KR980011638A - 음극선관의 알루미늄막 형성방법 - Google Patents

Abstract

[목적] 필르밍막의 소정공정시에 알루미늄막에 형성되는 미세 구멍으로 인해 음극선관의 작용시, 알루미늄막의 반사 효율이 저하됨을 방지할 수 있도록 알루미늄막을 형성한다.

[구성] 필르밍막의 상면으로 알루미늄막을 1차적으로 형성하고 필르밍막의 소성공정을 이룬 후, 이 1차 알루미늄막으로 상면으로 1차 알루미늄막에 형성된 미세 구멍을 메워 소정의 두께를 갖는 2차 알루미늄막을 형성한다. 이때, 상기 1차 알루미늄막으로는 (-) 전위가 인가되어 진다.

Description

음극선관의 알루미늄막 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 따라 알루미늄막을 형성하기 위한 각 공정을 단계별로 도시한 블록도이다.

제2도는 본 발명에 따라 진행되는 2차 알루미늄 형성공정을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.

[산업상의 이용 분야]

본 발명은 음극선관의 알루미늄막 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증진된 반사효율을 가지고 음극선관의 휘도 개선을 이룰수 있는 음극선관의 알루미늄막 형성방법에 관한 것이다.

[종래의 기술]

일반적으로 음극선관에 있어 알루미늄막은 패널 내면으로 형광막 위에 도포되는 막으로서, 이는 음극선관의 작용시, 전자빔의 산란 및 반사를 유도하여 스크림의 휘도를 향상시키고 형광막에 잔류하는 전자를 바이패스시키기 위한 용도로서 사용되게 된다. 음극선관에서 이러한 막을 주로 알루미늄막으로 하여 형성하게 되는 것은, 알루미늄이 그 비중이 낮아 전자의 통과율이 높기 때문이다. 종래에 상기 알루미늄막은, 대략 500~5000Å 정도(실용적으로는 1000~4000Å)의 두께를 갖고 형성되어 전자빔의 투과율이 약 95% 이상으로 유지하게 되는데, 음극선관의 휘도는 이에 따라 대략 2배 가량 향상되게 된다.

이와 같은 알루미늄막의 형성은, 통상 음극선관의 제조시, 진공증착법을 통해 이루어지게 되는 바, 이 진공증착법은, 고진공(4x10^-4torr)을 유지하는 챔버내의 증착기 위에 마스크와 분리된 패널을 올려놓고 그 아래의 보르나이트 히이터에 알루미늄 펠릿을 배치한 후, 상기 히이터에 전기적인 열을 가하여 알루미늄을 용융 증발시켜 그 상부에 위치한 패널의 내면에 알루미늄막이 증착될 수 있도록 하는 방법이다. 한편, 상기 알루미늄막이 상기한 진공증착법을 통해 형성되기 전, 형광막이 형성된 패널의 내면에는 필르밍(filming)막이라 불리는 얇은 유기막이 상기 형광막 위로 형성되어 있다. 이 필르밍막은 상기 알루미늄막이 직접 형광막에 증착됨으로써 일어날 수 있는 부작용을 막기 위한 막으로서, 이는 주로 아크릴 에멀젼 수용액이 사용된다.

상기 이유로하여 알루미늄막이 필르밍막 위로 증착되면, 이 필르밍막의 유기물 성분은 별도의 소성공정을 통해 분해 제거되어야 하는데, 이는 음극선관의 작용시 전자가 알루미늄막을 통과한 후 필르밍막의 유기물 성분과 충돌하게 되어, 형광막에 충돌하기 전에 그 에너지를 잃어버리게 되는 것을 방지하기 위해서이다.

[발명이 해결하고자 하는 문제점]

이처럼 종래의 음극선관 알루미늄막은, 필르밍막 위로 진공 증착된 후, 상기 필르밍막의 유기성분이 소성공정을 통해 제거된 이후에 최종 완성되게 된다.그런데, 종래에 형성되고 있던 알루미늄은, 상기 소성공정시에 필히 발생되는 미세 구멍으로 인해 흠집이 생기게 됨에 따라 그 반사 효율에 이상을 일으키게 되어 음극선관이 휘도 향상을 극대화하지 못하는 문제점을 안고 있다.

