Claims (15)
반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법에 있어서, (A) 반도체 기판의 상부에 제1열산화막, 질화막 및 폴리 실리콘막을 순차적으로 적충하는 단계; (B) 상기 제1열산화막의 소정 부위가 노출되도록 상기 폴리실리콘막 및 질화막의 소정 부분을 사진 식각법으로 선택적으로 식각하여 요홈을 형성하는 단계; (C) 전체구조의 상부에 제1TEOS 산화막을 중착하는 단계; (D) 상기 제1TEOS 산화막을 비등방성 식각하여 상기 요홈의 측벽부에 스페이서를 형성하는 단계; (E) 상기 요홈의 내부에 감광막을 매립하는 단계; (F) 상기 스페이서 및 스페이서의 수직 하방에 있는 반도체 기판 부분을 비등방성 식각법으로 과도 식각하여 트렌치를 형성한 다음, 상기 감광막을 제거하는 단계; (G) 노출된 제1열산화막을 비등방성 식각법으로 제거한 다음, 상기 질화막을 식각 정지층으로 하여 노출된 트렌치를 포함한 노출된 반도체 기판 부분을 추가 식각하는 단계; (H) 상기 노출된 트렌치의 바닥부 및 노출된 반도체 기판 부분에 채널 스토퍼용 불순물을 이온 주입하는 단계; (I)노출된 트렌치 및 노출된 반도체 기판 부분에 제2열산화막을 형성하는 단계; (J)상기 트렌치가 충분히 매립되도록 전체 구조의 상부에 제2TEOS 산화막을 중착하는 단계; (K) 상기 질화막을 식각 정지층으로 하여 상기 제2TEOS 산화막을 에치 백하되, 상기 질화막이 노출되도록 과도 식각하는 단계; 및 (L) 남아 있는 불필요한 질화막 및 제1열산화막을 습식 식각법으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.A method of forming a trench type field oxide film of a semiconductor device, comprising: (A) sequentially filling a first thermal oxide film, a nitride film, and a polysilicon film on an upper surface of a semiconductor substrate; (B) selectively etching a predetermined portion of the polysilicon film and the nitride film by photolithography so as to expose a predetermined portion of the first thermal oxide film to form grooves; (C) depositing the first TEOS oxide layer on the entire structure; (D) anisotropically etching the first TEOS oxide layer to form spacers on sidewalls of the grooves; (E) embedding a photosensitive film in the groove; (F) over-etching the spacer and the semiconductor substrate portion below the spacer by anisotropic etching to form a trench, and then removing the photoresist film; (G) removing the exposed first thermal oxide film by anisotropic etching, and then further etching the exposed semiconductor substrate portion including the exposed trench by using the nitride film as an etch stop layer; (H) ion implanting impurities for a channel stopper into the bottom portion of the exposed trench and the exposed portion of the semiconductor substrate; (I) forming a second thermal oxide film in the exposed trench and exposed semiconductor substrate portion; (J) depositing a second TEOS oxide layer on top of the entire structure to sufficiently fill the trench; (K) etching the second TEOS oxide layer using the nitride layer as an etch stop layer, and overetching the nitride layer to expose the nitride layer; And (L) removing the remaining nitride film and the first thermal oxide film by a wet etching method.
제1항에 있어서, 단계(A)에서 형성되는 제1열산화막은 약 50~350Å의 두께, 질화막은 약 1000~2000Å의 두께, 그리고 폴리 실리콘막은 약 500~1000Å의 두께를 지니는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.The method according to claim 1, wherein the first thermal oxide film formed in step (A) has a thickness of about 50 to 350 microns, a nitride film of about 1000 to 2000 microns, and a polysilicon film of about 500 to 1000 microns. A method of forming a trench type field oxide film in a semiconductor device.
제1항에 있어서, 단계(C)에서 중착되는 제1TEOS 산화막의 두께는 1000~3000Å 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.The method for forming a trench type field oxide film in a semiconductor device according to claim 1, wherein the thickness of the first TEOS oxide film deposited in step (C) is 1000 to 3000 kPa.
제1항에 있어서, 단계(F)에서 형성되는 트렌치는 약 3000~1000Å의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.The method of forming a trench type field oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the trench formed in step (F) has a depth of about 3000 to 1000 microns.
제1항에 있어서, 단계(H)에서의 채널 스토퍼용 이온 주입은 1X1012~1X1015원자/㎠의 BF2를 20~50KeV에서 주입함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.The trench type field oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the ion implantation for the channel stopper in step (H) is performed by injecting BF 2 of 1 × 10 12 to 1X10 15 atoms / cm 2 at 20 to 50 KeV. Formation method.
제1항에 있어서, 단계(I)에서 형성되는 제2열산화막의 두께는 약 100~500Å 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.The method of forming a trench type field oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the thickness of the second thermal oxide film formed in step (I) is about 100 to 500 microns.
제1항에 있어서, 단계(J)에서 형성되는 제2TEOS 산화막의 두께는 약 3000~5000Å 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.The method of forming a trench type field oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the thickness of the second TEOS oxide film formed in step (J) is about 3000 to 5000 microns.
