KR980003870A - 반도체 사진 식각 공정의 노광방법 - Google Patents
반도체 사진 식각 공정의 노광방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 사진 식각 공정에서 패턴형성을 위하여 사용되어지는 포토레지스트(5)의 감광을 위한 노광량을 조절하는 방법에 관한 것으로서, 광원(1)으로부터 방사되어진 빛이 레티클(2)과 투과형렌즈(3)를 통하여 웨이퍼(4)에 도달하도록 광학적으로 배치되어지고, 상기 광원(1)으로부터 상기 웨이퍼(4)에까지 도달하는 광량을 상기 광원(1)으로부터 직접 피이드백되어지는 인티그레이터(6)에 의하여 셔터(7)를 개폐시켜서 조절하는 종래의 반도체 사진 식각 공정의 노광 방법에 있어서, 상기 인티그레이터(6)에 피이드백되어지는 광량을 상기 광원(1)으로부터 직접 조사되는 빛의 양과 상기 웨이퍼(4)에서 반사되어지는 빛의 양의 두가지의 합을 사용하여 상기 셔터(7)의 개방시간을 조절하여서 달성될 수 있다.
그에 따라 웨이퍼(4) 상에 도포되어진 포토레지스트(5)에 가해지는 전체 광량이 항상 균일하도록 함으로써 이후의 식각공정 등을 균일하게 진행시킬 수 있도록 하여 반도체 소자의 신뢰도 및 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 사진 식각 공정의 노광방법에 의한 노광을 나타내는 개략도이다.
Claims (2)
- 광원으로부터 조사되어진 빛이 레티클과 투과형렌즈를 통하여 웨이퍼에 도달하도록 광학적으로 배치되어지고, 상기 광원으로부터 상기 웨이퍼에까지 도달하는 광량을 상기 광원으로부터 직접 피이드백되어지는 인티그레이터에 의하여 셔터를 개폐시켜서 조절하는 종래의 반도체 사진 식각 공정의 노광방법에 있어서, 상기 인티그레이터에 피이드백되어지는 광량을 상기 광원으로부터 직접 조사되는 빛의 양과 상기 웨이퍼에서 반사되어지는 빛의 양의 두가지의 합을 사용하여 상기 셔터의 개방시간을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 사진 식각 공정의 노광방법.
- 제1항에 있어서, 상기 셔터의 개방시간의 조절이 매 스텝에서의 샷(Shot)의 이동후의 노광시마다 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 사진 식각 공정의 노광방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022655A KR980003870A (ko) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 반도체 사진 식각 공정의 노광방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022655A KR980003870A (ko) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 반도체 사진 식각 공정의 노광방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980003870A true KR980003870A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960022655A KR980003870A (ko) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 반도체 사진 식각 공정의 노광방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980003870A (ko) |
-
1996
- 1996-06-20 KR KR1019960022655A patent/KR980003870A/ko not_active IP Right Cessation
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