여기서 상기 미세 구멍은, 소성 공정시, 상기 필르밍막을 이루는 옥살산 암모늄, 과산화수소 등이 형성하는 침상구조에 의해 만들어지는 것으로서, 상기 필르밍막의 소성시, 그 분해가스는 이 미세 구멍을 통하여 상기 알루미늄막 외부로 빠져나가게 된다.

[문제점을 해결하기 위한 수단]

그러므로, 본 발명은 상기 문제점을 감안하여 창안된 것으로서, 그 목적은 그 막에 미세 구멍와 같은 흠집이 나지 않도록 알루미늄막을 양호한 상태로 형성함으로써, 반사 효율의 증진으로 음극선관의 휘도 개선을 불러올 수 있는 음극선관의 알루미늄막 형성방법을 제공함에 있다. 이에, 본 발명은 상기 목적을 실현하기 위하여, 음극선관의 제조시, 형광막과 함께 필르밍막이 형성된 패널 내면으로 음극선관의 휘도 향상을 위한 알루미늄막을 형성하는 음극선관의 알루미늄막 형성방법에 있어서, 상기 필르밍막 상면으로 알루미늄막을 소정의 두께로 증착하여 이루는 1차 알루미늄막 형성단계와; 이 1차 알루미늄막이 형성된 후, 통상의 소성공정을 통해 상기 필르밍막의 유기성분을 제거한 다음, 상기 1차 알루미늄막의 상면으로 알루미늄을 소정의 두께로 재차 증착하여 이루는 2차 알루미늄막 형성단계가 포함된 음극선관의 알루미늄막 형성방법을 제공한다.

이때, 본 발명에서 상기 2차 알루미늄막 형성시, 상기 1차 알루미늄으로 (-) 전위를 인가시켜 알루미늄 이온이 상기 1차 알루미늄막에 형성된 미세 구멍을 통해 형광막으로 충돌하게 되는 것을 방지하게 된다.

[실시예]

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

제1도는 본 발명에 따라 음극선관의 알루미늄막을 형성하기 위한 방법을 설명하기 위해 각 공정을 단계별로 도시한 블록도이다.상기 공정 흐름에 따라 음극선관의 패널 내면에 알루미늄막을 형성하기 위해서, 우선 그 내면에 형광막 및 필르밍막이 도포된 패널이 알루미늄 형성공정으로 이송되어 오면, 상기 필르밍막의 상면으로는 알루미늄의 1차 증착공정이 진행되게 된다.

상기 1차 증착공정을 통해 이루어지는 알루미늄막은 통상의 알루미늄막과 마찬가지로 통상의 진공증착법을 통해 형성되며, 본 실시예에서는 이 알루미늄막의 두께를 600Å~1300Å 사이로 유지하여 형성하게 된다. 상기 1차 알루미늄막의 증착공정시, 그 증착분위기는 1200℃ 정도의 온도를 유지하게 되는데, 이때, 상기 필르밍막의 과산화수소 성분은 침상구조를 형성하여 상기 1차 알루미늄막에 미세 구멍을 형성하게 된다. 상기 1차 알루미늄 증착공정이 끝나게 되면, 상기 필르밍막의 유기성분을 제거하기 위한 소성공정이 진행된다. 상기 소성공정은, 450℃ 정도의 온도를 유지하는 소성로에서 30분 이상으로 진행되는 것이 바람직하며, 이 소성공정시 상기 필르밍막의 옥살산 암모늄은 상기 과산화수소의 성분과 마찬가지로 침상구조로서 상기 1차 알루미늄막에 미세 구멍을 형성하게 된다. 이처럼 상기 1차 알루미늄막에 미세 구멍이 형성되어지면, 소성공정을 통해 가스 상태로 환원된 상기 필르밍막의 유기 성분은 상기 미세 구멍을 통해 방출되게 된다.

