Claims (7)
반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘 기판상에 절연층을 형성한 후 상기 절연층상에 감광막을 형성하고 콘택 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정으로 상기 감광막을 패터닝하는 제1단계와, 상기 제1단계로부터 상기 패터닝된 감광막의 측벽이 둥글게 부풀어오르도록 상기 감광막을 플로우시키는 제2단계와, 상기 제2단계로부터 상기 감광막을 마스크로 이용한 식각 공정으로 노출된 부분의 상기 절연층을 식각하여 상기 접합부가 노출되도록 콘택홀을 형성한 후 잔류된 상기 감광막을 제거하는 제3단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법.A method for forming a contact hole in a semiconductor device, the method comprising: forming an insulating layer on a silicon substrate on which a junction is formed, forming a photosensitive film on the insulating layer, and patterning the photosensitive film by an exposure and development process using a contact mask; A second step of flowing the photoresist film such that the sidewall of the patterned photoresist film swells from the first step; and etching the insulating layer of a portion exposed by the etching process using the photoresist film as a mask from the second step. And forming a contact hole to expose the junction portion, and then removing the photoresist film remaining.
제1항에 있어서, 상기 제1단계의 노광 공정후 상기 감광막에 함유된 솔벤트 성분을 잔류시키기 위하여 열처리 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법.The method of claim 1, further comprising performing a heat treatment to retain the solvent component contained in the photosensitive film after the exposure process of the first step.
제2항에 있어서, 상기 열처리는 90 내지 105℃의 온도에서 30 내지 90초동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법.The method of claim 2, wherein the heat treatment is performed at a temperature of 90 to 105 ° C. for 30 to 90 seconds.
제1항에 있어서, 상기 플로우 공정은 200 내지 300℃의 온도에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법.The method of claim 1, wherein the flow process is performed at a temperature of 200 to 300 ℃.
제1 또는 제4항에 있어서, 상기 플로우 공정은 열판에 의한 전도열, 오븐의 대류 또는 전자기파에 의한 복사열 중 하나를 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법.The method of claim 1, wherein the flow process is performed using one of conductive heat by a hot plate, convection of an oven, or radiant heat by electromagnetic waves.
제1항에 있어서, 상기 제3단께의 식각 공정은 플라즈마를 이용한 건식 식각 방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법.The method of claim 1, wherein the etching of the third layer is performed by a dry etching method using plasma.
제6항에 있어서, 상기 플라즈마에 의한 감광막과 절연층의 식각 선택비는 1: 2 내지 4인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법.The method of claim 6, wherein the etching selectivity of the photosensitive film and the insulating layer by the plasma is in the range of 1: 2 to 4.
※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is to be disclosed based on the initial application.