофториду амонію з концентрацією 140-160Ог/л при рН-3-5, температурі «х 609С в співвідношенні т:р-1:5, протягом 6 годин. во При вилуговуванні протікають наступні реакції:HF) Ammonium hydrofluoride is well soluble in water (26095 at a temperature of 602C). - Leaching is carried out with a solution of ammonium hydrofluoride with a concentration of 140-160Og/l at pH-3-5, temperature "x 609С in a ratio of t:p-1:5, for 6 hours. During leaching, the following reactions take place:
ШПЕАМНАНЕ»-» СІНЕг»АМНАЕSHPEAMNANE»-» SINEg»AMNAE
КЕАМНАНЕ»-» КНЕ»АМНАЕKEAMNANE»-» KNE»AMNAE
Магь-МнАНЕ»-» МанНго-МНнАЕMag-MnANE»-» ManNgo-MNnAE
Ковігв2 МНН »-» (МНА)» ЗІ КЕ КЕНЕ 65 Ма»зієв2МНАНЕ»-» (МНА)»зіг в -МаннМманг.2НЕKovigv2 MNN »-» (MNA)» ZI KE KENE 65 Ma»ziev2MNANE»-» (MNA)»zig in -MannMmang.2NE
Усі продукти цих реакцій добре розчинні у воді. Після вилуговування електроліту порошок кремнію відфільтровують, промивають конденсатом від фторидів. Після чого порошок кремнію надходить на флотаційне відмивання від часток графіту. Як флотаційні реагенти використовують спінювач КЕТГОЛ ТУ 38:48424318-04-2000 і дизельне паливо в знесоленій воді або конденсаті. Отриманий порошок кремнію подають на відмивання від домішок і травлення поверхні порошку від плівки диоксиду кремнію (БІО 25) у розчині: 40-60г/л. НьЗО)0,1М (по НЕ) Мак, наступне відмивання знесоленою водою або конденсатом. Пульпу порошку кремнію фільтрують, осад сушать в атмосфері азоту при температурі 80-1002С протягом 4 годин, прохолоджують і готовий продукт НПК затарюють у герметичні ємності.All products of these reactions are well soluble in water. After the leaching of the electrolyte, the silicon powder is filtered, washed with condensate from fluorides. After that, the silicon powder is sent for flotation washing from the graphite particles. As flotation reagents, foaming agent KETHOL TU 38:48424318-04-2000 and diesel fuel in desalted water or condensate are used. The resulting silicon powder is used for washing from impurities and etching the surface of the powder from a film of silicon dioxide (BIO 25) in a solution: 40-60 g/l. NZO)0.1M (by NE) Mac, subsequent washing with desalted water or condensate. The silicon powder pulp is filtered, the sediment is dried in a nitrogen atmosphere at a temperature of 80-1002C for 4 hours, cooled and the finished NPK product is sealed in airtight containers.
Полікристалічний напівпровідниковий порошок кремнію, отриманий наведеними вище способами, має 7/0 гранулометричний склад часток 100-150мкм із протравленою поверхнею від плівки диоксиду кремнію в суміші неорганічних кислот з концентрацією 40-бОг/л НьзоО, і 0,1-0,2М (по НЕ) Має з вмістом домішок (не більш):The polycrystalline semiconductor silicon powder obtained by the above methods has a 7/0 granulometric composition of particles of 100-150 μm with an etched surface from a film of silicon dioxide in a mixture of inorganic acids with a concentration of 40-bOg/l NzoO, and 0.1-0.2M (according NO) Has with the content of impurities (no more):
Домішка ат-см/ЗImpurity at-cm/Z
Концентрація акцепторних домішок по бору (0,2-1,5)1013The concentration of boron acceptor impurities (0.2-1.5)1013
Концентрація донорних домішок по фосфору (0,3-1,5)1013Concentration of donor impurities in terms of phosphorus (0.3-1.5)1013
Концентрація вуглецю (7,4-9,9)1015Carbon concentration (7.4-9.9)1015
Об'ємна концентрація домішок металів," (0,5-1,3) 1015Volumetric concentration of metal impurities," (0.5-1.3) 1015
Поверхнева концентрація домішок металів (0,5-1,3)1015 я - А, Ее, Си, Мі, Сг, 7п Ма, К, Гі, МУ, Мо, Ті.The surface concentration of metal impurities (0.5-1.3)1015 i - A, Ee, Si, Mi, Sg, 7p Ma, K, Gi, MU, Mo, Ti.
