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본 발명은 종래의 E/S(Edge Stopper) TFT-LCD에 비해 감광막을 패터닝하기 위한 마스크 제조 공정을 3회로 줄임으로써 공정수를 감소시키고 제조 원가를 낮출 수 있다.The present invention can reduce the number of processes and reduce the manufacturing cost by reducing the mask manufacturing process for patterning the photoresist film by three times as compared with the conventional E / S (Edge Stopper) TFT-LCD.
Description
박막 트랜지스터 액정 디스플레이 제조 방법Manufacturing method of thin film transistor liquid crystal display
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is a trivial issue, I did not include the contents of the text.
제1도 내지 제4도는 본 발명에 의한 TFT-LCD 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.FIGS. 1 to 4 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a TFT-LCD according to the present invention.
Claims (2)
TFT부/게이트 IC 본딩부/데이터 IC 본딩부가 형성되는 TFT 기판, 액정 및 칼라 필터기판을 구비하는 TFT-LCD(박막 트랜지스터 액정 디스플레이) 제조 방법에 있어서, TFT 기판상에 도전층을 형성하는 단계; 사진 식각 공정으로 상기 도전층의 소정 영역에 게이트를 형성하는 단계; 상기 게이트가 형성된 상기 TFT 기판상에 절연막/비정질실리콘막/E/S(Edge Stopper)막으로 된 반도체 막을 형성하는 단계; 상기 반도체막이 형성된 상기 TFT 기판 전면에 감광막을 증착하는 단계; 상기 게이트 IC 본딩부와 데이터 IC 본딩부가 오픈되도록 상기 감광막을 패터닝하여 제1감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1감광막 패턴을 마스크로하여 상기E/S막/비정질실리콘막을 식각하는 단계; 상기 게이트를 마스크로하여 백노광(Back Exposure)하여 상기 제1 감광막 패턴을 패터닝함으로써 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2감광막 패턴을 마스크로하여 상기E/S막을 식각하고 상기 제2감광막을 패턴을 제거하는 단계; 상기 결과물에 불순물이 도핑된 비정질실리콘막을 증착한 후 크롬실리사이드층(Cromium Silicide)을 형성하는 단계; 상기 결과물에 투명도전막을 증착하는 단계; 사진 식각 공정으로 상기 게이트 IC 본딩부, 상기 TFT부의 E/S막 상부 및 상기 데이터 IC 본딩부의 소정영역이 오픈되도록 상기 투명도전막/크롬실리사이드층/불순물이 도핑된 비정질실리콘막을 식각하는 단계; 및 상기 TFT 기판, 액정 및 칼라 필터 기팥을 어셈블리한 후 상기 게이트 IC 본딩부에 남아있는 절연막을 건식 식각 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 제조 방법.A method of manufacturing a TFT-LCD (thin film transistor liquid crystal display) including a TFT substrate, a liquid crystal, and a color filter substrate on which a TFT portion / gate IC bonding portion / data IC bonding portion is formed, comprising: forming a conductive layer on a TFT substrate; Forming a gate in a predetermined region of the conductive layer by a photolithography process; Forming a semiconductor film of an insulating film / amorphous silicon film / E / S (Edge Stopper) film on the TFT substrate on which the gate is formed; Depositing a photoresist over the entire surface of the TFT substrate on which the semiconductor film is formed; Forming a first photoresist pattern by patterning the photoresist layer so that the gate IC bonding portion and the data IC bonding portion are opened; Etching the E / S film / amorphous silicon film using the first photoresist pattern as a mask; Forming a second photoresist pattern by patterning the first photoresist pattern by back exposure using the gate as a mask; Etching the E / S film using the second photoresist pattern as a mask and removing the pattern of the second photoresist layer; Depositing an impurity-doped amorphous silicon film on the resultant to form a chromium silicide layer; Depositing a transparent conductive film on the resultant; Etching the amorphous silicon film doped with the transparent conductive film / chromium suicide layer / impurity such that the gate IC bonding portion, the E / S film portion of the TFT portion, and the predetermined region of the data IC bonding portion are opened by a photolithography process; And dry etching the insulating film remaining in the gate IC bonding portion after assembling the TFT substrate, the liquid crystal, and the color filter red beads.제1항에 있어서, 상기 절연막으로는 SiO2, SiNx, 금속 양극 산화막중에서 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the insulating film is one selected from the group consisting of SiO 2 , SiN x , and a metal anodic oxide film.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.
KR1019960015592A1996-05-111996-05-11
Manufacturing method of thin film transistor liquid crystal display
KR970076028A
(en)