Claims (6)
레이저 다이오드 제조방법에 있어서, n-InP 기판 상부에 n-InP 버퍼층, n-InP 클래드층, InGaAsP 액티브층, p-InP 클래드층, 식각정지층 및 p-InP 클래드층을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 p-InP 클래드층 상부에 산화패턴을 형성한 후, 상기 산화막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 p-InP 클래드츠을 선택적으로 습식식각하여 메사 프로파일을 형성하는 단계와, 건식식각으로 상기 식각정지층에서 n-InP 기판의 일정 두께까지 식각하여 {100}면에 노출되는 메사 프로파일을 형성하는 단계, 메사 프로파일 측면에 전류제한층으로 p-InP층과 n-InP층을 성장시키는 단계를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법.A method of manufacturing a laser diode, comprising: sequentially depositing an n-InP buffer layer, an n-InP clad layer, an InGaAsP active layer, a p-InP clad layer, an etch stop layer, and a p-InP clad layer on an n-InP substrate; And forming an mesa profile by selectively wet etching the p-InP clads using the oxide layer pattern as a mask after forming an oxide pattern on the p-InP cladding layer, and the etching stop layer by dry etching. Forming a mesa profile exposed to the {100} plane by etching to a predetermined thickness of the n-InP substrate, and growing a p-InP layer and an n-InP layer with a current limiting layer on the side of the mesa profile. Diode manufacturing method.
제1항에 있어서, 상기 식각정지층은 InGaAsP 계의 물질인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the etch stop layer is an InGaAsP-based material.
제1항에 있어서, 상기 선택적 습식식각으로 p-InP 클래드층을 식각하여 메사 프로파일을 형성할 때 {111}면이 노출되는 메사 프로파일로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the p-InP clad layer is etched by the selective wet etching to form a mesa profile in which a {111} plane is exposed when the mesa profile is formed.
제1항에 있어서, 상기 건식식각으로 상기 식각정지층에서 n-InP 기판의 일정 두께까지 식각하여 메사 프로파일을 형성할 때 {100}면이 노출되는 메사 프로파일로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.2. The method of claim 1, wherein the dry etching process comprises forming a mesa profile in which a {100} plane is exposed when the etching stop layer is etched to a predetermined thickness of an n-InP substrate to form a mesa profile. Way.
제1항에 있어서, 상기 n-InP기판 상부에 n-InP 버퍼층, n-InP클래드층, InGaAsP 액티브층, p-InP 클래드층, 식각정지층 및 p-InP 클래드층을 순차적으로 적층할 때 2단계 식각을 위하여 LPE, MBE 또는 MOCVD 방법으로 에피텍셜 증착하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein when n-InP buffer layer, n-InP cladding layer, InGaAsP active layer, p-InP cladding layer, etch stop layer and p-InP cladding layer are sequentially stacked on the n-InP substrate. Method for producing a laser diode, characterized in that for epitaxial deposition by LPE, MBE or MOCVD method for etching.
제1항에 있어서, 상기 InGaAsP 액티브층은 벌크 또는 다중 양자 우물 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the InGaAsP active layer is formed of a bulk or multiple quantum well structure.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.