Вміст домішок відповідає вимогам електронної промисловості щодо чистоти напівпроводникового кремнію.The content of impurities meets the requirements of the electronic industry regarding the purity of semiconductor silicon.
Якщо вміст домішок буде перебільшувати вказані значення, напрівпроводниковий кремній буде не придатним для застосування в електронній промисловості. сIf the content of impurities will exceed the specified values, semiconductor silicon will not be suitable for use in the electronic industry. with
Відпрацьовані розчини від флотаційного відмивання кремнію і травлення поверхні порошку скидають на станцію нейтралізації. (8)Spent solutions from flotation washing of silicon and etching of the powder surface are discharged to the neutralization station. (8)
Полікристалічний напівпровідниковий кремній може бути виготовлений також у виді стержнів. Для цієї мети порошок НПК засипають в кварцові ампули діаметром б5мм, довжиною 2000мм виготовлені з чистого кварциту, "промивають" чистим аргоном протягом 120 хвилин. Після чого ампули упаковують і направляють на плавку при ча зо температурі 14502С і розрідженні 20-5Омм.рт.ст. Порошок НПК нагрівають зі швидкістю 350-400 в годину, при досягненні температури 14502 витримують при цій температурі протягом б годин. Після цього нагрівання - припиняють, ампули прохолоджують повітрям зі швидкістю: с від 145022 до 14002 протягом 2 годин, від 140092 до 702 зі швидкістю 3502С в годину. оPolycrystalline semiconductor silicon can also be produced in the form of rods. For this purpose, NPK powder is poured into quartz ampoules with a diameter of 5 mm, a length of 2000 mm, made of pure quartzite, and "washed" with pure argon for 120 minutes. After that, the ampoules are packed and sent to the melting point at a temperature of 14502C and a dilution of 20-5OmmHg. The NPK powder is heated at a rate of 350-400 per hour, when a temperature of 14502 is reached, it is kept at this temperature for b hours. After this heating is stopped, the ampoules are cooled with air at a rate: from 145022 to 14002 for 2 hours, from 140092 to 702 at a rate of 3502C per hour. at
Після охолодження ампули піддають механічній обробці - зрізанню кварцової ампули. Готові стержні ї- упаковують в тару відповідно до ТУб-02-13-36-86.After cooling, the ampoules are subjected to mechanical processing - cutting of the quartz ampoule. Ready rods are packed in containers in accordance with TUb-02-13-36-86.
Маточники від фільтрації порошку кремнію після вилуговування електроліту направляють на термічне зневоднювання і регенерацію електроліту. «After the leaching of the electrolyte, the cores from the filtration of silicon powder are sent to thermal dehydration and regeneration of the electrolyte. "
Термічне зневоднювання здійснюють при температурі 350-4002С за реакціями:Thermal dehydration is carried out at a temperature of 350-4002C according to the following reactions:
МНЕ» ПЕЖНЕ о) с КНЕ»2-» КЕНЕ "» Манг»-» Магне " (МНАдозігвАКЕАКЕ.2НЕ-» Ковігв 2 МНаУане (МНа)ьзігв-Мманнманг.2НеЕ-» Ма»зієє 2 МНаанЕ - 55 МНАє» МНаяНЕMNE» PEJNE o) with KNE»2-» KENE "» Mang»-» Magne " (MNAdozigvAKEAKE.2NE-» Kovigv 2 MNaUane (MNa)zhigv-Mmannmang.2NeE-» Ma»zieye 2 MNaanE - 55 MNAe» MNayaNE
Тверду фазу фторидів і кремнефторидів відокремлюють від парогазової фази і направляють на плавлення. (95) Плавлення здійснюють при температурі 4502 и вакуумі 5Омм.рт.ст. Розплав солей при необхідності насичують о тетрафторидом кремнію і подають як готовий електроліт на операцію електролізу.The solid phase of fluorides and silicon fluorides is separated from the vapor-gas phase and sent to melting. (95) Melting is carried out at a temperature of 4502 and a vacuum of 5 Ohm.rt.st. If necessary, the molten salt is saturated with silicon tetrafluoride and served as a ready-made electrolyte for the electrolysis operation.
