Claims (13)
반도체 기판상에 활성 영역과 필드 영역의 경계에 사진식각법으로 소정 깊이의 트렌치를 형성하는 단계; 전체 구조의 상부에 BSG를 중착하고, 비등방성 식각하여 트렌치를 매립한 다음, 전체 구조의 상부에 패드산화막 및 질화막을 순차적으로 적층하는 단계; 사진식각법으로 필드 영역이 형성될 상기 패드 산화막을 노출시킨 다음, 불순물을 소정 농도로 이온 주입하여 채널 스토퍼를 형성하는 단계; 공지의 열산화법으로 필드 산화막을 소정 두께 범위로 형성하고, 상기 질화막 및 패드 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.Forming a trench of a predetermined depth on the semiconductor substrate at a boundary between the active region and the field region by photolithography; Depositing a BSG on top of the entire structure, filling the trench by anisotropic etching, and sequentially depositing a pad oxide film and a nitride film on the top of the entire structure; Exposing the pad oxide layer on which a field region is to be formed by photolithography, and ion implanting impurities at a predetermined concentration to form a channel stopper; Forming a field oxide film in a predetermined thickness range by a known thermal oxidation method, and removing the nitride film and the pad oxide film.
제1항에 있어서, 상기 트렌치는 0.5 내지 1.2㎛의 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.The method of claim 1, wherein the trench is formed to a depth of 0.5 to 1.2 μm.
제1항에 있어서, 상기 BSG 막은 2,000 내지 5,000Å의 두께범위로 중착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.The method of forming a field oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the BSG film is deposited in a thickness range of 2,000 to 5,000 kPa.
제1항에 있어서, 상기 패드 산화막은 100 내지 300Å의 두께범위로 중착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.The method of claim 1, wherein the pad oxide film is deposited in a thickness range of 100 to 300 kPa.
제1항에 있어서, 상기 질화막은 1,000 내지 2,000Å의 두께범위로 중착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.The method of claim 1, wherein the nitride film is deposited in a thickness range of 1,000 to 2,000 GPa.
제1항에 있어서, 상기 채널 스토퍼를 형성하기 위한 불순물은 붕소인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.The method of forming a field oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the impurity for forming the channel stopper is boron.
제1항에 있어서, 상기 필드 산화막은 4,000 내지 6,000Å 두께범위로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.The method of claim 1, wherein the field oxide film is formed in a thickness range of 4,000 to 6,000 kHz.
반도체 기판상에 활성 영역과 필드 영역의 경계에 사진식각법으로 소정 깊이의 제1트렌치를 형성하는 단계; 상기 제1트렌치를 충분히 매립할 정도의 소정 두께로 전체 구조의 상부에 도핑된 실리콘 산화막을 중착하는 단계; 식각되지 않은 반도체 기판상에 도핑된 실리콘 산화막을 비등방성 식각하여 반도체 기판의 표면을 노출시키는 단계; 전체 구조의 상부에 패드 산화막, 질화막. 및 TEOS 산화막을 순차적으로 적충하는 단계; 상기 매립된 트렌치 사이를 노출시키는 감광막 마스크를 형성하는 단계; 상기 감광막 마스크를 식각 장벽으로 하여 노출된 상기 TEOS 산화막 및 질화막을 식각하여 필드 영역이 형성될 상기 패드 산화막을 노출시키는 단계; 감광막을 제거하고, 감광막이 제거된 상기 TEOS 산화막을 식각 장벽으로 하여 상기 패드 산화막 및 반도체 기판을 소정 깊이로 식각하여 상기 BSG막의 중간 정도에 제2트렌치를 형성하는 단계; 채널 스토퍼용 불순물을 이온 주입하는 단계; 공지의 열산화법으로 필드 산화막을 소정 두께 형성하고, 상기 질화막 패턴 및 패드 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.Forming a first trench of a predetermined depth on the semiconductor substrate at a boundary between the active region and the field region by photolithography; Depositing a doped silicon oxide film on the entire structure to a predetermined thickness sufficient to sufficiently fill the first trench; Anisotropically etching the doped silicon oxide film on the unetched semiconductor substrate to expose a surface of the semiconductor substrate; Pad oxide film and nitride film on top of the whole structure. And sequentially loading the TEOS oxide film; Forming a photoresist mask exposing between the buried trenches; Etching the exposed TEOS oxide film and nitride film using the photoresist mask as an etch barrier to expose the pad oxide film to form a field region; Removing the photoresist film and etching the pad oxide film and the semiconductor substrate to a predetermined depth using the TEOS oxide film from which the photoresist film is removed as a etch barrier to form a second trench in the intermediate portion of the BSG film; Ion implanting impurities for the channel stopper; Forming a field oxide film by a known thermal oxidation method and removing the nitride film pattern and the pad oxide film.
제8항에 있어서, 상기 트렌치는 0.5 내지 1.2㎛의 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.The method of claim 8, wherein the trench is formed to a depth of 0.5 to 1.2 μm.
제8항에 있어서, 상기 도핑된 실리콘 산화막은 BSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.10. The method of claim 8, wherein the doped silicon oxide film is a BSG film.
제9항 또는 제10항에 있어서,상기 BSG 막은 2,000 내지 5,000Å의 두께범위로 중착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.The method of forming a field oxide film of a semiconductor device according to claim 9 or 10, wherein the BSG film is deposited in a thickness range of 2,000 to 5,000 kPa.
제9항에 있어서, 상기 패드 산화막은 100 내지 300Å 두께범위로 중착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.10. The method of claim 9, wherein the pad oxide film is deposited in a thickness range of 100 to 300 GPa.
제9항에 있어서, 상기 질화막은 1,000 내지 2,000Å의 두께범위로 중착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.10. The method of claim 9, wherein the nitride film is deposited in a thickness range of 1,000 to 2,000 GPa.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.