KR970053692A - Semiconductor device, manufacturing method thereof, and lead frame - Google Patents

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KR970053692A
KR970053692A KR1019960060276A KR19960060276A KR970053692A KR 970053692 A KR970053692 A KR 970053692A KR 1019960060276 A KR1019960060276 A KR 1019960060276A KR 19960060276 A KR19960060276 A KR 19960060276A KR 970053692 A KR970053692 A KR 970053692A
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KR
South Korea
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semiconductor device
support pin
semiconductor element
mounting pad
semiconductor
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Application number
KR1019960060276A
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Korean (ko)
Inventor
노리또 우메하라
아끼라 가라시마
Original Assignee
윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP7337928A external-priority patent/JPH09153586A/en
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Abstract

반도체 디바이스 제조에서, 반도체 소자가 와이어-본딩 및 수지-밀봉 공정 동안에 적합하게 배치될 수 있도록 하기 위해 지지 핀(support pin)의 와핑(warping)이 방지되어야 한다. 본 발명은 예를 들어 V-자형홈(groove) (33)이 장착 패드(mounting pad) (31)및 지지 핀(32) 상에 형성되어서, 지지 핀(32)에 대한 강성(rigidity)을 분산시킨다.In semiconductor device fabrication, warping of the support pins must be prevented in order to allow the semiconductor elements to be suitably placed during the wire-bonding and resin-sealing processes. In the present invention, for example, a V-groove 33 is formed on the mounting pad 31 and the support pin 32 to distribute the rigidity to the support pin 32. Let's do it.

대표도 : 제1도Representative: First drawing

Description

반도체 디바이스, 그 제조 방법, 및 리드 프레임Semiconductor device, manufacturing method thereof, and lead frame

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.

제1도는 본 발명의 실시예 1에 기초한 장착 패드 및 지지 핀의 경사도.1 is an inclination of a mounting pad and a support pin based on Embodiment 1 of the present invention.

Claims (17)

반도체 소자의 장착부를 지지하기 위한 지지 핀, 및 상기 지지 핀의 적어도 일부 내에 형성된 강성(rigidity)를 분산하기(imparting) 위한 수단을 포함하는 반도체 디바이스.And a support pin for supporting a mounting portion of the semiconductor element, and means for imparting rigidity formed in at least a portion of the support pin. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 회로 형성 표면의 한 측면에 있는 내부 리드부에 본딩하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device of claim 1, wherein the semiconductor element is bonded to an inner lead portion on one side of a circuit forming surface. 제1항에 있어서, 상기 지지 핀은 상기 반도체 소자의 장착 패드에 접속외며,상기 반도체 소자가 상기 장착 패드에 장착되도록 수지 밀봉되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device according to claim 1, wherein the support pin is connected to a mounting pad of the semiconductor element and is resin-sealed to mount the semiconductor element to the mounting pad. 제3항에 있어서, 상기 장착 패드의 표면적은 상기 반도체 소자의 표면적보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device according to claim 3, wherein the surface area of the mounting pad is smaller than the surface area of the semiconductor element. 제1항에 있어서, 상기 지지 핀의 적어도 일부 내에 형성된 강도를 분산하기 위한 상기 수단은 상기 지지핀으 세로축을 따라 있는 오목 또는 홈 단면을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device of claim 1, wherein said means for dispersing strength formed in at least a portion of said support pin comprises a concave or groove cross section along the longitudinal axis of said support pin. 제5항에 있어서, 상기 지지 핀의 상기 오목 또는 홈 단면은 반도체 소자 장착면 또는 그 반대측에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.6. The semiconductor device according to claim 5, wherein the concave or groove cross section of the support pin is formed on a semiconductor element mounting surface or the opposite side thereof. 제5항에 있어서, 상기 지지 핀의 상기 오목 또는 홈 단면은 가압에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.6. The semiconductor device according to claim 5, wherein said concave or groove cross section of said support pin is formed by pressing. 제5항에 있어서, 상기 지지 핀의 상기 오목 또는 홈 단면은 상기 지지 핀을 스탬핑(stamping)하므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.6. The semiconductor device of claim 5, wherein the concave or groove cross section of the support pin is formed by stamping the support pin. 제1항에 있어서, 상기 장착 패드용 지지 핀과 일체로 만들어지는 보강 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device according to claim 1, comprising a reinforcing material made integral with said support pin for said mounting pad. 제1항에 있어서, 상기 지지 핀은 그 두께를 증가시키므로써 보강되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device of claim 1, wherein the support pin is reinforced by increasing its thickness. 제5항에 있어서, 상기 반도체 소자를 고정하는데 사용된 접착제는 상기 짖 핀의 상기 오목 또는 홈단면 내에 채워지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.6. A semiconductor device according to claim 5, wherein the adhesive used to fix the semiconductor element is filled in the concave or groove section of the bark pin. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자를 고정하는데 사용되는 상기 접착제를 도포하기 위해 오목한 영역이 상기 장착 패드 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.A semiconductor device according to claim 1, wherein a recessed area is formed in said mounting pad for applying said adhesive used to fix said semiconductor element. 제1항의 지지 핀 및 반도체 소자 장착부를 포함하는 반도체 디바이스용 리드 프레임.A lead frame for a semiconductor device comprising the support pin of claim 1 and a semiconductor element mounting portion. 제1항의 반도체 디바이스를 제조하는 방법에 있어서, 제13항의 리드 프레임의 반도체 소자 장착부와 지지 핀을 접촉시키기 위해 만들어진 가열 소자를 포함하고, 상기 장착부의 상부에 고정되어 있는 반도체 소자는 상기 리드 프레임의 내부 리드부에 본딩되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.A method of manufacturing the semiconductor device of claim 1, further comprising a heating element made to contact the semiconductor element mounting portion of the lead frame of claim 13 with a support pin, wherein the semiconductor element fixed on top of the mounting portion includes: A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that bonded to the inner lead portion. 제14항에 있어서, 상기 본딩은 와이어 본딩인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.15. The method of claim 14, wherein said bonding is wire bonding. 제14항에 있어서, 상기 장착 패드용 삽입 오목 영역을 따라, 상기 지지 핀용 삽입 오목 영역이 상기 가열 소자 부분 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 14, wherein the insertion recess for the support pin is formed in the heating element portion along the insertion recess for the mounting pad. 제16항에 있어서, 상기 가열 소자 부분 내에 형성된 상기 장착 패드용 삽입 오목 영역은 상기 장착 패드의 영역보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.17. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 16, wherein the insertion recessed area for the mounting pad formed in the heating element portion is larger than the area of the mounting pad. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019960060276A 1995-12-01 1996-11-30 Semiconductor device, manufacturing method thereof, and lead frame KR970053692A (en)

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JP7337928A JPH09153586A (en) 1995-12-01 1995-12-01 Semiconductor device, its manufacture and lead frame
JP95-337928 1995-12-01

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5126820A (en) * 1985-02-01 1992-06-30 Advanced Micro Devices, Inc. Thermal expansion compensated metal lead frame for integrated circuit package
JPH04286146A (en) * 1991-03-14 1992-10-12 Toshiba Corp Lead frame and resin-sealed semiconductor device using same
JPH06204388A (en) * 1992-09-09 1994-07-22 Texas Instr Inc <Ti> Lead frame that decreased the capacity of lead on-chip package
KR0133014B1 (en) * 1994-03-31 1998-04-16 Anam Ind Co Ltd Tie bar of lead frame

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