Парогазову фазу процесу термічного зневоднювання, що містить МН з, НЕ, пари води, конденсують при т» температурі 30-5020. Розчин гідрофториду амонію, що утворився використовують для готування розчину дляThe vapor-gas phase of the thermal dehydration process, containing MH with, NO, water vapor, is condensed at a temperature of 30-5020. The resulting ammonium hydrofluoride solution is used to prepare a solution for
І вилуговування. Газову фазу направляють у систему газоочищення від залишків МН з і НЕ шляхом абсорбції водою.And leaching. The gas phase is sent to the gas purification system from the residues of MH with and without water absorption.
Фтор, що утворюється в процесі електролізу, циркулює в замкнутому циклі і технологія фторування диоксиду кремнію стає практично безреагентною щодо фтору. Потрібна тільки компенсація незначних втрат фтору на фторування домішок, а також одержання фтору для первісного запуску виробництва. (Ф) Для цих цілей як джерело фтору використовують трифторид алюмінію безводний. Одержання тетрафториду ко кремнію здійснюють шляхом взаємодії трифториду алюмінію з диоксидом кремнію при 7002. Час реакції 6 годин. во бАЇРз(тву6,55105(тв)-4,551Е д(уЗАЇ2О3.251О(тв).The fluorine formed in the electrolysis process circulates in a closed cycle and the silicon dioxide fluorination technology becomes practically reagent-free with respect to fluorine. Only the compensation of minor losses of fluorine for the fluorination of impurities, as well as the receipt of fluorine for the initial start-up of production, is required. (F) For these purposes, anhydrous aluminum trifluoride is used as a source of fluorine. Silicon tetrafluoride is obtained by reacting aluminum trifluoride with silicon dioxide at 7002. The reaction time is 6 hours. in BAYRz(tvu6.55105(tv)-4.551E d(uZAY2O3.251O(tv).
Отриманий у результаті реакції тетрафторид кремнію очищають від пилу, охолоджують до температури 10022 и направляють після тонкого очищення від домішок на електроліз.The silicon tetrafluoride obtained as a result of the reaction is cleaned of dust, cooled to a temperature of 10022 and sent after fine purification from impurities to electrolysis.
Мулліт ЗАІ2О5.25і02 прохолоджують до температури 5092С подрібнюють і як побічний продукт видають споживачеві. 65 Варто звернути увагу на те, що запропоновані способи і матеріали мають одне і теж призначення, служать одній меті, забезпечують досягнення того самого технічного результату - одержанню полікристалічного напівпровідникового кремнію і, таким чином, зв'язані єдиним винахідницьким задумом, охарактеризованим формулою винаходу. При цьому концепція правової охорони заснована на тім, що нерозривність і взаємозв'язок запропонованих об'єктів дозволяють практично реалізувати поставлену задачу.Mullite ZAI2O5.25i02 is cooled to a temperature of 5092C, crushed and given to the consumer as a by-product. 65 It is worth paying attention to the fact that the proposed methods and materials have the same purpose, serve the same purpose, ensure the achievement of the same technical result - the production of polycrystalline semiconductor silicon and, thus, are connected by a single inventive idea, characterized by the formula of the invention. At the same time, the concept of legal protection is based on the fact that the inseparability and interconnection of the proposed objects allow the practical implementation of the task.
Технічний результат, що досягається, як показали експериментальні результати, може бути реалізований на основі істотних ознак, віддбражених у формулі винаходу. Зазначені в ній відмінності дають підставу зробити висновок про новизну даного технічного рішення, а сукупність домагань, у зв'язку з їх неочевидністю - про його винахідницький рівень, що доведений також вищенаведеним детальним описом заявлених об'єктів.The technical result achieved, as shown by the experimental results, can be implemented on the basis of the essential features reflected in the claims of the invention. The differences specified in it give a reason to conclude about the novelty of this technical solution, and the set of claims, in connection with their non-obviousness, about its inventive level, which is also proven by the above detailed description of the claimed objects.
