KR970060382A - 반도체 이온주입장비의 척 팁 - Google Patents
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Abstract
반도체 이온주입장비의 척 팁이 개시되어 있다. 본 발명은 웨이퍼 뒷면까지 진공을 작용시킬 수 있도록 중심부에 형성되는 진공흡입관과 웨이퍼가 닿는 끝단에서 웨이퍼와의 접촉부를 이루고 있는 실리콘 러버를 구비하여 이루어지는 반도체 이온주입장비의 척 팁에 있어서, 상기 실리콘 러버의 두께가 0.75mm 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 이온주입장비의 척 팁에서 웨이퍼가 탈락되는 현상과 그로 인한 이온주입장비의 가동중단을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온주입장비의 척 팁을 나타내는 반단면도이다.
Claims (4)
- 웨이퍼 뒷면까지 진공을 작용시킬 수 있도록 중심부에 형성되는 진공 흡입관과 웨이퍼가 닿는 끝단에서 웨이퍼와의 접촉부를 이루고 있는 실리콘 러버를 구비하여 이루어지는 반도체 이온주입장비의 척 팁에 있어서, 상기 실리콘 러버의 두께가 0.75mm 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 이온주입장비의 척 팁.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 러버의 두께가 0.8mm 내지 1.2mm인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 이온주입장비의 척 팁.
- 제1항에 있어서, 상기 진공흡입관의 입구가 육각홈으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 이온주입장비의 척 팁.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 러버는 웨이퍼와 닿은 쪽의 표면이 척 팁의 주변부에서 일정 거리부터 중심부로 가면서 하향 경사부를 가지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 이온주입장비의 척 팁.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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KR1019960002179A KR0176123B1 (ko) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 반도체 이온주입장비의 척 팁 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019960002179A KR0176123B1 (ko) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 반도체 이온주입장비의 척 팁 |
Publications (2)
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KR970060382A true KR970060382A (ko) | 1997-08-12 |
KR0176123B1 KR0176123B1 (ko) | 1999-04-15 |
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ID=19450437
Family Applications (1)
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KR1019960002179A KR0176123B1 (ko) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 반도체 이온주입장비의 척 팁 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR0176123B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
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WO2023059668A1 (en) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | Lam Research Corporation | End effector pad design for bowed wafers |
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1996
- 1996-01-30 KR KR1019960002179A patent/KR0176123B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR0176123B1 (ko) | 1999-04-15 |
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