이러한 통상의 과정을 통해서 음극선관의 패널 내면에 알루미늄막이 1차적으로 형성되면, 본 발명은 상기 1차 알루미늄막의 상면으로 2차 알루미늄막을 형성하게 된다. 이 2차 알루미늄막은 상기 1차 알루미늄막에 형성되어 있는 미세 구멍을 채워서 알루미늄막에 흠집이 없도록 균일하게 형성되는 최종막으로서, 본 실시예에서는 이의 두께가 600Å~2700Å 사이로 유지될 수 있도록 통상의 진공증착법을 통해 형성하데 된다.

아울러, 본 실시예에서는 상기 2차 알루미늄막을 형성시 제2도에 도시된 바와 같이, 상기 1차 알루미늄막(1)으로 (-)전위를 인가시켜 가며, 상기 2차 알루미늄막의 증착공정을 이루게 된다.

이때, 상기 (-)전위는 상기 패널(3) 내면에 설치되어 상기 1차 알루미늄막(1)과 연결되는 스터드 핀(5)을 통해 인가되게 된다.

이처럼 본 실시예에서 상기 1차 알루미늄막(1)에 (-)전위를 인가시킴은, 증착공정시, 알루미늄 펠릿(7)에서 발산되는 알루미늄 이온(A^-3)이 상기 패널(3) 내면으로 확산될 때에 이 알루미늄 이온이 (-) 전위를 띤 상기 1차 알루미늄막(1)에 흡착될 수 있는 확률을 강화시키기 위함이다.

이와 같이 본 발명에 따라, 상기 1차 알루미늄막(1)의 상면으로 또 다른 알루미늄막이 2차적으로 형성되면, 이 2차 알루미늄막은 그 형성시에 알루미늄 이온이 상기한 관계에 따라 상기 1차 알루미늄막(1)에 형성된 미세 구멍(1a)으로 통과되어 형광막이 형광체(7)에 충돌되지 않고 대신에 이 미세한 구멍(1a)을 메워 견고한 상태의 알루미늄막으로 형성될 수 있게 된다.

이러한 2차 알루미늄막의 형성공정이 끝나게 되면, 본 발명에 의한 알루미늄막의 전체 공정은 끝나게 되는 바, 이에 본 발명에 따라 형성되는 전체 알루미늄막은, 상기 1차 알루미늄막에 2차 알루미늄막이 더해져서 그 막에 흠집을 발생시키지 않고 양호한 막으로 형성됨을 알수 있게 된다.

[발명의 효과]

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의한 음극선관의 알루미늄막 형성방법은, 2차 알루미늄막을 1차 알루미늄막의 상면으로 덮여 이 1차 알루미늄막에 형성된 미세 구멍을 매워 알루미늄막을 형성하게 된다.

이에 따라, 본 발명에 의해 형성된 알루미늄막은, 그 막에 미세 구멍과 같은 흠집이 없어짐에 따라, 실질적으로 음극선관의 작용시, 그 반사 효율을 증진시켜 음극선관의 휘도 향상에 이점을 지니게 된다. 또한, 본 발명에 의한 알루미늄막은, 알루미늄막이 2중으로 형성된 구조를 가지게 되므로, 이에 그 상태가 견고하게 된다.

따라서, 상기 알루미늄막은 음극선관의 제조 공정시, 증착된 알루미늄막 가루를 떨어뜨려 새도우 마스크 1구멍부에 막히는 일을 줄일 수 있게 된다.

Claims (2)

1. 음극선관의 제조시, 형광막과 함께 필르밍막이 형성된 패널 내면으로 음극선관의 휘도 향상을 위한 알루미늄막을 형성하는 음극선관의 알루미늄막 형성방법에 있어서, 상기 필르밍막 상면으로 알루미늄을 소정의 두께로 증착하여 이루는 1차 알루미늄막 형성단계와; 이 1차 알루미늄막이 형성된 후, 통상의 소성공정을 통해 상기 필르밍막의 유기성분을 제거한 다음, 상기 1차 알루미늄막의 상면으로 알루미늄을 소정의 두께로 재차 증착하여 이루는 2차 알루미늄막 형성단계가 포함됨을 특징으로 하는 음극선관의 알루미늄막 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 2차 알루미늄막 형성시, 상기 1차 알루미늄으로는 (-)전위가 인가됨을 특징으로 하는 음극선관의 알루미늄막 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.