제1항에 있어서, 단계(L)에서의 습식 식각에 사용되는 화학제는 질화막의 제거에 있어서는 인산(H3PO4)이고, 제1열산화막의 제거에 있어서는 불산(HF)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.The method according to claim 1, wherein the chemical agent used for the wet etching in step (L) is phosphoric acid (H 3 PO 4 ) for removing the nitride film, and hydrofluoric acid (HF) for removing the first thermal oxide film. A method of forming a trench type field oxide film in a semiconductor device.
반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법에 있어서, (A) 반도체 기판의 상부에 제1열산화막, 질화막 및 폴리 실리콘막을 순차적으로 적층하는 단계; (B) 상기 제1열산화막의 소정 부위가 노출되도록 상기 폴리 실리콘막 및 질화막의 소정 부분을 사진 식각법으로 선택적으로 식각하여 요홈을 형성하는 단계; (C) 전체 구조의 상부에 제1TEOS 산화막을 중착하는 단계; (D) 상기 요홈부위에 감광막을 매립하는 단계; (E) 상기 노출된 제1TEOS 산화막 및 대응하는 반도체 기판 부분을 비등방성 식각법으로 과도 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; (F) 상기 감광막을 제거한 다음, 노출된 제1TEOS 산화막 및 제1열산화막을 비등방성 식각법으로 각각 제거하는 단계; (G) 상기 질화막을 식각 정지층으로 하여 노출된 트렌치를 포함한 노출된 반도체 기판부분을 추가 식하는 단계; (H) 상기 노출된 트렌치 및 노출된 반도체 기판 부분에 제2열산화막을 형성하는 단계; (I) 상기 트렌치가 충분히 매립되도록 전체 구조의 상부에 제2TEOS 산화막을 중착하는 단계; (J) 상기 질화막을 식각 정지층으로 하여 상기 제2TEOS 산화막을 에치 백하되, 상기 질화막이 노출되도록 과도 식각하는 단계; 및 (K) 남아 있는 불필요한 질화막 및 제1열산화막을 습식 식각법으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.A method of forming a trench type field oxide film of a semiconductor device, comprising: (A) sequentially stacking a first thermal oxide film, a nitride film, and a polysilicon film on an upper surface of a semiconductor substrate; (B) selectively etching a predetermined portion of the polysilicon film and the nitride film by photolithography so as to expose a predetermined portion of the first thermal oxide film to form grooves; (C) depositing a first TEOS oxide layer on top of the entire structure; (D) embedding a photosensitive film in the groove portion; (E) overetching the exposed first TEOS oxide layer and the corresponding semiconductor substrate portion to form an trench by anisotropic etching; (F) removing the photoresist film and then removing the exposed first TEOS oxide film and the first thermal oxide film by anisotropic etching, respectively; (G) further etching the exposed semiconductor substrate portion including the exposed trench by using the nitride film as an etch stop layer; (H) forming a second thermal oxide film on the exposed trench and the exposed semiconductor substrate portion; (I) depositing a second TEOS oxide layer on top of the entire structure such that the trench is sufficiently buried; (J) etching the second TEOS oxide layer using the nitride layer as an etch stop layer, and overetching the nitride layer to expose the nitride layer; And (K) removing the remaining unnecessary nitride film and the first thermal oxide film by a wet etching method.
제9항에 있어서, 단계(A)에서 형성되는 제1열산화막은 약 50~350의 두께, 질화막은 약 1000~2000Å의 두께, 그리고 폴리 실리콘막은 약 500~1000Å의 두께를 지니는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.10. The method of claim 9, wherein the first thermal oxide film formed in step (A) has a thickness of about 50 to 350 microns, a nitride film of about 1000 to 2000 microns, and a polysilicon film of about 500 to 1000 microns. A method of forming a trench type field oxide film in a semiconductor device.
제9항에 있어서, 단계(C)에서 중착되는 제1TEOS 산화막의 두께는 1000~3000Å 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.The method of forming a trench type field oxide film of a semiconductor device according to claim 9, wherein the thickness of the first TEOS oxide film deposited in step (C) is 1000 to 3000 kPa.
제9항에 있어서, 단계(E)에서 형성되는 트렌치는 약 3000~1000Å의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.10. The method of claim 9, wherein the trench formed in step (E) has a depth of about 3000 to about 1000 microns.
제9항에 있어서, 단계(H)에서 형성되는 제2열산화막의 두께는 약 100~500Å 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.The method of forming a trench type field oxide film of a semiconductor device according to claim 9, wherein the thickness of the second thermal oxide film formed in step (H) is about 100 to 500 microns.
제9항에 있어서, 단계(I)에서 형성되는 제2TEOS 산화막의 두께는 약 3000~5000Å 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.10. The method of forming a trench type field oxide film of a semiconductor device according to claim 9, wherein the thickness of the second TEOS oxide film formed in step (I) is about 3000 to 5000 microns.
제9항에 있어서, 단계(K)에서의 습식 식각에 사용되는 화학제는 질화막의 제거에 있어서는 인산(H3PO4)이고, 제1열산화막의 제거에 있어서는 불산(HF)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트렌치형 필드 산화막의 형성방법.10. The method of claim 9, wherein the chemical agent used for the wet etching in step (K) is phosphoric acid (H 3 PO 4 ) for removal of the nitride film and hydrofluoric acid (HF) for removal of the first thermal oxide film. A method of forming a trench type field oxide film in a semiconductor device.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.