Заявлені суттєві відрізняючі ознаки, нижні і верхні значення їхніх меж і приведених аналітичних співвідношень 70 були отримані на основі статистичної обробки результатів експериментальних досліджень, аналізу й узагальнення їх і відомих з опублікованих джерел даних, взаємозв'язаних умовами досягнення зазначеного в заявці технічного результату, а також з використанням винахідницької інтуїції.The declared significant distinguishing features, the lower and upper values of their limits and the given analytical ratios 70 were obtained on the basis of statistical processing of the results of experimental studies, analysis and generalization of them and data known from published sources, interconnected by the conditions for achieving the technical result specified in the application, as well as using inventive intuition.
Відповідність критерієві промислова здатність процесів, що заявляються, доводиться їхнім широким використанням у промисловому масштабі, а також відсутністю в заявлених домаганнях яких-небудь ознак, які /5 практично важко реалізувати.Compliance with the criterion of the industrial capability of the claimed processes is proven by their wide use on an industrial scale, as well as the absence of any features in the claimed claims that are practically difficult to implement.
Таким чином, запропонований спосіб одержання полікристалічного напівпровідникового кремнію з природних кремнійвмісних концентратів дозволяє робити високоякісний напівпровідниковий кремній і забезпечити зниження його собівартості не менш, ніж у 2 рази.Thus, the proposed method of obtaining polycrystalline semiconductor silicon from natural silicon-containing concentrates makes it possible to make high-quality semiconductor silicon and ensure its cost reduction by at least 2 times.
Claims (4)
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2003098192A UA73847C2 (en) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | A method for preparing silicon tetrafluoride, a method for isolation of the silicon tetrafluoride from oxygen and highly volatile admixtures, a method for preparing silicon powder from the silicon tetrafluoride |
| AU2003284862A AU2003284862A1 (en) | 2003-09-02 | 2003-10-01 | Method for producing high-purity silicon tetrafluoride |
| PCT/UA2003/000034 WO2005021431A1 (en) | 2003-09-02 | 2003-10-01 | Method for producing high-purity silicon tetrafluoride |
| RU2006107767/15A RU2324648C2 (en) | 2003-09-02 | 2003-10-01 | Method of silicium tetrafluoride production, method of separation of silicium tetrafluoride from oxygen and high-volatile fluoride impurities, method of production of slicium powder from silicium tetrafluoride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2003098192A UA73847C2 (en) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | A method for preparing silicon tetrafluoride, a method for isolation of the silicon tetrafluoride from oxygen and highly volatile admixtures, a method for preparing silicon powder from the silicon tetrafluoride |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA73847C2 true UA73847C2 (en) | 2005-09-15 |
Family
ID=34271543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2003098192A UA73847C2 (en) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | A method for preparing silicon tetrafluoride, a method for isolation of the silicon tetrafluoride from oxygen and highly volatile admixtures, a method for preparing silicon powder from the silicon tetrafluoride |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| AU (1) | AU2003284862A1 (en) |
| RU (1) | RU2324648C2 (en) |
| UA (1) | UA73847C2 (en) |
| WO (1) | WO2005021431A1 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2272785C1 (en) * | 2004-08-12 | 2006-03-27 | Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос" | Method of preparing high-purity silicon powder from silicon perfluoride with simultaneous preparation of elementary fluorine, method of separating silicon from salt melt, silicon powder and elementary fluorine obtained by indicated method, and silicon tetrafluoride preparation process |
| BRPI0813442A8 (en) | 2007-06-19 | 2015-12-01 | Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo Solar Si | METHOD FOR PRODUCTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON FROM A SOLUTION OF HYDROSILICOFLUORIDIC ACID, AND INSTALLATION FOR PRODUCTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON FROM A SOLUTION OF FLUOROSILICIC ACID IN THE FORM OF A POWDER WITH SPHERICAL-SHAPED PARTICLES |
| KR101168942B1 (en) * | 2010-04-27 | 2012-08-02 | 주식회사 케이씨씨 | Method of preparing silicon tetrafluoride by using crystalline silica |
| RU2454366C2 (en) * | 2010-07-19 | 2012-06-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения ОАО "НИИПМ" | Method of producing silicon tetrafluoride and apparatus for realising said method |
| CN110565107B (en) * | 2019-09-27 | 2020-07-10 | 东北大学 | Method and device for regulating and controlling electrochemical deposition silicon preferred orientation growth in high-temperature molten salt |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3022233A (en) * | 1959-11-18 | 1962-02-20 | Dow Chemical Co | Preparation of silicon |
| US4448651A (en) * | 1982-06-10 | 1984-05-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Process for producing silicon |
| RU2156220C1 (en) * | 1999-05-26 | 2000-09-20 | Карелин Александр Иванович | Method of preparing metallic silicon solution, method of recovering metallic silicon from solution, and metallic silicon obtained by these methods, method of preparing ceramic materials, and ceramic material obtained by this method |
-
2003
- 2003-09-02 UA UA2003098192A patent/UA73847C2/en unknown
- 2003-10-01 RU RU2006107767/15A patent/RU2324648C2/en not_active IP Right Cessation
- 2003-10-01 AU AU2003284862A patent/AU2003284862A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-01 WO PCT/UA2003/000034 patent/WO2005021431A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2003284862A1 (en) | 2005-03-16 |
| RU2006107767A (en) | 2007-09-20 |
| WO2005021431A1 (en) | 2005-03-10 |
| RU2324648C2 (en) | 2008-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111233003B (en) | Acid-base combined process for completely realizing resource utilization of high-fluorine secondary aluminum ash | |
| EP0606447B1 (en) | Method for producing tetrafluorosilane and aluminum fluoride by hydrofluoric acid digestion of silica/alumina matrix | |
| EP1047636A4 (en) | Method of treating spent potliner material from aluminum reduction cells | |
| US2823991A (en) | Process for the manufacture of titanium metal | |
| CN101795964B (en) | Method for producing polycrystalline silicon | |
| AU2005100939A4 (en) | F - treatment of titanium materials | |
| JPH0477052B2 (en) | ||
| CN112897530A (en) | Method for efficiently dissolving silicate substances and extracting high-purity silicon oxide | |
| CN115156253A (en) | Recycling treatment method for aluminum electrolysis overhaul slag | |
| JP4174708B2 (en) | Method for recovering and purifying calcium fluoride from a by-product mixed salt containing fluorine | |
| UA73847C2 (en) | A method for preparing silicon tetrafluoride, a method for isolation of the silicon tetrafluoride from oxygen and highly volatile admixtures, a method for preparing silicon powder from the silicon tetrafluoride | |
| US3983224A (en) | Anhydrous magnesium chloride process | |
| US3840639A (en) | Method for the production of fluoride-free potassium phosphates | |
| CA1219452A (en) | Method for separating and recovering silica, aluminum and iron from fly ash mineral ores, and mine tailings | |
| CN105002521B (en) | A kind of method that impurity magnesium in electrolytic manganese system is removed using fluorine-containing mineral | |
| JPH0717374B2 (en) | Recovery method of gallium from scrap | |
| RU2048559C1 (en) | Method for processing of zirconium concentrate | |
| CN107827149B (en) | A kind of production method of the sodium stannate of low leaded antimony arsenic iron tramp | |
| RU2298589C2 (en) | Method of production of agent selected from series: boron, phosphorus, silicon and rare-earth metals (versions) | |
| JPS63291819A (en) | Recovery of gallium | |
| US3310369A (en) | Process for producing anhydrous ammonium bifluoride from an aqueous solution of ammonium fluoride | |
| JP2518330B2 (en) | Indium-phosphorus compound semiconductor scrap processing method | |
| RU2078034C1 (en) | Method for production of high-purity polycrystalline silicon | |
| JPS6332725B2 (en) | ||
| Rimkevich et al. | Integrated processing of kaolin concentrates using fluoride metallurgy |